CN110634725B - 喷淋头和等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供对处理气体所导致的腐蚀和等离子体的耐久性更优越的喷淋头和等离子体处理装置。在对基片实施等离子体处理的等离子体处理装置中，喷淋头对腔室内供给处理气体，包括：主体部，其具有排出处理气体的多个气体排出孔；和气体扩散空间，其设置于主体部内并与多个气体排出孔连通，被导入处理气体，主体部包括：由金属形成的基材；嵌入在基材中且用于形成多个气体排出孔的多个衬套管；含浸有含浸材料的第一喷镀覆膜，其通过在基材的与气体扩散空间接触的面喷镀对处理气体具有耐腐蚀性的材料而形成；和含浸有含浸材料的第二喷镀覆膜，其通过在基材的与腔室的等离子体生成空间接触的面喷镀对处理气体的等离子体具有耐等离子体性的材料而形成。

Description

喷淋头和等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及喷淋头和等离子体处理装置。
背景技术
在平板显示器(FPD)的制造过程中，通过对在作为被处理体的玻璃基片形成的规定的膜实施等离子体蚀刻等等离子体处理而实施精细加工，来形成电极或配线等。
在进行这样的等离子体处理的等离子体处理装置中，在形成于腔室内的载置台上配置有基片的状态下，将处理气体从配置于载置台的上方的喷淋头排出到腔室内，在腔室内生成等离子体。
喷淋头由铝等金属形成并且曝露在处理气体和等离子体中，因此，提出了抑制对喷淋头的腐蚀的各种技术。
例如，在专利文献1中提出了以下技术：在喷淋头的基材设置的气体排出孔的出口侧形成凹部，在该凹部固定圆筒状的衬套管(sleeve)，并且以覆盖基材的等离子体生成空间侧的表面的方式形成耐等离子体覆膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2017-22356号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供对处理气体所导致的腐蚀和等离子体的耐久性更优越的喷淋头和等离子体处理装置。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一实施方式的喷淋头，在对基片实施等离子体处理的等离子体处理装置中，能够对腔室内供给用于生成等离子体的处理气体，所述腔室用于配置基片并生成等离子体，所述喷淋头包括：主体部，其具有能够排出处理气体的多个气体排出孔；和气体扩散空间，其设置于所述主体部内并与所述多个气体排出孔连通，能够被导入处理气体；所述主体部包括：由金属形成的基材；多个衬套管，其嵌入在所述基材中，并用于形成所述多个气体排出孔；含浸有含浸材料的第一喷镀覆膜，其通过在所述基材的与所述气体扩散空间接触的面喷镀对所述处理气体具有耐腐蚀性的材料而形成；和含浸有含浸材料的第二喷镀覆膜，其通过在所述基材的与所述腔室的等离子体生成空间接触的面喷镀对所述处理气体的等离子体具有耐等离子体性的材料而形成。
发明效果
依照本发明，能够提供对处理气体所导致的腐蚀和等离子体的耐久性更优越的喷淋头和等离子体处理装置。
附图说明
图1是表示一实施方式的等离子体处理装置的截面图。
图2是表示图1的等离子体处理装置中所搭载的喷淋头的气体排出部的截面图。
图3是表示图2的气体排出部中的第二喷镀覆膜的优选例的截面图。
图4是表示使耐等离子体性的喷镀覆膜含浸了含浸材料后的效果的图。
附图标记说明
1：主体容器
2：喷淋头
3：天线室
4：腔室
5：支承架
6：支承梁
7：绝缘部件
13：高频天线
18：第一高频电源
20：处理气体供给机构
50：主体部
51：气体扩散空间
52：基体部
