JPH10102256A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
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- JPH10102256A JPH10102256A JP9250182A JP25018297A JPH10102256A JP H10102256 A JPH10102256 A JP H10102256A JP 9250182 A JP9250182 A JP 9250182A JP 25018297 A JP25018297 A JP 25018297A JP H10102256 A JPH10102256 A JP H10102256A
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- Japan
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- chamber
- heater
- susceptor
- side wall
- intake pipe
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 膜質の再現性、均質性に優れたＣＶＤ装置を
提供する。 【解決手段】 チャンバ１の底部に、ウェーハを載置す
るサセプタ３及びチャンバ内温度を調節するヒーター５
が設けられ、これらサセプタ３とヒーター５との間をチ
ャンバ底部から吸気管１１が延設されている。吸気管１
１はヒーター５に隣接してチャンバ内に延設されている
ので、反応ガスが吸気管１１を通過する間に予熱され、
またこの際に反応ガス内の不純物が管内で分解される。
この予熱により、反応ガスがチャンバ内に入ったときに
は反応速度が速くなり、均一で再現性のよい安定した薄
膜作れる。さらに、チャンバ１の側壁には温度分布を不
均一にする要素がなくなるので側壁が均等冷却され、工
程を繰り返しても側壁へのシリコン堆積が防止され、工
程の再現性、安定性が改善される。
提供する。 【解決手段】 チャンバ１の底部に、ウェーハを載置す
るサセプタ３及びチャンバ内温度を調節するヒーター５
が設けられ、これらサセプタ３とヒーター５との間をチ
ャンバ底部から吸気管１１が延設されている。吸気管１
１はヒーター５に隣接してチャンバ内に延設されている
ので、反応ガスが吸気管１１を通過する間に予熱され、
またこの際に反応ガス内の不純物が管内で分解される。
この予熱により、反応ガスがチャンバ内に入ったときに
は反応速度が速くなり、均一で再現性のよい安定した薄
膜作れる。さらに、チャンバ１の側壁には温度分布を不
均一にする要素がなくなるので側壁が均等冷却され、工
程を繰り返しても側壁へのシリコン堆積が防止され、工
程の再現性、安定性が改善される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の製造装
置、特にＣＶＤ(Chemical Vapour Deposition)装置に関
する。
置、特にＣＶＤ(Chemical Vapour Deposition)装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩプロセスの導電膜や絶縁膜などの
薄膜形成には、ＣＶＤ装置が広く使用される。このＣＶ
Ｄ装置は、密閉したチャンバ内に反応ガスを注入して所
定の温度及び圧力で化学反応させることによりウェーハ
上に薄膜を形成する装置で、膜質及び膜厚の均一性に優
れている。このようなＣＶＤ装置は、たとえばメモリの
ダイナミックセルにおけるキャパシタのストレージ電極
を形成するためにも使用されている。
薄膜形成には、ＣＶＤ装置が広く使用される。このＣＶ
Ｄ装置は、密閉したチャンバ内に反応ガスを注入して所
定の温度及び圧力で化学反応させることによりウェーハ
上に薄膜を形成する装置で、膜質及び膜厚の均一性に優
れている。このようなＣＶＤ装置は、たとえばメモリの
ダイナミックセルにおけるキャパシタのストレージ電極
を形成するためにも使用されている。
【０００３】ダイナミックセルでは、セルキャパシタン
スが大きいほど低電圧動作特性やアルファ粒子によるソ
フトエラー率などセル特性が改善されるので、小スペー
スでできるだけ大きいキャパシタンスを得ることが高集
積化に要求される。セルキャパシタンスの増加手法は種
々あるが、現在では主に、ストレージ電極の表面積を増
やす方法が用いられている。最近ではそのストレージ電
極の表面積増加方法として、表面に多数のＨＳＧ（Hemi
Spherical Grain＝半球状グレイン）を有するＨＳＧシ
リコン膜をストレージ電極とする方法が広く利用されて
