KR20010009968A - 반도체 박막 증착 장치 - Google Patents

반도체 박막 증착 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20010009968A
KR20010009968A KR1019990028609A KR19990028609A KR20010009968A KR 20010009968 A KR20010009968 A KR 20010009968A KR 1019990028609 A KR1019990028609 A KR 1019990028609A KR 19990028609 A KR19990028609 A KR 19990028609A KR 20010009968 A KR20010009968 A KR 20010009968A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
reaction chamber
thin film
film deposition
deposition apparatus
Prior art date
Application number
KR1019990028609A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100319494B1 (ko
Inventor
김용일
신중호
윤여흥
Original Assignee
김용일
주식회사 무한
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김용일, 주식회사 무한 filed Critical 김용일
Priority to KR1019990028609A priority Critical patent/KR100319494B1/ko
Priority to TW089113654A priority patent/TW466587B/zh
Priority to JP2000210062A priority patent/JP3252960B2/ja
Priority to US09/614,718 priority patent/US6306216B1/en
Priority to DE60043481T priority patent/DE60043481D1/de
Priority to EP00115133A priority patent/EP1069599B1/en
Publication of KR20010009968A publication Critical patent/KR20010009968A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100319494B1 publication Critical patent/KR100319494B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45519—Inert gas curtains
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation by radiant heating of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체소자 제조용 박막 증착장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 다수의 웨이퍼를 반응실에 투입하여 박막을 증착하는 장치에 있어서, 기체공급부, 웨이퍼가열부, 기체배출부 등의 기구를 새롭게 추가하여 생산성을 증진시킬 수 있는 박막장치를 제공하는 것이다. 본 발명은 반응실 내에 웨이퍼를 넣고 반응기체를 분사하여 박막을 증착하는 장치로서, 반응실은 웨이퍼 이송수단으로부터 이송된 다수의 웨이퍼가 안착되는 서셉터, 반응실내로 반응기체를 분사하는 기체공급부, 웨이퍼를 가열하는 웨이퍼가열부, 반응실 내부를 가열하기 위한 반응실가열부로 구성되고, 박막 증착 장치는 서셉터에 웨이퍼를 안착시키기 위하여 웨이퍼 이송수단으로부터 공급된 웨이퍼를 상하로 이송하기 위한 웨이퍼 이동용 상하 운동부, 서셉터에 안착된 다수의 웨이퍼를 회전시키거나 상하로 이동하는 회전 운동부, 서셉터 위에 안착된 웨이퍼를 일정한 온도로 가열하기 위한 웨이퍼 가열부, 웨이퍼 위에 반응기체를 이송하기 위한 기체 이송부, 반응실 내의 반응기체를 일정한 압력으로 제어하고, 웨이퍼가 투입되기 전의 낮은 진공상태로 반응실 내부를 유지하기 위한 진공 펌핑부로 구성된다.

