JP5683469B2 - 大型プラズマ処理チャンバのｒｆ復路 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、概して、基板をプラズマ処理する方法及び装置に関するものであり、特に、低インピーダンスＲＦ復路を有するプラズマ処理チャンバ、及び同チャンバを使用する方法に関するものである。

液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）又はフラットパネルは、コンピュータ、タッチパネル装置、携帯情報端末（ＰＤＡ）、携帯電話機、テレビモニタなどのアクティブマトリックスディスプレイに広く使用されている。更に、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）もフラットパネルディスプレイに広く使用されている。一般的に、フラットパネルは二つのプレートを備え、これらの二つのプレートの間に液晶材料層が挟まれている。これらのプレートのうちの少なくとも１つは、当該プレート上に、電源に接続される導電膜を含んでいる。この導電膜に電源から供給される電力によって、液晶材料の配向を変化させてパターン表示を行なう。

これらのディスプレイを製造するために、通常、ガラス製又はポリマー製の被加工部材のような基板に対して複数の連続プロセスを施すことにより、素子、導体、及び絶縁体を当該基板上に形成する。これらのプロセスの各々は、普通、製造プロセスの一工程を行なうように構成されたプロセスチャンバ内で行なわれる。連続する処理工程の全てを効率的に完了させるために、通常、多数のプロセスチャンバが搬送チャンバに接続されており、この搬送チャンバは、これらのプロセスチャンバ間の基板の搬送を容易にするためのロボットを収容している。このような構成の処理プラットフォームの一例は、普通、クラスターツールとして知られており、クラスターツールの例として、カリフォルニア州サンタクララ市所在のＡＫＴアメリカ社から市販されているＡＫＴプラズマ支援化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）処理プラットフォームの製品ラインを挙げることができる。

フラットパネルに対する要求が増えるに従って、大型の基板が要求されるようになっている。例えば、フラットパネルの製造に利用される大面積基板の面積は、たった数年で、５５０ｍｍ×６５０ｍｍから４平方メートル超に増加しており、近い将来はサイズが増大し続けると考えられる。大面積基板のサイズのこの増大によって、ハンドリング及び製造に新たな課題が生じている。例えば、基板の表面積が大きくなると、ＲＦがＲＦ発生装置に効率的に戻るように基板支持体のＲＦ戻り容量を大きくする必要がある。従来のシステムでは、複数の可撓性ＲＦ復路が使用され、この場合、各ＲＦ復路が、基板支持体に接続される第１端部と、チャンバ底部に接続される第２端部とを有している。基板支持体は、処理チャンバ内において、低位側基板搬出入位置と高位側堆積位置との間で移動する必要があるので、基板支持体に接続されるＲＦ復路は、基板支持体の移動を吸収するために必要な可撓性を実現するために十分に長くなくてはならない。しかしながら、基板サイズ及びチャンバサイズの増大によって、ＲＦ復路が長くなり、ＲＦ復路が長くなると、インピーダンスが増加するので、悪い方に影響して、ＲＦの戻り容量及びＲＦ復路の効率が小さくなり、チャンバ構成部品間のＲＦ電位が大きくなり、これが悪い方に影響して、望ましくないアーク放電及び／又はプラズマ発生を引き起こす可能性がある。

したがって、低インピーダンスのＲＦ復路を有するプラズマ処理チャンバを改善する必要がある。

プラズマ処理チャンバ内において基板支持体を接続する低インピーダンスＲＦ復路を有する方法及び装置が提供される。一実施形態では、処理チャンバは、チャンバ側壁と、底部と、前記チャンバ側壁により支持される蓋アセンブリとを有して処理領域を画定するチャンバボディ、前記チャンバボディの前記処理領域内に配置される基板支持アセンブリ、前記基板支持アセンブリの周縁部に配置されるシャドウフレーム、前記シャドウフレームに接続される第１端部と、前記チャンバ側壁に接続される第２端部とを有する可撓性ＲＦ復路を含む。

別の実施形態では、処理チャンバは、チャンバ側壁と、底部と、前記チャンバ側壁により支持される蓋アセンブリとを有して処理領域を画定するチャンバボディ、前記チャンバボディの前記処理領域内に配置される基板支持アセンブリ、前記基板支持アセンブリの底面に取り付けられて、前記基板支持アセンブリの外周から外に向かって延在する延長ブロック、前記処理チャンバ内に配置されて、前記基板支持アセンブリが上昇位置にあるときに前記延長ブロックに接する大きさの接地フレーム、及び前記接地フレームに接続される第１端部と前記チャンバ側壁に接続される第２端部とを有するＲＦ復路を含む。

別の実施形態では、処理チャンバは、チャンバ側壁と、底部と、前記チャンバ側壁により支持される蓋アセンブリとを有して処理領域を画定するチャンバボディ、前記チャンバボディの前記処理領域内に配置されて、第１位置と第２位置との間を移動することができる基板支持アセンブリ、前記基板支持アセンブリの周縁部に近接配置されるシャドウフレーム、前記チャンバボディに接続されて、前記基板支持アセンブリが前記第２位置にあるときに前記シャドウフレームを支持する大きさを有するシャドウフレーム支持体、及び接地フレームに接続される第１端部と前記チャンバ側壁に接続される第２端部とを有するＲＦ復路を含み、前記ＲＦ復路の前記第２端部は、絶縁体を介して前記チャンバ側壁に接続される。

更に別の実施形態では、前記処理チャンバは、チャンバ側壁と、底部と、前記チャンバ側壁により支持される蓋アセンブリとを有して処理領域を画定するチャンバボディ、前記チャンバボディ内の前記蓋アセンブリの下方に配置されたバッキングプレート、前記チャンバボディの前記処理領域内に配置される基板支持体、前記基板支持体に接続される第１端部と前記チャンバボディに接続される第２端部とを有するＲＦ復路、及び前記バッキングプレートの周辺と上方とに接続される複数の接点を有する一又は複数の導電性リード線を含む。

上に列挙した本発明の特徴を実現し、且つ詳細に理解することができるように、上に簡単に要約した本発明に関する更に詳細な説明を、添付図面に示される本発明の実施形態を参照しながら行う。

