JP2002530857A - 半導体ウェーハ処理システムにおいてrf戻り電流経路制御を行う装置 - Google Patents
半導体ウェーハ処理システムにおいてrf戻り電流経路制御を行う装置Info
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Abstract
Description
ような設備内にRF電流の戻り経路に関する。
業界にとってますます重要になっている。
0の簡略断面図を示す。チャンバ100は、内部に普通のペデスタル組立体10
2を設置したボリュームを構成する一組の壁を包含する。このペデスタル組立体
102は、ペデスタル106とサセプタ107とを包含する。サセプタ107は
、ウェーハ104を支える表面114を有する。チャンバ100のトップにある
チャンバ蓋110は、蒸着ターゲット材料(たとえば、チタン)を含有しており
、陰極を形成すべく直流電源119によって負バイアスをかけられている。ある
いは、個別のターゲットが、チャンバ蓋110から懸架されている。チャンバ蓋
110は、チャンバ100の残りの部分から電気的に絶縁されている。具体的に
は、絶縁体リング112が、チャンバ蓋110を、陽極を形成する環状の接地シ
ールド部材134から電気的に隔離している。ペデスタル組立体102は、ウェ
ーハ移送を容易にすべくチャンバ100内に上下運動範囲を有する。ペデスタル
組立体は、図1において上昇位置(ウェーハ処理位置)にある。チャンバは、リ
ング組立体118を包含し、このリング組立体118が、蒸着が望ましくない部
位、たとえば、サセプタの側部、ペデスタル下方などで生じるのを防ぐ。具体的
には、ウェイスト・リング120およびカバー・リング122が、スパッタされ
た材料が基板以外の表面に蒸着するのを防止する。
のシールド部材134との間の反応帯域108に生じる。アルゴンのようなプロ
セス・ガスが、作動プロセス・ガス供給源(図示せず)を経て反応帯域108に
与えられる。ハイパワーの直流電源119によって生じた電界は、プロセス・ガ
スをイオン化し、均一で高密度の低電子温度プラズマ116を生じさせる。接地
シールド部材134は、反応帯域108を取り囲んでおり、プラズマ116を閉
じ込めて蒸着を強化する。
、或る特殊なタイプのPVDシステム、基板104およびサセプタ107に、プ
ラズマ116に関して負バイアスをかける。これは、ペデスタル組立体102内
の電極130にRFパワーを与えることによって達成される。通常、400KH
zの交流電源136を使用して基板104にバイアスをかけるが、13.56M
Hzの周波数源のような他の周波数源も使用し得る。負直流電位(すなわち、バ
イアス電圧)が、プラズマ116における正イオンと比べてより高い速度の電子
の結果として基板104上に蓄積する。或る種のPVDプロセスにおいては、中
立ターゲット材料がターゲットからスパッタリングされ、プラズマ116に入る
と、ターゲット材料が正にイオン化される。基板のところに負のDCオフセット
があるので、正にイオン化されたターゲット材料が、高度の垂直度で基板に引き
つけられ、そこに堆積する。すなわち、正イオンの加速および/または速度の水
平成分が減少すると共に、垂直成分が強化される。このようにして、「段差被覆
」として知られる蒸着特性が向上する。
(すなわち、半導体ウェーハ)にかかるバイアス電圧が安定状態に留まることで
ある。基板104での安定した電圧レベルは、イオン化蒸着材料を基板104に
均一に引き寄せる。均一な蒸着フィルム層が、半導体ウェーハ製造業界では非常
に望ましい特徴である。シールド部材134からアースに通じる戻り経路を流れ
る電流による電圧低下がそれほどないときには、電圧安定性が最適化される。
基板104は、シールド部材134と電気接触しているプラズマ116と電気接
触している。シールド部材134は、チャンバ壁103に接続している。次いで
