KR20230164147A - 플라즈마를 이용한 박막 형성을 위한 접지 리턴 - Google Patents
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Abstract
프로세스 키트가 제공되고, 이 프로세스 키트는 직사각형 본체를 갖는 서셉터 ― 직사각형 본체는 제2 주측 반대편의 제1 주측 및 제2 단측 반대편의 제1 단측을 포함하는 둘레부를 포함하며, 여기서 단측들 각각은 제1 주측과 제2 주측에 인접하고 제1 주측과 제2 주측 사이에서 연장되어 개개의 모서리에서 인터페이싱함 ―, 및 직사각형 본체의 개개의 모서리들 외부에서 직사각형 본체의 둘레부에 결합된 복수의 접지 디바이스들 ― 복수의 접지 디바이스들은 제1 주측, 제2 주측, 제1 단측 및 제2 단측 각각에 결합된 4 개 이상의 측면 접지 디바이스들; 및 제1 주측, 제2 주측, 제1 단측 및 제2 단측 각각에 8 개 이상의 최하부 접지 디바이스들을 포함함 ― 을 포함한다.
Description
[0001]
본 명세서에 설명된 실시예들은 일반적으로 플라즈마를 이용하여 대면적 기판들을 프로세싱하기 위한 방법들 및 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 명세서에 설명된 실시예들은 플라즈마 프로세싱 챔버를 위한 변조된 무선 주파수(RF) 전류 리턴 경로에 관한 것이다.
[0002]
플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)은 일반적으로 반도체 기판들, 태양광 패널 기판들, 및 디스플레이 제조에 사용되는 액정 디스플레이(LCD) 및 유기 발광 다이오드(OLED) 기판들과 같은 기판들 상에 박막들을 증착하기 위해 채택된다. PECVD는 일반적으로 서셉터(susceptor) 또는 기판 지지체 상에 기판이 배치된 진공 챔버 내로 전구체 가스를 도입함으로써 달성된다. 전구체 가스는 전형적으로 진공 챔버의 최상부 근처에 위치된 가스 분배 플레이트를 통해 유도된다. 진공 챔버 내의 전구체 가스는 챔버에 결합된 하나 이상의 RF 소스들로부터 챔버에 무선 주파수(RF) 전력을 인가함으로써 플라즈마로 에너자이징(energize)(예를 들어, 여기)된다. 여기된 가스는 반응하여 기판(또는 그 위에 형성된 디바이스들)의 표면 상에 재료의 박막을 형성한다. 가스 분배 플레이트는 일반적으로 RF 전력 소스에 연결되고, 서셉터는 전형적으로 RF 전류 리턴 경로를 제공하는 챔버 본체에 연결된다.
[0003]
OLED 디바이스들의 제조에서, PECVD 프로세스는 일반적으로 기판 상에 형성된 복수의 OLED 디바이스들 상에 박막을 형성하는 데 사용된다. 이 박막은 디바이스들을 캡슐화(encapsulate) 및/또는 밀폐식 밀봉하는 데 사용된다(박막 캡슐화(TFE)로 알려져 있음). 일반적으로 PECVD 프로세스들을 사용하여 OLED 디바이스들 상에 증착된 이러한 박막들에는 균일성이 요구된다. 박막들이 기판 면적에 걸쳐 균일하지 않으면, 수율이 감소될 수 있다. 불균일성은 플라즈마 밀도 균일성과 관련이 있으며, 이는 RF 리턴의 영향을 받는 것으로 밝혀졌다.
[0004]
따라서, 대면적 기판들에 대한 개선된 RF 리턴 방식이 요구된다.
[0005]
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 기판을 플라즈마 프로세싱하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 명세서에 설명된 실시예들은 유리한 RF 리턴 경로를 제공하도록 구성된 하나 이상의 무선 주파수(RF) 접지 또는 리턴 디바이스들을 갖는 플라즈마 프로세싱 챔버를 제공한다.
[0006]
일 실시예에서, 프로세스 키트(process kit)가 제공된다. 프로세스 키트는 전기 전도성 재료로 제조된 직사각형 본체를 갖는 서셉터 ― 직사각형 본체는 제2 주측(major side) 반대편의 제1 주측 및 제2 단측(minor side) 반대편의 제1 단측을 포함하는 둘레부를 포함하고, 단측들 각각은 제1 주측과 제2 주측에 인접하고 제1 주측과 제2 주측 사이에서 연장되어 개개의 모서리에서 인터페이싱함 ― 를 포함한다. 또한, 서셉터는 직사각형 본체의 개개의 모서리들 외부에서 직사각형 본체의 둘레부에 결합된 복수의 접지 디바이스들을 포함하며, 여기서 복수의 접지 디바이스들은 제1 주측, 제2 주측, 제1 단측 및 제2 단측 각각에 결합된 4 개 이상의 측면 접지 디바이스들; 및 제1 주측, 제2 주측, 제1 단측 및 제2 단측 각각에 결합된 8 개 이상의 최하부 접지 디바이스들을 포함한다.
[0007]
다른 실시예에서, 프로세스 키트가 제공된다. 프로세스 키트는 전기 전도성 재료로 제조된 직사각형 본체를 갖는 서셉터를 포함하며, 직사각형 본체는 제2 주측 반대편의 제1 주측 및 제2 단측 반대편의 제1 단측을 포함하는 둘레부를 포함하며, 여기서 단측들 각각은 제1 주측과 제2 주측에 인접하고 제1 주측과 제2 주측 사이에서 연장되어 개개의 모서리에서 인터페이싱한다. 또한, 서셉터는 직사각형 본체의 둘레부에 결합된 브래킷(bracket), 및 제1 및 제2 주측들 각각 및 제1 및 제2 단측들 각각의 전기적 접지 길이 내에서 브래킷에 결합된 복수의 접지 디바이스들을 포함하며, 여기서 복수의 접지 디바이스들은 제1 주측, 제2 주측, 제1 단측 및 제2 단측 각각에 결합된 4 개 이상의 측면 접지 디바이스들; 및 제1 주측, 제2 주측, 제1 단측 및 제2 단측 각각에 8 개 이상의 최하부 접지 디바이스들을 포함한다.
