KR100702876B1 - 반도체 웨이퍼 처리 시스템에서 고주파 복귀 전류 경로제어를 제공하는 장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼 처리 시스템에서 고주파 복귀 전류 경로제어를 제공하는 장치 Download PDF

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Abstract

반도체 웨이퍼 처리 챔버에서 쉴드 부재와 페디스털 사이에 로우 임피던스 RF 복귀 전류 경로를 제공하는 장치에 관한 것이다. 복귀 경로는 처리되는 동안 쉴드 부재와 페디프털 사이의 RF 전압 강하를 줄인다. 복귀 경로는 페디스털에 접속된 도전성 스트랩 및 스트랩에 부착된 도전성 바를 포함한다. 토로이달 스프링은 도전성 바와 쉴드 부재 사이에 다중 병렬 전기적 접속을 형성한다. 챔버 벽 상의 칼라에 부착된 지지 어셈블리는 도전성 바를 지지한다.

Description

반도체 웨이퍼 처리 시스템에서 고주파 복귀 전류 경로 제어를 제공하는 장치{APPARATUS FOR PROVIDING RF RETURN CURRENT PATH CONTROL IN A SEMICONDUCTOR WAFER PROCESSING SYSTEM}
본 발명은 반도체 웨이퍼 처리 장비에 관한 것으로서, 특히, 이러한 장비의 RF 전류용 복귀 경로에 관한 것이다.
정밀하게 제어되는 박막 증착을 제공하는 플라즈마 강화 반응 및 공정이 반도체 산업에서 점차 중요하게 되었다.
도 1 은 종래 기술의 물리적 기상 증착 (PVD) 웨이퍼 처리 챔버 (100) 의 간략한 단면도를 도시한다. 챔버 (100) 는 종래의 체적내에 배치된 페디스털 (pedestal) 어셈블리 (102) 를 구비하는 체적을 한정하는 한 세트의 벽을 포함한다. 페디스털 어셈블리 (102) 는 페디스털 (106) 및 서셉터 (107) 를 포함한다. 서셉터 (107) 는 웨이퍼 (104) 를 지지하는 표면 (114) 을 갖는다. 챔버 (100) 의 최상위의 챔버 리드 (110) 는 증착 타겟재료(예를 들어, 티타늄)를 포함하며 캐소드를 형성하도록 DC 전원 (119) 에 의해 음 바이어스된다. 대체하여, 개별적인 타겟재료가 챔버 리드 (chamber lid; 110) 로부터 현수된다. 챔버 리드 (110) 는 챔버 (100) 의 나머지 부분으로부터 전기적으로 절연된다. 특히, 절연체 링 (112) 은 애노드를 형성하는 접지된 환상 쉴드 부재 (134) 로부터 챔버 리드 (110) 를 전기적으로 격리한다. 페디스털 어셈블리 (102) 는 웨이퍼 반송이 용이하도록 챔버 (100) 내에서 수직 이동 범위를 갖는다. 페디스털 어셈블리는 도 1 에서 상승된 위치 (웨이퍼 처리 위치) 로 도시된다. 챔버는 서셉터의 측면위, 페디스털 아래 등과 같이 원하지 않는 위치에서 증착되는 것을 방지하는 링 어셈블리 (118) 를 포함한다. 특히, 웨이스트 링 (120) 및 커버 링 (122) 은 스퍼터링 물질이 기판이 아닌 표면상에 증착되는 것을 방지한다.
전계는 DC 전원 (119) 이 스위치 온될 때 캐소드 챔버 리드 (110) 와 애노드 쉴드 부재 (134) 사이의 반응 영역 (108) 에서 유도된다. 아르곤과 같은 공정 가스는 (도시되지 않은) 작업 공정 가스 공급원을 통하여 반응 영역 (108) 에 제공된다. 고전력 DC 전원 (119) 에 의해 생성된 전계는, 공정 가스를 이온화하고, 균일하면서 고밀도의 낮은 전자 온도 플라즈마 (116) 를 생성한다. 접지된 쉴드 부재 (134) 는 반응 영역 (108) 을 둘러싸며 플라즈마 (116) 가 증착을 향상시키도록 제한한다.