53：气体排出部
54：气体排出孔
61：基材
62：衬套管
63：第一喷镀覆膜
64：第二喷镀覆膜
64a：含浸部分
64b：非含浸部分
100：控制部
G：基片。
具体实施方式
以下，参照附图，对实施方式进行说明。
图1是表示一实施方式的等离子体处理装置的截面图。
图1所示的等离子体处理装置构成为电感耦合等离子体处理装置，能够适当地应用于在矩形基片例如FPD用玻璃基片上形成薄膜晶体管时的金属膜的蚀刻。
该电感耦合等离子体处理装置具有方筒形状的气密的主体容器1，该主体容器1由导电性材料例如内壁面实施了阳极氧化处理的铝形成。该主体容器1以能够拆卸的方式组装，通过接地线1a而电接地。
主体容器1被与主体容器1绝缘地形成的矩形的喷淋头2划分为上下，上侧为构成天线室的天线容器3，下侧为构成处理室的腔室(处理容器)4。喷淋头2作为金属窗发挥作用，构成腔室4的顶壁。作为金属窗的喷淋头2主要由非磁性体的导电性的金属例如铝(或者含有铝的合金)形成。
在天线容器3的侧壁3a与腔室4的侧壁4a之间，设置有向主体容器1的内侧突出的支承架5和支承梁6。支承架5和支承梁6由导电性材料(优选由铝等金属)形成。喷淋头2以被绝缘部件7分割为多个部分的方式构成。并且，被分割为多个部分的喷淋头2的分割部分经由绝缘部件7被支承架5和支承梁6支承。支承梁6成为由多个悬吊件(未图示)悬吊在主体容器1的顶部的状态。
喷淋头2的各分割部分具有主体部50和设置于主体部50的内部的气体扩散空间(缓冲区)51。主体部50包括基体部52和具有多个气体排出孔54的气体排出部53，其中该气体排出部53从气体扩散空间51向腔室内排出处理气体。将处理气体从处理气体供给机构20经由气体供给管21导入到气体扩散空间51。气体扩散空间51与多个气体排出孔54连通，从气体扩散空间51经由多个气体排出孔54将处理气体排出。此外，基体部52与气体排出部53可以是一体的，也可以是分体的。在分体的情况下，气体排出部53构成为喷淋板。
在喷淋头2上的天线室3内，以面对喷淋头2的与腔室4侧相反侧的面的方式配置有高频天线13。高频天线13由导电性材料例如铜等形成，隔着由绝缘部件形成的间隔件(未图示)与喷淋头2隔开间隔地配置，在与矩形形状的喷淋头2对应的面内，形成为例如螺旋形。此外，也可以形成为环形，天线的线可以是一根也可以是多根。
高频天线13经由供电线16、匹配器17与第一高频电源18连接。并且，在等离子体处理期间，经由从第一高频电源18延伸的供电线16对高频天线13供给例如13.56MHz的高频功率。由此，如后文所述，利用在作为金属窗发挥功能的喷淋头2中诱发的回路电流，在腔室4内形成感应电场。并且，利用该感应电场，在腔室4内的喷淋头2正下方的等离子体生成空间S中，将从喷淋头2供给的处理气体等离子体化，而生成电感耦合等离子体。即，高频天线13和第一高频电源18作为等离子体生成装置发挥作用。
在腔室4内的底部以隔着喷淋头2与高频天线13相对的方式经由绝缘体部件24固定有载置台23，并且该载置台23用于载置作为被处理基片的矩形形状的FPD用玻璃基片(以下简称为基片)G。载置台23由导电性材料例如表面经阳极氧化处理的铝形成。载置于载置台23的基片G由静电吸盘(未图示)吸附保持。
在载置台23的上部周缘部设置有绝缘性的挡圈(Shield ring)25a，在载置台23的周面设置有绝缘环25b。用于基送入送出片G的升降销26经由主体容器1的底壁、绝缘体部件24插通于载置台23。升降销26由设置于主体容器1外的升降机构(未图示)进行升降驱动来送入送出基片G。