図１は、ＲＦ復路を有するプラズマ支援型化学気相堆積システムの一実施形態の断面図である。 図２は、図１のプラズマ支援型化学気相堆積システム内に配置される基板支持体に接続されるＲＦ復路の拡大図である。 図３は、ＲＦ復路を有するプラズマ支援型化学気相堆積システムの別の実施形態の断面図である。 図４は、ＲＦ復路を有するプラズマ支援型化学気相堆積システムの別の実施形態の断面図である。 図５は、ＲＦ復路を有するプラズマ支援型化学気相堆積システムの別の実施形態の断面図である。 図６Ａは、ＲＦ復路を有するプラズマ支援型化学気相堆積システムの別の実施形態の断面図である。図６Ｂは、ＲＦ復路を有するプラズマ支援型化学気相堆積システムの別の実施形態の断面図である。図６Ｃは、ＲＦ復路を有するプラズマ支援型化学気相堆積システムの別の実施形態の断面図である。 図６Ｄは、ＲＦ復路を有するプラズマ支援型化学気相堆積システムの別の実施形態の断面図である。 図７は、図６Ａに示すＲＦ復路を有するプラズマ支援型化学気相堆積システムの上面図である。 図８は、チャンバの側部断面図である。 図９は、本発明の一実施形態によるチャンバの側部断面図である。 図１０は、本発明の別の実施形態によるチャンバの側部断面図である。 図１１は、本発明の別の実施形態によるチャンバの側部断面図である。

理解を容易にするために、同じ参照番号を出来る限り使用して、複数の図に共通する同じ構成要素を指している。しかしながら、これらの添付図面は本発明の代表的な実施形態を示しているに過ぎず、したがって、本発明が他の同様に効果的な実施形態を包含することができるので、本発明の範囲を限定するものではないことに留意されたい。

本発明は、概して、プラズマ処理システム内に低インピーダンスＲＦ復路を有するプラズマ処理チャンバに関するものである。プラズマ処理チャンバは、プラズマを使用して大面積基板を処理することにより、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、フラットパネルディスプレイ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、又は太陽電池セルから成る太陽電池アレイなどの製造に使用される大面積基板に構造及び素子を形成する。本発明は、大面積基板処理システム内に関して例示的に記載され、図示され、実施されるが、本発明は、一又は複数のＲＦ復路が、チャンバ内で行なうことができる処理を容易にするレベルで機能し続けることを保証することが望ましい、他の処理チャンバにも適用することができる。

図１は、ＲＦ電流をＲＦ電源に戻すＲＦ電流戻りループの一部として利用される可撓性ＲＦ復路１８４の一実施形態を有するプラズマ支援化学気相堆積チャンバ１００の一実施形態の断面図である。ＲＦ復路１８４は、基板支持アセンブリ１３０とチャンバ側壁１２６のようなチャンバボディ１０２との間に接続される。ＲＦ復路１８４の実施形態、及び本明細書に説明される同ＲＦ復路を使用する方法の実施形態は、これらの実施形態の変形例とともに、他の製造業者から入手される処理システムを含む他の処理システムに利用することができる。

チャンバ１００は、普通、プロセス容積部１０６を画定する側壁１２６及び底部１０４を含む。チャンバボディ１０２の側壁１２６及び底部１０４は、通常、アルミニウム又はプロセス化学物質に耐え得る他の材料から成る一体ブロックにより形成される。ガス供給プレート１１０又は所謂拡散器、及び基板支持アセンブリ１３０は、プロセス容積部１０６内に配置される。ＲＦ電源１２２は、チャンバの上部の、バッキングプレート１１２及び／又はガス供給プレート１１０のような電極に接続されることにより、ＲＦ電力を供給してガス供給プレート１１０と基板支持アセンブリ１３０との間に電界を発生させる。この電界によって、ガス供給プレート１１０と基板支持アセンブリ１３０との間のガスからプラズマが発生する。このようなガスは、基板支持アセンブリ１３０内に配置される基板を処理するために利用される。プロセス容積部１０６には、壁１２６を貫通して形成されるバルブ１０８を介して進入することができるので、基板１４０をチャンバ１００内に出し入れすることができる。真空ポンプ１０９をチャンバ１００に接続することにより、プロセス容積部１０６が所望の圧力に維持される。

基板支持アセンブリ１３０は、基板搭載面１３２とステム部１３４とを含む。基板搭載面１３２は、処理中に基板１４０を支持する。ステム部１３４は昇降システム１３６に接続され、この昇降システム１３６は、低位側基板搬出入位置と高位側処理位置との間で基板支持アセンブリ１３０を昇降させる（図１に示す）。基板搭載面１３２上に配置される基板の上面とガス供給プレート１１０との間の堆積中の公称間隔は、普通、２００ミル〜約１，４００ミル、例えば４００ミル〜約８００ミルで、又は所望の堆積を実現するためのガス供給プレート１１０までの他の距離の間で変動する。

シャドウフレーム１３３は、処理時に、基板１４０の周辺を覆うように配置されて、基板１４０の周縁部への堆積を防止する。昇降ピン１３８は、基板支持アセンブリ１３０を貫通するように移動可能に配置され、基板搭載面１３２から基板１４０を離間させる。一実施形態では、シャドウフレーム１３３は、金属材料、セラミック材料、又はいずれかの適切な材料により作製することができる。一実施形態では、シャドウフレーム１３３は、無処理アルミニウム板、又はセラミック材料により作製される。基板支持アセンブリ１３０は更に、基板支持アセンブリ１３０を所望の温度に維持するために利用される加熱及び／又は冷却要素１３９を含むことができる。一実施形態では、加熱及び／又は冷却要素１３９は、堆積中の基板支持アセンブリの温度を約４００℃以下、例えば約１００℃〜約４００℃に、又は約１５０℃〜約３００℃に、例えば約２００℃に保持するように設定される。一実施形態では、基板支持アセンブリ１３０は、例えば４つの側辺を有する多角形平面領域を有する。

一実施形態では、複数のＲＦ復路１８４を基板支持アセンブリ１３０に接続して、ＲＦ復路を基板支持アセンブリ１３０の周辺の近くに設ける。基板支持アセンブリ１３０は、通常、処理中はＲＦ復路１８４に接続されて、ＲＦ電流が当該ＲＦ復路を通り抜けてＲＦ電源に到達することができる。ＲＦ復路１８４は、基板支持アセンブリ１３０とＲＦ電源１２２との間に、例えば直接ケーブルを介して、又はチャンバ接地シャーシを介して、低インピーダンスＲＦ復路を実現する。