이온 금속화 시스템에서 증착을 더 향상시키기 위해, 특정한 종류의 PVD 시스템, 기판 (104), 및 서셉터 (107) 는 플라즈마 (116) 에 대하여 음 바이어스된다. 이것은 페디스털 어셈블리 (102) 내의 전극 (130) 에 RF 전력을 제공함으로써 이루어진다. 일반적으로, 400 kHz AC 전원 (136) 이 사용되어 기판 (104) 을 바이어스하지만, 13.56 MHz 전원과 같은 다른 주파수원이 또한 사용될 수 있다. 음의 DC 전위 (즉, 바이어스 전압) 는 플라즈마 (116) 의 양 이온과 비교할 때 보 다 높은 전자 속도로 인하여 기판 (104) 상에 축적된다. 일부 PVD 공정에서, 중성 타겟재료가 타겟으로부터 스퍼터링되고 플라즈마 (116) 에 입력될 때, 이 타겟재료는 양 이온화된다. 기판에서의 음 DC 오프셋으로 인하여, 양 이온화된 타겟재료는 기판으로 이끌려 기판상에 매우 수직하여 증착된다. 즉, 양 이온의 가속도 및/또는 속도의 수평 성분은 감소되는 한편 수직 성분은 증가한다. 이처럼, 스텝 커버리지로 알려진 증착 특성이 개선된다.
이상적으로, 기판 (104) (즉, 반도체 웨이퍼) 상의 바이어스 전압은 타겟재료가 기판 (104) 상으로 증착되고 있을 때 안정을 유지한다. 기판 (104) 에서의 안정된 전압 레벨로 인하여 이온화된 증착물은 기판 (104) 으로 균일하게 유도된다. 균일한 증착막 층은 반도체 웨이퍼 제조 산업에서 매우 바람직한 특성이다. 쉴드 부재 (134) 로부터 접지측으로의 복귀 경로에서 흐르는 전류로 인하여 감지될 수 있는 전압 강하가 없을 때 전압 안전성은 최적화된다.
종래 기술에서, RF 전류용 접지 경로는 다소 우회하는 것이다. 예를 들어, 기판 (104) 은 쉴드 부재 (134) 와 전기적 접속을 이루는 플라즈마 (116) 와 전기적으로 접속한다. 쉴드 부재 (134) 는 챔버 벽 (103) 에 접속된다. 챔버 벽 (103) 은 차례로 유연성 벨로우 (138) 를 통하여 페디스털 (106) 에 접속된다. 페디스털은 벨로우 (138) 내부를 통과하는 튜브 (140) 를 통하여 접지된다. 통상적으로, 벨로우 (138) 는 함께 용접된 얇은 스테인레스 스틸 디스크로 형성된다. 디스크는 매우 얇으며 스테인레스 스틸은 비교적 낮은 도전성을 갖는다. 이것은 복귀 경로에 대한 전압 강하가 작기에 DC 전류용에서 문제가 되지 않는다. 그러나, RF 애플리케이션에 있어서, 약 20 내지 30 A 전류가 보통이다. 스테인레스 스틸 벨로우 (138) 는 높은 RF 임피던스를 갖는다. 이처럼, 벨로우는 처리되는 동안 벨로우 양단에 큰 전압 강하가 발달하기에 RF 전류용 복귀 경로로서 부적당하다. 복귀 전류 경로의 큰 임피던스에 의해 유도되는 큰 전압 강하로 인하여 페디스털 (106) 의 표면상에 고 전압이 야기된다. 플라즈마는 실질적으로 상이한 전압의 2개 지점 사이를 충돌할 수 있으며 챔버내에서 표유 플라즈마로 될 수 있다. 예를 들어, 이러한 원하지 않는 플라즈마가 높은 전위에서 쉴드 부재 (134), 챔버 벽 (103) 또는 (도시되지 않은) 베이크 아웃 램프와 같은 근처에 접지된 다른 일부의 특성과 페디스털 (106) 사이를 충돌할 수 있다. 표유 플라즈마는 반응 영역 (108) 외부의 모든 공간 (즉, 페디스털 (106), 벨로우 (138), 쉴드 부재 (134), 및 챔버 벽 (103) 사이의 영역) 을 채우도록 확산된다. 표유 플라즈마는 페디스털 어셈블리의 수명을 줄일뿐만 아니라 챔버 환경내로 오염물을 유입하는 벨로우 (138) 및 페디스털 (106) 로부터 물질을 스퍼터링할 수도 있다.
