KR101365113B1 - 유동 이퀄라이저 및 하부 라이너를 구비한 에칭 챔버 - Google Patents

유동 이퀄라이저 및 하부 라이너를 구비한 에칭 챔버 Download PDF

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Abstract

낮춰진 유동 이퀄라이저 및 하부 챔버 라이너를 구비한 플라즈마 프로세싱 챔버가 제공된다. 에칭 프로세스에서, 프로세싱 가스들은 프로세싱 챔버로부터 평탄하지 않게 끌어 당겨질 수 있으며, 이는 기판의 평탄하지 않은 에칭을 야기할 수 있다. 챔버로부터 진공배기된 프로세싱 가스들의 유동을 이퀄라이징함으로써, 더 균일한 에칭이 발생할 수 있다. 챔버 라이너들에 유동 이퀄라이저를 전기적으로 커플링시킴으로써, 유동 이퀄라이저로부터의 RF 복귀 경로가 챔버 라이너들을 따라 이동(run)될 수 있으며, 따라서, 프로세싱 동안 기판 아래에 끌어당겨지는 플라즈마의 양을 감소시킨다.

Description

유동 이퀄라이저 및 하부 라이너를 구비한 에칭 챔버{ETCHING CHAMBER HAVING FLOW EQUALIZER AND LOWER LINER}
[0001] 본 발명의 실시예들은 일반적으로 낮춰진 유동 이퀄라이저 및 하부 챔버 라이너를 구비한 플라즈마 프로세싱 챔버에 관한 것이다.
[0002] 집적 회로들은 단일 칩 상에 수백만의 컴포넌트들(예를 들어, 트랜지스터들, 커패시터들, 저항들 등)을 포함할 수 있는 복잡한 디바이스들로 발전되었다. 칩 설계들의 발전은 더 빠른 회로 및 더 큰 회로 밀도를 계속해서 요구한다. 더 큰 회로 밀도에 대한 요구들은 집적 회로 컴포넌트들의 치수들에서의 감소를 필요로 한다. 이러한 디바이스들의 피처들의 최소한의 치수들은 임계 치수들로서 당업계에서 공통적으로 지칭된다. 임계 치수들은 라인들, 컬럼들, 개구들, 라인들 사이의 간격들 등과 같은 피처들의 최소 폭들을 일반적으로 포함한다.
[0003] 이러한 임계 치수들이 작아질수록, 기판에 걸친 프로세스 균일성이 높은 수율들을 유지하는 데에 가장 중요한 것이 되었다. 집적 회로들의 제조에서 사용된 종래의 플라즈마 에칭 프로세스와 관련된 하나의 문제는 기판에 걸친 에칭 비율의 비-균일성이며, 이는 부분적으로, 배기 포트 쪽으로 그리고 기판으로부터 멀리 에칭 가스를 끌어 당기는 진공 펌프에 기인한 것일 수 있다. 가스들이 배기 포트에 가장 근접한 챔버의 영역들(즉, 기판의 주변)에서부터 더 용이하게 펌핑되기 때문에, 에칭 가스는 배기 포트 쪽으로 기판으로부터 멀어지게 당겨져서, 그에 의해, 그 내에 위치된 기판 상에 비균일한 에칭을 생성한다. 이러한 비균일성은 성능에 상당한 영향을 미치고 집적 회로들을 제조하는 비용을 증가시킬 수 있다.
[0004] 따라서, 집적 회로들의 제조 동안 물질층들을 균일하게 에칭하기 위한 장치가 본 발명이 속하는 기술분야에서 필요하다.
[0005] 본 발명의 양태들은 낮춰진 유동 이퀄라이저 및 하부 챔버 라이너를 갖는 플라즈마 프로세싱 챔버에 일반적으로 관련된다. 일 실시예에서, 플라즈마 장치는 챔버 몸체, 챔버 몸체 내에 배치된 제 1 챔버 라이너, 제 1 챔버 라이너 아래에 챔버 몸체 내에 배치된 제 2 챔버 라이너, 및 챔버 몸체 내에 배치되고 제 1 챔버 라이너와 제 2 챔버 라이너 양쪽 모두에 전기적으로 커플링되는 유동 이퀄라이저를 포함한다.