[0008]
다른 실시예에서, 플라즈마 프로세싱 시스템이 제공된다. 플라즈마 프로세싱 시스템은 챔버, 챔버 내에 배치된 제1 전극을 포함하며, 제1 전극은 챔버 내에서 플라즈마의 생성을 용이하게 하고, 챔버 내의 제2 전극에 대해 이동 가능하다. 제1 전극은 전기 전도성 재료로 제조된 직사각형 본체를 포함하며, 직사각형 본체는 제2 주측 반대편의 제1 주측 및 제2 단측 반대편의 제1 단측을 포함하는 둘레부를 포함하며, 여기서 단측들 각각은 제1 주측과 제2 주측에 인접하고 제1 주측과 제2 주측 사이에서 연장되어 개개의 모서리에서 인터페이싱한다. 또한, 제1 전극은 직사각형 본체의 개개의 모서리들 외부에서 직사각형 본체의 둘레부에 결합된 복수의 접지 디바이스들을 포함하며, 여기서 복수의 접지 디바이스들은 제1 주측, 제2 주측, 제1 단측 및 제2 단측 각각에 결합된 4 개 이상의 측면 접지 디바이스들; 및 제1 주측, 제2 주측, 제1 단측 및 제2 단측 각각에 8 개 이상의 최하부 접지 디바이스들을 포함한다.
[0009]
본 개시내용의 위에 인용된 특징들이 상세히 이해될 수 있도록, 위에서 간략하게 요약된 본 명세서에 설명된 바와 같은 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있으며, 이 실시예들 중 일부가 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 예시하는 것이므로 그 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이라는 점에 유의해야 한다.
[0010] 도 1a는 플라즈마 프로세싱 시스템의 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
[0011] 도 1b는 도 1a에 도시된 플라즈마 프로세싱 시스템의 다른 실시예의 개략적인 단면도이다.
[0012] 도 2는 측면 접지 디바이스의 일 실시예의 등축도이다.
[0013] 도 3은 접지 디바이스들을 결합하기 위한 브래킷의 일부의 등축 후방 측면도이다.
[0014] 도 4는 서셉터의 평면도를 도시하는 챔버 본체의 개략적인 단면 평면도이다.
[0015] 도 5a 내지 도 5c는 서셉터의 둘레부 상의 브래킷 상에 배치된 접지 디바이스들의 다양한 실시예들에 대한 개략적인 등축도이다.
[0016] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및/또는 프로세스 단계들은 추가의 언급 없이 다른 실시예들에 유리하게 통합될 수 있는 것으로 고려된다.
[0010] 도 1a는 플라즈마 프로세싱 시스템의 일 실시예의 개략적인 단면도이다.
[0011] 도 1b는 도 1a에 도시된 플라즈마 프로세싱 시스템의 다른 실시예의 개략적인 단면도이다.
[0012] 도 2는 측면 접지 디바이스의 일 실시예의 등축도이다.
[0013] 도 3은 접지 디바이스들을 결합하기 위한 브래킷의 일부의 등축 후방 측면도이다.
[0014] 도 4는 서셉터의 평면도를 도시하는 챔버 본체의 개략적인 단면 평면도이다.
[0015] 도 5a 내지 도 5c는 서셉터의 둘레부 상의 브래킷 상에 배치된 접지 디바이스들의 다양한 실시예들에 대한 개략적인 등축도이다.
[0016] 이해를 용이하게 하기 위해, 도면들에 대해 공통인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 가능한 경우 동일한 참조 번호들이 사용되었다. 일 실시예의 엘리먼트들 및/또는 프로세스 단계들은 추가의 언급 없이 다른 실시예들에 유리하게 통합될 수 있는 것으로 고려된다.
[0017]
본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 플라즈마를 이용하여 기판들을 프로세싱하고 및/또는 플라즈마를 이용하여 컴포넌트들을 세정하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 무선 주파수(RF) 리턴 경로를 가능하게 하기 위해 다양한 접지 디바이스들이 결합된 서셉터를 포함하는 프로세스 키트가 개시된다. 본 명세서에 설명된 실시예들은 전기 전류에 대한 개선된 접지 또는 리턴 경로를 제공함으로써 플라즈마 형성을 향상시키고 기판 상에 재료들을 증착하는 방법들에 관한 것이다. 이어지는 설명에서는, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 챔버를 참조할 것이지만, 본 명세서의 실시예들은 몇 개만을 언급하자면 물리적 기상 증착(PVD) 챔버들, 에칭 챔버들, 반도체 프로세싱 챔버들, 태양 전지 프로세싱 챔버들, 및 유기 발광 디스플레이(OLED) 프로세싱 챔버들을 포함하는 다른 챔버들에서도 마찬가지로 실시될 수 있음을 이해해야 한다. 사용될 수 있는 적합한 챔버들은 캘리포니아, 산타클라라의 Applied Materials, Inc.의 자회사인 AKT America, Inc.로부터 입수 가능하다. 본 명세서에서 논의되는 실시예들은 다른 제조업체들로부터 입수 가능한 챔버들에서도 마찬가지로 실시될 수 있음을 이해해야 한다.
[0018]
본 개시내용은 임의의 크기 또는 형상의 기판들을 프로세싱하는 데 활용될 수 있다. 그러나, 본 개시내용은 평면 표면적이 약 15,600 cm2인 기판들 및 평면 표면적이 약 90,000 cm2 표면적(또는 그 초과)인 기판들에서 특정한 이점을 제공한다. 기판 표면적의 크기가 증가하면 적절한 접지 경로를 제공하는 데 어려움이 증가하기 때문에 균일한 프로세싱에 난제들을 제시한다. 본 명세서에 설명된 실시예들은 더 큰 기판 크기들을 프로세싱하는 동안 이러한 난제들에 대한 해결책을 제공한다.
[0019]
도 1a는 플라즈마 프로세싱 시스템(100)의 일 실시예의 개략적인 단면도이다. 플라즈마 프로세싱 시스템(100)은 액정 디스플레이들(LCD들), 평판 디스플레이들, 유기 발광 다이오드(OLED) 디바이스들, 또는 태양 전지 어레이들을 위한 광전지들의 제조에 사용하기 위해 대면적 기판(101) 상에 구조들 및 디바이스들을 형성할 때 플라즈마를 이용하여 대면적 기판(101)을 프로세싱하도록 구성된다. 기판(101)은, 다른 적합한 재료들 중에서도, 금속, 플라스틱, 유기 재료, 실리콘, 유리, 석영 또는 폴리머(polymer)의 얇은 시트(sheet)일 수 있다. 플라즈마 프로세싱 시스템(100)은 유전체 재료들(예를 들어, SiO2, SiOXNy, 이들의 유도체들 또는 이들의 조합들), 반도체 재료들(예를 들어, Si 및 이의 도펀트들), 또는 장벽 재료들(예를 들어, SiNx, SiOxNy 또는 이들의 유도체들)을 포함하는(그러나 이에 제한되지 않음) 다양한 재료들을 대면적 기판들(101) 상에 증착하도록 구성될 수 있다. 플라즈마 프로세싱 시스템(100)에 의해 대면적 기판들 상에 형성되거나 또는 증착되는 유전체 재료들 및 반도체 재료들의 구체적인 예들은 에피택셜(epitaxial) 실리콘, 다결정 실리콘, 비정질 실리콘, 미세결정 실리콘, 실리콘 게르마늄, 게르마늄, 실리콘 이산화물, 실리콘 산질화물, 실리콘 질화물, 이들의 도펀트들(예를 들어, B, P 또는 As), 이들의 유도체들 또는 이들의 조합들을 포함할 수 있다. 플라즈마 프로세싱 시스템(100)은 또한 퍼지(purge) 가스 또는 캐리어 가스(예를 들어, Ar, H2, N2, He, 이들의 유도체들, 또는 이들의 조합들)로 사용하기 위해, 아르곤, 수소, 질소, 헬륨, 또는 이들의 조합들과 같은 가스들을 수용하도록 구성된다. 시스템(100)을 사용하여 대면적 기판(101) 상에 실리콘 박막들을 증착하는 일 예는 수소 캐리어 가스 내의 프로세싱 가스로서 실란을 사용함으로써 달성될 수 있다.