Description

반도체 박막 증착 장치 {Thin Film Deposition Apparatus for Semiconductor Device}
본 발명은 반도체소자 제조용 박막 증착장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 다수의 웨이퍼를 반응실에 투입하여 박막을 증착하는 장치에 있어서, 기체공급부, 웨이퍼가열부, 기체배출부 등의 기구를 새롭게 추가하여 생산성을 증진시킬 수 있는 박막장치를 제공하는 것이다.
반도체소자 제조공정은 일반적으로 웨이퍼 형성 공정, 에피택시 (epitaxy)공정, 박막형성 공정, 확산/이온주입 공정, 사진석판 공정(photolithography), 에칭 공정 등이 순환되면서 진행된다. 모래 등의 규산질 재료로부터 다결정의 잉곳을 거쳐 단결정 웨이퍼를 형성한 후, 원하는 소자를 형성하기 위해 에피택시 공정으로 웨이퍼 위에 단결정 층을 형성하고, 각종 박막을 용도에 맞게 형성하여 확산이나 이온주입 방법을 써서 웨이퍼 위에 소자를 형성하고 절단한 후, 플라스틱 등으로 외관을 밀봉하여 반도체소자가 완성된다.
반도체소자 제조공정에서는 매 공정마다 각종 막이 형성된다. 크게 4가지로 분류하면, 게이트 산화막이나 필드 산화막으로 주로 이용되는 산화막(SiO2)과, 도전층 간의 절연이나 확산/이온주입시의 마스크, 소자 보호층으로 주로 이용되는 질화막(Si3N4), 금속대신에 게이트 전극으로 많이 이용되는 다결정 실리콘막(poly-Si), 소자 내에서 소자와 소자를 연결 도전체로 이용되거나 외부단자와 연결되는 금속막으로 나눌 수 있다. 물론, 상기 분류방법이 절대적인 것은 아니고, 대표적인 용도에 따라 크게 분류한 것이다.
상기 박막형성 공정 중 산화막 형성과 질화막 형성 시에, CVD(Chemical Vapor Deposition) 방식이 널리 이용되고 있다. CVD란 웨이퍼를 반응실에 넣고 반응가스를 흘리면서 기체를 웨이퍼에 증착 하는 기술로서, 현재 대부분의 박막 증착 공정에 이용되고 있다. 이에는 상압 CVD, 감압 CVD, 플라즈마 CVD, 에너지 증속 CVD등이 있는데, 어느 경우나 불순물이 적어야 되고 박막 두께가 균일해야 하는 특성이 기본적으로 요구된다.
다결정 실리콘 막은 반응로에서 실란(SiH4)을 열분해하여 Si성분을 웨이퍼 위에 증착 시킨다. 금속막 형성에는 전통적으로 스퍼터링(sputtering)법이 사용되고 있었지만, 최근에는 CVD법도 많이 이용되고 있다. 금속막 증착에 CVD법을 이용하면 스텝 커버리지(step coverage)가 좋고 박막이 균일해 지며, 동시에 다수의 웨이퍼에 금속막을 형성할 수 있는 잇점이 있다.
이렇게 반도체소자에 있어서 박막 증착 공정은 매우 중요한 공정이다. 더욱이 한번에 끝나는 공정이 아니라, 매 공정이 진행될 때마다 필연적으로 수반되어야 하는 공정이기 때문에 그 중요성은 더욱 크다. 따라서, 양호한 박막특성을 위하여 많은 노력이 이루어져, 현재는 진공상태의 반응실 내에 웨이퍼를 넣고 반응가스를 불어 넣어 기체반응을 시킨 후 웨이퍼에 박막을 증착 시키는 장비가 이용되고 있다.
특히 원자층 에피택시 공정은 공정속도의 저하 등에 의하여 반도체 소자 제조공정에서 응용되기 어려운 단점이 있으나 낮은 불순물 농도 및 우수한 박막을 형성할 수 있는 장점이 있기 때문에, 이를 반도체소자 제조에 응용하기 위한 개발이 진행되고 있다. 일례를 들어, 도1에서 보는 바와 같이 원자층 에피택시 공정에 응용하기 위한 박막증착 장비는 기체를 이송하는 기체이송 수단(1)과 웨이퍼(2)가 놓이는 서셉터(3, susceptor)가 진공 챔버(4) 내에 투입되어 이송된 기체에 의하여 원자층 에피택시 공정을 진행하고 있다. 이는 이송된 웨이퍼를 하나씩 진행하는 것으로 이송된 웨이퍼의 원자층 에피택시 공정이 끝나면 웨이퍼가 반송되고 다시 새로운 웨이퍼를 이송하여 원자층 에피택시 공정을 진행한다.
그러나, 이 경우 처리속도가 늦기 때문에 단위 시간당 웨이퍼 수율이 낮은 단점이 있다.
이에 본 발명자들은 원자층 에피택시 공정용으로서 다수의 웨이퍼를 처리할 수 있는 반응실과, 반응성 기체의 이송수단 및 웨이퍼의 회전운동 그리고 웨이퍼를 적정한 온도로 유지하기 위한 원자층 에피택시 공정을 이용한 다수의 웨이퍼 박막 증착 장치에 관한 것을 개발하였다.
본 발명의 목적은 원자층 에피택시 공정을 이용하여 반도체 웨이퍼의 수율을 증대 시키며 우수한 반도체 박막을 형성하는데 있어서, 다수의 반도체 웨이퍼의 박막 증착 공정을 자동으로 진행하며, 가스역류 분사 장치를 구비하여 반응실 수명을 연장시키고, 공급가스를 서로 교대적으로 공급하기 때문에 막질을 적절히 제어할 수 있으며, 가스 공급부에 세정기능을 부가하고 웨이퍼 가열부를 두 곳에서 독립적으로 온도제어 하며, 반응실의 상부와 측면에 히터를 설치하여 반응조건을 최적화할 수 있는 구성으로써 효율적으로 반도체웨이퍼 박막공정을 진행할 수 있는 반도체웨이퍼 박막 증착 장치를 제공하는 것이다.
도1은 일반적인 박막증착장치의 개요도.
도2는 본 발명에 따른 반도체 박막 증착장치의 구성도.
도3a, 도3b는 서셉터의 사시도와 A-A 단면도.
도4a는 반응실 주위를 나타내는 단면도.
도4b는 도4a의 B부 확대도.
도5는 반응실의 상부 평면도.
도6은 서셉터와 웨이퍼 가열부의 평면도.
도7a는 펌핑부를 나타내기 위한 반응실의 횡단면도.
도7b는 펌핑부를 나타내기 위한 반응실의 종단면도.
도8은 기체이송부를 나타내는 배관도.
도9a, 도9b는 기체공급부의 저면도와 단면도.
본 발명은 반응실 내에 웨이퍼를 넣고 반응기체를 분사하여 박막을 증착하는 장치로서, 반응실은 웨이퍼 이송수단으로부터 이송된 다수의 웨이퍼가 안착되는 서셉터, 반응실내로 반응기체를 분사하는 기체공급부, 웨이퍼를 가열하는 웨이퍼가열부, 반응실 내부를 가열하기 위한 반응실가열부로 구성되고,
박막 증착 장치는 서셉터에 웨이퍼를 안착시키기 위하여 웨이퍼 이송수단으로부터 공급된 웨이퍼를 상하로 이송하기 위한 웨이퍼 이동용 상하 운동부, 서셉터에 안착된 다수의 웨이퍼를 회전시키거나 상하로 이동하는 회전 운동부, 서셉터 위에 안착된 웨이퍼를 일정한 온도로 가열하기 위한 웨이퍼 가열부, 웨이퍼 위에 반응기체를 이송하기 위한 기체 이송부, 반응실 내의 반응기체를 일정한 압력으로 제어하고, 웨이퍼가 투입되기 전의 낮은 진공상태로 반응실 내부를 유지하기 위한 진공 펌핑부로 구성된다.
이하, 도면을 참조하여 구체적인 실시예를 통해 본 발명의 구성과 작용을 설명한다.
도2는 원자층 에피택시 공정을 위한 다수의 웨이퍼 박막 증착 장치에 관한 것으로, 웨이퍼 이송수단(미도시)으로부터 이송된 다수의 웨이퍼가 놓이는 다수의 스테이션으로 구성되는 서셉터(100)와, 서셉터에 웨이퍼를 이송하기 위하여 로보트암(미도시)으로부터 이송된 웨이퍼를 상하로 이송하기 위한 웨이퍼 이동용 상하 운동부(200)와, 서셉터에 이송된 다수의 웨이퍼를 일정한 속도로 회전시키고 상하로 이동하는 회전 운동부(300)와, 서셉터 위에 이송된 웨이퍼를 일정한 온도로 가열하기 위한 웨이퍼 가열부(400)와, 웨이퍼 위에 반응기체를 이송하기 위한 기체 이송부(500)와, 진공용기내의 반응기체를 일정한 압력으로 제어하고 반응후의 웨이퍼 이송 전의 낮은 진공상태로 진공용기를 유지하기 위한 진공 펌핑부(600)로 구성된다.