一実施形態では、ＲＦ復路１８４は、基板支持アセンブリ１３０の外周とチャンバ側壁１２６との間に接続される複数の可撓性ストラップである（これらのうちの二つが図１に示されている）。ＲＦ復路１８４は、チタン、アルミニウム、ステンレス鋼、ベリリウム銅、導電金属コーティングで被覆された材料、又は他の適切なＲＦ伝導材料により作製することができる。ＲＦ復路１８４は、基板支持アセンブリ１３０のそれぞれの側面に沿って均等に又はランダムに、分布させることができる。

一実施形態では、ＲＦ復路１８４は、基板支持アセンブリ１３０に接続される第１端部と、チャンバ側壁１２６に接続される第２端部とを有する。ＲＦ復路１８４は、直接、シャドウフレーム１３３を介して、及び／又は他の適切なＲＦ導体を介して、基板支持アセンブリ１３０に接続することができる。拡大図に示すように、ＲＦ復路１８４は、円１９２で示すように、シャドウフレーム１３３を介して基板支持アセンブリ１３０に接続される。このシャドウフレーム１３３については、以下に図２を参照しながら説明する。ＲＦ復路の他の構成について、図３〜５を参照しながら以下に更に説明する。

ガス供給プレート１１０は、バッキングプレート１１２の周辺に、懸架部材１１４を介して接続される。蓋アセンブリ１９０は、処理チャンバ１００の側壁１２６によって支持され、取り外してチャンバボディ１０２の内部を点検することができる。蓋アセンブリ１９０は、普通、アルミニウムにより構成される。ガス供給プレート１１０を一又は複数の中心支持体１１６を介してバッキングプレート１１２に接続することにより、ガス供給プレート１１０が垂れ下がるのを防止し易くなる、及び／又はガス供給プレート１１０の真直度／曲率を制御し易くなる。一実施形態では、ガス供給プレート１１０は、異なる寸法の異なる構成を有することができる。例示的な一実施形態では、ガス供給プレート１１０は、四辺形のガス供給プレートである。ガス供給プレート１１０は、複数の孔１１１を有する下流面１５０を有し、これらの孔１１１は当該ガス供給プレート１１０内に、基板支持アセンブリ１３０の上に配置される基板１４０の上面１１８に対向するように形成される。一実施形態では、これらの孔１１１は、ガス供給プレート１１０全体に亘って異なる形状、数、密度、寸法、及び分布を有することができる。これらの孔１１１の直径は、約０．０１インチ〜約１インチの範囲から選択することができる。ガス供給源１２０をバッキングプレート１１２に接続して、バッキングプレート１１２を通って、次にガス供給プレート１１０内に形成された孔１１１を通って、ガスをプロセス容積部１０６に供給する。

バッキングプレート１１２に、及び／又はガス供給プレート１１０にＲＦ電源１２２を接続してＲＦ電力を供給することにより、ガス供給プレート１１０と基板支持アセンブリ１３０との間に電界を発生させて、ガス供給プレート１１０と基板支持アセンブリ１３０との間のガスからプラズマを発生させることができる。約０．３ＭＨｚ〜約２００ＭＨｚの周波数のような種々のＲＦ周波数を使用することができる。一実施形態では、１３．５６ＭＨｚの周波数のＲＦ電源が供給される。ガス供給プレートの例は、Ｗｈｉｔｅらによる２００２年１１月１２日発行の米国特許第６４７７９８０号、Ｃｈｏｉらによる２００５年１１月１７日公開の米国特許出願公開第２００５／０２５１９９０号、及びＫｅｌｌｅｒらによる２００６年３月２３日公開の米国特許出願公開第２００６／００６０１３８号に開示されており、これらの特許文献は全て、参照されることにより本明細書にその内容全体が組み込まれる。

誘導結合リモートプラズマ源のようなリモートプラズマ源１２４も、ガス供給源１２０とバッキングプレート１１２との間に接続することができる。複数の処理基板の間において、クリーニングガスをリモートプラズマ源１２４内で励起して、チャンバ構成部品をクリーニングするために利用されるプラズマを離れた位置から供給することができる。クリーニングガスは、電源１２２によってガス供給プレート１１０に供給されるＲＦ電力によって更に励起することができる。適切なクリーニングガスは、これらには制限されないが、ＮＦ_３、Ｆ_２、及びＳＦ_６を含む。リモートプラズマ源の例は、Ｓｈａｎｇらによる１９９８年８月４日発行の米国特許第５７８８７７８号に開示されており、この特許文献は、参照されることにより本明細書に組み込まれる。

図２は、ＲＦ復路１８４の一実施形態の拡大図を示している。図１を参照しながら説明したように、ＲＦ復路１８４は、基板支持アセンブリ１３０が、低位側基板搬出入位置と高位側処理位置との間で昇降位置を変化させることができるために十分な可撓性を有する。一実施形態では、ＲＦ復路１８４は、ＲＦ伝導性の可撓性ストラップである。

シャドウフレーム１３３は、シャドウフレーム１３３のボディ２２４から延出して、処理中に基板１４０の周辺に堆積することがないように当該周辺を被覆するリップ２２２を有する。シャドウフレームボディ２２４は、基板支持アセンブリ１３０の外周縁に形成される段部２２６上に配置される。セラミック絶縁体２２８を、シャドウフレームボディ２２４と基板支持アセンブリ１３０の外周縁との間に配置して容量を大きくし、シャドウフレーム１３３と基板支持アセンブリ１３０との間に高い絶縁性を実現する。絶縁体２２８は、シャドウフレームの浮遊電位をＤＣ接地から絶縁して、処理中のプラズマの発生の可能性、又はアーク放電の発生の可能性を低くし、無くすことができる。シャドウフレーム１３３は、更に、シャドウフレームボディ２２４の底部から延出する突出部２２０を含む。突出部２２０は、複数の離間する垂下部、又は１つの連続縁部とすることができる。シャドウフレーム支持体２１０をチャンバ側壁１２６の、シャドウフレーム１３３の突出部２２０を受ける位置に取り付ける。基板支持アセンブリ１３０を低位側基板搬出入位置に下降させると、シャドウフレーム１３３は基板支持アセンブリ１３０と一緒に、基板支持アセンブリ１３０が下降を続けるにつれて、シャドウフレーム支持体２１０がシャドウフレーム１３３に係合し、当該シャドウフレーム１３３を基板支持アセンブリ１３０から持ち上げるまで下降する。シャドウフレーム支持体２１０がシャドウフレームの移動を所定の垂直方向範囲内に拘束することにより、シャドウフレーム１３３に接続されるＲＦ復路１８４には、最低限の可撓性しか必要でなくなる。このようにして、ＲＦ復路１８４の長さを、先行技術における接地ストラップに比べると短くすることができる。短いＲＦ復路１８４は低インピーダンスを実現するので有利であり、この低インピーダンスによって、チャンバ構成部品間の高電位を低下させながら、ＲＦ電流を効果的に流すことができる。