、チャンバ壁103は、可撓性ベローズ138を通してペデスタル106に接続
している。ペデスタルは、チューブ140を通してアースに接続しており、この
チューブはベローズ136内を走行している。代表的には、ベローズ138は、
相互に溶接した薄いステンレス鋼ディスクで作られている。こえらのディスクは
、非常に薄く、ステンレス鋼は、導電率が比較的低い。このことは、戻り経路に
わたる電圧低下が小さいので、DC電流にとって問題ではない。しかしながら、
RF用途の場合、ほぼ20〜30アンペアの電流が普通である。ステンレス鋼ベ
ローズ138は、高いRFインピーダンスを有する。こうしたわけで、大きい電
圧低下が処理中にベローズを横切って発生するので、RF電流の戻り経路として
ベローズは不適当である。戻り電流経路の大きいインピーダンスによって生じる
このような大きい電圧低下は、ペデスタル106の表面に高電圧が生じさせるる
。プラズマは、かなり異なった電圧の2点間に衝突し、チャンバ内に漂遊プラズ
マを生じさせる可能性がある。たとえば、このような望ましくないプラズマは、
高電位のペデスタル106と、他の任意のアースに近い部位、たとえば、シール
ド部材134、チャンバ壁101または焼出しランプ(図示せず)との間に衝突
する可能性がある。漂遊プラズマは広がって、反応帯域109外側のスペースの
すべて(すなわち、ペデスタル106、ベローズ138、シールド部材134お
よびチャンバ壁103間の領域)を満たす。漂遊プラズマは、ベローズ138、
ペデスタル106からの材料をスパッタリングし、チャンバ環境に汚染物を導入
すると共に、ペデスタル組立体の寿命を短縮させる可能性がある。
く、誘導される電圧は、非常に高い(たとえば、ピーク間電圧がほぼ700ボル
ト)。この場合、ウェーハ104にかかる電圧が、不安定となり、非再現性とな
る。長い戻り経路は、また、再位置決め毎に変化する可変インピーダンスを生じ
させる。アース経路を、シールド部材134とペデスタル106との間でウェイ
スト・リング120、カバー・リング122を経て設けてもよいが、この経路は
、ウェーハ移送中にペデスタル組立体102が昇降する毎に壊れることになり、
信頼性がない。
流のための信頼できる低インピーダンス戻り経路についての必要性がこの技術分
野に存在する。
デスタル間の低インピーダンス電気接続を有するRF戻り経路を提供する本発明
の装置によって解消する。本発明の装置は、シールド部材とペデスタルとの間に
直接電気接続部を形成する低インピーダンス戻り経路組立体を包含する。この戻
り経路組立体は、ペデスタルに接続した導電性ストラップと、このストラップに
接続した導電バーとを包含する。このバーは、ドーナツ型ばねを経てシールド部
材と電気接触する。支持組立体が、戻り経路組立体の一部を機械的に支持してい
る。具体的には、垂直バー、水平バーからなる支持組立体が、導電性バーを支持
する。支持組立体は、チャンバ底壁に固着したカラーに取り付けられている。
の近道となる。この近道は、従来技術に存在した遠回り経路を避け、それによっ
て、シールド部材とアース間のRF電圧低下を低減する。アース経路は、ウェー
ハ・サイクリングを通じてそのままに留まり、シールド部材を取り外したときに
のみ切断される。
て容易に理解することができる。
に同じ参照符号を使用した。
チャンバ200の一部を示す横断面図である。チャンバ200は、ボリュームを
構成する一組の垂直壁203および底壁211を包含する。たとえば、チャンバ
200は、普通のペデスタル組立体202、リング組立体218および環状のシ
ールド部材234を含有するPVDウェーハ処理チャンバである。チャンバ20
0の1例としては、カリフォルニア州、サンタクララのApplied Materials, Inc
.の製造する300mmPVDチャンバがある。本発明のRF戻り電流経路装置