위의 구성중, 웨이퍼 이송수단은 도시 되어 있지 않다. 이는 반응실 외부에 위치하여 웨이퍼 이송 로보트에 의하여 웨이퍼를 하나씩 집어서 반응실내로 투입하는 장치로서, 본 발명에서는 반응실의 측면으로 수평 공급하는 방식을 취하고 있다. 이는 일반적인 반도체 장비에 널리 쓰이는 구성요소로서 용이하게 설계하여 적용할 수 있는 주지의 기술이다.
도2는 또한, 웨이퍼 이송수단에 의하여 진공 챔버(11)로 이송된 웨이퍼(13)를 서셉터에 올려놓기 위한 구성을 보여주고 있다. 이송된 웨이퍼(13)가 진공 챔버(11)에 투입되면 실린더 등의 기구에 의해 구성된 웨이퍼 상하 운동부(200)에서 웨이퍼를 받기 위하여 이송부의 리프트 플레이트(202)에 삽입된 3개의 웨이퍼 이송용 핀(도6의 201 참조)이 리프트 플레이트와 함께 위로 올라오면서 로보트 암 위의 웨이퍼를 들어 올리고 이 3개의 핀(201) 위에 웨이퍼가 올려지면 로보트 암이 진공 챔버에서 빠져 나간다. 다시 리프트 플레이트가 하강하여 서셉터 위에 웨이퍼를 올려 놓고 서셉터가 회전 할 수 있도록 연속적으로 서셉터 아래로 리프트 플레이트가 하강하여 다음 웨이퍼를 받을 준비를 한다. 서셉터가 90도 회전하여 다음 웨이퍼 놓일 위치에서 정지하고 위의 방법을 반복하여 4장의 웨이퍼를 서셉터 위에 올려놓게 된다.
서셉터는 금속 또는 SiC등의 세라믹으로 제작되는 것이 용이하며 소자 제조에 응용되는 물질에 따라 금속 또는 세라믹을 선택할 수 있다. 서셉터(100)는 도3a, 도3b에서 보는 바와 같이 원형으로 구성되어 네 장의 웨이퍼(13)를 올려놓을 수 있게 되어 있으며, 최소한 6 인치 이상의 웨이퍼를 올려놓을 수 있도록 구성되어 있다. 각 부분은 네 개의 웨이퍼 스테이션(101)을 갖는데, 이 스테이션(101)은 웨이퍼의 에지(edge) 부분이 걸리도록 단차를 갖고 있다(도3b 참조). 웨이퍼가 놓여야 할 각 스테이션(101)의 위치는, 모터 등에 의해 구성된 회전 운동부(300)에 의해 이동된다.
회전운동부(300)는 웨이퍼를 서셉터의 정해진 스테이션(101)에 놓기 위해 서셉터를 일정주기로 인덱스 회전시키는 기능, 공정 중 필요에 따라 단순 회전시키는 기능, 웨이퍼를 반응실 상부로 상승시키는 기능을 한다.
도3b를 참조하면, 각 스테이션(101)의 에지에는 웨이퍼(13)의 직경보다 약 3 ~ 5mm 정도 작은 직경이 되도록 단차(102)가 형성되어, 웨이퍼(13)가 정 위치에 놓일 수 있도록 되어 있다. 단차(102)의 높이는 웨이퍼의 두께와 같거나 그 이하로 형성되어 웨이퍼가 서셉터에 올려진 상태에서 평면적으로 서셉터가 웨이퍼보다 높게 돌출되지 않는 것이 바람직하다. 이는 웨이퍼 위에 반응기체가 원활하게 흐르면서 박막을 증착하는 데에 방해가 되기 때문이다.
각 스테이션(101)에 안착된 웨이퍼(13)는 박막증착 공정을 위하여 기체 이송부(500)로부터 공급되는 반응기체와 근접하도록 회전 운동부(300)에 의해 상승한다. 이에 대한 개략적인 개념을 도3b에 나타내었다. 도3b의 “14”는 반응실의 상면을 나타내는 것으로 이 반응실 상면(14)과의 간격이 약 2 mm - 5 mm가 되도록 웨이퍼(13)가 상승한다. 이 공간으로 반응기체가 지나가면서 웨이퍼 표면에 박막을 증착하는 것이다. 이에 대한 구체적인 설명은 도4b를 참조하여 나중에 설명하기로 한다.
웨이퍼(13)와 반응실 상면(14) 사이의 간격은 회전 운동부(300)의 상하운동을 이용하여 조절될 수 있다. 앞에서 설명한 것과 같이 회전 운동부(300)는 회전운동과 상하운동을 함께하는 구조를 갖는다.
도4a는 박막증착을 위한 반응실(700)을 보여주고 있고, 도4b는 도4a의 B부분 단면도이다. 반응실(700)은 다수의 웨이퍼를 올려놓는 서셉터(100), 반응기체를 반응실에 분사하는 기체 공급부(701), 서셉터의 하부에 설치되어 웨이퍼(13)를 가열하는 할로겐램프 히터(702), 반응기체에 의한 할로겐램프의 오염을 방지하기 위한 불활성기체 분사부(703), 반응기체를 외부로 방출하기 위한 펌핑홀(601), 반응실의 벽면을 일정한 온도로 가열하기 위한 제1반응실히터(705a)와 제2반응실히터(705b), 서셉터에 웨이퍼를 올려놓거나 회전운동 및 상하운동을 하는 상하 운동부(300)로 구성된다.
위에서, 반응기체의 용도에 따라 반응실의 온도를 섭씨 300도까지 가열하기 위한 반응실 히팅부(705a, 705b)는 반응실(700)의 상부와 측부에 카트리지식 히터를 삽입하여 구성된다. 반응실(700)의 재질로는 용도에 따라 열전도가 우수한 알루미늄 또는 부식성 기체에 용이한 스텐레스 스틸을 사용하는 것이 바람직하다.
할로겐램프 히터(702)는 웨이퍼(13)를 공정조건에 맞게 가열하기 위한 것으로서 자세한 내용은 도6을 참조하여 나중에 설명하기로 한다. 할로겐램프 히터(702)의 하부에는 접시모양의 반사판(707)을 설치하여 열전달 효율을 높이고 있다. 기체공급부(701)는 도9a, 9b와 같은 노즐로서, 반응실 내에 기체를 균일하게 분사하기 위하여 다수의 분사구가 형성되어 있다.
불활성기체 분사부(703)는, 상기 기체공급부(701)을 통해 반응실(700) 내로 분사된 반응기체가 할로겐램프 히터(702) 표면에 접촉하여 램프표면을 오염시키는 것을 방지하기 위하여 불활성기체를 역방향으로 분사하여 할로겐램프 히터(702) 부위로 반응기체가 유입되지 못하도록 하기 위해 설치한 것이다. 할로겐램프 히터(702)는 빛에 의한 복사열을 내는 히터이기 때문에 그 표면이 오염되면 열효율이 크게 떨어지기 때문에 설치한 것이다.
펌핑홀(601)에 대해서는 도7a, 7b를 통하여 나중에 자세히 설명하기로 한다.
도4b는 도4a의 B부분을 확대한 것으로서, 반응실의 천장면(700)과 0.5~1mm 간격으로 실드(706)가 부착된 것을 나타낸다. 이 실드(706) 아래로는 2~5mm 간격으로 웨이퍼(13)가 접근하여 이 사이 공간으로 반응기체가 흐르면서 웨이퍼에 박막을 증착한다. 실드(706)는 반응기체에 의해 반응실 천장면이 반응하는 것을 방지하기 위하여 설치하는 것이다.
그러나, 실드(706)와 반응실 천장면(700)의 사이 공간에 반응기체가 유입될 수 있기 때문에 반응실 천장면에 반응기체에 의한 예기치 못한 박막이 형성될 소지가 있다. 그래서 본 발명에서는 실드(706)와 반응실 천장면 사이에 별도의 불활성 기체를 분사하여 그 사이에 반응기체가 유입되지 못하도록 하고 있다. 이러한 기능을 하는 분사구는 도5의 “708”이다. 도5를 보면, 두 종류의 반응기체가 공급되는 배관(709a, 709b) 이외에 별도의 불활성기체 공급관(708)이 있음을 알 수 있다. 이 불활성기체 공급관(708)을 통해 불활성기체를 반응실 천장면(700)과 실드(706) 사이에 불어넣음으로써 이 부위에 반응기체가 유입되어 반응실 천장면에 불필요한 도금막을 형성하는 것을 방지할 수 있다.