300mm 웨이퍼 처리 시스템에서 접지 경로는 특히 길며 유도 전압은 매우 높다 (즉, 약 700 볼트 피크 대 피크). 이처럼, 웨이퍼 (104) 상의 전압은 불안정해지며 재생불가능하다. 긴 복귀 경로는 각각의 재배치이후 변하는 가변 임피던스를 또한 생성한다. 접지 경로는 웨이스트 링 (120) 및 커버 링 (122) 을 통하여 쉴드 부재 (134) 와 페디스털 (106) 사이에 형성될 수 있다. 그러나, 이 경로는 웨이퍼 반송동안 페디스털 어셈블리 (102) 가 상승 및 하강될 때마다 파괴될 것이며, 따라서, 신뢰성이 없다.
따라서, 웨이퍼 전압 안정성 및 증착 균일성이 보장되도록 RF 전류용으로 신뢰성있는 로우 임피던스 복귀 경로를 위한 필요성이 당해 기술에 발생하게 된다.
발명의 개요
종래 기술에 관련된 단점은 반도체 웨이퍼 처리 챔버의 쉴드 부재와 접지된 페디스털 사이에 로우 임피던스 전기적 접속을 갖는 RF 복귀 경로를 제공하는 본 발명의 장치에 의해 극복된다. 이 장치는 쉴드 부재와 페디스털 사이의 전기적 직접 접속을 형성하는 로우 임피던스 복귀 경로 어셈블리를 포함한다. 복귀 경로 어셈블리는 페디스털에 접속된 도전성 스트랩 및 스트랩에 접속된 도전성 바를 포함한다. 바는 토로이달 (toroidal) 스프링을 통하여 쉴드 부재와 전기적으로 접속한다. 지지 어셈블리는 복귀 경로 어셈블리의 일부를 기계적으로 지지한다. 특히, 수직 바 및 수평 바를 포함하는 지지 어셈블리는 도전성 바를 지지한다. 지지 어셈블리는 밑면 챔버 벽에 고정된 칼라 (collar) 에 부착된다.
따라서 복귀 경로는 쉴드 부재로부터 접지측로 흐르는 RF 전류용으로 지름길을 제공한다. 이 지름길은 종래 기술에서 존재했던 우회 경로를 회피하며 이에 따라 쉴드 부재와 접지 사이의 RF 전압 강하를 줄인다. 접지 경로는 웨이퍼 사이클링동안 변경되지 않으며 쉴드 부재가 제거될 때에만 단절된다.
본 발명의 교시는 첨부된 도면과 함께 다음의 상세한 설명을 고려함으로써 이해될 수 있다.
도 1 은 웨이퍼 처리 챔버에서 종래 기술의 기판 지지대의 단면도이다.
도 2 는 본 발명의 RF 복귀 경로 장치를 이용하는 반도체 웨이퍼 처리 챔버 일부의 상세한 단면도이다.
도 3 은 본 발명의 복귀 경로 어셈블리 일부의 확대도이다.
도 4 는 본 발명의 복귀 경로 어셈블리에서 사용되는 토로이달 스프링의 사시도이다.
이해되기 쉽도록, 가능한 동일한 부재 번호가 사용되어 도면에서 공통인 동일한 소자를 지칭하였다.
상세한 설명
도 2 는 본 발명의 RF 복귀 전류 경로 장치 (201) 를 이용하는 반도체 웨이퍼 처리 챔버 (200) 의 일부의 단면도이다. 챔버 (200) 는 체적을 한정하는 한 세트의 수직 벽 (203) 및 저벽 (211) 을 포함한다. 챔버 (200) 는, 예를 들어, 종래의 페디스털 어셈블리 (202), 링 어셈블리 (218) 및 환상 쉴드 부재 (234) 를 포함하는 PVD 웨이퍼 처리 챔버이다. 챔버 (200) 의 일예는 미국 캘리포니아 산타 클라라에 위치한 Applied Materials, Inc. 에서 제조된 300 mm PVD 챔버이다. 본 발명의 RF 복귀 전류 경로 장치 (201) 는 복귀 경로 어셈블리 (250) 및 지지 어셈블리 (260) 를 포함한다. 챔버 (200) 의 최상위에 위치한 챔버 리드 (210) 는 증착 타겟재료 (즉, 티타늄) 를 포함하며 캐소드를 형성하도록 DC 전원 (219) 에 의해 음 바이어스된다. 환상 쉴드 부재 (234) 는 애노드를 형성한다. 환상 쉴드 부재 (234) 는 수직 챔버 벽으로부터 현수되며 반응 영역 (208) 의 측면 경계를 한정한다. 절연체 링 (212) 은 쉴드 부재 (234) 로부터 챔버 리드 (210) 를 전기적으로 절연시킨다.