在主体容器1外设置有匹配器28和第二高频电源29，第二高频电源29通过供电线28a经由匹配器28与载置台23连接。该第二高频电源29在等离子体处理中对载置台23施加偏置用的高频功率，例如频率为3.2MHz的高频功率。利用由该偏置用的高频功率生成的自偏置(Self Bias)，将在腔室4内生成的等离子体中的离子有效地引入到基片G。
并且，在载置台23内，为了控制基片G的温度，而设置有由加热器等加热装置、致冷剂流路等构成的温度控制装置和温度传感器(均未图示)。与这些机构和部件相应的配管和配线，均通过设置于主体容器1的底面和绝缘体部件24的开口部1b导出到主体容器1外。
在腔室4的侧壁4a，设置有用于送入送出基片G的送入送出口27a和开闭该送入送出口27a的闸阀27。另外，腔室4的底部经由排气管31与具有真空泵等的排气装置30连接。利用该排气装置30，能够将腔室4内排气，能够在等离子体处理中将腔室4内设定并维持为规定的真空气氛(例如1.33Pa)。
在载置于载置台23的基片G的背面侧形成有冷却空间(未图示)，并设置有He气体流路41，其用于供给作为一定压力的导热用气体的He气体。像这样，通过对基片G的背面侧供给导热用气体，能够在真空的状态下抑制由于基片G的等离子体处理导致的温度上升或温度变化。
该电感耦合等离子体处理装置还具有控制部100。控制部100由计算机构成，包括控制等离子体处理装置的各构成部的由CPU构成的主控制部、输入装置、输出装置、显示装置、存储装置。在存储装置中，存储有由等离子体处理装置执行的各种处理的参数，此外也可以设置保存有处理方案的存储介质，该处理方案即用于控制由等离子体处理装置执行的处理的程序。主控制部进行控制，以使得读取存储于存储介质中的规定的处理方案，并基于该处理方案在等离子体处理装置中执行规定的处理。
接着，对于喷淋头2进行更加详细的说明。
电感耦合等离子体是通过在高频天线中流过高频电流，而使其周围产生磁场，利用由该磁场诱发的感应电场引起高频放电，从而产生的等离子体。作为腔室4的顶壁使用1个金属窗时，以在面内在周向上旋绕的方式设置的高频天线13中，由于涡电流和磁场不能到达金属窗的背面侧即腔室4侧，因此不能生成等离子体。因此，在本实施方式中，为了使因在高频天线13中流过的高频电流而产生的磁场和涡电流能够到达腔室4侧，形成为将作为金属窗发挥作用的喷淋头2被绝缘部件7分割为多个部分的结构。
图2是表示喷淋头2的主体部50的气体排出部53的一部分的图。主体部50包括基材61、多个衬套管(sleeve)62、第一喷镀(spraying)覆膜63和第二喷镀覆膜64。
基材61由非磁性的金属例如铝形成，根据需要在侧面通过阳极氧化处理来设置阳极氧化覆膜61a。侧面的阳极氧化覆膜61a能够通过在整个面进行了阳极氧化处理之后，除去上下表面的覆膜而形成。
多个衬套管62由不锈钢、哈斯特洛伊合金(Hastelloy)那样的镍基合金等耐腐蚀性金属或者陶瓷形成，嵌入于基材61的与气体排出孔54对应的部分中。各衬套管62用于形成了气体排出孔54。
气体排出孔54包括气体扩散空间51侧的大径部54a和等离子体生成空间S侧的小径部54b。并且，小径部54b的下端形成面向等离子体生成空间S的开口部54c。将等离子体生成空间S侧形成为小径部54b是为了防止等离子体进入到气体排出孔54的里面。小径部54b的直径例如设定为0.5～1mm。
第一喷镀覆膜63通过在基材61的与气体扩散空间51接触的面喷镀对处理气体具有耐腐蚀性的材料来形成，并且含浸有含浸材料。
第二喷镀覆膜64通过在基材61的与腔室4内的等离子体生成空间S接触的面喷镀对处理气体的等离子体具有耐等离子体性的材料来形成，并且含浸有含浸材料。