一実施形態では、ＲＦ復路１８４は、第１端部２１２と第２端部２１４とを有する。第１端部２１２は、シャドウフレーム１３３の外壁２５０に、例えば締結部材２０２、締め付け部材、又はシャドウフレーム１３３とＲＦ復路１８４との間に電気接続を維持する他の方法により接続される。図２に示す実施形態では、締結部材２０２をネジ切り孔２１６に螺合して、ＲＦ復路１８４をシャドウフレーム１３３に接続する。接着剤、締め付け部材、又はチャンバ側壁１２６とＲＦ復路１８４との間に電気接続を維持する他の方法を利用する構成が想到される。ＲＦ復路１８４の第２端部２１４は、絶縁体２０８（２０８ａ及び２０８ｂとして示す）の間に挟まれる端子２１８を有する。これらの絶縁体２０８はまた、保護カバー２０６で被覆することができ、締結部材２０４によりチャンバ壁１２６に取り付けることができる。絶縁体２０８は、ＤＣ電流がストラップを通って流れるのを防止するキャパシタとして機能する。絶縁体２０８はまた、ストラップの容量を大きくし、ＲＦ復路１８４のＲＦインピーダンスを小さくするか、又は最小にすることができる。また、絶縁体２０８は更に、シャドウフレーム１３３から生じる接地電位からの浮遊ＤＣ電位を絶縁して、シャドウフレーム１３３と基板１４０との間にアーク放電が発生するのを防止する。一実施形態では、絶縁体２０８は、良好な絶縁特性と側方容量とを実現する高耐久性セラミック材料により作製することができる。一実施形態では、セラミック絶縁体は、高ｋ誘電体材料、Ａｌ_２Ｏ_３などにより作製することができる。これらの絶縁体２０８を使用しなくてもよい構成も想到される。

上述のように、シャドウフレーム支持体２１０は、絶縁体２０８の下方のチャンバ側壁１２６に取り付けられて、基板支持アセンブリ１３０が低位側基板搬出入位置に下降するときにシャドウフレーム１３３を受ける。基板処理中、基板表面からの静電荷及び／又はＲＦ電流がシャドウフレーム１３３及びＲＦ復路１８４を通って、絶縁体２０８、更には、チャンバ壁１２６にまで達することにより、ガス供給プレート１１０に戻るＲＦ復路（例えば、閉ループ）が形成される。

ＲＦ復路１８４をシャドウフレーム１３３とチャンバ側壁１２６との間に位置させることにより、ＲＦ復路１８４に必要な長さが、基板支持アセンブリ１３０をチャンバ底部に接続する従来の構造に比べるとずっと短くなるので、ＲＦ復路１８４のインピーダンスが大幅に小さくなる。ＲＦ復路の長さが過度に長くなると、高インピーダンスが発生して、基板支持アセンブリ内に電位差が生じる可能性がある。基板支持アセンブリ１３０内に大きい電位差が存在すると、堆積の均一性が損なわれる可能性がある。更に、ＲＦ復路が高インピーダンスになると、ＲＦ復路が非効率的になるか、又はＲＦの戻りが不十分になって、プラズマ及び／又は静電荷が基板表面から効果的に除去されずに、基板支持アセンブリ１３０の側方、辺縁の隙間、及び下方に達する結果、これらの領域に位置するチャンバ構成部品に望ましくない堆積又はプラズマ腐食が起こることにより、部品耐用年数が短くなり、パーティクル汚染の可能性が高くなる。

更に、ＲＦ復路１８４の端部に配置される絶縁体２０８は、ＲＦ復路の容量を大きくするキャパシタとして機能することにより、ＲＦ復路のインピーダンスを低くする。絶縁体２０８を必ずしもＲＦ復路１８４の端部に接続しなくてもよい構成が想到される。絶縁体２０８は、ＲＦ復路１８４のストラップに沿って始点、中間点、終点、又は他の適切な箇所に配置されて、ＲＦ復路１８４の容量を大きくすることができる。キャパシタのインピーダンスは、当該キャパシタの容量に反比例するので、ＲＦ復路１８４に直列に配置及び／又は接続される絶縁体２０８の高容量を維持することにより、ＲＦ復路のインピーダンス全体を低くすることができる。この構成では、ストラップがインダクタとして機能して誘導性リアクタンス（例えば、インピーダンス）を呈するのに対し、セラミック絶縁体２０８は、キャパシタとして機能して容量性インピーダンスを呈することができる。インダクタ及びキャパシタは逆符号のリアクタンスを有するので、ＲＦ復路１８４に沿って形成されたストラップ及びセラミック絶縁体を正しく配置することにより、補償波形を生成し、正の電力オフセットインピーダンス、及び負の電力オフセットインピーダンスを生成することができるので、ＲＦ復路の低インピーダンスを、例えば理想的にはゼロインピーダンスを実現することができる。したがって、任意で設けられる絶縁体２０８により、ＲＦ復路の長さを制御し、基板支持アセンブリの上方の位置にＲＦ復路を配置することにより、高導電性のＲＦ復路と同時に、効率的なＲＦ電流伝導性、低インピーダンスが得られ、望ましくないアーク放電による影響を小さくする、又は無くすことさえできる。

一実施形態では、ＲＦ復路１８４は、約２インチ〜約２０インチの長さを有し、約１０ｍｍ〜約５０ｍｍの幅を有する。基板支持アセンブリの周りに配置されるＲＦ復路の数は、約４〜約１００とすることができる。一実施形態では、約２０インチの長さを有するＲＦ復路１８４のインピーダンスは約３６オームである。

図３は、基板支持アセンブリ１３０をチャンバ壁１２６に接続するＲＦ復路３００の別の実施形態を示している。ＲＦ復路の数を必要に応じて変えて、異なるハードウェア構成及びプロセス要件に合わせることができることに留意されたい。図１〜２に示す設計と同様に、シャドウフレーム１３３は、基板支持アセンブリ１３０の外周の周縁段部２２６に配置される。一実施形態では、シャドウフレーム１３３は、無処理アルミニウム板、又はセラミック材料により作製される。絶縁体３２６がシャドウフレーム１３３と基板支持アセンブリ１３０の周縁段部２２６との間に配置されて、シャドウフレーム１３３をＤＣ接地から絶縁する。絶縁体３２６によって、シャドウフレーム１３３がＤＣ接地電位から浮遊した位置に保持されることにより、基板１４０とシャドウフレーム１３３との間にアーク放電が発生する可能性を低くすることができる。締結部材３１４を、基板支持アセンブリ１３０内に形成される孔３２０に通し、延長ブロック３０６内に形成されるネジ切り孔２１６に螺合させる。締結部材３１４は導電材料により作製されて、基板表面から延長ブロック３０６までに良好な電気接続を維持する。