페디스털 어셈블리 (202) 는 챔버 (200) 에서 웨이퍼 (204) 를 지지하며 유지한다. 페디스털 어셈블리 (202) 는 (때때로 도그 디시 (dog dish) 로 불리는) 페디스털 (206), 서셉터 (207), 웨이스트 링 (220), 벨로우 (238), 튜브 (240) 및 칼라 (248) 를 포함한다. 서셉터 (207) 는 통상적으로 폴리머 또는 세라믹과 같은 절연물로 특히 구성된다. 서셉터 (207) 는 웨이퍼 (204) 를 지지하는 표면 (214) 을 갖는다. 페디스털은 한 개 이상의 저항성 히터 (213) 를 포함한다. 서셉터 (207) 내부의 전극 (230) 은 웨이퍼 처리동안 전력을 전도하는 추가 캐소드 역할을 한다. 게다가, 서셉터 (207) 는 웨이퍼 (204) 를 서셉터 표면 (214) 으로 정전기적 유인하기 위한 (처킹하기 위한) (도시되지 않은) 전극을 선택적으로 포함할 수도 있다. 웨이스트 링 (220) 및 커버 링 (222) 을 포함하는 링 어셈블리 (218) 는 스퍼터링된 원자가 페디스털 위에 또는 아래에 우연히 증착되는 것을 방지한다. 웨이스트 링 (220) 은 페디스털 (206) 에 인접하며 페디스털 (206) 위에 증착될 수 있는 표유 타겟재료를 포착한다. 페디스털 어셈블리 (202) 는 챔버 (200) 내에서 수직 이동 범위를 갖는다. 페디스털 어셈블리 (202) 는 도 2 에서 하강 위치에 있는 것으로 도시된다. 처리되는 동안, 페디스털 어셈블리 (202) 는 상승 위치 (공정 위치) 에 있다. 이 위치에서, 커버 링 (222) 은 웨이스트 링 (220) 및 쉴드 부재 (234) 를 약간 중첩하며 이에 따라 페디스털 아래에서의 원하지 않는 증착을 방지한다.
유연성 벨로우 (238) 는 페디스털 (206) 아래의 대기 및 그 위의 진공 사이에서 유연성있는 실 (seal) 을 제공한다. 벨로우 (238) 는 상위 단부 (244) 에서 페디스털 (206) 에 부착된다. 벨로우 (238) 의 하위 단부 (246) 는 칼라 (248) 에 부착된다. 지지 어셈블리 (260) 는 칼라 (248) 에 부착된다. 칼라 (248) 는 차례로 밑면 챔버 벽 (211) 에 부착된다. 접지된 튜브 (240) 는 벨로우 (232) 및 챔버 벽 (211) 을 통하여 페디스털 (206) 로부터 연장된다. 튜브 (240) 는 페디스털 어셈블리 (202) 를 기계적으로 지지하며 액체 및 가스 라인용 (예를 들어, 공간을 둘러싸기 위한) 도관 및 (예를 들어, 히터 (213) 용) 전력 리드 (lead) 를 제공한다. 예를 들어, 냉각 튜브 (245) 는 냉각제를 페디스털 (106) 에 제공하도록 튜브 (240) 내로 연장된다. 또한, 전극 (230) 은 튜브 (240) 내부로 연장되는 전송 라인 (232) 을 통하여 RF 전력원 (236) 에 전기적으로 접속된다.