[0020]
도 1a에 도시된 바와 같이, 플라즈마 프로세싱 시스템(100)은 일반적으로 적어도 부분적으로 프로세싱 체적(111)을 정의하는 최하부(117a) 및 측벽들(117b)을 포함하는 챔버 본체(102)를 포함한다. 서셉터(104)는 프로세싱 체적(111)에 배치된다. 서셉터(104)는 프로세싱 동안 최상부 표면 상에 기판(101)을 지지하도록 구성된다. 서셉터(104)는 기판(101)의 이송을 용이하게 하고 그리고/또는 기판(101)과 샤워헤드(showerhead) 조립체(103) 사이의 거리(D)를 조정하기 위해 서셉터를 적어도 수직으로 이동하도록 구성된 액추에이터(actuator)(138)에 결합되어 있다. 하나 이상의 리프트 핀(lift pin)들(110a-110d)은 서셉터(104)를 통해 연장될 수 있다. 리프트 핀들(110a-110d)은 도 1b에 도시된 바와 같이, 기판(101)의 이송을 용이하게 하기 위해 액추에이터(138)에 의해 서셉터(104)가 하강될 때 챔버 본체(102)의 최하부(117a)에 접촉하고 기판(101)을 지지하도록 구성된다. 도 1a에 도시된 바와 같은 프로세싱 포지션(position)에서, 리프트 핀들(110a-110d)은 기판(101)이 서셉터(104) 상에 평평하게 놓일 수 있게 하도록 서셉터(104)의 상부 표면과 동일한 높이에 있거나 또는 약간 그 아래에 있도록 구성된다.
[0021]
기판(101) 및/또는 서셉터(104)는 약 5 제곱미터 초과, 예를 들어 약 5.5 제곱미터, 또는 그 초과의 표면적을 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 기판(101) 및/또는 서셉터(104)는 약 2200 mm(단측) × 약 2500 mm(주측), 또는 그 초과의 치수들을 포함할 수 있다. 기판(101) 상에 형성된 구조들은 광전지들을 위한 다이오드들을 형성하기 위한 OLED 디바이스들, 박막 트랜지스터들 또는 p-n 접합부들일 수 있다.
[0022]
샤워헤드 조립체(103)는 프로세싱 가스 소스(122)로부터 프로세싱 체적(111)에 프로세싱 가스를 공급하도록 구성된다. 플라즈마 프로세싱 시스템(100)은 또한 프로세싱 체적(111)에 음압을 가하도록 구성된 배기 시스템(118)을 포함한다. 샤워헤드 조립체(103)는 일반적으로 실질적으로 평행한 관계에서 서셉터(104)에 대향하여 배치된다.
[0023]
일 실시예에서, 샤워헤드 조립체(103)는 가스 분배 플레이트(114) 및 백킹(backing) 플레이트(116)를 포함한다. 백킹 플레이트(116)는 가스 분배 플레이트(114)와 백킹 플레이트(116) 사이의 가스 체적(131)의 형성을 가능하게 하도록 블로커(blocker) 플레이트로서 기능할 수 있다. 가스 소스(122)는 도관(134)에 의해 가스 분배 플레이트(114)에 연결된다. 일 실시예에서, 원격 플라즈마 소스(107)는, 가스 분배 플레이트(114)를 통해, 활성화된 가스의 플라즈마를 프로세싱 체적(111)에 공급하기 위해 도관(134)에 결합된다. 원격 플라즈마 소스(107)로부터의 플라즈마는 프로세싱 체적(111) 내에 배치된 챔버 컴포넌트들을 세정하기 위한 활성화된 가스들을 포함할 수 있다.
[0024]
가스 분배 플레이트(114), 백킹 플레이트(116) 및 도관(134)은 일반적으로 전기 전도성 재료로 형성되며, 서로 전기적으로 통신한다. 챔버 본체(102)는 또한 전기 전도성 재료로 형성된다. 챔버 본체(102)는 일반적으로 샤워헤드 조립체(103)로부터 전기적으로 절연되어 있다. 일 실시예에서, 샤워헤드 조립체(103)는 절연체(135)에 의해 챔버 본체(102) 상에 장착된다.
[0025]
일 실시예에서, 서셉터(104)는 또한 전기 전도성이고, 서셉터(104) 및 샤워헤드 조립체(103)는 이들 사이에 프로세싱 및/또는 전처리 또는 후처리 프로세스 동안 프로세싱 가스들의 플라즈마(108a)를 생성하기 위한 대향하는 전극들로 구성된다. 추가적으로, 서셉터(104) 및 샤워헤드 조립체(103)는 세정 프로세스 동안 세정 가스들의 플라즈마(108b)(도 1b)를 지지하기 위해 활용될 수 있다.
[0026]
무선 주파수(RF) 전력 소스(105)는 일반적으로 프로세싱 전에, 프로세싱 동안 그리고 프로세싱 후에 샤워헤드 조립체(103)와 서셉터(104) 사이에서 플라즈마(108a)를 생성하는 데 사용되며, 또한 에너자이징된 종을 유지하거나 또는 원격 플라즈마 소스(107)로부터 공급되는 세정 가스들을 추가로 여기시키는 데 사용될 수 있다. 일 실시예에서, RF 전력 소스(105)는 임피던스 정합 회로(121)의 제1 연결부(106a)에 의해 샤워헤드 조립체(103)에 결합된다. 임피던스 정합 회로(121)의 제2 연결부(106b)는 챔버 본체(102)에 전기적으로 연결된다.
[0027]
일 실시예에서, 플라즈마 프로세싱 시스템(100)은 복수의 제1 RF 디바이스들(109a) 및 복수의 제2 RF 디바이스들(109b)을 포함한다. 제1 RF 디바이스들(109a) 및 제2 RF 디바이스들(109b) 각각은 서셉터(104)와 챔버 본체(102)의 접지된 컴포넌트 사이에 결합된다. 일 실시예에서, 복수의 RF 디바이스들(109a 및 109b)은 프로세싱 및/또는 챔버 세정 절차 동안 RF 전류를 리턴시키기 위한 리턴 경로를 제어하도록 구성된다.
