KR100871755B1 - 화학기상증착장치의 히터블록 - Google Patents

화학기상증착장치의 히터블록 Download PDF

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Abstract

본 발명은 화학기상증착(Chemical Vapour Deposition : CVD)장치의 히터블록(heater block)에 관한 것이다.
본 발명은, 공정챔버(210)내의 하부측에 구비되어 그 상면상에 다수매의 웨이퍼(W)를 안착하여 가열하는 화학기상증착장치의 히터블록으로, 상기 각 웨이퍼(W)를 안착하도록 원주방향을 따라 일정간격 이격되어 배열되며 각기 개별적으로 구동되는 동일 구성의 다수개의 분할로딩영역부(222)를 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 증착 불량을 방지하여 생산수율을 향상시킬 수 있고, 공정 중단의 방지로 생산성도 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
히터블록, 샤워헤드, 화학기상증착장치, CVD, 웨이퍼, 반도체

Description

화학기상증착장치의 히터블록{HEATER BLOCK OF THE CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION APPARATUS}
도 1은 종래의 화학기상증착장치를 보여주는 측단면도,
도 2는 종래의 화학기상증착장치의 히터블록에 대한 개략 평면도,
도 3은 본 발명에 따른 화학기상증착장치의 히터블록을 설명하기 위한 설명도,
도 4는 본 발명에 따른 화학기상증착장치의 히터블록을 상세히 설명하기 위한 구성도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100, 200 : 화학기상증착장치 110, 210 : 공정챔버
120, 220 : 히터블록 122 : 로딩영역부
222 : 분할로딩영역부 124 : 스핀들포크 어셈블리
124a : 포크 130, 230 : 샤워헤드
222-1 : 커튼가스분사구 222-2 : RF쉴드링
222-3 : 메인발열코일 222-4 : 보조발열코일
222-5 : 진공흡입홀 W : 웨이퍼
본 발명은 화학기상증착(Chemical Vapour Deposition : CVD)장치의 히터블록(heater block)에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 증착 품질 및 장치 가동율을 증대시킬 수 있도록 개선된 구성을 갖게 되는 화학기상증착장치의 히터블록에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자를 제조함에 있어 웨이퍼(wafer)상에 소정의 박막을 형성하는데 널리 이용되고 있는 방법으로 화학기상증착(Chemical Vapour Deposition : CVD) 방식이 있으며, 이 방식은 반응가스의 열분해 및 화학적 반응에 의해 공정대상물인 웨이퍼상에 소정 박막이 형성되도록 하게 된다.
도 1은 종래의 화학기상증착장치를 보여주는 측단면도이다.
화학기상증착장치(100)는, 내부에 밀폐된 반응공간을 형성하게 되는 공정챔버(process chamber)(110)와, 이 공정챔버(110)내의 하부측에 구비되어 그 상면상에 공정대상물인 다수매의 웨이퍼(W)가 원주방향을 따라 배열되어 안착되게 되고 안착된 웨이퍼들(W)을 가열하게 되는 원형의 히터블록(heater block)(120)과, 이 히터블록(120)에 대한 상부측에 하부측 웨이퍼(W) 각각에 대향되도록 원주방향을 따라 다수개 구비되어 반응가스를 하향되도록 분사하게 되는 샤워헤드(shower head)(130) 등을 포함하게 된다.
상세하게, 도 2의 평면도를 통해 나타낸 바와 같이, 히터블록(120)의 상면상에는 원주방향을 따라 일정간격 이격되어 배열되도록 다수개의 로딩영역부(122)가 형성되어 있으며, 이 각 로딩영역부(122)상에 각각 웨이퍼(W)가 안착된 상태에서 증착이 진행되게 된다.
그리고, 히터블록(120)의 상면상에는 스핀들포크 어셈블리(spindle fork assembly)(124)가 결합 장착되어 있으며, 이 스핀들포크 어셈블리(124)는 각 로딩영역부(122)까지 외측으로 연장되는 한쌍의 포크(124a)를 구비하고 있고, 이러한 스핀들포크 어셈블리(124)는 승하강 및 회전 작동되어 그 포크(124a)의 선단부를 통해 각 로딩영역부(122)의 웨이퍼(W)를 다음 로딩영역부(122)로 이송하게 된다.