도5는 반응실(700)의 상부에 삽입되어 반응실 내의 온도를 균일하게 유지하기 위한 제2반응실히터(705b)를 보여 주고 있다. 제2반응실히터는 반응실 상부에 방사상으로 삽입되는 카트리지 히터이다. 제1반응실히터(705a)에 대해서는 따로 도시하지는 않았지만, 도4a에서 충분히 알 수 있는 것과 같이 반응실의 측면의 원주면을 따라 세로로 다수 삽입되는 카트리지 히터로 구성된다. 상기 제1, 제2반응실히터(705a, 705b)에 의해 반응실(700) 내의 온도가 반응에 적정한 온도로 유지될 수 있다.
도6은 서셉터(100) 위의 웨이퍼를 가열하기 위한 할로겐램프 히터를 나타내는 평면도로서, 서셉터(100)의 하부에 동심원상으로 할로겐램프가 설치된 모습을 각 스테이션을 통하여 볼 수 있다. 할로겐램프는 두 영역(702a, 702b)으로 분리되어 각각 별도로 온도제어 된다. 이는 서셉터에 올려진 다수의 웨이퍼에 균일한 온도를 전달하기 위한 것으로, 반응실이 넓기 때문에 단일 영역 히터로는 웨이퍼의 모든 부위를 균일하게 가열할 수 없기 때문에 웨이퍼를 양분하여 두 영역의 온도를 따로 제어하여 균일하게 웨이퍼를 가열하기 위한 구조이다.
도7a, 7b는 웨이퍼 박막 공정에 사용된 기체를 외부로 배출하기 위한 펌핑부(600)의 평면도와 측단면도이다. 반응기체가 지나가는 반응실 상부의 내부 가장자리에 다수의 1차펌핑홀(601)이 형성되어 웨이퍼 표면을 지나면서 박막증착에 관여한 기체가 반응실의 가장자리에서 1차펌핑홀(601)을 통해 일차로 배출된다. 이렇게, 1차펌핑홀(601)을 다수 형성하는 이유는 서셉터에 놓여진 다수의 웨이퍼별로 균일하게 반응기체가 배출되도록 하기 위한 것이다.
상기 1차펌핑홀(601)을 통해 일차로 배출된 기체는 반응실의 하부에 있는 4개의 2차펌핑홀(602)에 집속되어 이차 배출된다. 2차펌핑홀(602)을 통해 이차 배출된 기체는 다시 반응실 외부의 진공펌프(미도시)에 의해 하나의 주펌핑홀(603)을 통해 외부로 배출된다.
본 발명에서의 배기 메카니즘을 정리하면, 먼저 반응실 내의 기체가 다수의 1차펌핑홀(601)을 통해 균일한 속도로 일차 배출되고, 4개의 2차펌핑홀(602)을 통해 이차 배출된 후, 1개의 주펌핑홀(603)을 통해 진공펌프에 의해 외부로 배기된다. 이렇게 함으로써, 반응실 내의 반응기체를 일정한 압력으로 제어하고, 웨이퍼가 공급되기 전의 낮은 진공상태로 반응실 내부조건을 유지할 수 있다.
상기 구조에서 1차펌핑홀(601)과 2차펌핑홀(602)의 개수는 임의적이다. 그 개수는 기체가 균일하게 배기되도록 충분히 다수로 형성될 것이 바람직하며, 상호 대칭적으로 형성되는 것이 바람직하다.
도8은 반응실 내에 반응기체를 공급하는 기체이송부(500)를 나타내는 배관도이다. 도8에 도시된 배관도는 크게, 제1유입관(510)과 제2유입관(510`)이 있다. 제1유입관(510)과 제2유입관(510`)에는 각각 액상의 제1, 제2반응원(504, 504`)이 각 저장고에 담겨 있고, N2나 Ar 등의 불활성 기체가 유량제어기(mass flow controller; 501, 501')와 기체역류를 방지하는 체크밸브(502, 502`)와 기체흐름을 단속하는 공압밸브(503, 503')를 통해 제1, 제2반응원(504, 504`)이 담긴 저장고에 유입된다.
불활성 기체는 상기 제1, 제2유입관(510, 510`) 뿐 아니라, 직접 반응실로 연결된 캐리어관(520)을 통해서도 반응실에 공급된다. 제1, 제2 반응원(504, 504') 저장고에 유입되는 불활성 기체는 저장고 내부에 기포를 발생시켜서 이에 의해 발생한 기체가 제1, 제2유출관(511, 511`)을 통해 반응실로 공급되도록 하는 역할을 하고, 캐리어관(520)을 흐르는 불활성 기체는 반응실로 반응기체가 공급되기 직전에 반응기체와 혼합되어 반응기체가 반응실로 공급되도록 하는 캐리어(carrier) 역할을 한다. 이것은 마치 저주파 음성신호를 고주파 캐리어신호에 실어 송신하는 무선송신기와 같은 작용이다.
한편, 제1유입관(510)에서 불활성 기체는 제1반응원(504)의 저장고로 유입되기 전에 제1분기관(512)에서 분기되어 제1유출관(511)에서 합류한 후 반응실로 공급되든지 펌프로 배기되든지 한다. 또한, 제2유입관(510`)에서 불활성 기체는 제2반응원(504')의 저장고로 유입되기 전에 제2분기관(512`)에서 분기되어 제2유출관(511')에서 합류한 후 반응실로 공급되든지 펌프로 배기되든지 한다. 펌프로 배기하는 경우에는 각 저장고에서 유출된 각각의 반응기체의 압력을 제어하기 위한 것이다.
본 발명에 따르면, 제1반응원(504)과 제2반응원(504')이 반응실에 교대로 공급되도록 프로그램에 의해서 자동으로 제어한다. 따라서, 제1유출관(511)에 제1반응기체가 흐를 때에는 제2유입관(510')과 제2유출관(511')에는 각각 불활성기체와 제2반응기체가 흐르지 않도록 각 밸브를 제어한다.
제1유입관(510)에서 분기된 제1분기관(512)과 제2유입관(510')에서 분기된 제2분기관(512')의 역할은, 제1유출관(511) 또는 제2유출관(511')에 반응기체가 흐르지 않을 때에 불활성기체를 이 제1, 제2분기관(512, 512')을 통해 흘림으로써 반응실로 통하는 제1유출관(511)과 제2유출관(511')의 내부를 세정(purge)하기 위한 것이다.
위와 같이 각 배관에 불활성기체 또는 반응기체가 자동으로 선택적으로 흐르도록 하는 것은 체크밸브(502)와 공압밸브(503)를 적절히 조작하여 이루어 질 수 있다. 이는 정해진 프로그램에 의한 순차 제어를 하는 것으로 본 발명의 기본목적을 수행하는 것이며, 이는 제어공학 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 용이하게 설계할 수 있다.
그 밖에, 도8을 보면 펌프로 유입되는 반응기체나 불활성기체의 압력 및 유속을 일정하게 하기 위하여 펌프로 이송되는 배관에는 오리피스(505)를 설치하여 유속을 제어하도록 한다. 또, 도8에서 점선에 의해 싸인 부분은 반응실 내부에 들어가는 기체의 온도를 예열하기 위하여 약 섭씨 150도 정도로 가열하기 위한 배관가열부(530)를 나타낸다.
위와 같은 배관시스템을 통해 반응실로 유입된 기체는 도9a, 9b에 도시된 기체공급부(701)에 의해 서셉터 위에 올려진 웨이퍼에 일정하게 분사된다.
이상에서와 같이, 본 발명에 따르면 다수의 반도체 웨이퍼의 박막 증착 공정을 자동으로 진행할 수 있으며, 가스역류 분사 장치를 구비하여 반응실 수명을 연장시키고, 공급가스를 서로 교대적으로 공급하기 때문에 막질을 적절히 제어할 수 있으며, 가스 공급부에 세정기능을 부가하여 수명을 연장시켰고, 웨이퍼 가열부를 두 곳에서 독립적으로 온도제어 할 수 있기 때문에 웨이퍼의 가열온도가 균일해지고, 반응실의 상부와 측면에 히터를 설치하여 반응조건을 최적화할 수 있기 때문에, 효율적으로 반도체웨이퍼 박막공정을 진행할 수 있다.