[0028]
제1 RF 디바이스들(109a) 각각은 측면 접지 디바이스들(112)로 지칭될 수 있다. 측면 접지 디바이스들(112) 각각은 서셉터(104)의 측면과 챔버 측벽(117b) 사이의 접지 경로를 선택적으로 접촉하고 및/또는 제공하도록 구성된다. 추가적으로, 제2 RF 디바이스들(109b) 각각은 최하부 접지 디바이스들(113)로 지칭될 수 있다. 최하부 접지 디바이스들(113) 각각은 서셉터(104)와 챔버 최하부(117a) 사이의 리턴 경로를 제공하도록 구성된다. 일부 실시예들에서, 측면 접지 디바이스들(112) 및 최하부 접지 디바이스들(113) 각각은 서셉터(104)에 전기적으로 결합된 연장 부재(119)에 결합된다. 연장 부재(119)는 서셉터(104)의 둘레부에 결합된 별도의 부재이거나, 또는 서셉터(104)의 둘레부를 포함하는 구조일 수 있다.
[0029]
측면 접지 디바이스들(112) 각각은 측벽(117b)에 전기적으로 결합된 렛지(ledge)(124)와 접촉하도록 구성된 이동 가능한 전도성 부재(120)를 포함한다. 측면 접지 디바이스들(112) 각각은 전기 전류에 대해 개방 또는 폐쇄되도록 선택적으로 활성화될 수 있다. 폐쇄된 포지션(도 1a에 도시됨)에서, 측면 접지 디바이스들(112) 각각은 RF 리턴 경로를 위해 서셉터(104)와 챔버 본체(102)의 컴포넌트 사이에 RF 전도성 매체를 제공하는 데 활용된다. 개방된 포지션(도 1b에 도시됨)에서, 측면 접지 디바이스들(112) 각각은 챔버 컴포넌트(즉, RF 전력 소스(105)와 전기적으로 연통되는 챔버 본체(102)의 컴포넌트)에 전기적으로 결합되지 않는다. 일 양태에서, 측면 접지 디바이스들(112) 각각의 개방/폐쇄 특성은 샤워헤드 조립체(103)에 대한 서셉터(104)의 상승(즉, 렛지들(124)에 대한 상승)에 의해 제어될 수 있다.
[0030]
기판 프로세싱 동안의 RF 전류 경로의 일 실시예가 도 1a에 화살표들로 개략적으로 예시되어 있다. RF 전류는 일반적으로 RF 전력 소스(105)의 제1 리드(lead)(123a)로부터 임피던스 정합 회로(121)의 제1 출력(106a)으로 이동하고, 그 다음 도관(134)의 외부 표면을 따라 백킹 플레이트(116)의 후면 표면으로 이동한 다음, 가스 분배 플레이트(114)의 전면 표면으로 이동한다. 가스 분배 플레이트(114)의 전면 표면으로부터, RF 전류는 플라즈마(108a)를 통과하여, 기판(101) 또는 서셉터(104)의 최상부 표면에 도달한 다음, 측면 접지 디바이스들(112) 및/또는 최하부 접지 디바이스들(113)을 통해 챔버 본체(102)의 내부 표면(125)에 도달한다. 내부 표면(125)으로부터, RF 전류는 임피던스 정합 회로(121)로부터 RF 전력 소스(105)의 제2 리드(123b)로 리턴된다.
[0031]
일 실시예에서, 프로세싱 동안의 RF 전류의 리턴 경로는 거리(D)로 묘사된, 서셉터(104)와 샤워헤드 조립체(103) 사이의 간격에 따라 달라질 수 있다. 이 간격은 서셉터(104)의 상승에 의해 제어된다. 일 실시예에서, 거리(D)는 프로세싱 동안 약 200 밀(mil) 내지 약 2000 밀이다. 이 간격(예를 들어, 서셉터(104)의 상승)에서, 측면 접지 디바이스들(112) 및 최하부 접지 디바이스들(113)은 모두 RF 전력 소스(105)에 전기적으로 결합된 상태로 유지될 수 있다. 이 실시예에서, RF 전류에 의해 취해지는 RF 리턴 경로는 측면 접지 디바이스들(112) 및 최하부 접지 디바이스들(113)의 전기적 특성들 및 포지셔닝에 기초할 수 있다. 전기적 특성들에는 측면 접지 디바이스들(112) 및 최하부 접지 디바이스들(113)의 저항, 임피던스 및/또는 컨덕턴스가 포함된다. 예를 들어, 측면 접지 디바이스들(112)은 RF 전력 소스(105)의 제2 리드(123b)로 복귀되는 RF 전류에 대해 더 가깝고 임피던스가 더 적기 때문에, RF 전류는 주로 측면 접지 디바이스들(112)을 통해 흐르고 최하부 접지 디바이스들(113)을 통해 흐르는 RF 전류는 거의 또는 전혀 없다.
[0032]
도 1b는 도 1a에 도시된 플라즈마 프로세싱 시스템(100)의 개략적인 단면도이다. 이 도면에서, 플라즈마 프로세싱 시스템(100)은 챔버 세정 절차를 묘사하기 위해 기판 없이 도시되어 있으며, 화살표들은 RF 전류 흐름을 개략적으로 묘사하기 위해 도시되어 있다. 이 실시예에서, 에너자이징된 세정 가스들은 원격 플라즈마 소스(107)로부터 샤워헤드 조립체(103) 및 프로세싱 체적(111)으로 흐르고, 프로세싱 체적(111) 내에 플라즈마(108b)를 공급한다. 챔버 세정 동안, 서셉터(104)는 샤워헤드 조립체(103)로부터 멀리 변위되고, 원격 플라즈마 소스(107)로부터 세정 가스를 유지하거나 또는 추가로 에너자이징하기 위해 RF 전력 소스(105)로부터의 RF 전력이 프로세싱 체적(111)에 인가될 수 있다. 일 실시예에서, 챔버 세정 동안 샤워헤드 조립체(103)에 대한 서셉터(104)의 간격 또는 거리(D)는 프로세싱 동안 샤워헤드 조립체(103)에 대한 서셉터(104)의 간격 또는 거리(D)보다 크다. 일 실시예에서, 세정 프로세스 동안 서셉터(104)와 샤워헤드 조립체(103) 사이의 거리(D)는 약 200 밀 내지 약 5000 밀이거나 또는 그 초과이다.