본 발명의 복귀 경로 어셈블리 (250) 는 쉴드 부재 (234) 와 페디스털 (206) 사이의 로우 임피던스 직접 접속을 제공한다. 복귀 경로 어셈블리는 도전성 접지 스트랩 (252), 및 도전성 바 (254) 를 포함한다. 스트랩 (252) 은 한 개 이상의 스크류 (253) 와 같은 종래 수단에 의해 페디스털 (206) 에 부착된다. 스트랩 (252) 은 베릴륨-구리와 같은 높은 내구성 및 도전성 물질로 구성된다. 스트랩 (252) 은 대략 직각 형태이며 충분히 길고 페디스털 어셈블리 (202) 의 수직 이동이 가능하도록 유연성있다. 스트랩 (252) 의 길이는 스트랩이 페디스털 (206) 또는 지지 어셈블리 (260) 와 같은 챔버의 다른 어떠한 부분에 대하여도 스치지 않으며 입자들의 누출을 방지하고, 또한 페디스털이 하강 또는 상승될 때 신장되거나 휘지 않도록 하는 설계 목적에 의해 결정된다. 일반적으로, 스트랩 (252) 폭은 도전성 바 (254) 의 직경과 일치된다. 예를 들어, 이 스트랩의 길이는 약 5인치이고, 폭은 약 0.5 인치이며 두께는 0.003 내지 0.004 인치이다. 스트랩 (252) 은 도전성 바 (254) 를 통하여 쉴드 부재 (234) 에 전기적으로 접속된다. 도전성 바는 통상적으로 산소없는 구리로 형성된다. 샤프트 (256) 및 헤드 (257) 를 갖는 볼트 (255) 는 스트랩 (252) 을 도전성 바 (254) 에 고정되게 한다.
상세한 복귀 경로 어셈블리 (250) 는 도 3 에서 확대되어 도시된다. 스트랩 (252) 은 볼트 (255) 의 샤프트 (256) 를 수용하는 홀 (259) 을 갖는다. 볼트 (255) 는 도전성 바 (254) 의 나사산 보어 (threaded bore) 내로 나사산 체결된다. 환상 그루브 (253) 에 배치된 토로이달 스프링 (251) 은 도전성 바 (254) 및 쉴드 부재 (234) 사이의 전기적 접속을 개선한다. 토로이달 스프링 (251) 은 도 4 에서 사시적으로 도시된다. 토로이달 스프링 (251) 은 스테인레스 스틸, Inconel
Figure 112004052684430-pct00006
과 같은 어떠한 탄력 도전성 물질 또는 다른 적절한 물질로 형성될 수 있다. Inconel
Figure 112004052684430-pct00001
은 미국 웨스트 버지니아주 헌팅톤에 위치한 Inco Alloys International, Inc. 의 등록 상표이다. 토로이달 스프링 (251) 은 산화와 같은 부식에 대한 저항을 제공하기 위해 그리고 양호한 전기적 접속을 제공하기 위해 선택적으로 도금처리될 수 있다. 토로이달 스프링 (251) 은 도전성 바 (254) 와 쉴드 부재 (234) 사이의 다중 병렬 전기적 접속을 형성한다. 이러한 복귀 경로 어셈블리 (250) 설계로 인하여 쉬운 조립 및 분해가 가능해진다.
도전성 바 (254) 는 구조적으로 지지 어셈블리 (260) 에 의해 지지된다. 절연체 (270) 는 지지 어셈블리 (260) 로부터 복귀 경로 어셈블리를 전기적으로 격리시킨다. 지지 어셈블리 (260) 는 칼라 (248) 에 부착된 수평 바 (262) 를 포함한다. 수직 바 (264) 는 수평 바 (262) 의 단부 (263) 에 부착된다. 수직 바 (264) 의 상위 단부 (265) 는 돌출부 (266) 및 환상 쉘프 (267) 를 갖는다. 코일 스프링 (272) 은 돌출부 (266) 에 끼워진다. 코일 스프링 (272) 은 환상 쉘프 (267) 에 인접하는 제 1 단부 (271) 를 갖는다. 스프링 (272) 은 돌출부 (266) 의 외부 직경과 거의 일치하는 내부 직경을 갖는다.