一実施形態では、延長ブロック３０６は、基板支持アセンブリ１３０の底面に取り付けられ、基板支持アセンブリ１３０の外周から外側に延出する。延長ブロック３０６は、基板支持アセンブリ１３０の外周の周りに、基板支持アセンブリ底面から延出するように配置されたフレーム状のプレートの形態とすることができる。別の実施形態では、延長ブロック３０６は、台座アセンブリの周りに分布させた個々の棒状部材の形態とすることができ、これらの棒状部材は、台座アセンブリが下降すると、可動接地フレーム３０８が当該棒状部材の上に載ることができるようなサイズに形成される。更に別の実施形態では、延長ブロック３０６は、台座アセンブリが下降すると、可動接地フレーム３０８を支持して当該接地フレームがその上に載るような他の構造とすることができる。

可動接地フレーム３０８は、基板支持アセンブリ１３０が上昇して処理位置に達するときに、接地フレーム３０８の内側３２２が延長ブロック３０６の上に載るような大きさを有する。接地フレーム３０８の外側３２４は、基板支持アセンブリ１３０が下降して搬出入位置に達するときに、側部ポンピングシールド３１０の上に載るような大きさを有する。一実施形態では、側部ポンピングシールド３１０は、処理チャンバ内に配置されて接地フレーム３０８を支持するために利用されるいずれかの支持構造とすることができる。接地フレーム３０８は、延長ブロック３０６及び側部ポンピングシールド３１０に対して移動することができる。ＲＦ復路３００は、第１締結部材３０４により接地フレーム３０８に接続される第１端部と、第２締結部材３０２によりチャンバ側壁１２６に接続される第２端部とを有する。一実施形態では、ＲＦ復路３００は、ＲＦ伝導性の可撓性ストラップの形態である。更に、任意で絶縁体２０８を利用することができる。

動作状態では、図３に示すように、基板支持アセンブリ１３０が延長ブロック３０６と一緒に上昇して基板処理位置に達すると、延長ブロック３０６が接地フレーム３０８を側部ポンピングシールド３１０（或いは、他方の固定支持体）から離れるように持ち上げる。接地フレーム３０８は側部ポンピングシールド３１０に永続的に固定される又は取り付けられる訳ではないので、接地フレーム３０８が処理位置にまで持ち上がると、接地フレーム３０８と側部ポンピングシールド３１０との間にギャップ３１２が形成される。基板処理中、基板支持アセンブリ１３０内の静電荷及び／又はＲＦ電流は、締結部材３１４及び延長ブロック３０６を通って接地フレーム３０８に達し、次にＲＦ復路３００を通ってチャンバ壁１２６に達することにより、ＲＦ電源１２２に戻るＲＦ戻りループの一部を形成する。接地フレーム３０８と側部ポンピングシールド３１０との間に形成されるギャップ３１２によって、接地フレーム３０８からＲＦ復路３００に流れる電流を拘束して、電流が側部ポンピングシールド３１０に流れるのを防止することができる。

処理が完了した後、基板支持アセンブリ１３０を基板搬出入位置まで下降させる。したがって、延長ブロック３０６は基板支持アセンブリ１３０と一緒に基板搬出入位置まで下降する。それに応じて、接地フレーム３０８は側部ポンピングシールド３１０に係合し、延長ブロック３０６から離れるように持ち上がる。基板支持アセンブリ１３０が下降し続けるにつれ、シャドウフレーム１３３が接地フレーム３０８の第１側部３２２の上面に係合して当該上面に載ることにより、基板支持アセンブリ１３０から持ち上がる。一実施形態では、シャドウフレーム１３３、締結部材３１４、３０２、３０４、延長ブロック３０６、接地フレーム３０８、及びＲＦ復路３００は、アルミニウム、銅のような導電材料により、又はＲＦ電流を基板支持アセンブリ１３０からチャンバ壁１２６を通ってＲＦ電源１２２に戻るように流れ易くする他の適切な合金により作製される。

図４は、ＲＦ復路４００の別の実施形態を示している。図３に示す構成と同様に、締結部材３１４を、基板支持アセンブリ１３０内に形成された孔３２０に通し、延長ブロック４０２の第１側方部４１６内に形成されたネジ切り孔に螺合させる。延長ブロック４０２の第２側方部４１８は、基板支持アセンブリ１３０の外側周縁部を越えて延在する。延長ブロック４０２の第２側方部４１８は、延長ブロック４０２の上面に形成された溝４１４を有する。渦巻き型ラップ４０４が溝４１４内に配置されて、接地フレーム４０６と延長ブロック４０２との間の電気コンダクタンスが高まっている。一実施形態では、渦巻き型ラップ４０４は、溝４１４の近傍から部分的に延出し、多数回に亘って撓みが生じた後でも当該ラップの形状が保持されるために十分な弾性を持つ。絶縁体４２０がシャドウフレーム１３３と基板支持アセンブリ１３０の周縁段部２２６との間に配置されて、シャドウフレーム１３３が基板支持アセンブリ１３０から絶縁される。シャドウフレーム１３３と基板支持アセンブリ１３０との間の絶縁体４２０は、処理中にアーク放電が発生する可能性を防止し、無くす。接地フレーム４０６は、基板支持アセンブリ１３０が上昇すると渦巻き型ラップ４０４に接触した状態で延長ブロック４０２に載る第１側方部を有する。接地フレーム４０６は、側部ポンピングシールド４０８に接続される第２側方部を有する。ＲＦ復路４００は、第１締結部材４１０により接地フレーム４０６に接続される第１側方部と、第２締結部材４１２によりチャンバ側壁１２６に接続される第２側方部とを有する。一実施形態では、ＲＦ復路４００は、ＲＦ伝導性の可撓性ストラップの形態である。