[0033]
일 실시예에서, 측면 접지 디바이스들(112)은 서셉터(104)로부터 전기적 또는 물리적으로 분리되어, 리턴 RF 전류가 최하부 접지 디바이스들(113)에 걸쳐서만 흐르도록 할 수 있다. 일 실시예에서, 서셉터(104)의 상승은 RF 전류가 측면 접지 디바이스들(112)을 통과하는 것을 실질적으로 방지하는 조건을 유발한다. 일 실시예에서, 서셉터(104)가 이러한 하강된 포지션에 있을 때 측면 접지 디바이스들(112)은 측벽(117b) 및 서셉터(104)로부터 분리되고, 그에 의해 측면 접지 디바이스들(112)에 RF 개방 조건이 생성된다.
[0034]
도 2는 서셉터(104)의 둘레부(200)에 결합된 측면 접지 디바이스(112)의 일 실시예의 등축도이다. 측면 접지 디바이스(112)는 브래킷(205)(예를 들어, 도 1a 및 도 1b에 도시된 연장 부재(119))에 결합된 것으로 도시되어 있다. 서셉터(104)는 알루미늄과 같은 전기 전도성 재료로 제조된 본체(210)를 포함한다. 브래킷(205)은 본체(210)에 전기적으로 연결되는 알루미늄과 같은 전기 전도성 재료를 포함한다. 일 실시예에서, 브래킷(205)은 서셉터(104)에 결합되는 바(bar)로서 구성된다. 브래킷(205)은 선택된 로케이션(location)들에서 서셉터(104)의 둘레부(200)로부터 돌출되는 연장된 베이스 부재(215)를 포함한다. 연장된 베이스 부재(215)는 이러한 선택된 로케이션들에서 측면 접지 디바이스(112)를 하우징하고 및/또는 지지한다.
[0035]
측면 접지 디바이스(112)는 도 1a 및 도 1b에 설명된 이동 가능한 전도성 부재(120)를 포함한다. 연장된 베이스 부재(215)는 제1 샤프트(shaft)(222)를 수용하도록 구성된 개구부(220)를 포함한다. 제1 샤프트(222)는 개구부(220)를 통해 이동 가능하게 배치되어 베이스 부재(215)와 제1 샤프트(222) 사이의 상대적인 이동을 제공한다. 제1 샤프트(222)는 스프링 형태부(226) 내부에 수용되는 제2 샤프트(224)에 결합된다. 칼라(collar)(228)가 제2 샤프트(224)에 결합되어 스프링 형태부(226)를 위한 베이스를 제공한다. 일 실시예에서, 제1 샤프트(222)는 도 2에서 230으로 표시된 이동 거리 내의 임의의 포지션으로 이동 가능하다. 이동 거리(230)는 서셉터(104)와 챔버 본체(102) 사이의 전기적 접촉 또는 접지 전위를 유지하면서 서셉터(104)가 다양한 프로세스들 동안 이동할 수 있는 거리 범위에 해당한다.
[0036]
이동 가능한 전도성 부재(120)는 적어도 하나의 탄성 부분을 포함하며, 이 실시예에서는 스프링 형태부(226)뿐만 아니라 스프링 형태부들(232A 및 232B)로도 도시된다. 스프링 형태부들(226, 232A 및 232B)은 이동 가능한 전도성 부재(120)에 탄성을 제공한다. 스프링 형태부들(232A 및 232B)은 전기 전류를 위한 전도 경로를 추가적으로 제공한다.
[0037]
일부 실시예들에서, 스프링 형태부들은 플랫(flat) 스프링, 코일 스프링, 압축 스프링 또는 다른 가요성 스프링 디바이스 또는 스프링 형태부의 형태일 수 있다. 일 실시예에서, 스프링 형태부들(232A 및 232B)은 금속 재료 또는 금속 합금을 포함하며, 이는 전도성 재료로 추가적으로 코팅되거나, 래핑(wrap)되거나 또는 클래딩(clad)될 수 있다. 금속들 및 금속 합금들의 예들은 니켈, 스테인리스강, 티타늄, MONEL® 재료, HASTELLOY® 재료, HAYNES® 합금, 예를 들어, HAYNES® 242® 재료, 베릴륨 구리, 또는 다른 전도성 탄성 재료들을 포함한다. 코팅, 랩핑 또는 클래딩을 위한 전도성 재료들의 예들은 알루미늄, 양극산화 알루미늄, 또는 다른 코팅, 막 또는 시트 재료를 포함한다. 일 실시예에서, 스프링 형태부들(232A 및 232B) 각각은 알루미늄 재료로 래핑되거나 또는 덮인 니켈 또는 티타늄 합금 시트 재료를 포함한다. 다른 실시예에서, 스프링 형태부(226)는, 예를 들어, HASTELLOY® 재료 또는 HAYNES® 242® 재료와 같은 Ni-Mo-Cr 합금을 포함한다. Ni-Mo-Cr 합금 재료는 알루미늄 또는 전도성 금속 피복 또는 코팅으로 코팅되거나, 래핑되거나 또는 클래딩될 수 있다. 일 실시예에서, 스프링 형태부(226)는 MONEL® 400 재료를 포함하고, 스프링 형태부들(232A 및 232B)은 알루미늄 포일(foil)로 래핑된 HAYNES® 242® 재료를 포함한다.
[0038]
일 실시예에서, 스프링 형태부들(232A 및 232B)은 연속적인 단일 시트 재료이거나 또는 2 개의 단부들(234A, 234B)을 갖는 단일 플랫 스프링일 수 있다. 대안적으로, 스프링 형태부들(232A 및 232B)은 2 개의 분리된 불연속적인 시트 재료 피스(piece)들 또는 접촉 패드(236)에서 개개의 단부들에 결합된 2 개의 플랫 스프링들일 수 있다. 어느 실시예에서든, 스프링 형태부들(232A 및 232B)은 전기 전도성 재료로 제조된 접촉 패드(236)에 전기적으로 결합된다. 측면 접지 디바이스(112)가 폐쇄된 포지션(도 1a에 도시됨)에 있을 때, RF 전류는 브래킷(205)을 통해 본체(210)로부터, 스프링 형태부들(232A 및/또는 232B) 상에 또는 이들을 통해, 그리고 렛지(124)와 접촉하는 접촉 패드(236)를 통해 챔버 본체(102)로 전도된다.
[0039]
칼라(228)는 너트(nut)를 포함하거나, 또는 제2 샤프트(224)에 고정되어, 그에 의해 스프링 형태부(226)를 포획하도록 구성된 고정 나사를 위한 나사산 부분을 포함할 수 있다. 제2 샤프트(224)는 스프링 형태부(226)가 그 위에 맞도록 하기 위해, 직경과 같은 치수가 감소될 수 있다. 이 실시예에서, 제2 샤프트(224), 스프링 형태부(226) 및 칼라(228)는 관형 부재(238) 내에 배치되거나 또는 하우징된다. 스프링 형태부(226), 제2 샤프트(224) 및 칼라(228)는 전도성 재료로 제조되기 때문에, 유전체 재료로 제조된 관형 부재(238)는 내부에 전도성 부재들을 전기적으로 절연시킨다. 이러한 방식으로, 아크(arcing) 또는 아크 전위가 감소된다.