Claims (26)

  1. 반응실 내에 웨이퍼를 넣고 반응기체를 분사하여 박막을 증착하는 장치에 있어서,
    상기 반응실은 웨이퍼 이송수단으로부터 이송된 다수의 웨이퍼가 안착되는 서셉터, 반응실내로 반응기체를 분사하는 기체공급부, 웨이퍼를 가열하는 웨이퍼가열부, 반응실 내부를 가열하기 위한 반응실가열부로 구성되고,
    상기 박막 증착 장치는
    서셉터에 웨이퍼를 안착시키기 위하여 웨이퍼 이송수단으로부터 공급된 웨이퍼를 상하로 이송하기 위한 웨이퍼 이동용 상하 운동부,
    서셉터에 안착된 다수의 웨이퍼를 회전시키거나 상하로 이동하는 회전 운동부,
    서셉터 위에 안착된 웨이퍼를 일정한 온도로 가열하기 위한 웨이퍼 가열부,
    웨이퍼 위에 반응기체를 이송하기 위한 기체 이송부,
    반응실 내의 반응기체를 일정한 압력으로 제어하고, 웨이퍼가 투입되기 전의 낮은 진공상태로 반응실 내부를 유지하기 위한 진공 펌핑부를 포함하는 반도체 박막 증착장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 서셉터는 다수의 웨이퍼가 안착될 수 있는 다수의 스테이션으로 구성되는 반도체 박막 증착장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 스테이션은 웨이퍼의 직경보다 작은 직경의 개구부로서, 웨이퍼의 에지로부터 3~5mm 지점이 접촉할 수 있도록 단차가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 스테이션의 단차높이는 웨이퍼의 두께와 같거나 그 보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
  5. 제2~4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스테이션은 4개인 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
  6. 제1항에 있어서, 기체공급부는 반응실의 상부 중앙에 설치되어 반응실 내로 반응기체를 분사하는 노즐인 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
  7. 제6항에 있어서, 기체공급부는 복수 종류의 반응기체가 공급되는 복수의 공급관을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
  8. 제1항에 있어서, 웨이퍼가열부는 할로겐램프 히터인 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
  9. 제8항에 있어서, 할로겐램프 히터는 서셉터의 하부에 복수개 설치되어 각 할로겐램프 히터별로 독립적으로 온도제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 반응기체에 의해 할로겐램프 히터의 표면이 오염되는 것을 방지하기 위하여 할로겐램프 히터에 불활성기체를 분사하는 불활성기체 분사부를 추가로 포함하는 반도체 박막 증착장치.
  11. 제1항에 있어서, 반응실가열부는 반응실의 상부에 복수개 삽입되어 반응실 내부를 가열하는 카트리지식 히터인 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
  12. 제1항에 있어서, 반응실가열부는 반응실의 측면에 복수개 삽입되어 반응실 내부를 가열하는 카트리지식 히터인 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
  13. 제1항에 있어서, 반응실의 내부 천장면이 반응기체와 반응하여 부식되는 것을 방지하기 위하여 실드가 추가로 포함되는 반도체 박막 증착장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 실드와 반응실의 내부 천장면 사이의 간격은 약 0.5~1mm인 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 실드와 반응실의 내부 천장면 사이에 반응기체가 유입되어 반응실을 부식시키는 것을 방지하기 위하여, 실드와 반응실 내부 천장면 사이에 불활성 기체를 분사하는 불활성기체 분사구를 추가로 포함하는 반도체 박막 증착장치.
  16. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 이동용 상하 운동부는 최상부에 평평한 형상으로 상.하 운동하는 리프트 플레이트(202)와, 리프트 플레이트(202)에 삽입되어 웨이퍼와 접촉되는 웨이퍼 이송용 핀(201)으로 구성되어, 웨이퍼가 반응실에 투입될 때에 상기 리프트 플레이트(202)에 삽입된 웨이퍼 이송용 핀(201)이 리프트 플레이트와 함께 위로 올라와 웨이퍼를 받아 서셉터의 소정 위치에 웨이퍼를 안착 시키는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
  17. 제16항에 있어서, 웨이퍼 이송용 핀은 3개인 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
  18. 제1항에 있어서, 회전운동부는 서셉터의 축에 고정되어, 웨이퍼를 서셉터의 정해진 스테이션에 놓기 위해 서셉터를 일정주기로 인덱스 회전시키고, 공정 중 필요에 따라 단순회전시키고, 웨이퍼를 반응실 상부로 상승시키는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
  19. 제1항에 있어서, 기체이송부는
    제1반응기체가 액상의 상태로 저장되어 있는 제1반응원 저장고, 제1반응원 저장고에 불활성기체를 유입 시키는 제1유입관, 제1반응원 저장고에 유입된 불활성기체에 의해 기화된 제1반응기체를 유출하는 제1유출관, 제1유입관으로 부터 제1유출관에 직접 연결된 제1분기관 및
    제2반응기체가 액상의 상태로 저장되어 있는 제2반응원 저장고, 제2반응원 저장고에 불활성기체를 유입시키는 제2유입관, 제2반응원 저장고에 유입된 불활성기체에 의해 기화된 제2반응기체를 유출하는 제2유출관, 제2유입관으로부터 제2유출관에 직접 연결된 제2분기관을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
  20. 제19항에 있어서, 제1유출관과 제2유출관은 각각 반응실과 연결되는 관과 펌프쪽으로 연결되는 관으로 분기되는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
  21. 제19항 또는 제20항에 있어서, 상기 제1유입관과 제2유입관의 유입구 및 상기 제1유출구와 제2유출구의 유출구를 연결하는 캐리어관을 추가로 포함하는 반도체 박막 증착장치.
  22. 제19항 또는 20항에 있어서, 상기 제1유출관과 제2유출관의 온도를 가열하기 위한 가열수단을 추가로 포함하는 반도체 박막 증착장치.
  23. 제19항 또는 20항에 있어서,
    상기 제1유입관과 상기 제1반응원 저장고 사이, 제1유출구와 반응실 사이, 상기 제2유입관과 제2반응원 저장고 사이, 제2유출구와 반응실 사이에 기체의 역류를 방지하는 체크밸브와 공기압에 의해 작동하는 공압 밸브가 연결되고,
    상기 제1유출관과 펌프 사이, 제2유출관과 펌프 사이에 오리피스가 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
  24. 제20항에 있어서, 상기 제1유출구 또는 제2유출구로 반응기체가 분사되는 시점을 서로 교번적으로 제어하여, 어느 한 시점에서 볼 때에 반응실 내로는 어느 한 반응기체만 분사되는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
  25. 제24항에 있어서, 상기 제1유출구 또는 제2유출구로 반응기체가 유출되지 않는 시점에는 상기 제1분기관 또는 제2분기관을 통해 불활성 기체를 통과시켜 상기 제1유출구 또는 제2유출구를 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
  26. 제1항에 있어서, 진공펌핑부는 반응실 내의 기체를 일차로 배출하는 1차펌핑홀, 상기 1차펌핑홀을 통해 배출된 기체를 집속하는 2차펌핑홀, 상기 2차펌핑홀을 통해 배출된 기체를 집속하여 외부의 진공펌프에서 배출하는 주펌핑홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 박막 증착장치.
KR1019990028609A 1999-07-15 1999-07-15 원자층 에피택시 공정을 위한 반도체 박막 증착장치 KR100319494B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990028609A KR100319494B1 (ko) 1999-07-15 1999-07-15 원자층 에피택시 공정을 위한 반도체 박막 증착장치
TW089113654A TW466587B (en) 1999-07-15 2000-07-10 Apparatus for deposition of thin films on wafers through atomic layer epitaxial process
JP2000210062A JP3252960B2 (ja) 1999-07-15 2000-07-11 原子層エピタキシー工程のための半導体薄膜蒸着装置
US09/614,718 US6306216B1 (en) 1999-07-15 2000-07-12 Apparatus for deposition of thin films on wafers through atomic layer epitaxial process
DE60043481T DE60043481D1 (de) 1999-07-15 2000-07-12 Vorrichtung zur Abscheidung von Dünnschichten auf Wafern
EP00115133A EP1069599B1 (en) 1999-07-15 2000-07-12 Apparatus for deposition of thin films on wafers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019990028609A KR100319494B1 (ko) 1999-07-15 1999-07-15 원자층 에피택시 공정을 위한 반도체 박막 증착장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010009968A true KR20010009968A (ko) 2001-02-05
KR100319494B1 KR100319494B1 (ko) 2002-01-09

