JP5214743B2 - プラズマ処理チャンバのパーツのための保護被覆およびその使用方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 60
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 55
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 title description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 59
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 39
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 37
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 36
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 35
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims description 35
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 29
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 28
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 17
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 claims description 5
- DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N beryllium copper Chemical compound [Be].[Cu] DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 18
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920006169 Perfluoroelastomer Polymers 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000013536 elastomeric material Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 2,4-D Chemical compound OC(=O)COC1=CC=C(Cl)C=C1Cl OVSKIKFHRZPJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 2
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- PRPAGESBURMWTI-UHFFFAOYSA-N [C].[F] Chemical group [C].[F] PRPAGESBURMWTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001470 polyketone Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000004447 silicone coating Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N triacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(=O)CC(O)=O ILJSQTXMGCGYMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
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- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
- H01J37/32495—Means for protecting the vessel against plasma
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Description
なお、本発明は、以下のような態様で実現することもできる。
適用例1:
半導体基板を処理するためにプラズマ処理装置において使用するためのRF帰還ストラップであって、
表面を有する湾曲した金属片と、
前記表面に接合された可撓性被覆であって、ポリマまたはエラストマを含み、プラズマ生成ラジカルの雰囲気内における耐浸食性が向上され、前記ラジカルから前記金属片を保護する被覆と、を備えるRF帰還ストラップ。
適用例2:
請求項1に記載のRFストラップであって、
前記被覆は、in-situ硬化されたフルオロエラストマ、エポキシ樹脂、シリコーン、またはこれらの組み合わせを含む、RFストラップ。
適用例3:
請求項1に記載のRFストラップであって、
前記被覆は、in-situ硬化された充填されていない架橋シロキサンを含む、RFストラップ
適用例4:
請求項1に記載のRFストラップであって、
前記金属片は、湾曲部分によって接続された2つの平面部分を含み、前記平面ン部分は、ギャップを調整可能な容量結合プラズマチャンバ内において電極およびチャンバ壁に取り付け可能である、RFストラップ。
適用例5:
請求項4に記載のRFストラップであって、
前記金属片は、ベリリウム銅材料片である、RFストラップ。
適用例6:
請求項4に記載のRFストラップであって、
前記電極は、底部電極である、RFストラップ。
適用例7:
請求項1に記載のRFストラップであって、
前記ラジカルは、フッ素および/または酸素を含む、RFストラップ。
適用例8:
プラズマ処理装置であって、
半導体基板を内部においてプラズマ処理するための真空チャンバと、
前記真空チャンバ内において使用するためのプラズマ処理アセンブリであって、エラストマ接合と、プラズマ生成ラジカルに対する耐浸食性を向上されたシリコーンベースのエラストマ材料と、によって第2の部材に接合された第1の部材を含み、前記シリコーンベースのエラストマ材料は、プラズマ生成ラジカルから前記エラストマ接合を保護するために、前記エラストマ接合を取り囲み前記第1の部材の合わせ面を前記第2の部材の合わせ面に密着させる、プラズマ処理アセンブリと、を備えるプラズマ処理装置。
適用例9:
請求項8に記載のプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理アセンブリは、前記真空チャンバの下部に位置する基板サポートを取り囲む温度制御式のホットエッジリング・アセンブリを含み、