いる。ＨＳＧシリコン膜は、まず、アモルファス（非晶
質）シリコン膜でストレージ電極のパターンを形成した
後、ＣＶＤ装置で所定のソースからアモルファスシリコ
ン膜表面にＨＳＧのシリコン核を形成し、そして、アニ
ーリングでポリシリ化するとともにシリコン核を成長さ
せることにより形成される。
スが大きいほど低電圧動作特性やアルファ粒子によるソ
フトエラー率などセル特性が改善されるので、小スペー
スでできるだけ大きいキャパシタンスを得ることが高集
積化に要求される。セルキャパシタンスの増加手法は種
々あるが、現在では主に、ストレージ電極の表面積を増
やす方法が用いられている。最近ではそのストレージ電
極の表面積増加方法として、表面に多数のＨＳＧ（Hemi
Spherical Grain＝半球状グレイン）を有するＨＳＧシ
リコン膜をストレージ電極とする方法が広く利用されて
いる。ＨＳＧシリコン膜は、まず、アモルファス（非晶
質）シリコン膜でストレージ電極のパターンを形成した
後、ＣＶＤ装置で所定のソースからアモルファスシリコ
ン膜表面にＨＳＧのシリコン核を形成し、そして、アニ
ーリングでポリシリ化するとともにシリコン核を成長さ
せることにより形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＨＳＧの核を形成する
際のＣＶＤ装置内における反応ガスの化学反応は温度に
非常に敏感なので、チャンバ壁の温度及びチャンバ内部
の温度を正確に調節しなければ、ＨＳＧシリコン膜の再
現性及び均一性を保てない。
際のＣＶＤ装置内における反応ガスの化学反応は温度に
非常に敏感なので、チャンバ壁の温度及びチャンバ内部
の温度を正確に調節しなければ、ＨＳＧシリコン膜の再
現性及び均一性を保てない。
【０００５】図１に、ＨＳＧシリコン膜を形成するＣＶ
Ｄ装置の概略を示してある。図示のようにこのＣＶＤ装
置は、反応ガスを相互反応させるチャンバ１と、該チャ
ンバ１の底部にあってウェーハを載置するサセプタ(Sus
ceptor) ３と、該サセプタ３の周囲を取囲んでチャンバ
１内の温度を調節するヒーター５と、チャンバ外からチ
ャンバ１の側壁へつながり反応ガスを注入する吸気管７
と、チャンバ１の底部からチャンバ内に連通してチャン
バ１内の反応後のガスを排出するための排気管９と、を
備える。
Ｄ装置の概略を示してある。図示のようにこのＣＶＤ装
置は、反応ガスを相互反応させるチャンバ１と、該チャ
ンバ１の底部にあってウェーハを載置するサセプタ(Sus
ceptor) ３と、該サセプタ３の周囲を取囲んでチャンバ
１内の温度を調節するヒーター５と、チャンバ外からチ
ャンバ１の側壁へつながり反応ガスを注入する吸気管７
と、チャンバ１の底部からチャンバ内に連通してチャン
バ１内の反応後のガスを排出するための排気管９と、を
備える。
【０００６】このような従来のＣＶＤ装置では、吸気管
７を通ってチャンバ１内に入ってくる反応ガスの温度が
チャンバ内温度よりも低い状態をもち、このために、チ
ャンバ内で反応ガスの温度が十分に上昇しないまま反応
する結果となり、反応速度が遅く、均一なＨＳＧの核形
成を妨げる原因となっている。
７を通ってチャンバ１内に入ってくる反応ガスの温度が
チャンバ内温度よりも低い状態をもち、このために、チ
ャンバ内で反応ガスの温度が十分に上昇しないまま反応
する結果となり、反応速度が遅く、均一なＨＳＧの核形
成を妨げる原因となっている。
【０００７】また、吸気管７がチャンバ１の側壁から分
岐されており、チャンバ側壁の均等冷却に対する阻害要
因になっている。このため、工程を繰り返すほどにチャ
ンバ側壁の不均一部分にシリコン膜が堆積していき、チ
ャンバ内雰囲気を変化させる結果となる。
岐されており、チャンバ側壁の均等冷却に対する阻害要
因になっている。このため、工程を繰り返すほどにチャ
ンバ側壁の不均一部分にシリコン膜が堆積していき、チ
ャンバ内雰囲気を変化させる結果となる。
【０００８】これらに起因してＨＳＧシリコン膜の再現
性が悪く不均一となり、結果的に歩留りに響いてくる。
そこで本発明の目的は、ＨＳＧシリコン膜の再現性及び
均一性に優れたＣＶＤ装置を提供することにある。
性が悪く不均一となり、結果的に歩留りに響いてくる。
そこで本発明の目的は、ＨＳＧシリコン膜の再現性及び
均一性に優れたＣＶＤ装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によるＣＶＤ装置
は、反応ガスを反応させるチャンバと、該チャンバ底部
にあってウェーハを載置するサセプタと、チャンバ内温
度を調節するヒーターと、チャンバ内に所定の長さ延設
されて反応ガスを送り込む吸気管と、チャンバ内の反応
後のガスを排出する排気管と、を備えてなる。この場合