第一喷镀覆膜63由对处理气体具有耐腐蚀性的材料形成，因此保护基材61不受处理气体影响的效果较号。作为第一喷镀覆膜63的材料，优选陶瓷。例如，当将Al的蚀刻处理中使用的60～200℃例如160℃的高温Cl2气体作为处理气体时，作为第一喷镀覆膜63能够适当地使用氧化铝(Al2O3)喷镀覆膜。Al2O3喷镀覆膜对Cl2气体、作为反应生成物的HCl的耐腐蚀性高。另外，通过在第一喷镀覆膜63中含浸了含浸材料，将喷镀覆膜的气孔封闭，能够更有效地抑制由Cl2气体、HCl导致的腐蚀。在处理气体为高温的情况下，要求含浸材料具有高的耐热性。第一喷镀覆膜63的厚度优选为80～200μm的范围。
第二喷镀覆膜64由具有耐等离子体性的材料形成，因此保护基材61不受等离子体影响的效果较好。作为第二喷镀覆膜64的材料，也优选陶瓷。作为第二喷镀覆膜64，优选耐等离子体性高的氧化钇(Y2O3)喷镀覆膜或者Y-Al-Si-O类混合喷镀覆膜(氧化钇、氧化铝和氧化硅(或者氮化硅)的混合喷镀覆膜)等含有钇的氧化物喷镀覆膜。上述喷镀覆膜即使在例如将Al的蚀刻处理中使用的60～200℃比如160℃的高温Cl2气体作为处理气体的情况下，也能够维持较高的耐等离子体性。根据使用的处理气体，也能够适当地使用Al2O3喷镀覆膜。另外，通过在第二喷镀覆膜64中含浸了含浸材料，将喷镀覆膜中存在的气孔封闭，能够进一步提高耐等离子体性，并且也能够提高耐针孔腐蚀(pinhole corrosion)。如上所述的处理气体为高温的情况下，对于第二喷镀覆膜64中含浸的含浸材料也要求较高的耐热性。
第二喷镀覆膜64优选表面为耐等离子体性高的准致密喷镀覆膜。准致密喷镀覆膜是指，与普通的喷镀覆膜相比气孔率低的喷镀覆膜，相对于普通的覆膜的气孔率为3～5％，准致密喷镀覆膜的气孔率为2～3％。通过使之为准致密喷镀，能够进一步提高耐等离子体性。具体而言，能够使由等离子体降低的耐性提高若干百分率。另外，通过将喷镀覆膜的准致密化与含浸材料配合，能够进一步提高耐等离子体性。
第二喷镀覆膜64的厚度优选为150～500μm的范围。另外，如图3所示，优选第二喷镀覆膜64的含浸材料的含浸部分64a为第二喷镀覆膜64的基材61侧的一部分。通过使含浸部分64a为第二喷镀覆膜64的基材61侧的一部分，第二喷镀覆膜64的等离子体空间侧成为未含浸含浸材料的非含浸部分64b，能够抑制由等离子体导致的含浸材料的消耗而减少颗粒。更优选的是，在第二喷镀覆膜64中，含浸部分64a的厚度为50～100μm的范围，非含浸部分64b的厚度为100～400μm的范围。这样的在一部分中具有含浸部分64a的喷镀覆膜能够通过如下方式得到：在形成与含浸部分64a相当的厚度的喷镀覆膜并进行了含浸处理之后，形成与非含浸部分64b相当的厚度的喷镀覆膜。
作为含浸于第一喷镀覆膜63和第二喷镀覆膜64中的含浸材料，要求能够向准致密覆膜浸透的程度的低粘度且具有几乎能够完全填充覆膜的气孔的填充性(填充率)的填充型的材料。作为这样的填充型的低粘度的填充材料，能够使用树脂含浸材料。作为这样的树脂含浸材料，能够举出硅树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂等。
另外，在作为处理气体使用60～200℃例如160℃的高温Cl2气体的情况下，优选具有上述特性和耐热性，且即使在高温下也能够保持对处理气体的耐腐蚀性的含浸材料。作为这样的填充型的低粘度的、并且耐热性和高温耐腐蚀性良好的含浸材料，优选耐热环氧树脂。环氧树脂是通过将主要成分(预聚物(prepolymer))和固化剂混合并进行了热固化处理而形成的材料，通过适当选择主要成分和固化剂的材料，能够调整粘度、耐热性、填充性和耐腐蚀性。环氧树脂本质上填充性高，通过使其低粘度，能够提高对喷镀覆膜的浸透性。另外，耐热环氧树脂的玻璃化转变温度(Tg)高，是能够低温烧制的材料。
作为适合于利用高温Cl2气体进行的蚀刻处理的含浸材料，除耐热环氧树脂以外，能够举出硅树脂。