Family

ID=19601939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019990028609A KR100319494B1 (ko) 1999-07-15 1999-07-15 원자층 에피택시 공정을 위한 반도체 박막 증착장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6306216B1 (ko)
EP (1) EP1069599B1 (ko)
JP (1) JP3252960B2 (ko)
KR (1) KR100319494B1 (ko)
DE (1) DE60043481D1 (ko)
TW (1) TW466587B (ko)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100399067B1 (ko) * 2000-12-30 2003-09-26 주식회사 하이닉스반도체 원자층 증착 장치
KR100422396B1 (ko) * 2001-06-29 2004-03-12 주식회사 하이닉스반도체 원자층 증착법을 이용한 반도체 소자의 박막 형성 방법
KR100460304B1 (ko) * 2002-07-26 2004-12-04 주식회사 선익시스템 유기이엘 디스플레이의 박막형성 시스템
KR100472777B1 (ko) * 2002-06-26 2005-03-10 동부전자 주식회사 박막 적층 방법
KR100476370B1 (ko) * 2002-07-19 2005-03-16 주식회사 하이닉스반도체 배치형 원자층증착장치 및 그의 인시튜 세정 방법
KR100476299B1 (ko) * 2002-05-03 2005-03-16 주식회사 무한 반도체 소자 제조용 원자층 증착장치 및 원자층 증착 방법
KR100498609B1 (ko) * 2002-05-18 2005-07-01 주식회사 하이닉스반도체 배치형 원자층 증착 장치
KR100521698B1 (ko) * 2003-12-04 2005-10-14 한국전자통신연구원 시간 분할 폴리머 박막 증착 장치 및 방법
KR100542583B1 (ko) * 2002-04-11 2006-01-11 주식회사 메카로닉스 화학기상증착 장비의 글라스 지지용 서셉터
KR100616486B1 (ko) * 2004-02-09 2006-08-28 백용구 독립적으로 가스가 흐르는 독립분리셀을 이용한원자층박막 증착장치 및 증착방법
KR100871755B1 (ko) * 2007-04-09 2008-12-05 동부일렉트로닉스 주식회사 화학기상증착장치의 히터블록
KR100954243B1 (ko) * 2004-06-28 2010-04-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반도체 처리용 성막 장치 및 방법과 컴퓨터로 판독 가능한 매체