[0006] 다른 실시예에서, 에칭 장치는 챔버 몸체, 챔버 몸체에 배치된 기판 지지체 페데스탈, 기판 지지체와 대향하게 배치된 가스 유입 샤워헤드, 챔버 몸체에 배치되는 제 1 챔버 라이너를 포함하며, 기판 지지체 페데스탈, 가스 유입 샤워헤드, 및 상기 제 1 챔버 라이너가 프로세싱 영역을 적어도 부분적으로 에워싼다. 환형 배플(baffle)이 기판 지지체 페데스탈에 커플링되며 기판 지지체 페데스탈을 적어도 부분적으로 둘러싼다. 제 2 챔버 라이너가 챔버 몸체에 커플링되고 상기 제 1 챔버 라이너 아래에 배치된다. 그리고, 유동 이퀄라이저가 배플 아래에 배치되고 상기 제 1 챔버 라이너와 상기 제 2 챔버 라이너 양쪽 모두에 전기적으로 커플링된다.
[0007] 다른 실시예에서, 에칭 장치는 챔버 몸체, 챔버 몸체에 배치된 기판 지지체 페데스탈, 기판 지지체와 대향하게 배치된 가스 유입 샤워헤드, 챔버 몸체에 배치되는 제 1 챔버 라이너를 포함하며, 기판 지지체 페데스탈, 가스 유입 샤워헤드, 및 상기 제 1 챔버 라이너는 프로세싱 영역을 적어도 부분적으로 에워싼다. 제 1 챔버 라이너는 바닥 표면 내로 커팅된 제 1 환형 노치를 가지며, 제 1 전기적 도전성 링은 제 1 환형 노치 내에 배치된다. 환형 배플은 기판 지지체 페데스탈에 커플링되고 기판 지지체 페데스탈을 적어도 부분적으로 둘러싼다. 제 2 챔버 라이너가 챔버 몸체에 커플링되고 제 1 챔버 라이너 아래에 배치되며, 상기 제 2 챔버 라이너는 바닥 표면 내로 커팅된 제 2 환형 노치를 포함하고, 제 2 전기적 도전성 링이 상기 제 2 환형 노치 내에 배치된다. 유동 이퀄라이저는 배플 아래에 배치되며 제 1 챔버 라이너와 제 2 챔버 라이너 양쪽 모두에 전기적으로 커플링되고, 유동 이퀄라이저가 제 1 환형 링 및 제 2 환형 링에 커플링된다. 유동 이퀄라이저는 그를 통해(therethrough) 개구를 가지며, 개구의 중심은 유동 이퀄라이저의 중심으로부터 오프셋되며, 유동 이퀄라이저의 폭은 제 1 포인트로부터, 상기 제 1 포인트로부터 방사상으로 180도로 배치된 제 2 포인트까지 점차 감소된다.
[0008] 본 발명의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로 앞서 간략히 요약된 본 발명의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 발명의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 발명이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭 장치의 개략적인 단면도이다.
[0010] 도 2는 상부 라이너, 하부 라이너, 및 유동 이퀄라이저 사이의 커플링에 대한 개략적인 단면도이다.
[0011] 도 3a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유동 이퀄라이저의 개략적인 평면도이다.
[0012] 도 3b는 도 3a의 유동 이퀄라이저의 개략적인 단면도이다.
[0013] 도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 라이너의 개략적 등각도이다.
[0014] 도 4b는 도 4a의 하부 라이너에 대한 개략적인 저면도이다.
[0015] 도 4c는 도 4a의 하부 라이너의 커플링 위치에 대한 개략적인 단면도이다.
[0016] 이해를 촉진시키기 위해, 도면들에 대해 공통적인 동일한 엘리먼트들을 가리키기 위해 가능한 경우 동일한 도면부호들이 사용되었다. 일 실시예에 개시된 엘리먼트들은 특정한 열거 없이 다른 실시예들에 유익하게 통합될 수 있음이 예상된다.