この特定の実施形態では、接地フレーム４０６は側部ポンピングシールド４０８に固く取り付けられる。延長ブロック４０２は、上側基板処理位置と下側基板搬出入位置との間で昇降する間に、接地フレーム４０６に対して移動可能である。基板支持アセンブリ１３０が上昇すると、基板支持アセンブリ１３０に取り付けられる延長ブロック４０２は持ち上げられて渦巻き型ラップ４０４を介して接地フレーム４０６に接触する。渦巻き型ラップ４０４は、ＲＦ電流が締結部材３１４及び延長ブロック４０２から接地フレーム４０６及びＲＦ復路４００を通ってチャンバ壁１２６まで流れ易くする良好なインターフェースを実現することにより、ＲＦ電源１２２に戻るＲＦ戻りループを形成する。側部ポンピングシールド４０８は接地フレーム４０６に固く取り付けられるので、可撓性の渦巻き型ラップ４０４は、接地フレーム４０６と延長ブロック４０２との間に良好な電気的接触及びＲＦ電流コンタクトを維持しながら、基板支持アセンブリ１３０の上昇位置のわずかな差異を吸収することができる。一実施形態では、渦巻き型ラップ４０４は、アルミニウム、銅のような導電材料により、又はＲＦ電流を流れ易くする他の適切な合金により作製される。

図５は、ＲＦ復路５００の更に別の実施形態を示している。図４に示す構成と同様に、渦巻き型ラップ４０４は延長ブロック４０２内に配置されて、接地フレーム４０６に接触しながら垂直方向の追従誤差を吸収する。この特定の実施形態では、図４に示すような可撓性ストラップ４００の形態ではなく、ＲＦ復路５００は、接地フレーム４０６とチャンバ側壁１２６との間に締結部材５０２を介して固く接続される導電性棒状部材の形態である。ＲＦ復路５００は、接地フレーム４０６に、いずれかの適切な手段により、固着、ボルト固定、ネジ螺合、又は締結固定される。導電性棒状部材５００は、チャンバ側壁１２６と接地フレーム４０６との間に強固に固定されているので、基板支持アセンブリ１３０の位置決め誤差の垂直方向の吸収は、渦巻き型ラップ４０４によって行なわれる。別の構成として、ＲＦ復路５００及び接地フレーム４０６は一体ボディとして形成することができ、この一体ボディは、締結部材５０２を介して壁に取り付けられる第１側方部と、渦巻き型ラップ４０４に載るように構成される第２側方部とを有する。

ＲＦ復路５００の構成によって、基板処理の過程での基板支持アセンブリの反復運動の間に発生し得るずれ、摩擦、及び望ましくない相対摩擦のほとんどが防止されることにより、より清浄な処理環境を実現することができる。一実施形態では、導電性棒状部材５００は、アルミニウム、銅のような導電材料により、又はＲＦ電流を流れ易くする他の適切な合金により作製される。

一実施形態では、ＲＦ復路に沿って形成される高容量の絶縁体を利用することにより、低インピーダンスがＲＦ復路全体に沿って得られ、大きなＲＦ電流を流すことができる。絶縁体をＲＦ復路に沿って利用する他に、チャンバ側壁とシャドウフレーム、及び／又は基板支持アセンブリに取り付けられる延長ブロックとの間におけるＲＦ復路の設計により、ＲＦ復路に必要な長さを、従来の設計に比べて、大幅に短くすることができる。ＲＦ復路の距離が従来技術より極めて短いために、ＲＦ復路のインピーダンスは大幅に小さくなる。更に、ＲＦ復路は、大きな電流を流す能力も提供し、この能力は、大面積処理用途に使用するために理想的な適性を有している。ＲＦ復路の行程距離が相対的に短くなると、電流を流す能力のために低インピーダンス及び高導電率が実現されて、基板表面全体に亘る処理中の電圧差が小さくなる。電圧差が小さいと、プラズマ分布及びプロファイルが基板表面全体に亘って不均一になる可能性が低くなるので、基板表面に堆積される膜の均一性が向上する。更に、ＲＦ復路によって、プラズマ、電流、静電荷、及び電子を基板支持アセンブリの上方の処理領域内に強く拘束することができるので、基板支持アセンブリの側方又は下方における望ましくない堆積、又は活性種による腐食の可能性を大幅に低くすることができ、これにより、処理チャンバの下側領域において利用される部品の耐用年数を延ばすことができる。更に、パーティクル汚染の可能性も低くなる。

更に、基板支持アセンブリの周辺領域に配置されるシャドウフレームにＲＦ復路を接続することにより、プラズマ分布を、基板支持アセンブリの周辺領域にまで、特に基板支持アセンブリのコーナー部にまで、例えば周縁部にまで、効果的に広げることができる。従来の設計では、多くの場合、プラズマを基板支持アセンブリの周辺領域に効果的に且つ均一に分布させることができないので、基板のコーナー部、例えば周縁部における堆積が不十分になる。堆積プロセスが、微結晶シリコン層を基板に堆積するように構成される実施形態では、基板のコーナー部、例えば周縁部に堆積するシリコン膜の結晶部分は、多くの場合、従来の堆積技術により基板に堆積する他の領域、例えば中心部、又は中心近傍領域と比べると、不十分且つ不均一であることが判明している。本用途にＲＦ復路を利用することにより、プラズマ分布が広がって、基板支持アセンブリの周辺領域、例えばコーナー部及び周縁部における堆積に十分なプラズマを効果的に発生させるので、堆積した微結晶シリコン膜に形成される結晶部分が制御されて、効果的に向上される。

図６Ａは、図２に示すＲＦ復路１８４の別の実施形態、及びＪ字形ＲＦスティック６０４を示している。シャドウフレーム１３３は、シャドウフレーム１３３の底面に取り付けられたＲＦ接地フレーム６１８を有する。ＲＦ復路１８４は、チャンバ壁１２６とＲＦ接地フレーム６１８との間に取り付けられる。ＲＦ復路１８４は、超過するエネルギー及びプラズマのほとんどを、ガス供給プレート又は接地に接地放流し、戻す誘導性経路となる。Ｊ字形ＲＦスティック６０４は、締結部材６２６又は他の適切な締結治具によりシャドウフレーム１３３の端部に取り付けられる。一実施形態では、Ｊ字形ＲＦスティック６０４は、締結部材６１０又は他の適切な締結治具を介して弓形スティック６０８に接続されるロッド６０６を含む。Ｊ字形ＲＦスティック６０４は、追加のインダクタンスを効果的に付与して、超過するエネルギー又はプラズマを、チャンバ壁の別の部分に向かうように、シャドウフレーム１３３及びチャンバ壁１２６の上側部分から遠ざかるように誘導し直し、これにより、チャンバ壁１２６の上側部分、及びシャドウフレーム１３３及び基板に近い位置におけるアーク放電を最小化し、無くすことができる。