절연체 (270) 는 실질적으로 원통 형태이며 볼트 (255) 의 샤프트 (256) 를 수용하도록 크기조절된 중심 보어 (274) 를 갖는다. 절연체는 2개의 카운터보어 (276, 278) 를 갖는다. 카운터보어 (276) 는 볼트 (255) 의 헤드 (257) 를 수용하도록 크기조절된다. 카운터보어 (278) 는 수직 바 (264) 및 코일 스프링 (272) 을 수용하도록 크기조절된다. 제 1 립 (lip; 275) 은 카운터보어 (276, 278) 의 교차점에 형성된다. 스프링 (272) 의 제 2 단부 (273) 는 제 1 립 (275) 과 맞물린다. 제 2 립 (277) 은 중심 보어 (274) 및 카운터보어 (276) 의 교차점에 형성된다. 볼트 (255) 의 샤프트 (256) 는 보어 (274) 내에 수용되며 스트랩 (252) 의 홀 (259) 에 수용된다. 볼트 (255) 가 나사산 보어 (258) 에 고정될 때 절연체 (272) 는 스트랩 (252) 이 도전성 바 (254) 에 고정되게 한다. 볼트 (255) 의 헤드 (257) 는 제 2 립 (277) 과 맞물리며 이에 따라 절연체 (270) 가 도전성 바 (254) 에 고정되게 한다. 스프링 (272) 은 수직 바 (264) 위의 환상 쉘프 (267) 및 절연체 (270) 의 제 1 립 (275) 사이에 걸린다. 스프링 (272) 은 도전성 바 (254) 가 쉴드 부재 (234) 에 밀어부쳐지도록 기계적 바이 어스를 제공한다. 카운터보어 (278) 는 복귀 경로 어셈블리 (250) 의 양호한 정렬이 보장되도록 수직 바 (264) 의 직경과 비교하여 큰 길이를 가져야 한다.
다시 도 2 에서, DC 전원 (219) 이 턴온될 때, 균일하며 고밀도의 낮은 전자 온도 플라즈마를 생성하도록 공정 가스를 이온화하는, 챔버 리드 (210) 와 쉴드 부재 (234) 사이의 반응 영역 (208) 에서 전계가 유도된다. 이온 금속 플라즈마 (IMP) 코일로 알려진 코일 (237) 은 반응 영역 (208) 을 둘러싼다. 코일 (237) 에 결합된 코일 RF 전력 공급원 (239) 은 추가 RF 전력을 반응 영역 (208) 에 제공한다. RF 전력원 (236) 은 막 증착을 향상시키기 위해 웨이퍼를 바이어스하는데 필요한 전력을 제공한다. 즉, 상기한 바와 같이 음 DC 바이어스가 웨이퍼 위에 형성된다. 웨이퍼에 인가되는 RF 전력 전압은 RF 전류가 기판 (204) 으로부터 플라즈마로 그리고 쉴드 부재 (234) 및 접지측으로 흐르도록 하는 RF 전계를 생성한다. 전류는 토로이달 스프링 (251) 을 통하여 쉴드 부재 (234) 로부터 도전성 바 (254) 로 이후 스트랩 (252) 을 통하여 페디스털 (206) 로의 최소 저항 경로를 따른다. 전류는 튜브 (240) 를 통하여 페디스털 (106) 로부터 접지측으로 흐른다.
본 발명의 복귀 전류 경로 제어 장치 (201) 는 경로의 더 짧은 길이 및 스트랩 (252) 및 도전성 바 (254) 의 더 높은 도전성으로 인하여 종래 기술에서보다 낮은 임피던스를 갖는다.
결과적으로, 페디스털 (206) 은 처리동안 보다 낮은 전압에 있다. 게다가, 접지 경로 어셈블리는 웨이퍼가 사이클링될 때 그대로 유지된다. 이 접속은 쉴드 부재 (234) 가 제거될 때에만 파괴된다.
따라서, 복귀 전류 경로 제어 장치 (201) 의 임피던스는 다중 기판이 챔버 (200) 를 통하여 사이클링될 때 일정하게 유지된다. 그 결과, 기판으로부터 기판으로의 증착이 균일하다. 따라서, 생산성이 증가하는 한편 결함있는 기판 수 및 기판당 비용이 감소된다.
본 발명의 교시를 포함하는 다양한 실시예들이 설명 및 도시되었지만, 당해 기술에 숙련된 당업자는 이러한 교시를 포함하는 다른 다양한 실시예를 설계할 수 있다.