201は、戻り経路組立体250および支持組立体260を包含する。チャンバ
200のトップにあるチャンバ蓋210は、蒸着ターゲット材料(たとえば、チ
タン)を含有しており、直流電源219によって負バイアスをかけられて陰極を
形成している。環状のシールド部材234は、陽極を形成している。環状のシー
ルド部材234は、垂直チャンバ壁から懸架されており、反応帯域208の側方
境界を構成している。絶縁体リング212が、シールド部材234からチャンバ
蓋210を電気的に絶縁している。
する。ペデスタル組立体202は、ペデスタル206(時に「ドッグ・ディッシ
ュ」と呼ばれる)、サセプタ207、ウェイスト・リング220、ベローズ23
8、チューブ240およびカラー248を包含する。サセプタ207は、代表的
には、誘電材料(たとえば、ポリマーまたはセラミック)で作られている。サセ
プタ207は、ウェーハ204を支える表面214を有する。ペデスタルは、1
つまたはそれ以上の電気抵抗型ヒータ213を包含する。サセプタ207内の電
極230は、ウェーハ処理中に電力を導く付加的な陰極として作用する。さらに
、サセプタ207は、オプションとして、ウェーハ204をサセプタ表面214
に静電気的に引きつける(チャック把持する)電極(図示せず)を包含していて
もよい。ウェイスト・リング220およびカバー・リング222からなるリング
組立体218は、スパッタリングされた原子がペデスタル上またはその下方に偶
発的に付着するのを防止する。ウェイスト・リング220は、ペデスタル206
と当接し、ペデスタル206上に付着することになる漂遊ターゲット材料を捕獲
する。ペデスタル組立体202は、チャンバ200内の上下運動範囲を有する。
ペデスタル組立体202は、図2では、下降位置において示されている。処理中
、ペデスタル組立体202は、上昇位置(プロセス位置)に置かれる。この位置
において、カバー・リング222は、僅かにウェイスト・リング220およびシ
ールド部材234と重なり、ペデスタル下方の望ましくない蒸着を防いでいる。
真空との間に可撓性シールを与える。ベローズ238は、上端244のところで
、ペデスタル206に取り付けてある。ベローズ238の下端246は、カラー
248に取り付けてある。支持組立体260は、カラー248に取り付けてある
。次に、カラー248は、チャンバ底壁211に取り付けてある。接地チューブ
240は、ペデスタル206からベローズ232およびチャンバ壁211を貫い
て延びている。チューブ240は、ペデスタル組立体202を機械的に支持して
おり、液体管路、ガス管路、電力リード線(たとえば、ヒータ213用)のため
の導管(すなわち、これらを囲むスペース用の導管)となる。たとえば、冷却チ
ューブ245がチューブ240内を延び、ペデスタル106に冷却剤を与える。
さらに、電極230は、チューブ240内部を延びる伝送線232を経てRFパ
ワー源236に電気的に接続されている。
を直接的に低インピーダンス接続する。戻り経路組立体は、導電性接地ストラッ
プ252および導電バー254を包含する。ストラップ252は、普通の手段、
たとえば、1つまたはそれ以上のネジ253によってペデスタル206に取り付
けてある。ストラップ252は、ベリリウム銅のような非常に導電性が高く、耐
久性のある材料で作る。ストラップ252は、ほぼ矩形であり、充分に長くて可
撓性があるので、ペデスタル・アセンブリ202の上下移動を許す。ストラップ
252の長さは、このストラップが、ペデスタルの昇降時に、チャンバの任意他
の部品、たとえば、ペデスタル206または支持組立体260をこすって粒子を
放出したり、しかも膠着したり、伸びたりしないようにするという設計目標で決
まる。一般的に、ストラップ252の幅は、導電バー254の直径と合致してい
る。たとえば、ストラップは、約5インチの長さ、約0.5インチの幅、約0.