ＲＦスティック支持体６２０は、チャンバ壁１２６に取り付けられる第１端部６２４と、Ｊ字形ＲＦスティック６０４のロッド６０６に取り付けられる第２端部６２２とを有する。第２端部６２２は、図６Ｂの６２４ａ、６２４ｂとして示す二つの先端を有し、これらの先端は、ロッド６０６の貫通を可能にする孔を画定している。別の構成として、ＲＦスティック支持体６２０は、図６Ｃに示すように、ロッド６０６が貫通可能なキャップ６３０を更に含む。別の構成として、ＲＦスティック支持体６２０は、Ｊ字形ＲＦスティック６０４を処理チャンバ内に固く支持及び保持するあらゆる形態に構成することができる。

接地フレーム昇降部材６１４は基板支持アセンブリ１３０の底面に取り付けられて、シャドウフレーム１３３に取り付けられたＲＦ接地フレーム６１８を支持する。ＲＦストラップ６１６は、接地フレーム昇降部材６１４とチャンバ底部との間に配置される。処理中、接地フレーム昇降部材６１４がＲＦ接地フレーム６１８を支持して、シャドウフレーム１３３からＲＦ接地フレーム６１８、接地フレーム昇降部材６１４を通り、更にＲＦストラップ６１６からチャンバ底部に至るＲＦ復路を形成する。処理後、図６Ｄに示すように、基板支持アセンブリ１３０を基板搬出入位置まで下降させると、基板支持アセンブリ１３０に取り付けられる接地フレーム昇降部材６１４は、基板支持アセンブリ１３０の移動とともに下降する。ＲＦストラップ６１６は柔軟に曲がるので、基板支持アセンブリ１３０の作動及び移動を吸収する。基板支持アセンブリ１３０を下降させるとき、シャドウフレーム１３３及びＲＦ接地フレーム６１８は、Ｊ字形ＲＦスティック６０４によって、且つチャンバ壁１２６に取り付けられたＲＦスティック支持体６２０を介して、固く不動に保持されて、シャドウフレーム１３３及びＲＦ接地フレーム６１８を基板支持アセンブリ１３０から分離し、基板を処理チャンバから容易に取り出すことができる。

図７は、処理チャンバ内に配置される基板支持アセンブリ１３０の上面図を示している。シャドウフレーム１３３は、基板支持アセンブリ１３０の周辺領域に配置される。複数のＲＦスティック支持体６２０がチャンバ壁１２６と基板支持アセンブリ１３０との間に配置される。ＲＦスティック支持体６２０は、スリットバルブ１０８を有するチャンバ壁１２６と基板支持アセンブリ１３０との間に画定される領域７０２を除いて、基板支持アセンブリ１３０の周辺領域の周りに配置される。ＲＦスティック支持体６２０を、スリットバルブ１０８を有するチャンバ壁１２６と基板支持アセンブリ１３０との間の領域７０２に配置すると、処理チャンバに進入して基板を搬送するロボットの動きの邪魔になる可能性がある。したがって、ＲＦスティック支持体６２０は、基板支持アセンブリ１３０の周辺に沿った他の三つの辺７０６、７０４、７０８に配置されるように構成される。

図８は、基板支持アセンブリの下に配置されてチャンバ底部１０４にまで達する接地ストラップの形態のＲＦ復路８０２を有するチャンバ８００を示している。ＲＦ復路８０２の機能は、図１〜７を参照して上述したＲＦ復路と同様とすることができる。図９は、本発明の別の実施形態によるチャンバ９００を示している。一又は複数のＲＦ復路９０２の一方の端部は、基板支持アセンブリ１３０の底面９０４に接続されており、他方の端部はチャンバ９００の側壁１２６に接続されている。ＲＦ復路９０２は、図８のチャンバ内に示すＲＦ復路８０２よりも短く、これにより、バッキングプレート１１２及び拡散器１１０から供給されるＲＦ電力のエネルギーのインダクタンスに利用されうるＲＦ復路９０２の表面積が縮小する。このように、ＲＦ復路９０２を短くすることにより、エネルギーのインダクタンスが小さくなり、基板支持アセンブリ１３０の下方に集中するエネルギーが小さくなる。したがって、ＲＦ復路９０２を短くすることにより、低インピーダンスを実現することができ、これにより、チャンバ構成部品間の高電位を低下させながらＲＦ電流を効果的に流すことができる。

図１０は、本発明の別の実施形態によるチャンバ１０００を示している。チャンバ１０００は、チャンバ１０００内に配置された一又は複数のＲＦ復路９０２を含む。この実施形態では、フレーム１００２は、基板支持アセンブリ１３０の下面９０４及び／又は外周に接続される上辺と、ＲＦ復路９０２の一方の端部に接続される下辺とを有することができる。フレーム１００２は、基板支持アセンブリ１３０から外に向かって延出し、チャンバ１０００の側壁１２６に極めて近接している。更に、ＲＦ復路９０２は、基板支持アセンブリ１３０にフレーム１００２を介して接続される。

フレーム１００２は、側壁１２６との間の距離を短くすることができ、これにより、基板支持アセンブリ１３０と側壁１２６とのアーク放電距離を短くすることができる。更に、ＲＦ復路をより短くすることにより、上述のように、エネルギーのインダクタンスを小さくし、且つ基板支持アセンブリ１３０の下方に集中するエネルギーを小さくすることができる。

図１１は、本発明の別の実施形態によるチャンバ１１００を示している。バッキングプレート１１２及び／又は拡散器１１０は、一又は複数の導電性リード線１１０４を含む分割導体１１１０を介して、ＲＦ電源１１２と同様のＲＦ電源１１１６に接続される。ＲＦ電源１１１６が中心支持体１１６を介してチャンバ１１００に接続される実施形態では、拡散器１１０又はバッキングプレート１１２に連結されるＲＦ電力は、必要に応じて除去又は排除することができる。一又は複数の導電性リード線１１０４は、エネルギーを、バッキングプレート１１２の外周の周りの多数の接続点１１０６、１１０８でバッキングプレート１１２に接続されるＲＦ電源１１１６から供給する。基板支持アセンブリ１３０は、図８で説明したように、一又は複数のＲＦ復路８０２を介してチャンバボディ１０２に接続される。この実施形態では、導電性リード線１１０４の各々は、バッキングプレート１１２の寸法の略半分に亘る長さを有する。シールド１１０２は導電性リード線１１０４の長さに沿って設けられ、この長さに沿ってＲＦ電源１１１６からバッキングプレート１１２に伝送されるエネルギーのインダクタンスを小さくする。シールド１１０２は、導電性リード線１１０４の大部分の周りに配置される管状部材として示されている。シールド１１０２は、導電性リード線１１０４とバッキングプレート１１２との間で導電性リード線１１０４の長さに沿って伝送されるエネルギーのインダクタンスをより小さくすることができ、これにより、導電性リード線１１０４とバッキングプレート１１２との接続点に向かうエネルギーが効果的に遮断される。