前記第1の部材は、下側リングに重なるセラミック中間リングを含み、前記中間リングは、前記基板サポートに組み込まれたRF電極に前記下側リングを介して取り付けられ、
前記第2の部材は、前記中間リングに重なる上側リングを含み、前記上側リングは、前記真空チャンバの内部に曝された上面と、前記エラストマ接合を介して前記中間リングの上面に接合された下面とを含み、
前記シリコーンベースのエラストマ材料は、プラズマ生成ラジカルから前記エラストマ接合を保護するために、前記エラストマ接合を取り囲み前記中間リングの前記上面を前記上側リングの前記下面に密着させる、プラズマ処理装置。
適用例10:
請求項8に記載のプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理アセンブリは、前記真空チャンバの下部に位置する基板サポートを含み、
前記第1の部材は、高周波(RF)電源に結合された下側電極アセンブリを含み、
前記第2の部材は、前記下側電極アセンブリの上面に位置する静電チャック部材を含み、前記静電チャック部材は、基板を受ける下面と、前記エラストマ接合によって前記下側電極アセンブリの前記上面に接合された下面とを有し、
前記シリコーンベースのエラストマ材料は、プラズマ生成ラジカルから前記エラストマ接合を保護するために、前記エラストマ接合を取り囲み前記下側電極の前記上面を前記静電チャック部材の前記下面に密着させる、プラズマ処理装置。
適用例11:
請求項10に記載のプラズマ処理装置であって、
前記シリコーンベースのエラストマ材料は、Oリング状である、プラズマ処理装置。
適用例12:
請求項11に記載のプラズマ処理装置であって、
前記Oリング状のシリコーンベースのエラストマ材料は、多角形の断面形状を有する、プラズマ処理装置。
適用例13:
プラズマ処理装置内において半導体基板を処理する方法であって、
プラズマ処理装置の反応チャンバ内において上部電極アセンブリの下で基板サポート上に基板を配することと、
前記反応チャンバにプロセスガスを導入することと、
前記反応チャンバ内において前記上部電極アセンブリと前記基板との間において前記プロセスガスからプラズマを生成することと、
前記基板を前記プラズマによって処理することと、
請求項1に記載のRFストラップを介して前記チャンバのパーツ間においてRF電力を伝送することと、を備える方法。
適用例14:
請求項13に記載の方法であって、
前記処理は、前記基板をエッチングすることを含む、方法。
適用例15:
請求項13に記載の方法であって、
前記基板サポートは、垂直方向に移動可能であり、前記RFストラップは、前記基板サポートと前記チャンバの内壁との間に電流路を提供する、方法。
適用例16:
請求項13に記載の方法であって、
前記上部電極は、垂直方向に移動可能であり、前記RFストラップは、前記上部電極と前記チャンバの内壁との間に電流路を提供する、方法。
適用例17:
請求項13に記載の方法であって、
前記処理は、フッ素ラジカルを含有するプラズマを使用する第1のステップと、酸素ラジカルを含有するプラズマを使用する第2のステップとを含む、方法。
適用例18:
プラズマ処理装置内において半導体基板を処理する方法であって、
請求項8に記載のプラズマ処理装置の反応チャンバ内において基板サポート上に基板を配することと、
前記反応チャンバにプロセスガスを導入することと、
前記反応チャンバ内において上部電極アセンブリと前記基板との間において前記プロセスガスからプラズマを生成することと、
前記基板を前記プラズマによって処理することと、を備える方法。
適用例19:
請求項18に記載の方法であって、
前記処理は、前記基板をエッチングすることを含む、方法。
適用例20:
請求項18に記載の方法であって、
前記処理は、フッ素ラジカルを含有するプラズマを使用する第1のステップと、酸素ラジカルを含有するプラズマを使用する第2のステップとを含む、方法。
Claims (12)
- 半導体基板を処理するためにプラズマ処理装置において相対的に移動する部材同士を電気的に接続するためのRFストラップであって、
表面を有する湾曲した金属片と、
前記表面に接合された可撓性被覆であって、前記相対的な移動に応じて前記金属片とともに屈曲できる弾性を有するポリマまたはエラストマを含み、プラズマ生成ラジカルの雰囲気内における耐浸食性が向上され、前記ラジカルから前記金属片を保護する被覆と、を備えるRFストラップ。 - 請求項1に記載のRFストラップであって、
前記被覆は、前記被覆が形成されたその場で硬化されたフルオロエラストマ、エポキシ樹脂、シリコーン、またはこれらの組み合わせを含む、RFストラップ。 - 請求項1または2に記載のRFストラップであって、
前記被覆は、前記被覆が形成されたその場で硬化された充填されていない架橋シロキサンを含む、RFストラップ。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載のRFストラップであって、
前記金属片は、湾曲部分によって接続された2つの平面部分を含み、前記平面部分は、ギャップを調整可能な容量結合プラズマチャンバ内において、前記相対的に移動する部材としての電極およびチャンバ壁に取り付け可能である、RFストラップ。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載のRFストラップであって、
前記金属片は、ベリリウム銅材料片である、RFストラップ。 - 請求項4、または請求項4に従属する請求項5に記載のRFストラップであって、
前記電極は、底部電極である、RFストラップ。 - 請求項1ないし6のいずれかに記載のRFストラップであって、
前記ラジカルは、フッ素および/または酸素を含む、RFストラップ。 - プラズマ処理装置内において半導体基板を処理する方法であって、
プラズマ処理装置の反応チャンバ内において上部電極アセンブリの下で基板サポート上に基板を配することと、
前記反応チャンバにプロセスガスを導入することと、
前記反応チャンバ内において前記上部電極アセンブリと前記基板との間において前記プロセスガスからプラズマを生成することと、
前記基板を前記プラズマによって処理することと、
請求項1に記載のRFストラップを介して前記チャンバの前記部材間においてRF電力を伝送することと、を備える方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記処理は、前記基板をエッチングすることを含む、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記基板サポートは、垂直方向に移動可能であり、前記RFストラップは、前記相対的に移動する部材としての前記基板サポートと前記チャンバの内壁との間に電流路を提供する、方法。 - 請求項8に記載の方法であって、
前記上部電極は、垂直方向に移動可能であり、前記RFストラップは、前記相対的に移動する部材としての前記上部電極と前記チャンバの内壁との間に電流路を提供する、方法。 - 請求項8ないし11のいずれかに記載の方法であって、
前記処理は、フッ素ラジカルを含有するプラズマを使用する第1のステップと、酸素ラジカルを含有するプラズマを使用する第2のステップとを含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US698308P | 2008-02-08 | 2008-02-08 | |