接着，对于使用如上述那样构成的电感耦合等离子体处理装置来对基片G实施等离子体处理例如等离子体蚀刻处理时的处理动作，进行说明。
首先，在打开了闸阀27的状态下，由输送机构(未图示)将形成有规定的膜的基片G从送入送出口27a送入到腔室4内，载置到载置台23的载置面。接着，利用静电吸盘(未图示)将基片G固定在载置台23上。然后，利用排气装置30对腔室4内进行真空排气，并且利用压力控制阀(未图示)将腔室4内维持为例如0.66～26.6Pa程度的压力气氛。在该状态下，从处理气体供给机构20经由气体供给管21向具有金属窗的功能的喷淋头2供给处理气体，将处理气体从喷淋头2以淋浴状排出到腔室4内。
另外，这时为了避免基片G的温度上升和变化，对基片G的背面侧的冷却空间经由He气体流路41供给作为导热用气体的He气体。
接着，从高频电源18对高频天线13施加例如1MHz以上27MHz以下的高频，由利用作为金属窗发挥功能的喷淋头2在腔室4内生成均匀的感应电场。利用如此生成的感应电场，在腔室4内处理气体等离子体化，生成高密度的电感耦合等离子体。利用该等离子体对基片G进行等离子体蚀刻处理。
作为处理气体，能够使用氟类或者卤素类的腐蚀性气体，为了将这样的腐蚀性气体等离子体化，一直以来，对于曝露于处理气体和等离子体中的喷淋头，采取抑制腐蚀的对策。
例如，在专利文献1中，在设置于喷淋头的基材的气体排出孔的出口侧形成凹部，在该凹部固定圆筒状的衬套管，并且以覆盖基材的等离子体生成空间侧的表面的方式形成耐等离子体覆膜。
但是，作为处理气体，使用腐蚀性强的气体进行蚀刻的情况下，上述专利文献1的技术存在不足之处。
即，腐蚀性强的气体即使没有等离子体化，对基材61的腐蚀性也较高，气体排出部53的气体扩散空间51侧的面和气体排出孔54的表面的耐腐蚀性成为问题。在专利文献1中，采取了在气体排出孔内利用衬套管应对腐蚀的对策，但是在基材的气体扩散空间侧的面没有采取对策。另一方面，在专利文献1中，在基材的等离子体空间侧的面形成有耐等离子体性喷镀覆膜，但是喷镀覆膜形成有大量的气孔，因此基材的耐针孔腐蚀成为问题。
对此，在本实施方式中，由基材61、气体排出孔54部分的衬套管62、气体扩散空间51侧的第一喷镀覆膜63和等离子体生成空间S侧的第二喷镀覆膜64构成喷淋头的主体部50，使含浸材料含浸于喷镀覆膜中。利用第一喷镀覆膜63能够确保气体扩散空间51侧的面对处理气体的耐腐蚀性，并且利用含浸材料能够抑制经由喷镀覆膜的气孔对基材的腐蚀。另外，利用第二喷镀覆膜64能够确保耐等离子体性，并且利用含浸材料能够抑制经由喷镀覆膜的气孔对基材的针孔腐蚀。另外，基材61的与气体排出孔54对应的部分能够由衬套管62确保耐腐蚀性。由此，能够得到对处理气体所导致的腐蚀和等离子体的耐久性更优越的喷淋头。
另外，通过使第二喷镀覆膜64形成为气孔率2～3％的较低的准致密喷镀覆膜，能够进一步提高耐等离子体性，并且通过使喷镀覆膜的准致密化与含浸材料的含浸相配合，能够进一步提高耐等离子体性。
此外，作为含浸材料使用低粘度且填充性高的材料，由此，即使准致密喷镀覆膜的浸透性高，也能够可靠地填充喷镀覆膜的气孔，能够可靠地提高喷镀覆膜的耐腐蚀性、耐等离子体性、耐针孔腐蚀性。作为这样的含浸材料，优选树脂含浸材料，例如环氧树脂。
另外，如图3所示，使第二喷镀覆膜64中的含浸部分64a形成为基材61侧的一部分，由此，能够抑制由等离子体导致的含浸材料的消耗而减少颗粒。
但是，在FPD基片形成薄膜晶体管(TFT)时，有对Al膜进行蚀刻来形成电极的步骤。这时，如上所述，作为处理气体使用60～200℃例如160℃的高温的Cl2气体。Cl2气体其自身的腐蚀性较高而且是高温气体，因此对于喷淋头2要求更严格的耐腐蚀性和耐等离子体性，并且也要求含浸材料的耐热性。
