JP2006104575A5 - - Google Patents

Claims (20)

1. プロセスチャンバ壁と、前記プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与えるための装置であって、
   基板支持体と、
   高周波リターンアセンブリと
   を備え、前記高周波リターンアセンブリが、
   前記プロセスチャンバ壁に取り付けられて電気的に結合されるように構成された第１の端部と、前記基板支持体に電気的に結合された第２の端部とを有する複数の可撓性ストラップを備える、装置。
2. 前記可撓性ストラップが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた可撓性材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料を含んでいる、請求項１に記載の装置。
3. 前記基板支持体が多角形であり、前記多角形の基板支持体の各縁部に、少なくとも１つの可撓性ストラップがある、請求項１に記載の装置。
4. 各前記可撓性ストラップと前記プロセスチャンバ壁との間に結合された１つ以上の取り付けブロックを更に備える、請求項１に記載の装置。
5. 前記１つ以上の取り付けブロックが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固体材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料を含んでいる、請求項４に記載の装置。
6. プロセスチャンバ壁と、前記プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体との間に高周波電流リターンパスを与えるためのプラズマ強化化学気相成長装置であって、
   ガス分配シャワーヘッドと、
   プロセスチャンバ壁と、
   前記プロセスチャンバ壁によって囲まれた基板支持体と、
   前記プロセスチャンバ壁に据え付けられた高周波リターンアセンブリと、
   を備え、前記高周波リターンアセンブリが、
   前記プロセスチャンバ壁に取り付けられて電気的に結合された第１の端部と、前記基板支持体に電気的に結合された第２の端部とを有する複数の可撓性ストラップを備える、装置。
7. 前記可撓性ストラップが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた可撓性材料、およびそれらの組み合わせとからなる群から選択された材料を含んでいる、請求項６に記載の装置。
8. 前記基板支持体が多角形であり、前記多角形の基板支持体の各縁部に、少なくとも１つの可撓性ストラップがある、請求項６に記載の装置。
9. 各前記可撓性ストラップと前記プロセスチャンバ壁との間に結合された１つ以上の取り付けブロックを更に備える、請求項６に記載の装置。
10. 前記１つ以上の取り付けブロックが、アルミニウム、チタン、ステンレス鋼、伝導性金属コーティングでコーティングされた固体材料、およびそれらの組み合わせからなる群から選択された材料を含んでいる、請求項９に記載の装置。
11. 各前記可撓性ストラップの前記第１の端部が、溶接、はんだ付け、ろう付けによって、または取り付けデバイスによって、前記１つ以上の取り付けブロックに結合される、請求項９に記載の高周波接地アセンブリ。
12. 前記ガス分配シャワーヘッドに結合された高周波電源を更に備える、請求項６に記載の装置。
13. シャドウフレームを更に備える、請求項６に記載の装置。
14. チャンバ壁を貫通する基板搬送ポートを有するチャンバ本体と、
    前記基板搬送ポートの上方において前記チャンバ壁に結合された高周波接地アセンブリと、
    前記チャンバ本体内に配置され、前記高周波接地アセンブリから離れた第１の位置と前記高周波接地アセンブリに接触する第２の位置との間を移動可能な基板支持体と、
    を備える装置。
15. 前記基板支持体が、少なくとも１つのピックアップ棚状突起部を備える、請求項１４に記載の装置。
16. 前記基板支持体の底部と前記チャンバ本体の底部とに結合された１つ以上の高周波接地パスを更に備える、請求項１５に記載の装置。
17. 前記装置が、プラズマ強化化学気相成長装置である、請求項１６に記載の装置。
18. シャドウフレームを更に備える、請求項１７に記載の装置。
19. 前記シャドウフレームは、前記基板支持体が前記第１の位置にあるときに前記基板支持体から離れた第３の位置から移動可能であり、前記基板支持体が前記第２の位置にあるときに前記基板支持体に接触する第４の位置から移動可能である、請求項１８に記載の装置。
20. 前記シャドウフレームは、前記シャドウフレームが前記第３の位置にあるときに前記高周波接地アセンブリに結合される、請求項１９に記載の装置。