덧붙여, 미도시하였으나 샤워헤드(130)의 저면상에는 반응가스를 분사하기 위한 많은 수의 분사홀이 촘촘히 형성되어 있으며, 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 히터블록(120)내에는 발열코일(coil)이 매립되어 있다.
따라서, 히터블록(120)상의 로딩영역부들(122)에 각기 웨이퍼(W)가 안착되면, 히터블록(120)이 발열되어 웨이퍼(W)를 소정 온도로 가열하게 되며, 이후 샤워헤드(130)로부터 반응가스가 하향되도록 웨이퍼(W) 표면에 대해 분사되게 됨과 아울러, 공정챔버(110)에 대해 소정의 고주파 전압이 인가되어 공정챔버(110) 내부에 RF(Radio Frequency) 분위기가 형성되게 됨으로써, 형성된 RF 분위기에 의해 유입된 반응가스가 활성화되면서 화학반응을 일으켜 웨이퍼(W)상에 박막이 형성되게 되며, 이와 같은 1회의 부분 증착이 완료되면, 각 로딩영역부(122)의 웨이퍼(W)는 스핀들포크 어셈블리(124)에 의해 다음 로딩영역부(122)로 이송되어 안착된 다음 재차 부분 증착이 실시되게 되며, 이와 같이 순차적으로 한바퀴 이송되면서 일련된 증착이 실시되게 된다.
그러나, 이상과 같은 종래의 화학기상증착장치(100)에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있었다.
첫째, 히터블록(120)내에 내장된 발열코일이 단락 등으로 이상이 발생되는 경우 웨이퍼(W)를 가열하는 기능을 완전하게 상실하게 되어 진행중인 모든 웨이퍼들(W)에 불량이 발생되게 되고, 또한 공정 중단이 야기되게 되는 문제점이 있었다.
둘째, 반복된 증착의 진행에 따라 공정챔버(110)내에는 미반응가스, 반응 부산물 등에 기인하는 각종 파우더(powder)나 파티클(particle) 등의 오염물이 생성되어 잔류되게 되고, 해당 오염물은 공정챔버(110)내에서 부유하거나 샤워헤드(130), 히터블록(120)과 같은 내부 구조물에 부착되어 있다가 증착이 진행되는 도중에 웨이퍼(W)상으로 떨어져 형성되는 박막내에 삽입되게 됨으로써, 박막의 품질을 저하시키고 불량을 발생시키게 되는 문제점이 있었다.
특히, 로딩영역부(122) 외측 주변의 히터블록(120)상에 존재하는 오염물이 웨이퍼(W)측으로 쉽게 유입되어 이러한 불량 발생을 가중시켰었다.
셋째, 히터블록(120)의 상면상에 전반적으로 오염물이 부착되어 존재하게 되므로, 스핀들포크 어셈블리(124)를 이용하여 웨이퍼(W)를 이송한 후에 로딩영역부(122)상에 내려놓는 때에 해당 로딩영역부(122)상에 존재하는 오염물에 의해 웨이퍼(W)가 슬라이딩(sliding)되어 정위치의 로딩영역부(122)에서 벗어난 위치에 로딩되게 됨으로써, 해당 웨이퍼(W)의 벗어난 부분에 대해서는 증착이 이루어지지 않게 되는 등 증착 불량이 발생되게 되고, 또한 이후 스핀들포크 어셈블리(124)가 해당 웨이퍼(W)를 이송시 제대로 이송하지 못하게 되는 등 공정 중단이 야기되게 되 는 문제점도 있었다.
넷째, 공정챔버(110)내에 잔류하는 오염물을 제거하기 위해 주기적으로 모든 웨이퍼들(W)을 외부로 반출한 다음 소정의 클리닝 가스를 유입하고 공정챔버(110)에 고주파 전압을 인가하여 'RF 클리닝(cleaning)'을 실시하게 되는데, 이러한 RF 클리닝을 실시하여도 히터블록(120)상의 오염물이 완벽하게 제거되지 못하는 문제점도 있었다.