因此，作为处理气体使用高温的Cl2气体时，作为第一喷镀覆膜63，优选使用对于Cl2气体、作为反应生成物的HCl的耐腐蚀性高的Al2O3喷镀覆膜，作为含浸材料，优选使用具有上述特性和耐热性的材料。另外，作为第二喷镀覆膜64，优选使用对于Cl2气体的等离子体的耐性高的氧化钇(Y2O3)喷镀覆膜或者Y-Al-Si-O类喷镀覆膜等的含钇氧化物，作为含浸材料，同样优选使用具有耐热性的材料。
作为不仅具有低粘度和高填充性，还具有耐热性的含浸材料，优选使用玻璃化转变温度(Tg)高且能够低温烧制的耐热环氧树脂中的低粘度的耐热环氧树脂。
作为处理气体使用了高温的Cl2气体的情况下，利用上述的结构，能由第一喷镀覆膜63抑制基材61的腐蚀，能够由第二喷镀覆膜64抑制等离子体所导致的损耗，并且能够抑制基材61的针孔腐蚀。由此，能够抑制颗粒，减少TFT图案的缺陷。此外，由于耐等离子体性较高，因此能够延长喷淋头2(气体排出部53)的更换周期(寿命)。另外，作为含浸材料使用环氧树脂，由此耐电压特性也提高，并且能够抑制喷淋头与等离子体之间的异常放电。
接着，对试验例进行说明。
首先，对含浸有含浸材料的喷镀覆膜进行试验。
作为含浸材料的材质，使用氧化硅、2种硅树脂(硅树脂A、B)、2种环氧树脂(环氧树脂A、B)，使其含浸于铝基材上的氧化铝喷镀覆膜中。然后，对于含浸材料的浸透性、填充性、耐热性、含浸后的对160℃的高温Cl2气体的耐腐蚀性进行了评价。
氧化硅为低粘度的，并且浸透性高、耐热性也高，但未充分填充于喷镀覆膜的气孔中，残留着气孔。其结果是，在对160℃的Cl2气体的耐腐蚀试验时，Cl2气体通过气孔到达基材而腐蚀了基材。
硅树脂为低粘度的并且浸透性高，通过调整其组成，能够得到高的填充率。但是，硅树脂A的硬度高，即使低温烧制也产生裂纹，在对160℃的Cl2气体的耐腐蚀试验时，Cl2气体通过裂纹到达基材而腐蚀了基材。组成与硅树脂A不同的硅树脂B的填充性较差，在对160℃的Cl2气体的耐腐蚀试验时，Cl2气体通过气孔到达基材而腐蚀了基材。
环氧树脂为高填充性的，且对喷镀覆膜的气孔的填充率高。但是，非耐热型的环氧树脂A虽然是低粘度且浸透性良好的，但是耐热性较差，在80℃就发生劣化。其结果是，在高温下的长期耐久性不足。环氧树脂B是低粘度的，而且玻璃化转变温度Tg较高而具有能够低温烧制的高耐热性。其结果是，在对160℃的Cl2气体的耐腐蚀试验时，没有发现基材的腐蚀。
接着，关于耐等离子体性的喷镀覆膜，研究了使含浸材料含浸后的效果。这里，准备了在铝基材上形成有以下的喷镀覆膜的试样作为试样1～4。试样1为通过普通的喷镀在基材上形成了Y2O3喷镀覆膜的试样。试样2为通过准致密喷镀在基材上形成了Y2O3喷镀覆膜之后，使耐热环氧树脂(环氧树脂B)含浸于其中的试样。试样3为通过普通的喷镀在基材上形成了Y-Al-Si-O类混合喷镀覆膜的试样。试样4为通过准致密喷镀在基材上形成了Y-Al-Si-O类混合喷镀覆膜后，使耐热环氧树脂(环氧树脂B)含浸于其中的试样。
对于这些试样进行了耐等离子体试验。耐等离子体试验是在如下条件下进行的：使用160℃的Cl2气体作为处理气体；腔室内压力：15mTorr；源RF功率：6kW；偏置RF功率：1kW；总时间：8小时。结果如图4所示。图4是表示试样1～4的覆膜消耗量的图，覆膜消耗量是以普通喷镀的Y-Al-Si-O类混合喷镀覆膜的覆膜消耗量为1进行了标准化的值。如该图所示，使Y2O3喷镀覆膜和Y-Al-Si-O类混合喷镀覆膜均为准致密覆膜，并且含浸耐热环氧树脂，由此能够确认覆膜消耗量减少20％程度。