[0017] 본 발명의 실시예들은 낮춰진 유동 이퀄라이저 및 하부 챔버 라이너를 구비한 플라즈마 프로세싱 챔버를 일반적으로 포함한다. 본 발명의 다양한 실시예들은 에칭 챔버와 관련하여 후술될 것이다. 그러나, 다양한 플라즈마 증착 및 에칭 챔버들이 여기에 개시된 교시들로부터 이득을 얻을 수 있으며, 특히, 다른 것들 중에서, 센투라(CENTURA
Figure 112013060294470-pct00001
) 시스템과 같은 반도체 웨이퍼 프로세싱 시스템의 일부일 수 있는 인에이블러(ENABLER
Figure 112013060294470-pct00002
) 에칭 챔버, 프로듀서(PRODUCER
Figure 112013060294470-pct00003
) 에칭 챔버, 이맥스(eMax
Figure 112013060294470-pct00004
) 에칭 챔버와 같은 유전체 에칭 챔버들이 이득을 얻을 수 있으며, 이들 모두는 캘리포니아, 산타클라라에 소재한 어플라이드 머티어리얼스사(Applied Materials, Inc.)로부터 입수가능하다. 다른 제조사들로부터의 것들을 포함하는 다른 플라즈마 반응기들이 본 발명으로부터 이득을 얻도록 적응될 수 있다는 것이 고려된다.
[0018] 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 에칭 장치(100)의 개략적인 단면도이다. 장치(100)는 기판(104)이 가스 유입 샤워헤드(108)에 대향하여 페데스탈(106) 상에 배치될 수 있는 챔버 몸체(102)를 포함한다. 프로세싱 가스는 가스 공급원(110)으로부터 샤워헤드(108)를 통해 챔버(102)에 공급될 수 있다. 일 실시예에서, 페데스탈(106)은 전력 공급원(130)으로부터의 전류에 의해 바이어싱될 수 있다. 다른 실시예에서, 샤워헤드(108)는 전력 공급원(112)으로부터의 전류에 의해 바이어싱될 수 있다.
[0019] 프로세싱 동안, 프로세싱 가스는 샤워헤드(108)를 통해 프로세싱 영역(128)으로 공급되며, 여기서, 프로세싱 가스는 플라즈마 형태로 기판(104)으로부터의 물질을 에칭하도록 진행한다. 플라즈마는 기판(104)에 뿐만 아니라, 챔버 벽들로 연장할 수 있다. 플라즈마로부터 챔버 벽들을 보호하기 위해, 상부 라이너(126)가 존재할 수 있다. 상부 라이너(126)는 플라즈마에 대한 노출로부터 챔버 벽들을 보호할 수 있다. 부가적으로, 상부 라이너(126)는 프로세싱 정지 시간(downtime) 동안 제거되어 세정되거나 교체될 수 있다.
[0020] 낮춰진 배플(116)은 기판(104) 및 페데스탈(106)을 둘러쌀 수 있다. 낮춰진 배플(116)은 상부 라이너(126)에 근접하게 연장할 수 있고, 그를 통해 다수의 슬롯들을 갖는다. 배플(116)의 슬롯들은 프로세싱 가스가 프로세싱 챔버 몸체(102)로부터 진공배기되도록(evacuated) 그 슬롯들을 통해 끌어 당겨지는 것을 허용한다. 슬롯들은 배플(116)을 통해 통과하는 플라즈마의 양을 제거하거나 감소시키도록 사이징될 수 있다.
[0021] 프로세싱 가스는 또한 배플(116)과 상부 라이너(126) 사이의 영역에서 배플(116) 주위로 끌어 당겨질 수 있다. 일반적으로, 대부분의 플라즈마는 프로세싱 영역(128)에 한정(confine)될 것이나, 몇몇 플라즈마는 배플(116)의 외곽(outer reaches)을 넘어 밖으로 연장할 수 있으며, 따라서, 배플(116) 아래로 당겨질 수 있다. 따라서, 하부 챔버 라이너(120)가 플라즈마로부터 하부 챔버 벽들을 보호하도록 존재할 수 있다. 하부 라이너(120)는 프로세싱 정지 시간 동안 제거되어 세정되거나 교체될 수 있다. 하부 라이너(120)는 접시머리(countersunk) 체결 메커니즘(124)에 의해 챔버 몸체(102)의 바닥에 커플링될 수 있다. 일 실시예에서, 체결 메커니즘(124)은 나사를 포함할 수 있다.