본 발명은 상기와 같은 제반 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 로딩영역부가 각기 개별적으로 구동되도록 하는 것 등에 의해 종래의 문제점들을 모두 일소함으로써 생산수율 및 생산성을 향상시킬 수 있게 되는 화학기상증착장치의 히터블록을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 상기 목적과 여러가지 장점은 이 기술분야에 숙련된 사람들에 의해 첨부된 도면을 참조하여 아래에 기술되는 발명의 바람직한 실시예로부터 더욱 명확하게 될 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 화학기상증착장치의 히터블록은, 공정챔버내의 하부측에 구비되어 그 상면상에 다수매의 웨이퍼를 안착하여 가열하는 화학기상증착장치의 히터블록으로, 상기 각 웨이퍼를 안착하도록 원주방향을 따라 일정간격 이격되어 배열되며 각기 개별적으로 구동되는 동일 구성의 다수개의 분할로딩영역부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 화학기상증착장치의 히터블록을 설명하기 위한 설명도이고, 도 4는 그 히터블록을 상세히 설명하는 구성도이다.
화학기상증착장치(200)는, 내부에 밀폐된 반응공간을 형성하게 되는 공정챔버(210)와, 이 공정챔버(210)내의 하부측에 구비되어 그 상면상에 공정대상물인 다수매의 웨이퍼(W)가 원주방향을 따라 배열되도록 안착되고 안착된 웨이퍼들(W)을 가열하게 되는 히터블록(220)과, 이 히터블록(220)에 대한 상부측에 하부측 웨이퍼(W) 각각에 대향되도록 원주방향을 따라 다수개 구비되어 반응가스를 하향되도록 분사하게 되는 샤워헤드(230)를 포함하게 된다.
본 발명에 따르면, 히터블록(220)은 각기 개별적으로 구동될 수 있도록 분할된 동일 구성의 다수개의 분할로딩영역부(222)를 구비하게 되며, 해당 분할로딩영역부(222)는 원주방향을 따라 일정간격 이격되어 배열되게 되고, 각기 웨이퍼(W)를 안착하게 된다.
물론, 미도시하였으나 히터블록(220)의 상면상에는 종래와 동일하게 스핀들포크 어셈블리가 결합 구비되게 되며, 이 스핀들포크 어셈블리는 각 분할로딩영역부(222)까지 외측으로 연장되는 한쌍의 포크를 구비하게 된다.
전술한 분할로딩영역부(222)는, 그 상면상의 가장 외측에 원형상으로 형성되어 커튼가스(curtain gas)를 상향되도록 분사함으로써 외부로부터 오염물이 분할로딩영역부(222)내로 유입되는 것을 방지하게 되는 커튼가스분사구(222-1)와, 그 내 부에 매립되도록 구비되어 외부로부터의 전원 인가에 따라 발열됨으로써 안착된 웨이퍼(W)를 가열하게 되는 메인발열코일(222-3)과, 이 메인발열코일(222-3)이 단락 등으로 이상이 발생되는 경우 외부로부터의 전원 인가에 따라 발열됨으로써 웨이퍼(W)를 대체 가열하도록 내부에 매립되어 구비되게 되는 보조발열코일(222-4)과, 그 상면상에 균일하게 분포되도록 다수개 구비되어 외부로부터 가해지는 진공흡입압에 의해 안착되는 웨이퍼(W)를 흡착 고정함으로써 웨이퍼(W)의 슬라이딩을 방지하게 되는 진공흡입홀(222-5)과, 그 내부의 외측에 원형상으로 매립되도록 구비되어 RF 클리닝 시점에서 외부로부터의 고주파 전압의 인가에 따라 히터블록(220) 주변에 상대적으로 강한 RF 분위기를 형성하여 주로 히터블록(220)상의 오염물을 제거하게 되는 RF쉴드링(shield ring)(222-2)을 구비하게 된다.
여기서, 메인발열코일(222-3)과 보조발열코일(222-4)은 동심원으로 서로 반복되도록 배치될 수 있다.
그리고, 커튼가스분사구(222-1)로부터 분사되는 커튼가스로는 반응성이 없어 공정 분위기를 해치지 않을 수 있는 질소(N2), 헬륨(He)과 같은 불활성가스가 이용될 수 있다.
따라서, 정리하면, 전술한 커튼가스분사구(222-1)로는 외부로부터 커튼가스가, 전술한 메인발열코일(222-3)로는 메인히팅 전원이, 전술한 보조발열코일(222-4)로는 보조히팅 전원이, 전술한 진공흡입홀(222-5)로는 진공흡입압이, 전술한 RF쉴드링(222-2)으로는 고주파 전압이 공급 또는 인가되게 된다.