以上，对实施方式进行了说明，但本发明所公开的实施方式的全部内容均为例示，不应理解为限定性的内容。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，能够进行各种方式的省略、置换和变更。
例如，在上述实施方式中，给出了使用电感耦合等离子体处理装置作为进行等离子体蚀刻的等离子体处理装置的例子，但并不限定于此，只要气体排出部的基材为金属的喷淋头即可，也可以是电容耦合等离子体处理装置等其它的等离子体处理装置。在电容耦合等离子体处理装置等的情况下，不需要将喷淋头进行分割。
另外，在上述的实施方式中，以等离子体蚀刻装置为例进行了说明，但并不限定于此，只要是等离子体灰化或等离子体CVD等使用腐蚀性较高的气体的等离子体的等离子体处理装置，就能够适用。

Claims (9)

1.一种喷淋头，其特征在于：
在对基片实施等离子体处理的等离子体处理装置中，能够对腔室内供给用于生成等离子体的处理气体，所述腔室能够配置基片并能够在其中生成等离子体，
所述喷淋头包括：
主体部，其具有能够排出处理气体的多个气体排出孔；和
气体扩散空间，其设置于所述主体部内并与所述多个气体排出孔连通，处理气体能够被导入其中；
所述主体部包括：
由金属形成的基材；
多个衬套管，其嵌入在所述基材中，并用于形成所述多个气体排出孔；
含浸有含浸材料的第一喷镀覆膜，其通过在所述基材的与所述气体扩散空间接触的面喷镀对所述处理气体具有耐腐蚀性的材料而形成；和
含浸有含浸材料的第二喷镀覆膜，其通过在所述基材的与所述腔室的等离子体生成空间接触的面喷镀对所述处理气体的等离子体具有耐等离子体性的材料而形成，
所述处理气体为60～200℃的高温Cl2气体，所述第一喷镀覆膜为氧化铝喷镀覆膜，所述第二喷镀覆膜为含钇的氧化物喷镀覆膜，所述含浸材料为耐热树脂。
2.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于：
所述衬套管由耐腐蚀性金属或者陶瓷形成。
3.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于：
所述基材含有铝。
4.如权利要求3所述的喷淋头，其特征在于：
所述基材由实施了阳极氧化处理的铝形成。
5.如权利要求1～4中任一项所述的喷淋头，其特征在于：
所述第二喷镀覆膜仅在所述基材侧的一部分含浸有所述含浸材料。
6.如权利要求1～4中任一项所述的喷淋头，其特征在于：
所述含浸材料为对所述第一喷镀覆膜或者所述第二喷镀覆膜具有高浸透性的耐热环氧树脂。
7.如权利要求1～4中任一项所述的喷淋头，其特征在于：
所述含钇的氧化物喷镀覆膜由氧化钇喷镀覆膜或者Y-Al-Si-O类混合喷镀覆膜构成。
8.一种能够对基片进行等离子体处理的等离子体处理装置，其特征在于，包括：
收纳基片的腔室；
在所述腔室内载置基片的载置台；
能够在所述腔室内生成等离子体的等离子体生成装置；和
权利要求1～7中任一项所述的喷淋头，其以与所述载置台相对的方式设置在所述腔室内，将用于生成等离子体的处理气体供给到所述腔室内。
9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述等离子体生成装置包括高频天线和对所述高频天线供给高频功率的高频电源，通过对所述高频天线供给高频电源，能够在所述腔室内的所述等离子体生成空间形成电感耦合等离子体，
所述高频天线以面对所述喷淋头的与所述腔室相反侧的面的方式设置，
所述喷淋头以构成所述腔室的顶壁的方式配置，作为所述电感耦合等离子体的金属窗发挥作用，具有被绝缘部件分割为多个部分的结构，以使得因在所述高频天线中流过的高频电流而产生的磁场和涡电流能够到达所述腔室侧。
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