[0022] 진공 펌프(114)는 프로세싱 챔버 몸체(102)를 진공배기하고, 따라서, 배플(116)을 통해 그리고 배플(116)과 상부 라이너(126) 사이의 영역을 통해 프로세싱 가스들을 당길 수 있다. 하나 또는 그 초과의 플레넘들(plenums, 122)이, 하부 라이너(120) 및 챔버 몸체(102)의 측면 및 챔버 몸체(102)의 바닥 사이에 존재할 수 있다. 하나 또는 그 초과의 플레넘들(122)은 진공 끌어당김(vacuum draw)을 넓히도록(broaden out) 기능한다. 하나 또는 그 초과의 플레넘들(122)은 하부 라이너(120)의 일부만을 따라서 존재할 수 있다. 따라서, 진공의 가장 큰 끌어당김은 플레넘(122)에 가장 근접한 영역에서 일어날 것이고, 이는, 플레넘(122) 및 진공 펌프(114)로부터 가장 먼 영역과 대향하여 진공 펌프(114)에 가장 근접하다.
[0023] 유동 이퀄라이저(118)는 프로세싱 영역(128)으로부터 진공 끌어당김을 평탄화하기(even out) 위해 존재할 수 있다. 유동 이퀄라이저(118)는 상부 라이너(126)와 하부 라이너(120) 사이에 커플링될 수 있으며, 배플(116)의 일부 아래로 연장한다. 유동 이퀄라이저(118)는, 유동 이퀄라이저(118)가 페데스탈(106) 주위에 피팅될 수 있도록 그를 통해 개구를 가질 수 있다. 배플(116)의 폭은 유동 이퀄라이저(118)의 개구의 직경보다 더 크다. 유동 이퀄라이저(118)는 배플(116) 아래로 연장한다. 유동 이퀄라이저(118)는 플레넘(122)에 가장 근접한 위치에서 배플(116) 아래에 더 큰 거리로 연장한다. 유동 이퀄라이저(118)가 배플(116) 아래로 연장하는 거리는 페데스탈(106) 주위의 180 도 반경을 따라 점차 감소한다.
[0024] 유동 이퀄라이저(118)가 배플(116) 아래로 연장하는 거리를 점차 감소시킴으로써, 프로세싱 영역(128)으로부터의 진공 끌어당김은 기판(104)의 전체 주변을 따라 실질적으로 평탄할 수 있다. 유동 이퀄라이저(118)는 진공 펌프(114) 및 하나 또는 그 초과의 플레넘들(122)에 가장 근접한 위치에서 가장 크게 배플(116) 아래로 연장하며, 여기서 진공 펌프(114)로부터의 당김이 가장 크다. 유사하게, 유동 이퀄라이저(118)는 진공 펌프(114) 및 하나 또는 그 초과의 플레넘들(122)로부터 가장 먼 위치에서 가장 적게 배플(116) 아래로 연장하며, 여기서 진공 펌프(114)로부터의 당김이 가장 적다. 유동 이퀄라이저(118)가 배플(116) 아래로 연장하는 거리를 점차 감소시킴으로써, 프로세싱 영역(128)으로부터의 진공 끌어당김은 실질적으로 평탄할 수 있다. 프로세싱 영역(128)으로부터의 평탄한 진공 끌어당김은 기판(104)의 균일한 에칭에 조력할 수 있다.