이상과 같은 구성으로, 그 작용의 일 실시예에 대해 설명하기로 한다.
먼저, 히터블록(220)상에 구비되어 있는 스핀들포크 어셈블리가 상승, 회전 및 하강하여 분할로딩영역부들(222)상에 각기 웨이퍼(W)를 안착하게 되며, 이때 분할로딩영역부들(222)상에 구비된 진공흡입홀(222-5)에 외부로부터 진공흡입압이 인가되어 안착되는 웨이퍼(W)를 진공압으로 흡착하여 고정하게 되고, 또한 분할로딩영역부들(222)상에 구비되어 있는 커튼가스분사구(222-1)로부터 커튼가스가 상향되도록 분사되기 시작하게 된다.
그 후, 분할로딩영역부들(222)내의 메인발열코일(222-3)이 발열되어 웨이퍼(W)를 가열하게 되고, 그에 따라 안착된 웨이퍼들(W)이 소정 온도로 가열되게 되며, 이어서 상부측의 샤워헤드들(230)로부터 반응가스가 웨이퍼들(W)의 표면에 대해 하향되도록 분사되게 됨과 아울러, 공정챔버(210)에 대해 소정의 고주파 전압이 인가되어 공정챔버(210) 내부에 RF 분위기가 형성되게 됨으로써, 형성된 RF 분위기에 의해 반응가스가 활성화되면서 화학반응을 일으켜 웨이퍼들(W)상에 소정 박막이 형성되게 된다.
이와 같이, 1회의 부분 증착이 완료되게 되면, 진공흡입홀(222-5)로 인가되던 진공흡입압이 중단되어 웨이퍼(W)에 대한 흡착 고정이 해제되게 됨과 아울러, 커튼가스분사구(222-1)로부터의 커튼가스의 분사가 정지되게 되며, 또한 메인발열코일(222-3)의 발열도 정지되게 된다.
이 후, 스핀들포크 어셈블리가 상승, 회전 및 하강하여 웨이퍼들(W)을 다음 분할로딩영역부(222)로 이송하게 되며, 이송 후 재차 전술한 과정이 반복되게 된 다.
한편, 증착 진행중에 웨이퍼(W)를 가열하는 메인발열코일(222-3)이 단락 등으로 이상이 발생되는 경우에는 해당 메인발열코일(222-3)로 인가되던 전원이 즉시 차단되게 됨과 동시에, 보조발열코일(222-4)로 전원이 대체 인가되어 발열됨으로써 온도 하강을 방지하여 공정이 계속적으로 원활히 진행되도록 하게 된다.
또한 한편, 반복되는 증착 진행에 따라 공정챔버(210)내에 잔류하게 되는 오염물을 제거하고자 주기적으로 실시하는 RF 클리닝 시점에서는 분할로딩영역부들(222)내에 구비되어 있는 RF쉴드링(222-2)으로 고주파 전압이 인가되어 주변에 상대적으로 강한 RF 분위기를 형성하게 되며, 이로써 히터블록(220)상에 잔류하는 오염물을 보다 완벽하게 제거할 수 있게 된다.
이로써, 이상과 같은 본 발명에 의하면, 다음과 같은 우수한 효과가 달성될 수 있게 된다.
첫째, 메인발열코일(222-3)에 이상이 발생되는 경우 즉시 보조발열코일(222-4)이 대체 이용되게 되므로, 가열 이상에 따라 증착 불량 및 공정 중단이 발생되는 것을 방지할 수 있게 된다.
둘째, 분할로딩영역부(222)의 외측에서 커튼가스가 상향되도록 분사되어 웨이퍼(W)측으로 오염물이 유입되는 것을 방지하게 되므로, 증착 불량을 방지할 수 있게 된다.
셋째, 안착되는 웨이퍼(W)가 진공흡입되어 정위치에 위치 고정될 수 있게 되므로, 증착 불량 및 스핀들포크 어셈블리에 의한 이송 이상을 방지할 수 있게 된 다.
넷째, RF쉴드링(222-2)을 통해 히터블록(220) 주변에 강한 RF 분위기를 형성하여 히터블록(220)상에 존재하는 오염물을 보다 완벽하게 제거할 수 있게 되므로, 해당 오염물에 의해 불량이 발생되는 것을 방지할 수 있게 된다.