US61/006,983 | 2008-02-08 | ||
PCT/US2009/000786 WO2009099661A2 (en) | 2008-02-08 | 2009-02-06 | A protective coating for a plasma processing chamber part and a method of use |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013036655A Division JP2013102236A (ja) | 2008-02-08 | 2013-02-27 | プラズマ処理チャンバのパーツのための保護被覆およびその使用方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011511475A JP2011511475A (ja) | 2011-04-07 |
JP2011511475A5 JP2011511475A5 (ja) | 2013-02-14 |
JP5214743B2 true JP5214743B2 (ja) | 2013-06-19 |
Family
ID=40938009
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010545888A Active JP5214743B2 (ja) | 2008-02-08 | 2009-02-06 | プラズマ処理チャンバのパーツのための保護被覆およびその使用方法 |
JP2013036655A Withdrawn JP2013102236A (ja) | 2008-02-08 | 2013-02-27 | プラズマ処理チャンバのパーツのための保護被覆およびその使用方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013036655A Withdrawn JP2013102236A (ja) | 2008-02-08 | 2013-02-27 | プラズマ処理チャンバのパーツのための保護被覆およびその使用方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8522716B2 (ja) |
JP (2) | JP5214743B2 (ja) |
KR (2) | KR101577474B1 (ja) |
CN (1) | CN102027574B (ja) |
SG (1) | SG188141A1 (ja) |
TW (2) | TW201506978A (ja) |
WO (1) | WO2009099661A2 (ja) |
Families Citing this family (118)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI501704B (zh) * | 2008-02-08 | 2015-09-21 | Lam Res Corp | 於電漿處理系統中用以改變面積比之方法與裝置 |
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FI126863B (en) | 2016-06-23 | 2017-06-30 | Beneq Oy | Apparatus for treating particulate matter |
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2009
- 2009-02-06 JP JP2010545888A patent/JP5214743B2/ja active Active
- 2009-02-06 KR KR1020107017612A patent/KR101577474B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-06 CN CN200980112463.4A patent/CN102027574B/zh active Active
- 2009-02-06 KR KR1020157017580A patent/KR101625516B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-06 SG SG2013010210A patent/SG188141A1/en unknown
- 2009-02-06 WO PCT/US2009/000786 patent/WO2009099661A2/en active Application Filing
- 2009-02-09 TW TW103135741A patent/TW201506978A/zh unknown
- 2009-02-09 TW TW098104109A patent/TWI480913B/zh active
- 2009-02-09 US US12/368,093 patent/US8522716B2/en active Active
-
2013
- 2013-02-27 JP JP2013036655A patent/JP2013102236A/ja not_active Withdrawn
- 2013-07-30 US US13/954,416 patent/US20140065835A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100122901A (ko) | 2010-11-23 |
KR20150083142A (ko) | 2015-07-16 |
SG188141A1 (en) | 2013-03-28 |
CN102027574A (zh) | 2011-04-20 |
TW201506978A (zh) | 2015-02-16 |
KR101577474B1 (ko) | 2015-12-14 |
TW200947494A (en) | 2009-11-16 |
WO2009099661A3 (en) | 2009-10-22 |
US20140065835A1 (en) | 2014-03-06 |
TWI480913B (zh) | 2015-04-11 |
KR101625516B1 (ko) | 2016-05-30 |
US8522716B2 (en) | 2013-09-03 |
JP2011511475A (ja) | 2011-04-07 |
CN102027574B (zh) | 2014-09-10 |
WO2009099661A2 (en) | 2009-08-13 |
JP2013102236A (ja) | 2013-05-23 |
US20090200269A1 (en) | 2009-08-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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