[0040]
도 3은 브래킷(205)의 일부에 대한 등축 후방 측면도이다. 브래킷(205)은 서셉터(104)의 둘레부(200)에 결합될 그의 측면에서 보이는 것으로 도시되어 있다(둘 모두가 도 2에 도시되어 있음). 복수의 연장된 베이스 부재들(215)이 브래킷(205)의 길이를 따라 주기적 간격들로 도시되어 있다. 2 개 이상의 측면 접지 디바이스들(112)이 브래킷(205)에 결합되어 있고, 그 사이에 비어 있는 베이스 부재(300)가 있는 것으로 도시되어 있다. 또한, 브래킷(205)에 직접 결합된 복수의 최하부 접지 디바이스들(113)(즉, 제2 RF 디바이스들(109b))이 도시되어 있다.
[0041]
최하부 접지 디바이스들(113) 각각은 서셉터(104)와 챔버 본체(102)의 접지된 컴포넌트 사이에 RF 전도성 매체를 제공하도록(도 1a 및 도 1b에 모두 도시되어 있음) 구성된 스프링 형태부들, 스트랩(strap)들, 와이어(wire)들, 또는 케이블들일 수 있다. 일 실시예에서, 최하부 접지 디바이스들(113)은 가요성 전도성 재료로 제조되거나 또는 코팅된 스트랩들로서 구성된다. 최하부 접지 디바이스들(113)의 재료는 알루미늄이거나, 또는 측면 접지 디바이스들(112)의 스프링 형태부들과 함께 설명된 것과 동일한 재료 조합 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
[0042]
최하부 접지 디바이스들(113) 각각은 연장된 베이스 부재들(215) 및/또는 브래킷(205)의 최하부 표면(305)에 직접 결합될 수 있다. 일 실시예에서, 최하부 접지 디바이스들(113)의 적어도 일부가 인접한 연장된 베이스 부재들(215) 사이의 브래킷(205)의 리세스(recess)된 구역(312)에 결합된다. 이동 가능한 전도성 부재(120)가 인접한 연장된 베이스 부재들(215) 사이에서 교대로 배치될 수 있지만, 최하부 접지 디바이스들(113)은 선택된 간격으로 브래킷(205)에 연속적으로 결합된다. 일 예에서, 측면 접지 디바이스(112)는 약 21 인치 내지 약 25 인치의 간격(310), 예를 들어 약 22 인치 내지 약 24 인치, 예를 들어 23.5 인치의 간격을 포함한다. 이와 대조적으로, 최하부 접지 디바이스들(113)은 약 9 인치 내지 약 12 인치의 간격(315), 예를 들어 약 10 인치 내지 약 11 인치의 간격을 포함한다. 이러한 문맥에서 "약"이라는 용어는 +/- 0.1 인치를 의미한다.
[0043]
최하부 접지 디바이스들(113) 각각은 제1 단부(320) 및 제2 단부(325)를 포함한다. 제1 단부(320)는 나사 또는 볼트와 같은 하나 이상의 패스너(fastener)들을 사용하여 브래킷(205)에 결합되어, 제1 단부(320)를 브래킷(205)에 체결시킨다. 제2 단부(325)는 챔버 최하부(117a)의 표면(도 1a 및 도 1b에 도시됨)에의 그의 결합을 용이하게 하기 위한 패스너 인터페이스(330)를 포함한다. 패스너 인터페이스(330)는 제2 단부(325)를 챔버 본체에 체결하기 위해 볼트 또는 나사와 같은 패스너를 수용하도록 구성된 슬롯 또는 세장형 구멍일 수 있다.
[0044]
도 4는 (상부에 기판(101)을 갖는) 서셉터(104)의 평면도를 도시하는 챔버 본체(102)의 개략적인 단면 평면도이다. 또한, 도 4는 측면 접지 디바이스들(112)의 포지셔닝의 일 실시예를 도시하기 위해 (기판(101)의 평면을 따른) 챔버 본체(102)의 단면도들을 도시한다.
[0045]
챔버 본체(102)는 서셉터(104)가 내부에 배치된 상태로 도시되고, 측면 접지 디바이스들(112)은 챔버 본체(102)의 내부 표면(400)과 브래킷(205) 사이의 공간에 배치되어 있다. 측면 접지 디바이스들(112)의 접촉 패드들(236)은 인가된 RF 전력에 대한 RF 리턴 경로를 제공하기 위해 챔버 본체(102)의 내부 표면(400)에 전기적으로 결합된 렛지들(124)(가상선으로 4 개가 도시됨)과 접촉하도록 구성된다. 도시되지는 않았지만, 최하부 접지 디바이스들(113)이 또한 서셉터(104)에 결합되어 있다.
[0046]
일 실시예에서, 측면 접지 디바이스들(112) 및/또는 최하부 접지 디바이스들(113)의 간격 및 집중도는 기판(101) 상의 플라즈마 균일성 및 향상된 증착 균일성을 용이하게 하기 위해 RF 리턴 경로에서 대칭성을 제공하도록 구성된다. 일 실시예에서, 측면 접지 디바이스들(112) 및/또는 최하부 접지 디바이스들(113)의 간격 및/또는 집중도는 챔버 본체(102)의 일 측면 상에 슬릿 밸브 개구부(405)의 존재와 같은 챔버 구조의 변동들을 고려하기 위해 인가된 RF 전력에 대칭적인 외관을 제공하도록 구성된다. 측면 접지 디바이스들(112) 및/또는 최하부 접지 디바이스들(113)의 간격 또는 집중도는 챔버가 물리적으로 및/또는 전기적으로 대칭이 아닐 수 있는 경우 인가된 RF 전력이 프로세싱 체적에서 대칭적으로 이동할 수 있게 한다.
[0047]
도 4에 도시된 바와 같이, 서셉터(104)는 2 개의 주측들(410) 및 2 개의 단측들(415)을 포함하는 둘레부(200)를 포함한다. 주측들(410)은 서로 대향하고 있으며, 또한 서로 대향하고 있는 단측들(415)에 인접한다. 서셉터(104)는 주측들(410) 및 단측들(415) 각각에 전기 접지 부분 또는 길이(420)를 포함한다. 전기 접지 길이(420)는 서셉터(104)의 개개의 주측들(410) 및 단측들(415)의 길이보다 작다. 전기 접지 길이(420) 내에는 측면 접지 디바이스들(112) 및/또는 최하부 접지 디바이스들(113) 각각이 포지셔닝된다. 둘레부(200)는 또한 주측들(410) 및 단측들(415) 각각이 만나는 모서리들(425)을 포함한다. 일부 실시예들에서, 측면 접지 디바이스들(112) 및/또는 최하부 접지 디바이스들(113)은 모서리들(425) 상에 포지셔닝되지 않는다.