[0025] 도 2는 상부 라이너(204), 하부 라이너(206), 및 유동 이퀄라이저(202) 사이의 커플링(200)의 개략적인 단면도이다. 유동 이퀄라이저(202)는 상부 라이너(204)와 하부 라이너(206) 사이에 커플링된다. 상부 라이너(204)는 그 안에 커팅된 환형 노치(210)를 갖는다. 노치(210) 내에는, 전기적 도전성 물질(208)이 상부 라이너(204)와 유동 이퀄라이저(202) 사이에 양호한 전기 접촉을 보장하기 위해 배치될 수 있다. 유사하게, 하부 라이너(206)는 그 안에 커팅된 환형 노치(212)를 가질 수 있다. 노치(212) 내에는, 전기적 도전성 물질(208)이 하부 라이너(206)와 유동 이퀄라이저(202) 사이에 양호한 전기 접촉을 보장하기 위해 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 전기적 도전성 물질(208)은 구리를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 전기적 도전성 물질(208)은 니켈을 포함할 수 있다.
[0026] 유동 이퀄라이저(202)가 상부 라이너(204)와 하부 라이너(206)에 전기적으로 커플링되기 때문에, 유동 이퀄라이저(202)는 라이너들(204, 206)에 의해 접지된다. 따라서, RF 플라즈마가 존재할 때, 접지로의 복귀 경로를 찾는 RF 전류는 유동 이퀄라이저(202)를 따라 그리고 화살표 "A"에 의해 도시된 바와 같이 상부 라이너(204) 위로 또는 화살표 "B"에 의해 도시된 바와 같이 하부 라이너(206) 아래로 이동할 수 있다. 챔버 내의 RF 전류는 접지로의 가장 용이한 경로로 이동할 것이다. 유동 이퀄라이저(202)를 라이너들(204, 206)에 전기적으로 커플링시킴으로써, 유동 이퀄라이저(202)가 라이너들(204, 206)과 동일한 전위에 있을 것이고, 접지로의 동일한 경로를 제공한다. 라이너들(204, 206)에 전기적으로 커플링됨으로써, 유동 이퀄라이저(202)는 라이너들(204, 206)을 통해 접지에 대한 경로의 표면적을 증가시키며, 따라서, 플라즈마가 챔버 내의 기판 위로 더 균일하게 연장하게 할 수 있다. 유동 이퀄라이저(202)가 전기적으로 플로팅(floating)되거나 페데스탈에 접지된다면, 유동 이퀄라이저는 실제로 플라즈마를 당길 수 있으며, 그리고 (그것이 어디에 커플링되느냐에 의존하여) 가장자리(edge) 높은 에칭 플라즈마 또는 중심(center) 높은 에칭 플라즈마 중 어느 하나를 생성하여, 그에 따라, 평탄하지 않은 에칭에 기여할 수 있다.
[0027] 도 3a는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유동 이퀄라이저(300)의 개략적인 평면도이다. 도 3b는 도 3a의 유동 이퀄라이저(300)의 개략적인 단면도이다. 유동 이퀄라이저(300)는 하부 챔버 라이너에 있는 렛지(302)를 가지며, 에칭 챔버에서 하부 라이너 및 상부 라이너로의 유동 이퀄라이저(300)를 위한 전기적 커플링 포인트이다. 유동 이퀄라이저(300)는 그를 통해 홀(308)을 구비하며, 이러한 홀은 화살표 "G"에 의해 도시된 거리만큼 유동 이퀄라이저(300)의 중심 라인(310)으로부터 오프셋된 중심 라인(312)을 갖는다. 일 실시예에서, 오프셋은 약 0.75 내지 약 1.25 인치일 수 있다. 다른 실시예에서, 오프셋은 약 0.90 내지 약 1.10 인치일 수 있다. 중심으로부터 벗어난 홀(308)은 유동 이퀄라이저(300)의 플랜지(304)가 180 도 반경을 따라 폭이 점차 감소하도록 허용한다. 플랜지(304)가 에칭 챔버에서 배플 아래에 머물도록, 플랜지(304)는 렛지(302) 아래의 위치에 배치된다.