Families Citing this family (130)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030101938A1 (en) 1998-10-27 2003-06-05 Applied Materials, Inc. Apparatus for the deposition of high dielectric constant films
FI118342B (fi) 1999-05-10 2007-10-15 Asm Int Laite ohutkalvojen valmistamiseksi
FI110311B (fi) * 1999-07-20 2002-12-31 Asm Microchemistry Oy Menetelmä ja laitteisto aineiden poistamiseksi kaasuista
TW496907B (en) * 2000-04-14 2002-08-01 Asm Microchemistry Oy Method and apparatus of growing a thin film onto a substrate
US7060132B2 (en) * 2000-04-14 2006-06-13 Asm International N.V. Method and apparatus of growing a thin film
US6620723B1 (en) 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US6551929B1 (en) 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
US7964505B2 (en) 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US7405158B2 (en) 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US6458416B1 (en) * 2000-07-19 2002-10-01 Micron Technology, Inc. Deposition methods
US7192888B1 (en) 2000-08-21 2007-03-20 Micron Technology, Inc. Low selectivity deposition methods
US7094690B1 (en) * 2000-08-31 2006-08-22 Micron Technology, Inc. Deposition methods and apparatuses providing surface activation
US6765178B2 (en) 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6825447B2 (en) 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US6811814B2 (en) 2001-01-16 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Method for growing thin films by catalytic enhancement
US6951804B2 (en) 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6939579B2 (en) * 2001-03-07 2005-09-06 Asm International N.V. ALD reactor and method with controlled wall temperature
US6734020B2 (en) 2001-03-07 2004-05-11 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
US6828218B2 (en) * 2001-05-31 2004-12-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of forming a thin film using atomic layer deposition
US6624092B2 (en) * 2001-06-28 2003-09-23 Macronix International Co., Ltd. Method for forming low dielectric constant insulating layer with foamed structure
US7211144B2 (en) 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
TW581822B (en) 2001-07-16 2004-04-01 Applied Materials Inc Formation of composite tungsten films
US20090004850A1 (en) 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US8110489B2 (en) 2001-07-25 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt-containing materials
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US7085616B2 (en) 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
EP1421606A4 (en) * 2001-08-06 2008-03-05 Genitech Co Ltd PLASMA ACTIVE ATOMIC LAYER (PEALD) DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF FORMING THIN FILM USING SAID APPARATUS
US7368014B2 (en) * 2001-08-09 2008-05-06 Micron Technology, Inc. Variable temperature deposition methods
US6820570B2 (en) * 2001-08-15 2004-11-23 Nobel Biocare Services Ag Atomic layer deposition reactor
US6718126B2 (en) 2001-09-14 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
US7780785B2 (en) 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US20080102208A1 (en) * 2001-10-26 2008-05-01 Dien-Yeh Wu Vortex chamber lids for atomic layer deposition
US6916398B2 (en) * 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US20080102203A1 (en) * 2001-10-26 2008-05-01 Dien-Yeh Wu Vortex chamber lids for atomic layer deposition
KR100760291B1 (ko) * 2001-11-08 2007-09-19 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 박막 형성 방법
DE10157946A1 (de) * 2001-11-27 2003-06-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Wachsen von Schichten auf ein Substrat
US6773507B2 (en) 2001-12-06 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for fast-cycle atomic layer deposition
US7081271B2 (en) * 2001-12-07 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of refractory metal silicon nitride
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
US6620670B2 (en) 2002-01-18 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3
AU2003238853A1 (en) * 2002-01-25 2003-09-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
US6998014B2 (en) 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6866746B2 (en) * 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US6827978B2 (en) 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US6833161B2 (en) 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US6972267B2 (en) 2002-03-04 2005-12-06 Applied Materials, Inc. Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor
US7220312B2 (en) * 2002-03-13 2007-05-22 Micron Technology, Inc. Methods for treating semiconductor substrates
US6720027B2 (en) 2002-04-08 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer
US7279432B2 (en) 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US7067439B2 (en) 2002-06-14 2006-06-27 Applied Materials, Inc. ALD metal oxide deposition process using direct oxidation
US7186385B2 (en) 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US6955211B2 (en) 2002-07-17 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for gas temperature control in a semiconductor processing system
US7066194B2 (en) 2002-07-19 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Valve design and configuration for fast delivery system
US6772072B2 (en) * 2002-07-22 2004-08-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for monitoring solid precursor delivery
US6915592B2 (en) 2002-07-29 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating gas to a processing chamber
KR100497748B1 (ko) * 2002-09-17 2005-06-29 주식회사 무한 반도체소자 제조용 원자층 증착 장치 및 원자층 증착 방법
US6821563B2 (en) 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US20040069227A1 (en) 2002-10-09 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber configured for uniform gas flow
US6905737B2 (en) 2002-10-11 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition
EP1420080A3 (en) 2002-11-14 2005-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical deposition processes
US6868859B2 (en) * 2003-01-29 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Rotary gas valve for pulsing a gas
US6994319B2 (en) * 2003-01-29 2006-02-07 Applied Materials, Inc. Membrane gas valve for pulsing a gas
US20040177813A1 (en) * 2003-03-12 2004-09-16 Applied Materials, Inc. Substrate support lift mechanism
JP4257576B2 (ja) * 2003-03-25 2009-04-22 ローム株式会社 成膜装置
US7342984B1 (en) 2003-04-03 2008-03-11 Zilog, Inc. Counting clock cycles over the duration of a first character and using a remainder value to determine when to sample a bit of a second character
US20040198069A1 (en) 2003-04-04 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Method for hafnium nitride deposition
US7118781B1 (en) * 2003-04-16 2006-10-10 Cree, Inc. Methods for controlling formation of deposits in a deposition system and deposition methods including the same
EP1616043B1 (en) * 2003-04-23 2020-09-23 Eugenus Inc. Transient enhanced atomic layer deposition
DE10320597A1 (de) * 2003-04-30 2004-12-02 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von Halbleiterschichten mit zwei Prozessgasen, von denen das eine vorkonditioniert ist
DE102004021578A1 (de) 2003-09-17 2005-04-21 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Abscheidung von ein-oder mehrkomponentigen Schichten und Schichtfolgen unter Verwendung von nicht-kontinuierlicher Injektion von flüssigen und gelösten Ausgangssubstanzen über eine Mehrkanalinjektionseinheit
WO2005026401A2 (de) * 2003-09-17 2005-03-24 Aixtron Ag Verfahren und vorrichtung zur schichtenabscheidung unter verwendung von nicht-kontinuierlicher injektion
US20050067103A1 (en) * 2003-09-26 2005-03-31 Applied Materials, Inc. Interferometer endpoint monitoring device
US20050252449A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US8119210B2 (en) 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US8323754B2 (en) 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
JP4934595B2 (ja) * 2005-01-18 2012-05-16 エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド 薄膜成長用反応装置
CN100595974C (zh) * 2005-03-30 2010-03-24 松下电器产业株式会社 传输线
US7396415B2 (en) * 2005-06-02 2008-07-08 Asm America, Inc. Apparatus and methods for isolating chemical vapor reactions at a substrate surface
JP4736564B2 (ja) * 2005-06-23 2011-07-27 東京エレクトロン株式会社 載置台装置の取付構造及び処理装置
US7402534B2 (en) 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
US7464917B2 (en) 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
US20070119371A1 (en) 2005-11-04 2007-05-31 Paul Ma Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
WO2007106076A2 (en) * 2006-03-03 2007-09-20 Prasad Gadgil Apparatus and method for large area multi-layer atomic layer chemical vapor processing of thin films
US8034176B2 (en) * 2006-03-28 2011-10-11 Tokyo Electron Limited Gas distribution system for a post-etch treatment system
US7798096B2 (en) 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
US7601648B2 (en) 2006-07-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method for fabricating an integrated gate dielectric layer for field effect transistors
CN101528973B (zh) * 2006-10-24 2012-04-25 应用材料公司 用于原子层沉积的涡流室盖
US20080176149A1 (en) 2006-10-30 2008-07-24 Applied Materials, Inc. Endpoint detection for photomask etching
US7775508B2 (en) 2006-10-31 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor
US8821637B2 (en) 2007-01-29 2014-09-02 Applied Materials, Inc. Temperature controlled lid assembly for tungsten nitride deposition
US20080241387A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Asm International N.V. Atomic layer deposition reactor
KR20090018290A (ko) * 2007-08-17 2009-02-20 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 증착 장치
US20090194024A1 (en) * 2008-01-31 2009-08-06 Applied Materials, Inc. Cvd apparatus
US8383525B2 (en) 2008-04-25 2013-02-26 Asm America, Inc. Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures
JP4661990B2 (ja) * 2008-06-27 2011-03-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法、基板処理装置及び記憶媒体
KR101170006B1 (ko) * 2008-07-04 2012-07-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치, 플라즈마 처리 방법 및 유전체창의 온도 조절 기구
US8146896B2 (en) 2008-10-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes
TWI465599B (zh) * 2008-12-29 2014-12-21 K C Tech Co Ltd 原子層沉積裝置
US8657959B2 (en) * 2009-07-31 2014-02-25 E I Du Pont De Nemours And Company Apparatus for atomic layer deposition on a moving substrate
JP5310512B2 (ja) * 2009-12-02 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5812606B2 (ja) * 2010-02-26 2015-11-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR101205433B1 (ko) 2010-07-28 2012-11-28 국제엘렉트릭코리아 주식회사 기판 서셉터 및 그것을 갖는 증착 장치
FI124113B (fi) * 2010-08-30 2014-03-31 Beneq Oy Laitteisto ja menetelmä substraatin pinnan muokkaamiseksi
US8778204B2 (en) 2010-10-29 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Methods for reducing photoresist interference when monitoring a target layer in a plasma process
US9512520B2 (en) * 2011-04-25 2016-12-06 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate processing system
CN102339905B (zh) * 2011-10-24 2013-03-20 通用光伏能源(烟台)有限公司 以无机盐为前驱物lpcvd技术制备透明导电氧化物薄膜玻璃的方法
US8961804B2 (en) 2011-10-25 2015-02-24 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for photomask etching
US8808559B2 (en) 2011-11-22 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for reflective multi-material layers etching
CN103147067A (zh) * 2011-12-07 2013-06-12 无锡华润华晶微电子有限公司 低压化学气相淀积装置及其薄膜淀积方法
US8900469B2 (en) 2011-12-19 2014-12-02 Applied Materials, Inc. Etch rate detection for anti-reflective coating layer and absorber layer etching
DE102012210332A1 (de) * 2012-06-19 2013-12-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Ald-beschichtungsanlage
US9805939B2 (en) 2012-10-12 2017-10-31 Applied Materials, Inc. Dual endpoint detection for advanced phase shift and binary photomasks
US8778574B2 (en) 2012-11-30 2014-07-15 Applied Materials, Inc. Method for etching EUV material layers utilized to form a photomask
JP6428466B2 (ja) * 2014-06-23 2018-11-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体
JP6447393B2 (ja) * 2015-07-06 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 成膜処理装置、成膜処理方法及び記憶媒体
US10573522B2 (en) 2016-08-16 2020-02-25 Lam Research Corporation Method for preventing line bending during metal fill process
US10872804B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
US10872803B2 (en) 2017-11-03 2020-12-22 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination
JP7082514B2 (ja) * 2018-04-04 2022-06-08 株式会社Kelk 流体加熱装置
WO2019213604A1 (en) 2018-05-03 2019-11-07 Lam Research Corporation Method of depositing tungsten and other metals in 3d nand structures
WO2020106649A1 (en) 2018-11-19 2020-05-28 Lam Research Corporation Molybdenum templates for tungsten
WO2020159882A1 (en) * 2019-01-28 2020-08-06 Lam Research Corporation Deposition of metal films
WO2020185618A1 (en) 2019-03-11 2020-09-17 Lam Research Corporation Precursors for deposition of molybdenum-containing films
CN114351116A (zh) * 2020-10-13 2022-04-15 中国科学院微电子研究所 原子层沉积装置及原子层沉积方法
CN115161617B (zh) * 2022-09-08 2023-01-13 拓荆科技(上海)有限公司 分气结构及气相沉积设备
CN117467984B (zh) * 2023-11-08 2024-07-05 江苏首芯半导体科技有限公司 薄膜沉积装置及沉积方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3437043A (en) * 1966-05-27 1969-04-08 David H Sanders High volume,electro-magnetic,reciprocating pump mechanism
US4309240A (en) * 1980-05-16 1982-01-05 Advanced Crystal Sciences, Inc. Process for chemical vapor deposition of films on silicon wafers
US4513021A (en) * 1982-02-01 1985-04-23 Texas Instruments Incorporated Plasma reactor with reduced chamber wall deposition
DE3716498C2 (de) * 1987-05-16 1994-08-04 Leybold Ag Vorrichtung zum Ein- und Ausschleusen von Werkstücken in eine Beschichtungskammer
JP2668687B2 (ja) * 1987-11-27 1997-10-27 富士通株式会社 Ｃ ｖ ｄ 装 置
JPH01305524A (ja) * 1988-06-03 1989-12-08 Nec Corp プラズマｃｖｄ装置
US4911101A (en) * 1988-07-20 1990-03-27 General Electric Company Metal organic molecular beam epitaxy (MOMBE) apparatus
DD274830A1 (de) * 1988-08-12 1990-01-03 Elektromat Veb Vorrichtung zur gasphasenbearbeitung von scheibenfoermigen werkstuecken
KR920004964B1 (ko) * 1988-12-30 1992-06-22 한국전기통신공사 광화학증착장치용 적외선 가열장치
US5108792A (en) * 1990-03-09 1992-04-28 Applied Materials, Inc. Double-dome reactor for semiconductor processing
US5225366A (en) * 1990-06-22 1993-07-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Apparatus for and a method of growing thin films of elemental semiconductors
JPH05179428A (ja) * 1991-05-23 1993-07-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜形成装置
US5338362A (en) * 1992-08-29 1994-08-16 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing semiconductor wafer comprising continuously rotating wafer table and plural chamber compartments
JP3144664B2 (ja) * 1992-08-29 2001-03-12 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
US5444217A (en) * 1993-01-21 1995-08-22 Moore Epitaxial Inc. Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers
US5647945A (en) * 1993-08-25 1997-07-15 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus
US5575854A (en) * 1993-12-30 1996-11-19 Tokyo Electron Limited Semiconductor treatment apparatus
US5522934A (en) * 1994-04-26 1996-06-04 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another
JPH0982593A (ja) * 1995-09-08 1997-03-28 Nippon Steel Corp 半導体製造装置
US5954911A (en) * 1995-10-12 1999-09-21 Semitool, Inc. Semiconductor processing using vapor mixtures
JP3738494B2 (ja) * 1996-09-18 2006-01-25 東京エレクトロン株式会社 枚葉式の熱処理装置
WO1997031389A1 (fr) * 1996-02-23 1997-08-28 Tokyo Electron Limited Dispositif de traitement thermique
JPH1092754A (ja) * 1996-09-18 1998-04-10 Tokyo Electron Ltd 枚葉式の熱処理装置及び熱処理方法
JP3551609B2 (ja) * 1996-02-23 2004-08-11 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP3121022B2 (ja) * 1996-05-17 2000-12-25 株式会社シー・ヴイ・リサーチ 減圧処理装置
US6048798A (en) * 1996-06-05 2000-04-11 Lam Research Corporation Apparatus for reducing process drift in inductive coupled plasma etching such as oxide layer
US6001183A (en) * 1996-06-10 1999-12-14 Emcore Corporation Wafer carriers for epitaxial growth processes
KR19980017586A (ko) * 1996-08-31 1998-06-05 엄길용 기판 증착방법
JP3947761B2 (ja) * 1996-09-26 2007-07-25 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板搬送機および基板処理方法
US5944900A (en) * 1997-02-13 1999-08-31 Watkins Johnson Company Protective gas shield for chemical vapor deposition apparatus