[0048]
본 명세서에 설명된 바와 같이 측면 접지 디바이스들(112) 및 최하부 접지 디바이스들(113)의 포지셔닝은 위에서 논의된 플라즈마 프로세싱 시스템(100)과 같은 플라즈마 시스템의 RF 접지 효율을 결정하기 위해 광범위하게 테스트되었다. 고려 인자들은 아크가 시스템 및/또는 기판, 뿐만 아니라 기판 상에 형성된 디바이스들도 잠재적으로 손상시킬 수 있는 시스템의 접지된 부분들과 서셉터(104) 사이의 아크 전위를 포함했었다. 따라서, 아크가 이러한 컴포넌트들을 손상시킬 수 있으므로, 플라즈마 시스템 컴포넌트들로부터 접지 디바이스들을 임의로 제거하고 및/또는 플라즈마 시스템 컴포넌트들 상의 접지 디바이스들을 재-포지셔닝하는 것은 자명한 것이 아니다. 특히, 서셉터(104)의 모서리들로부터 접지 디바이스들을 제거하는 것은 이러한 영역들이 아크가 발생할 가능성이 높기 때문에 자명한 것이 아니다.
[0049]
도 5a 내지 도 5c는 (명확성을 위해 도시되지 않은) 서셉터(104)의 둘레부(200)에 있는 브래킷(205) 상에 배치된 접지 디바이스들의 다양한 실시예들의 개략적인 등축도들이다. 도시된 실시예들 각각에서, 측면 접지 디바이스들(112) 및 최하부 접지 디바이스들(113)은 모서리들(425)에 포지셔닝되지 않는다.
[0050]
도 5a에는 서셉터(104)의 주측들(410) 상에 8 개의 측면 접지 디바이스들(112)이 존재하고, 서셉터(104)의 단측들(415) 상에는 6 개의 측면 접지 디바이스들(112)이 존재한다. 그러나, 서셉터(104)의 주측들(410) 및 단측들(415) 모두 상에 8 개의 최하부 접지 디바이스들(113)이 존재한다. 도 5a의 실시예에서, 모서리들(425)에 인접한 2 개의 비어 있는 베이스 부재들(300)가 존재한다.
[0051]
도 5b에서, 서셉터(104)의 주측들(410) 상에는 4 개의 측면 접지 디바이스들(112)이 존재하고, 서셉터(104)의 단측들(415) 상에는 4 개의 측면 접지 디바이스들(112)이 존재한다. 그러나, 서셉터(104)의 주측들(410) 및 단측들(415) 모두 상에 8 개의 최하부 접지 디바이스들(113)이 존재한다. 도 5b의 실시예에서, 모서리들(425)에 인접한 주측들(410) 상에는 2 개의 비어 있는 베이스 부재들(300)이 존재하고, 단측들(415)은 모서리들(425)에 인접한 하나의 비어 있는 베이스 부재(300)를 포함한다.
[0052]
도 5c에서, 서셉터(104)의 주측들(410) 상에는 6 개의 측면 접지 디바이스들(112)이 존재하고, 서셉터(104)의 단측들(415) 상에는 6 개의 측면 접지 디바이스들(112)이 존재한다. 그러나, 다른 실시예들과 유사하게, 서셉터(104)의 주측들(410) 및 단측들(415) 모두 상에 8 개의 최하부 접지 디바이스들(113)이 존재한다. 도 5c의 실시예에서, 도 5b와 유사하게, 모서리들(425)에 인접한 주측들(410) 상에는 2 개의 비어 있는 베이스 부재들(300)이 존재하고, 단측들(415)은 모서리들(425)에 인접한 하나의 비어 있는 베이스 부재(300)를 포함한다.
[0053]
도 5a 내지 도 5c에 도시된 접지 디바이스들 간의 로케이션들 및/또는 간격은 배타적인 것이 아니다. 그러나, 본 명세서에 개시된 바와 같이 접지 디바이스들이 결합된 서셉터(104)의 실시예들은 기판 상에 보다 균일한 RF 분포를 제공한다. 본 명세서에 설명된 서셉터(104)의 실시예들에 대한 테스트는 기판에 걸친 막 균일성의 증가를 보여준다. 특히, 기판의 모서리들에서의 균일성은 종래의 서셉터 접지 방식들에 비해 크게 개선되었다. 본 명세서에 설명된 바와 같은 서셉터(104)의 실시예들은 또한 기판 상에 형성된 막들의 델타 응력을 개선했다. 예를 들어, 본 명세서에 설명된 바와 같은 서셉터(104)의 실시예들을 사용하면 델타 응력이 (250 시간들의 시효처리(aging) 시에) 136 메가 파스칼(MPa)로부터 약 5 MPa로 감소했다. 본 명세서에 설명된 바와 같은 서셉터(104)의 실시예들은 또한 막들의 수분 차단 성능을 개선했다. 고온/고습 환경(예를 들어, 85 % 상대 습도에서 약 85 ℃)에서의 막들의 응력 안정성은 기판 상에 형성된 막들의 수분 차단 성능을 검증하는 데 중요한 인자이다. 이러한 고온/고습 환경에서의 테스트는 본 명세서에 설명된 바와 같은 서셉터(104)의 실시예들을 사용하여 (1000 시간들의 시효처리 후) 델타 응력이 144 MPa로부터 약 13 MPa로 감소한 것을 보여줬다. 따라서, 본 명세서에 설명된 바와 같은 서셉터(104)를 사용하면, 기판의 모서리들에서의 막 품질이 고온/고습 환경들에서 1000 시간들의 시효처리 후에도 막을 산화로부터 충분히 보호한다.
[0054]
전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시내용의 기본적인 범위를 벗어나지 않으면서 안출될 수 있고, 그 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.