[0028] 도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 하부 라이너(400)의 개략적인 등각도이다. 하부 라이너(400)는 바닥 벽(406)으로부터 위로 연장하는 내부 벽(402)을 포함한다. 내부 벽(402)은 임의의 플라즈마 노출로부터 페데스탈 아래의 영역을 보호한다. 외부 벽(404)은 플라즈마 노출로부터 상부 라이너 아래의 챔버 벽들을 보호한다. 외부 벽(404) 및 바닥 벽(406) 내에서, 하나 또는 그 초과의 가스 통로들(408)이 그를 통해 카빙(carve)될 수 있다. 일 실시예에서, 가스 통로들(408)은 외부 벽(404) 및 바닥 벽(406)을 따라 엇갈리게 배치될(staggered) 수 있다. 다른 실시예에서, 가스 통로들은 실질적으로 동일하게 되어 외부 벽(404) 및 바닥 벽(406)에 걸쳐 배열될 수 있다.
[0029] 외부 벽(404)의 가스 통로들(408)은 챔버의 플레넘에 대응하는 부분에 대해서만 외부 벽(404) 주위로 연장할 수 있다. 상기 플레넘이 전체 하부 라이너(400) 주위로 연장한다면, 가스 통로들(408)은 전체 외부 벽(404) 주위로 연장할 수 있다. 일 실시예에서, 가스 통로들(408)은 약 50% 보다 작은 영역에 대해 외부 벽(404) 상에 존재할 수 있다. 유사하게, 바닥 벽(406) 내의 가스 통로들은 챔버의 플레넘에 대응하는 부분에 대해서만 바닥 벽(406) 주위로 연장할 수 있다. 플레넘이 전체 바닥 주위로 연장한다면, 가스 통로들(408)은 전체 바닥 벽(406)을 따라 존재할 수 있다.
[0030] 대부분의 플라즈마(즉, 약 99%)가 챔버의 배플 위에 포함될 수 있다 하더라도, 몇몇 플라즈마가 페데스탈, 배플, 및 유동 이퀄라이저 아래로 당겨질 수 있는 것이 가능하다. 플레넘, 진공 라인들, 또는 진공 펌프들 내로 플라즈마가 끌어 당겨질 가능성을 감소시키기 위해, 가스 통로들(408)은 예컨대 플라즈마가 그것을 통해 통과되는 것을 방지하도록 사이징될 수 있다.
[0031] 도 4b는 도 4a의 하부 라이너(400)의 개략적인 저면도이다. 도 4b에 도시된 바와 같이, 바닥 벽(406)의 가스 통로들(408)은 라이너(400) 주위로 일부분(part of the way)에만 연장할 수 있다. 일 실시예에서, 가스 통로들(408)은 바닥 벽(406)의 약 25% 미만 내에 존재할 수 있다. 바닥 벽(406)의 바닥 표면(410)은 하부 라이너(400)를 접지에 전기적으로 커플링시키도록 그 내에 배치된 전기적 도전성 물질(412)을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 전기적 도전성 물질(412)은 니켈을 포함한다. 일 실시예에서, 전기적 도전성 물질(412)은 하부 라이너(400)의 바닥 표면(410) 주위에 방사상으로 약 270 도 연장할 수 있다.
[0032] 도 4c는 도 4a의 하부 라이너(400)의 커플링 위치의 개략적인 단면도이다. 커플링은 접시머리 체결 위치(414)를 포함할 수 있다. 직선 통로와 대향하는(opposed) 접시머리 체결 위치(414)를 활용함으로써, 챔버의 밀기(jostling) 또는 수축 및 팽창으로 인한 하부 라이너(400)의 임의의 운동이 최소로 유지될 수 있도록 하부 라이너(400)는 챔버 몸체에 단단하게 체결될 수 있다.
[0033] 하부 챔버 라이너와 상부 챔버 라이너 양쪽 모두에 유동 이퀄라이저를 접지시킴으로써, 유동 이퀄라이저는 라이너들을 통해 접지에 대한 경로를 제공할 수 있으며, 따라서, 챔버의 프로세싱 영역 내에서의 플라즈마 분포를 평탄하게 할 수 있다. 플라즈마 분포를 평탄하게 함으로써, 에칭 균일성이 증가될 수 있다.
[0034] 전술한 내용들이 본 발명의 실시예들에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 발명의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 안출될 수 있으며, 본 발명의 범위는 후속하는 청구범위들에 의해 결정된다.