バルブ１０８が位置する側壁１２６に形成されて取り付けられる、図１〜１１を参照して上述したＲＦ復路（すなわち、ストラップ）は、バルブ１０８の周縁部を越えて延在し、バルブ１０８から堆積物又はパーティクルが進入することを防止していることに注目されたい。チャンバの他の三辺に位置する側壁１２６では、ＲＦ復路（すなわち、ストラップ）を個々に形成することができ、互いに離間して配置することで、チャンバのガス流れ効率及びガス排気効率を向上させることができる。

このように、プラズマ処理チャンバ内において、基板支持体又はシャドウフレームをチャンバ側壁に接続する低インピーダンスＲＦ復路を有する方法及び装置が提供される。有利には、低インピーダンスＲＦ復路は、大きな電流を流す能力を提供する。基板表面全体に亘るプラズマ分布の不均一性がほとんど無くなり、したがって、基板の側面、又は基板支持アセンブリの下方への望ましくない堆積が低減される。

本明細書の記述は本発明の好適な実施形態に関して為されているが、本発明の基本的範囲から逸脱せずに本発明の他の実施形態及び別の実施形態を想到することができ、本発明の範囲は特許請求の範囲によって規定される。

Claims (15)

1. チャンバ側壁と、底部と、前記チャンバ側壁により支持される蓋アセンブリとを有して処理領域を画定するチャンバボディと、
   前記チャンバボディの前記処理領域内に配置される基板支持アセンブリと、
   前記基板支持アセンブリの周縁部に配置されるシャドウフレームと、
   前記シャドウフレームに接続される第１端部と、前記チャンバ側壁に接続される第２端部とを有するＲＦ復路であって、当該ＲＦ復路の前記第２端部は前記チャンバ側壁に容量結合され、前記ＲＦ復路の前記第２端部は絶縁体の中に挟まれる、ＲＦ復路と
   を備える、処理チャンバ。
2. 前記ＲＦ復路が可撓性のアルミニウム製ストラップを含む、請求項１に記載の処理チャンバ。
3. 前記絶縁体はＤＣ電流が前記ＲＦ復路を通って前記チャンバ側壁に流れるのを防止する、請求項１に記載の処理チャンバ。
4. 前記絶縁体がセラミックであり、締結部材により前記チャンバ側壁及びＲＦ復路に取り付けられる、請求項３に記載の処理チャンバ。
5. 前記セラミック絶縁体及び前記ＲＦ復路の前記第２端部を被覆する誘電体カバーを更に備える、請求項４に記載の処理チャンバ。
6. 前記シャドウフレームと前記基板支持アセンブリとの間に配置されるセラミック絶縁体を更に備える、請求項１に記載の処理チャンバ。
7. 前記チャンバ側壁に取り付けられ、且つ前記基板支持アセンブリが基板搬出入位置にあるときに前記シャドウフレームを支持するように配置されるシャドウフレーム支持体を更に備える、請求項１に記載の処理チャンバ。
8. チャンバ側壁と、底部と、前記チャンバ側壁により支持される蓋アセンブリとを有して、処理チャンバ内に処理領域を画定するチャンバボディと、
   前記チャンバボディの前記処理領域内に配置される基板支持アセンブリと、
   前記基板支持アセンブリの底面に取り付けられて、前記基板支持アセンブリの外周から外に向かって延在する延長ブロックと、
   前記処理チャンバ内に配置されて、前記基板支持アセンブリが上昇位置にあるときに前記延長ブロックに係合するサイズを有する接地フレームと、
   前記接地フレームに接続される第１端部と、前記チャンバ側壁に接続される第２端部とを有するＲＦ復路と
   を備える、処理チャンバ。
9. 前記処理チャンバ内において前記接地フレームの下方に配置される側部ポンピングシールドを更に備える、請求項８に記載の処理チャンバ。
10. 前記接地フレームが、前記延長ブロックに係合する第１側方部と、前記側部ポンピングシールド上に配置される第２側方部とを有している、請求項９に記載の処理チャンバ。
11. 前記接地フレームと前記側部ポンピングシールドとの間に、前記基板支持アセンブリが上昇位置にあるときに前記接地フレームが前記延長ブロックにより支持される場合に画定されるギャップを更に備える、請求項９に記載の処理チャンバ。
12. 前記延長ブロックの上面の、前記基板支持アセンブリの外側に配置される渦巻き型ラップを更に備える、請求項８に記載の処理チャンバ。
13. 前記基板支持アセンブリの周縁部に配置されるシャドウフレームと前記基板支持アセンブリとの間に配置される絶縁体を更に備える、請求項９に記載の処理チャンバ。
14. チャンバ側壁と、底部と、前記チャンバ側壁により支持される蓋アセンブリとを有して処理領域を画定するチャンバボディと、
    前記チャンバボディの前記処理領域内において、第１位置と第２位置との間を移動可能に配置される基板支持アセンブリと、
    前記基板支持アセンブリの周縁部に近接配置されるシャドウフレームと、
    前記チャンバボディに接続されて、前記基板支持アセンブリが前記第２位置にあるときに前記シャドウフレームを支持するサイズを有するシャドウフレーム支持体と、
    前記シャドウフレームに接続される第１端部と、前記チャンバ側壁に接続される第２端部とを有するＲＦ復路と、
    ＤＣ電流が、ＲＦ復路を通って前記チャンバ側壁に達するのを防止する第１絶縁体であって、前記ＲＦ復路の前記第２端部は前記第１絶縁体の中に挟まれて前記チャンバ側壁に容量結合される、第１絶縁体と
    を備える、処理チャンバ。
15. 前記シャドウフレームと前記基板支持アセンブリとの間に配置された第２絶縁体を備える、請求項１４に記載の処理チャンバ。

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