003〜0.004インチの厚さである。ストラップ252は、導電バー254
を経てシールド部材234に電気的に接続されている。導電バーは、代表的には
、無酸素銅から作られる。軸部256および頭部257を有するボルト255が
、ストラップ252を導電バー254に固定している。
252は、ボルト255の軸部256を受け入れる穴259を有する。ボルト2
55は、導電バー254にあるねじ孔258に螺合する。導電バー254の環状
溝253内に配置したドーナツ型ばね251が、導電バー254とシールド部材
234との電気接触を強化している。ドーナツ型ばね251は、図4に斜視図で
示してある。ドーナツ型ばね251は、任意の弾力的な導電性材料(たとえば、
ステンレス鋼(InconelTM))または他の適切な材料から作ってもよい。Inconel TM は、ウエスト・バージニア州、ハンティングトンのInco Alloys Internationa
l, Inc.の登録商標である。ドーナツ型ばね251は、オプションとして、腐食
(たとえば、酸化)を防ぐように金メッキし、良好な電気接触を確保できるよう
にしてもよい。ドーナツ型ばね251は、導電バー254とシールド部材234
との間に多数の並列電気接続部を作る。戻り経路組立体250のこの設計は、組
み立て・分解を簡単にする。
0が、戻り経路組立体を支持組立体260から電気的に隔離している。支持組立
体260は、カラー248に取り付けた水平バー262を包含する。垂直バー2
64が、水平バー262の末端263に取り付けてある。垂直バー264の上端
265は、突出部分266および環状の棚267とを有する。コイル状ばね27
2が、突出部分266上に嵌合している。コイル状ばね272は、環状の棚26
7に当接する第1の端271を有する。ばね272は、突出部分266の外径に
ぴったりと合致する内径を有する。
寸法の中央孔274を備えている。絶縁体は、2つのカウンターボア276、2
78を有する。カウンターボア276は、ボルト255の頭部257を受け入れ
る寸法となっている。カウンターボア218は、垂直バー264およびコイル状
ばね272を受け入れる寸法となっている。第1のリップ275が、カウンター
ボア276、278の交点のところに形成されている。ばね272の第2端27
3が、第1リップ275と係合している。第2のリップ277が、中央孔274
とカウンターボア216の交点のところに形成されている。ボルト255の軸部
256は、ボア274およびストラップ252の穴259内に受け入れられてい
る。ボルト255をねじ孔258内に固着したとき、絶縁体272は、ストラッ
プ252を導電バー254に固着する。ボルト255の頭部257は、第2リッ
プ277と係合し、それによって、絶縁体270を導電バー254に固着してい
る。ばね272は、垂直バー264にある環状の棚267と絶縁体270の第1
リップ275との間に捕獲されている。ばね272は、シールド部材234に対
して導電バー254を押圧する機械的な片寄せ力を提供する。カウンターボア2
78は、垂直バー264の直径と比較して大きい長さを有し、戻り経路組立体2
50の良好な整合を確保しなければならない。
0とシールド部材234との間の反応帯域208に発生し、プロセス・ガスをイ
オン化し、均一で高密度の低電子温度プラズマを生じさせる。イオン金属プラズ
マ(IMP)として知られるコイル237が反応帯域208を取り囲んでいる。
コイルRF電源239(コイル237に接続)が、反応帯域208に付加的なR
Fパワーを与える。RF電源236が、ウェーハにバイアスをかけるのに必要な
電力を与え、フィルム蒸着を向上させる。すなわち、先に説明したように、ウェ
ーハに負直流バイアスが生ずる。ウェーハに印加されたRF電力電圧は、RF電
界を生じさせ、これが、RF電流を基板204からシールド部材234およびア
ースに通じるプラズマまで流れさせる。この電流は、次に、ドーナツ型ばね25
2を経てシールド部材234から導電バー254までの最低抵抗経路をたどり、
次いで、ストラップ252を経てペデスタル206に流れる。電流は、ペデスタ
ル106からチューブ240を経てアースに流れる。
2および導電バー254の導電率が高いことにより、従来技術よりも低いインピ
ーダンスを有する。
ハが循環しているとき、アース経路組立体はそのままである。シールド部材23
4を取り出したときにのみ、この接続が壊れる。
チャンバ200を通して循環しているとき安定状態に留まる。その結果、蒸着は
、基板が変わっても均一である。したがって、生産性が増大すると共に、欠陥基
板の数および基板あたりのコストが低減する。
業者であれば、これらの教示をなお取り入れた多くの他の変形実施例をように案
出することができるであろう。
横断面図である。