Claims (27)

  1. 프로세싱 챔버를 위한 다중-부분 라이너로서,
    내부 측벽 및 외부 측벽에 커플링된 바닥 벽을 포함하는 하부 챔버 라이너;
    상기 하부 챔버 라이너 위에 배치된 상부 챔버 라이너;
    상기 하부 챔버 라이너의 상기 내부 측벽 위에 배치된 환형 배플; 및
    상기 하부 챔버 라이너와 상기 상부 챔버 라이너 양쪽을 연결하는 유동 이퀄라이저를 포함하며,
    상기 유동 이퀄라이저는,
    렛지 부분(ledge portion); 및
    상기 렛지 부분에 커플링되고 상기 렛지 부분으로부터 방사상으로 내측으로 연장하는 플랜지 부분(flange portion)을 포함하며,
    상기 플랜지 부분은 상기 유동 이퀄라이저를 통하는 중심 개구를 한정하고, 상기 중심 개구는 상기 유동 이퀄라이저의 중심으로부터 오프셋되는 중심을 갖고, 상기 플랜지 부분은 상기 플랜지를 따른 제 2 위치와 비교하여 상기 플랜지를 따른 제 1 위치에서 상기 배플 아래로 더 큰 거리를 연장하며,
    상기 상부 챔버 라이너, 상기 하부 챔버 라이너 및 상기 유동 이퀄라이저는 전기적으로 함께 커플링되는,
    프로세싱 챔버를 위한 다중-부분 라이너.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 챔버 라이너는 상기 상부 챔버 라이너의 바닥 표면 내로 커팅된 제 1 환형 노치를 가지며, 상기 하부 챔버 라이너는 상기 하부 챔버 라이너의 상부 표면 내로 커팅된 제 2 환형 노치를 포함하는,
    프로세싱 챔버를 위한 다중-부분 라이너.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 내부 측벽 및 상기 외부 측벽은 실질적으로 환형인,
    프로세싱 챔버를 위한 다중-부분 라이너.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 플랜지 부분이 상기 배플 아래로 연장하는 거리는 상기 플랜지 주위의 180 도 반경을 따라 점차 감소하는,
    프로세싱 챔버를 위한 다중-부분 라이너.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 환형 배플의 직경은 상기 유동 이퀄라이저의 상기 중심 개구의 직경 보다 큰,
    프로세싱 챔버를 위한 다중-부분 라이너.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 내부 측벽은 제 1 높이까지 연장하고, 상기 외부 측벽은 상기 제 1 높이와 다른 제 2 높이까지 연장하는,
    프로세싱 챔버를 위한 다중-부분 라이너.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 바닥 벽 및 상기 외부 측벽 각각은 그들을 통하는 다수의 가스 통로들을 갖고, 상기 외부 측벽의 적어도 2 개의 가스 통로들은 상이한 치수들을 갖고, 상기 바닥 벽의 적어도 2 개의 가스 통로들은 상이한 치수들을 갖는,
    프로세싱 챔버를 위한 다중-부분 라이너.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 외부 측벽의 적어도 2 개의 가스 통로들은 실질적으로 동일한 폭을 갖는,
    프로세싱 챔버를 위한 다중-부분 라이너.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 바닥 벽의 적어도 2 개의 가스 통로들은 실질적으로 동일한 폭을 갖는,
    프로세싱 챔버를 위한 다중-부분 라이너.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 외부 측벽의 적어도 2 개의 가스 통로들은 상이한 길이들을 갖는,
    프로세싱 챔버를 위한 다중-부분 라이너.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 바닥 벽의 적어도 2 개의 가스 통로들은 상이한 길이들을 갖는,
    프로세싱 챔버를 위한 다중-부분 라이너.
  12. 제 7 항에 있어서,
    상기 내부 측벽은 자신을 통해 배치되는 가스 통로들을 갖지 않는,
    프로세싱 챔버를 위한 다중-부분 라이너.
  13. 제 7 항에 있어서,
    상기 가스 통로들은 상기 외부 측벽의 50% 미만의 영역을 차지하는,
    프로세싱 챔버를 위한 다중-부분 라이너.
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