Claims (20)

  1. 기판 처리 챔버내의 쉴드 부재와 페디스털 어셈블리 사이에 RF 전류용 복귀 전류 경로를 제공하는 장치로서,
    제 1 종단부 및 제 2 종단부를 갖는 로우 임피던스 유연성 스트랩을 포함하고,
    상기 제 1 종단부는 상기 쉴드 부재에 전기적으로 접속되고, 상기 제 2 종단부는 상기 페디스털 어셈블리에 접속되며,
    상기 제 2 종단부는 상기 페디스털 어셈블리가 상기 쉴드 부재에 대하여 이동할 때, 상기 제 1 종단부에 대하여 이동하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스트랩에 접속된 도전성 바를 더 포함하고,
    상기 도전성 바는 상기 쉴드 부재에 전기적으로 접속하는 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 도전성 바와 상기 쉴드 부재 사이에 배치된 토로이달 스프링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 도전성 바를 지지하는 지지 어셈블리를 더 포함하고,
    상기 지지 어셈블리는 수평 바에 부착된 수직 바를 포함하며,
    상기 수평 바는 상기 페디스털 어셈블리에 부착되는 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 도전성 바와 상기 수직 바 사이에 배치된 절연체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 수직 바와 상기 절연체 사이에 배치된 스프링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 반도체 웨이퍼 처리 챔버내에 배치되는 쉴드 부재와 페디스털 사이에 위치하는 장치로서,
    제 1 종단부 및 제 2 종단부를 갖고, 상기 제 2 종단부는 상기 페디스털에 접속된 로우 임피던스 유연성 스트랩;
    상기 스트랩의 상기 제 1 종단부와 상기 쉴드 부재 사이에 접속된 도전성 바; 및
    상기 도전성 바를 지지하며, 상기 도전성 바 아래에 배치되는 지지 어셈블리를 포함하고,
    상기 제 2 종단부는 상기 페디스털 어셈블리가 상기 쉴드 부재에 대하여 이동할 때, 상기 제 1 종단부에 대하여 이동하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 스트랩에 의하여 상기 페디스털의 수직 이동이 가능한 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 도전성 바와 상기 쉴드 부재 사이에 배치된 토로이달 스프링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 지지 어셈블리는 수평 바에 부착된 수직 바를 포함하고,
    상기 수평 바는 상기 페디스털 어셈블리에 부착되는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 도전성 바와 상기 수직 바 사이에 배치된 절연체를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 수직 바와 상기 절연체 사이에 배치된 스프링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 토로이달 스프링은 상기 도전성 바와 상기 쉴드 부재 사이에 다중 병렬 전기적 접속을 형성하는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 일 세트의 측벽, 저벽, 및 리드를 구비하는 챔버;
    상기 측벽으로부터 현수된 환상 쉴드 부재;
    페디스털 및 웨이퍼 지지대를 구비하는 페디스털 어셈블리; 및
    제 1 종단부 및 제 2 종단부를 갖는 로우 임피던스 유연성 스트랩을 포함하고,
    상기 제 1 종단부는 상기 쉴드 부재에 전기적으로 접속되고, 상기 제 2 종단부는 상기 페디스털에 접속되며,
    상기 제 2 종단부는 상기 페디스털이 상기 쉴드 부재에 대하여 이동할 때, 상기 제 1 종단부에 대하여 이동하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 챔버.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 스트랩에 접속된 도전성 바를 더 포함하고,
    상기 도전성 바는 상기 쉴드 부재와 전기적 접속을 이루는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 챔버.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 도전성 바의 일부를 지지하는 지지 어셈블리를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 챔버.
  17. 제 15 항에 있어서,
    상기 도전성 바와 상기 쉴드 부재 사이에 배치된 토로이달 스프링을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 챔버.
  18. 제 15 항에 있어서,
    상기 저벽에 부착된 칼라 (collar) 를 더 포함하고,
    상기 지지 어셈블리는 상기 칼라에 부착된 수평 바 및 상기 수평 바에 부착된 수직 바를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 챔버.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 토로이달 스프링은 상기 도전성 바와 상기 쉴드 부재 사이에 다중 병렬 전기 접속을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 챔버.
  20. 제 14 항에 있어서,
    상기 챔버는 PVD 챔버인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 처리 챔버.
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