の吸気管は、チャンバ底部から上方へ延びる状態とする
とよい。また、吸気管を複数設けておけば反応促進に好
ましい。
は、反応ガスを反応させるチャンバと、該チャンバ底部
にあってウェーハを載置するサセプタと、チャンバ内温
度を調節するヒーターと、チャンバ内に所定の長さ延設
されて反応ガスを送り込む吸気管と、チャンバ内の反応
後のガスを排出する排気管と、を備えてなる。この場合
の吸気管は、チャンバ底部から上方へ延びる状態とする
とよい。また、吸気管を複数設けておけば反応促進に好
ましい。
【００１０】チャンバ底部から延設した場合の吸気管
は、サセプタとその周囲に配設したヒーターとの間を一
定の長さ延びるようにする。これにより、チャンバ外か
らチャンバ内へ注入される反応ガスが吸気管を通過する
間に予熱される。このように予熱された反応ガスは、高
活性化エネルギーを有するためチャンバ内で迅速な化学
反応を示し、さらに、反応ガス内に存在する不純物（酸
素や炭素）が初期に管内で分解されて不純物付着による
ウェーハの汚染も防止し得る。
は、サセプタとその周囲に配設したヒーターとの間を一
定の長さ延びるようにする。これにより、チャンバ外か
らチャンバ内へ注入される反応ガスが吸気管を通過する
間に予熱される。このように予熱された反応ガスは、高
活性化エネルギーを有するためチャンバ内で迅速な化学
反応を示し、さらに、反応ガス内に存在する不純物（酸
素や炭素）が初期に管内で分解されて不純物付着による
ウェーハの汚染も防止し得る。
【００１１】吸気管は、チャンバ側壁からチャンバ内へ
延設しても予熱効果を得られるのでよいが、チャンバ底
部から延設しておく方が、ウェーハの載置位置を考える
と好ましいし、チャンバ側壁の温度分布に影響しなくな
り側壁の均等冷却が可能となるので、より好ましい。ま
た、予熱効果を高めるには、サセプタとヒーターとの間
を吸気管が延びるようにしておく方がよい。
延設しても予熱効果を得られるのでよいが、チャンバ底
部から延設しておく方が、ウェーハの載置位置を考える
と好ましいし、チャンバ側壁の温度分布に影響しなくな
り側壁の均等冷却が可能となるので、より好ましい。ま
た、予熱効果を高めるには、サセプタとヒーターとの間
を吸気管が延びるようにしておく方がよい。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づき本発明の
実施形態を詳しく説明する。
実施形態を詳しく説明する。
【００１３】図２に、本発明のＣＶＤ装置を概略的に示
してある。本例のＨＳＧシリコン膜形成に使用するＣＶ
Ｄ装置は、図示のように、開閉可能な密閉チャンバ１内
で、反応ガスとしてＨＳＧのシリコン核を形成するため
のシリコンソースガスが所定の温度及び圧力で化学反応
する。シリコンソースガスとしては、シラン（ＳｉＨ
４）ガスやジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）ガスが使われる。
してある。本例のＨＳＧシリコン膜形成に使用するＣＶ
Ｄ装置は、図示のように、開閉可能な密閉チャンバ１内
で、反応ガスとしてＨＳＧのシリコン核を形成するため
のシリコンソースガスが所定の温度及び圧力で化学反応
する。シリコンソースガスとしては、シラン（ＳｉＨ
４）ガスやジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）ガスが使われる。
【００１４】チャンバ１の底部には、ウェーハを載置す
るサセプタ３と、このサセプタ３を取囲むように設けら
れてチャンバ内温度を調節するヒーター５と、が設けら
れている。さらに、これらサセプタ３とヒーター５との
間を、チャンバ底部から所定の長さで１以上の吸気管１
１が延びている。また、チャンバ１の底部には所定位置
に排気管９が設けてあり、チャンバ内で反応した後のガ
スをチャンバ外へ排出する。排気管９の先には図示せぬ
バキュームポンプが取り付けられ、チャンバ内圧力を保
つようにしてある。
るサセプタ３と、このサセプタ３を取囲むように設けら
れてチャンバ内温度を調節するヒーター５と、が設けら
れている。さらに、これらサセプタ３とヒーター５との
間を、チャンバ底部から所定の長さで１以上の吸気管１
１が延びている。また、チャンバ１の底部には所定位置
に排気管９が設けてあり、チャンバ内で反応した後のガ
スをチャンバ外へ排出する。排気管９の先には図示せぬ
バキュームポンプが取り付けられ、チャンバ内圧力を保
つようにしてある。
【００１５】この例の吸気管１１は、ヒーター５に隣接
してチャンバ内に延設されているので、反応ガスが吸気
管１１を通過する間に予熱され、またこの際に反応ガス
内の不純物が管内で分解される。この予熱により、反応