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100399067B1 (ko) * 2000-12-30 2003-09-26 주식회사 하이닉스반도체 원자층 증착 장치
KR100422396B1 (ko) * 2001-06-29 2004-03-12 주식회사 하이닉스반도체 원자층 증착법을 이용한 반도체 소자의 박막 형성 방법
KR100542583B1 (ko) * 2002-04-11 2006-01-11 주식회사 메카로닉스 화학기상증착 장비의 글라스 지지용 서셉터
KR100476299B1 (ko) * 2002-05-03 2005-03-16 주식회사 무한 반도체 소자 제조용 원자층 증착장치 및 원자층 증착 방법
KR100498609B1 (ko) * 2002-05-18 2005-07-01 주식회사 하이닉스반도체 배치형 원자층 증착 장치
KR100472777B1 (ko) * 2002-06-26 2005-03-10 동부전자 주식회사 박막 적층 방법
KR100476370B1 (ko) * 2002-07-19 2005-03-16 주식회사 하이닉스반도체 배치형 원자층증착장치 및 그의 인시튜 세정 방법
KR100460304B1 (ko) * 2002-07-26 2004-12-04 주식회사 선익시스템 유기이엘 디스플레이의 박막형성 시스템
KR100521698B1 (ko) * 2003-12-04 2005-10-14 한국전자통신연구원 시간 분할 폴리머 박막 증착 장치 및 방법
KR100616486B1 (ko) * 2004-02-09 2006-08-28 백용구 독립적으로 가스가 흐르는 독립분리셀을 이용한원자층박막 증착장치 및 증착방법
KR100954243B1 (ko) * 2004-06-28 2010-04-23 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반도체 처리용 성막 장치 및 방법과 컴퓨터로 판독 가능한 매체
KR100871755B1 (ko) * 2007-04-09 2008-12-05 동부일렉트로닉스 주식회사 화학기상증착장치의 히터블록

Also Published As

Publication number Publication date
US6306216B1 (en) 2001-10-23
EP1069599A3 (en) 2002-12-04
EP1069599B1 (en) 2009-12-09
JP2001068423A (ja) 2001-03-16
EP1069599A2 (en) 2001-01-17
DE60043481D1 (de) 2010-01-21
JP3252960B2 (ja) 2002-02-04
TW466587B (en) 2001-12-01
KR100319494B1 (ko) 2002-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100319494B1 (ko) 원자층 에피택시 공정을 위한 반도체 박막 증착장치
TWI806986B (zh) 基材製程裝置及方法
US4709655A (en) Chemical vapor deposition apparatus
EP1061155B1 (en) Vacuum processing apparatus
KR950012910B1 (ko) 기상성장장치
KR100260120B1 (ko) 열처리 장치
US6251187B1 (en) Gas distribution in deposition chambers
TWI570258B (zh) 具有高放射率表面的氣體散佈噴頭
KR100372956B1 (ko) 성막장치
US7510624B2 (en) Self-cooling gas delivery apparatus under high vacuum for high density plasma applications
US8591655B2 (en) Apparatus for the preparation of film
US20070028838A1 (en) Gas manifold valve cluster
US6797068B1 (en) Film forming unit
US20090017638A1 (en) Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
US20090197409A1 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
JP2013503490A (ja) ガス分配シャワーヘッドおよび洗浄方法
TW202336270A (zh) 具有背側泵送的熱處理腔室蓋
TW201518563A (zh) 用於雜質分層磊晶法的設備
CN105714273A (zh) 递归泵送构件
WO2012120991A1 (ja) 基板処理装置、及び、基板の製造方法
JP4516318B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
US6194030B1 (en) Chemical vapor deposition velocity control apparatus
US20030175426A1 (en) Heat treatment apparatus and method for processing substrates
KR20190119152A (ko) 유동성 cvd를 위한 확산기 설계
US6964790B1 (en) Method for forming metallic tungsten film

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121011

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131031

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141103

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151211

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161004

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171011

Year of fee payment: 17

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181004

Year of fee payment: 18

EXPY Expiration of term