이상, 상기 내용은 본 발명의 바람직한 일 실시예를 단지 예시한 것으로 본 발명의 당업자는 본 발명의 요지를 변경시킴이 없이 본 발명에 대한 수정과 변경을 가할 수 있음을 인지해야 한다.
본 발명에 따르면, 증착 불량을 방지하여 생산수율을 향상시킬 수 있고, 공정 중단의 방지로 생산성도 향상시킬 수 있는 효과가 달성될 수 있다.

Claims (4)

  1. 공정챔버(210)내의 하부측에 구비되어 그 상면상에 다수매의 웨이퍼(W)를 안착하여 가열하는 화학기상증착장치의 히터블록으로,
    상기 각 웨이퍼(W)를 안착하도록 원주방향을 따라 일정간격 이격되어 배열되며 각기 개별적으로 구동되는 동일 구성의 다수개의 분할로딩영역부(222)를 구비하되,
    상기 각 분할로딩영역부(222)는,
    그 상면상의 가장 외측에 원형상으로 형성되어 커튼가스를 상향되도록 분사하여 외부로부터의 오염물의 유입을 방지하게 되는 커튼가스분사구(222-1)와,
    상기 커트가스분사구(222-1)의 내부에 매립되도록 구비되어 외부로부터의 전원 인가에 따라 발열되어 상기 웨이퍼(W)를 가열하게 되는 발열코일과,
    그 상면상에 구비되어 외부로부터 인가되는 진공흡입압에 의해 상기 웨이퍼(W)를 흡착 고정하게 되는 진공흡입홀(222-5)과,
    상기 커튼가스분사구(222-1)와 상기 발열코일사이에 원형상으로 매립되어 RF 클리닝 시점에서 외부로부터의 고주파 전압의 인가에 따라 주변에 상대적으로 강한 RF 분위기를 형성하여 오염물을 제거하게 되는 RF쉴드링(222-2)을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치의 히터블록.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 발열코일은 메인발열코일(222-3)과 상기 메인발열코일(222-3)의 이상 발생시 작동하도록 구비된 보조발열코일(222-4)로 이루어지되,
    동심원으로 서로 반복되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 화학기상증착장치의 히터블록.
  3. 삭제
  4. 각 웨이퍼(W)를 안착하도록 원주방향을 따라 일정간격 이격되어 배열되며 각기 개별적으로 구동되는 동일 구성의 분할로딩영역부(222)를 구비하되, 상기 각 분할로딩영역부(222)는 진공흡입홀(222-5)과 커튼가스분사구(222-1)와 메인발열코일(222-3) 및 보조발열코일(222-4)을 구비하는 화학기상증착장치의 히터블록에 대한 구동방법으로,
    상기 진공흡입홀(222-5)에 진공흡입압이 인가되어 상기 분할로딩영역부(222)에 안착되는 상기 웨이퍼(W)를 흡착 고정하는 단계와,
    상기 분할로딩영역부(222)상의 상기 커튼가스분사구(222-1)로부터 커튼가스가 상향되도록 분사되는 단계와,
    상기 분할로딩영역부들(222)내의 상기 메인발열코일(222-3) 또는 상기 보조발열코일(222-4)중의 어느 하나가 발열되는 단계를 포함하는 화학기상증착장치의 히터블록의 구동방법.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1069599A2 (en) 1999-07-15 2001-01-17 MooHan Co., Ltd Apparatus for deposition of thin films on wafers
KR20010035982A (ko) * 1999-10-05 2001-05-07 윤종용 반도체 제조 설비용 서셉터 시스템
KR100772463B1 (ko) * 2006-07-24 2007-11-01 주식회사 테라세미콘 반도체 제조장치 및 반도체 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1069599A2 (en) 1999-07-15 2001-01-17 MooHan Co., Ltd Apparatus for deposition of thin films on wafers
KR20010009968A (ko) * 1999-07-15 2001-02-05 김용일 반도체 박막 증착 장치
KR20010035982A (ko) * 1999-10-05 2001-05-07 윤종용 반도체 제조 설비용 서셉터 시스템
KR100772463B1 (ko) * 2006-07-24 2007-11-01 주식회사 테라세미콘 반도체 제조장치 및 반도체 제조방법

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