Claims (20)
- 프로세스 키트(process kit)로서,
전기 전도성 재료로 제조된 직사각형 본체를 갖는 서셉터(susceptor) ― 상기 직사각형 본체는 제2 주측(major side) 반대편의 제1 주측 및 제2 단측(minor side) 반대편의 제1 단측을 포함하는 둘레부를 포함하며, 상기 단측들 각각은 상기 제1 주측과 상기 제2 주측에 인접하고 상기 제1 주측과 상기 제2 주측 사이에서 연장되어 개개의 모서리에서 인터페이싱함 ―; 및
상기 직사각형 본체의 상기 개개의 모서리들 외부에서 상기 직사각형 본체의 상기 둘레부에 결합된 복수의 접지 디바이스들 ― 상기 복수의 접지 디바이스들은 상기 제1 주측, 상기 제2 주측, 상기 제1 단측 및 상기 제2 단측 각각에 결합된 4 개 이상의 측면 접지 디바이스들; 및 상기 제1 주측, 상기 제2 주측, 상기 제1 단측 및 상기 제2 단측 각각에 8 개 이상의 최하부 접지 디바이스들을 포함함 ― 을 포함하는, 프로세스 키트. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 접지 디바이스들 각각은 상기 직사각형 본체의 상기 둘레부 주위에 배치된 브래킷(bracket)에 결합되는, 프로세스 키트. - 제2항에 있어서,
상기 브래킷은 복수의 베이스(base) 부재들을 포함하고, 각각의 베이스 부재는 상기 측면 접지 디바이스들 중 하나를 지지하도록 구성되는, 프로세스 키트. - 제3항에 있어서,
상기 주측들 각각 및 상기 단측들 각각은 적어도 하나의 비어 있는 베이스 부재를 포함하는, 프로세스 키트. - 제4항에 있어서,
상기 주측들 각각은 4 개의 비어 있는 베이스 부재들을 포함하는, 프로세스 키트. - 제4항에 있어서,
상기 단측들 각각은 2 개의 비어 있는 베이스 부재들을 포함하는, 프로세스 키트. - 제1항에 있어서,
상기 최하부 접지 디바이스들은 상기 직사각형 본체의 상기 둘레부 주위에 배치된 브래킷에 결합되는, 프로세스 키트. - 제7항에 있어서,
상기 브래킷은 복수의 베이스 부재들을 포함하고, 상기 복수의 베이스 부재들 각각 중 적어도 일부가 상기 측면 접지 디바이스들 중 하나를 포함하는, 프로세스 키트. - 제8항에 있어서,
상기 최하부 접지 디바이스들 중 일부는 상기 측면 접지 디바이스들 중 상기 하나를 포함하는 상기 베이스 부재들 중 하나에 인접하여 상기 브래킷에 결합되는, 프로세스 키트. - 제8항에 있어서,
상기 브래킷은 상기 베이스 부재들 사이에 리세스(recess)된 구역을 포함하고, 상기 최하부 접지 디바이스는 상기 리세스된 구역에 결합되는, 프로세스 키트. - 프로세스 키트로서,
전기 전도성 재료로 제조된 직사각형 본체를 갖는 서셉터 ― 상기 직사각형 본체는 제2 주측 반대편의 제1 주측 및 제2 단측 반대편의 제1 단측을 포함하는 둘레부를 포함하고, 상기 단측들 각각은 상기 제1 주측과 상기 제2 주측에 인접하고 상기 제1 주측과 상기 제2 주측 사이에서 연장되어 개개의 모서리에서 인터페이싱함 ―;
상기 직사각형 본체의 상기 둘레부에 결합된 브래킷; 및
상기 제1 및 제2 주측들 각각 및 상기 제1 및 제2 단측들 각각의 전기적 접지 길이 내에서 상기 브래킷에 결합된 복수의 접지 디바이스들 ― 상기 복수의 접지 디바이스들은 상기 제1 주측, 상기 제2 주측, 상기 제1 단측 및 상기 제2 단측 각각에 결합된 4 개 이상의 측면 접지 디바이스들; 및 상기 제1 주측, 상기 제2 주측, 상기 제1 단측 및 상기 제2 단측 각각에 8 개 이상의 최하부 접지 디바이스들을 포함함 ― 을 포함하는, 프로세스 키트. - 제11항에 있어서,
상기 브래킷은 복수의 베이스 부재들을 포함하고, 각각의 베이스 부재는 상기 측면 접지 디바이스들 중 하나를 지지하도록 구성되는, 프로세스 키트. - 제12항에 있어서,
상기 주측들 각각 및 상기 단측들 각각은 적어도 하나의 비어 있는 베이스 부재를 포함하는, 프로세스 키트. - 제13항에 있어서,
상기 주측들 각각은 4 개의 비어 있는 베이스 부재들을 포함하는, 프로세스 키트. - 제13항에 있어서,
상기 단측들 각각은 2 개의 비어 있는 베이스 부재들을 포함하는, 프로세스 키트. - 제11항에 있어서,
상기 최하부 접지 디바이스들 각각은 상기 브래킷에 결합된 제1 단부, 및 슬롯형(slotted) 구멍을 갖는 제2 단부를 포함하는, 프로세스 키트. - 플라즈마 프로세싱 시스템으로서,
챔버;
상기 챔버 내에 배치된 제1 전극 ― 상기 제1 전극은 상기 챔버 내에서 플라즈마의 생성을 용이하게 하고, 상기 챔버 내의 제2 전극에 대해 이동 가능함 ― 을 포함하고,
상기 제1 전극은,
전기 전도성 재료로 제조된 직사각형 본체 ― 상기 직사각형 본체는 제2 주측 반대편의 제1 주측 및 제2 단측 반대편의 제1 단측을 포함하는 둘레부를 포함하고, 상기 단측들 각각은 상기 제1 주측과 상기 제2 주측에 인접하고 상기 제1 주측과 상기 제2 주측 사이에서 연장되어 개개의 모서리에서 인터페이싱함 ―; 및
상기 직사각형 본체의 상기 개개의 모서리들 외부에서 상기 직사각형 본체의 상기 둘레부에 결합된 복수의 접지 디바이스들 ― 상기 복수의 접지 디바이스들은 상기 제1 주측, 상기 제2 주측, 상기 제1 단측 및 상기 제2 단측 각각에 결합된 4 개 이상의 측면 접지 디바이스들; 및 상기 제1 주측, 상기 제2 주측, 상기 제1 단측 및 상기 제2 단측 각각에서 8 개 이상의 최하부 접지 디바이스들을 포함함 ― 을 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템. - 제17항에 있어서,
상기 복수의 접지 디바이스들 각각은 상기 직사각형 본체의 상기 둘레부 주위에 배치된 브래킷에 결합되는, 플라즈마 프로세싱 시스템. - 제18항에 있어서,
상기 브래킷은 복수의 베이스 부재들을 포함하고, 각각의 베이스 부재는 상기 측면 접지 디바이스들 중 하나를 지지하도록 구성되는, 플라즈마 프로세싱 시스템. - 제19항에 있어서,
상기 주측들 각각 및 상기 단측들 각각은 상기 모서리에 인접한 적어도 하나의 비어 있는 베이스 부재를 포함하는, 플라즈마 프로세싱 시스템.
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