ガスがチャンバ内に入ったときには反応速度が速くな
り、均一なＨＳＧのシリコン核が形成され、したがって
再現性のよい安定したＨＳＧシリコン膜を得られる。さ
らに、チャンバ１の側壁には温度分布を不均一にする要
素がなくなるので、側壁が均等冷却される。したがっ
て、工程を繰り返しても側壁へのシリコン堆積は防止さ
れるので、工程の再現性、安定性が改善される。
してチャンバ内に延設されているので、反応ガスが吸気
管１１を通過する間に予熱され、またこの際に反応ガス
内の不純物が管内で分解される。この予熱により、反応
ガスがチャンバ内に入ったときには反応速度が速くな
り、均一なＨＳＧのシリコン核が形成され、したがって
再現性のよい安定したＨＳＧシリコン膜を得られる。さ
らに、チャンバ１の側壁には温度分布を不均一にする要
素がなくなるので、側壁が均等冷却される。したがっ
て、工程を繰り返しても側壁へのシリコン堆積は防止さ
れるので、工程の再現性、安定性が改善される。
【００１６】以上の他にもたとえば、酸化膜や窒化膜な
どの薄膜形成にも本発明のＣＶＤ装置は有用である。
どの薄膜形成にも本発明のＣＶＤ装置は有用である。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、チャンバ内に所定の長
さ延設した吸気管を通して反応ガスがチャンバ内に送り
込まれるので、吸気管を通る間にチャンバ内の温度で予
熱されてから反応ガスは送り込まれることになる。した
がって、従来に比べてチャンバ内の反応速度を速められ
る結果となり、再現性よく均一なＨＳＧの核形成などを
可能とし、形成される薄膜の膜質を向上させ得る。ま
た、チャンバ内流入前に管内で反応ガスに存在する不純
物が分解され、不純物によるウェーハ汚染をも防止する
ことができる。そして、チャンバ側壁の均等冷却を可能
として冷却効果を増大させ、工程再現性、安定性の改善
に寄与し、生産性を向上させる。
さ延設した吸気管を通して反応ガスがチャンバ内に送り
込まれるので、吸気管を通る間にチャンバ内の温度で予
熱されてから反応ガスは送り込まれることになる。した
がって、従来に比べてチャンバ内の反応速度を速められ
る結果となり、再現性よく均一なＨＳＧの核形成などを
可能とし、形成される薄膜の膜質を向上させ得る。ま
た、チャンバ内流入前に管内で反応ガスに存在する不純
物が分解され、不純物によるウェーハ汚染をも防止する
ことができる。そして、チャンバ側壁の均等冷却を可能
として冷却効果を増大させ、工程再現性、安定性の改善
に寄与し、生産性を向上させる。
【図１】従来のＣＶＤ装置の概略図。
【図２】本発明のＣＶＤ装置の概略図。
１ チャンバ ３ サセプタ ５ ヒーター ９ 排気管 １１ 吸気管
Claims (4)
- 【請求項１】 反応ガスを反応させるチャンバと、該チ
ャンバ底部にあってウェーハを載置するサセプタと、チ
ャンバ内温度を調節するヒーターと、チャンバ内に所定
の長さ延設されて反応ガスを送り込む吸気管と、チャン
バ内の反応後のガスを排出する排気管と、を備えたこと
を特徴とするＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 吸気管は、チャンバ底部から上方へ延設
されている請求項１記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 吸気管は、サセプタとその周囲に配設し
たヒーターとの間を延設される請求項２記載のＣＶＤ装
置。 - 【請求項４】 吸気管を複数設けた請求項２又は請求項
３記載のＣＶＤ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1996P39995 | 1996-09-14 | ||
| KR1019960039995A KR19980021208A (ko) | 1996-09-14 | 1996-09-14 | 화학기상증착 장비 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10102256A true JPH10102256A (ja) | 1998-04-21 |
Family
ID=19473822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9250182A Pending JPH10102256A (ja) | 1996-09-14 | 1997-09-16 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10102256A (ja) |
| KR (1) | KR19980021208A (ja) |