ャンバの一部についての詳細横断面図である。
斜視図である。
Claims (20)
- 【請求項1】 シールド部材とペデスタル組立体との間にRF電流用の戻
り電流経路を設ける装置であって、前記ペデスタル組立体に前記シールド部材を
電気的に接続する低インピーダンス戻り経路組立体。 - 【請求項2】 請求項1の装置において、ペデスタル組立体が、ストラッ
プを接続した接地ペデスタル戻り経路組立体と、前記ストラップに接続した導電
バーとを包含し、前記バーが、シールド部材と電気接触することを特徴とする装
置。 - 【請求項3】 請求項2の装置において、さらに、前記導電バーとシール
ド部材との間で配置したドーナツ型ばねを包含することを特徴とする装置。 - 【請求項4】 請求項2の装置において、さらに、前記導電バーを支持す
る支持組立体包含し、前記支持組立体が、さらに、水平バーに取り付けられる垂
直バーを包含し、前記水平バーが、ペデスタル組立体に取り付けてあることを特
徴とする装置。 - 【請求項5】 請求項4の装置において、さらに、前記導電バーと前記垂
直バーとの間に配置した絶縁体を包含することを特徴とする装置。 - 【請求項6】 請求項5の装置において、さらに、前記垂直バーと前記絶
縁体との間に配置したばねを包含することを特徴とする装置。 - 【請求項7】 シールド部材とペデスタルとの間に設置した装置であり、
前記シールド部材およびペデスタルが半導体ウェーハ処理チャンバ内に配置され
ている装置において、前記ペデスタルに接続したストラップと、前記ストラップ
に接続してあり、前記シールド部材と前記ストラップとを電気接続する導電バー
と、前記導電バーの下方に配置してあり、前記導電バーを機械的に支持する支持
組立体とを包含することを特徴とする装置。 - 【請求項8】 請求項7の装置において、前記ストラップが、前記ペデス
タルの上下運動を許すようになっていることを特徴とする装置。 - 【請求項9】 請求項7の装置において、さらに、前記導電バーと前記シ
ールド部材との間に配置したドーナツ型ばねを包含することを特徴とする装置。 - 【請求項10】 請求項7の装置において、前記支持組立体が、水平バー
に取り付けた垂直バーを包含し、前記水平バーが前記ペデスタル組立体に取り付
けてあることを特徴とする装置。 - 【請求項11】 請求項10の装置において、さらに、前記導電バーと前
記垂直バーとの間で配置した絶縁体を包含することを特徴とする装置。 - 【請求項12】 請求項11の装置において、さらに、前記垂直バーと前
記絶縁体との間に配置したばねを包含することを特徴とする装置。 - 【請求項13】 請求項9の装置において、前記ドーナツ型ばねが、前記
導電バーと前記シールド部材との間に多数の並列電気接続部を作っていることを
特徴とする装置。 - 【請求項14】 半導体ウェーハ処理チャンバであって、一組の側壁、底
壁および蓋を有するチャンバと、前記側壁から懸架された環状のシールド部材と
、ペデスタルおよびウェーハ支持体を有するペデスタル組立体と、シールド部材
をペデスタルに電気的に接続する低インピーダンス戻り経路組立体とを包含する
ことを特徴とする半導体ウェーハ処理チャンバ。 - 【請求項15】 請求項14の半導体ウェーハ処理チャンバにおいて、さ
らに、前記戻り経路組立体の一部を機械的に支持する支持組立体を包含すること
を特徴とする半導体ウェーハ処理チャンバ。 - 【請求項16】 請求項14の半導体ウェーハ処理チャンバにおいて、前
記戻り経路組立体が、前記ペデスタルに接続したストラップと、前記ストラップ
に接続した導電バーとを包含し、前記バーが、前記シールド部材と電気接触して
いることを特徴とする半導体ウェーハ処理チャンバ。 - 【請求項17】 請求項14の半導体ウェーハ処理チャンバにおいて、さ
らに、前記導電バーと前記シールド部材との間に配置したドーナツ型ばねを包含
することを特徴とする半導体ウェーハ処理チャンバ。 - 【請求項18】 請求項15の半導体ウェーハ処理チャンバにおいて、さ
らに、前記底壁に取り付けたカラーを包含し、前記支持組立体が、前記カラーに
取り付けた水平バーと、前記水平バーに取り付けた垂直バーとを包含することを
特徴とする半導体ウェーハ処理チャンバ。 - 【請求項19】 請求項17の半導体ウェーハ処理チャンバにおいて、前
記ドーナツ型ばねが、前記導電バーと前記シールド部材との間に多数の並列電気
接続部を作っていることを特徴とする半導体ウェーハ処理チャンバ。 - 【請求項20】 請求項14の半導体ウェーハ処理チャンバにおいて、前
記チャンバが、PVDチャンバであることを特徴とする半導体ウェーハ処理チャ
ンバ。
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