| TW (1) | TW358224B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001045158A1 (en) * | 1999-12-17 | 2001-06-21 | Genus, Inc. | Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition |
| US6503330B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-01-07 | Genus, Inc. | Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition |
| US6551399B1 (en) | 2000-01-10 | 2003-04-22 | Genus Inc. | Fully integrated process for MIM capacitors using atomic layer deposition |
| US6617173B1 (en) | 2000-10-11 | 2003-09-09 | Genus, Inc. | Integration of ferromagnetic films with ultrathin insulating film using atomic layer deposition |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010078621A (ko) * | 2000-02-09 | 2001-08-21 | 황 철 주 | 화학기상증착장치 |
| KR100730065B1 (ko) * | 2000-12-20 | 2007-06-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 화학기상 증착장비 |
-
1996
- 1996-09-14 KR KR1019960039995A patent/KR19980021208A/ko not_active Application Discontinuation
-
1997
- 1997-09-11 TW TW086113166A patent/TW358224B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-09-16 JP JP9250182A patent/JPH10102256A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6305314B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-10-23 | Genvs, Inc. | Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition |
| WO2001045158A1 (en) * | 1999-12-17 | 2001-06-21 | Genus, Inc. | Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition |
| US6503330B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-01-07 | Genus, Inc. | Apparatus and method to achieve continuous interface and ultrathin film during atomic layer deposition |
| US6551399B1 (en) | 2000-01-10 | 2003-04-22 | Genus Inc. | Fully integrated process for MIM capacitors using atomic layer deposition |
| US6617173B1 (en) | 2000-10-11 | 2003-09-09 | Genus, Inc. | Integration of ferromagnetic films with ultrathin insulating film using atomic layer deposition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW358224B (en) | 1999-05-11 |
| KR19980021208A (ko) | 1998-06-25 |
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