JP6728117B2 - 取り外し可能なガス分配プレートを有するシャワーヘッド - Google Patents

取り外し可能なガス分配プレートを有するシャワーヘッド Download PDF

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Description

分野
本発明の実施形態は、概して、半導体処理装置に関する。
背景
半導体処理チャンバ（例えば、堆積チャンバ、エッチングチャンバなど）内で利用され
る従来のシャワーヘッドは、典型的には、恒久的にベースに結合されたガス分配プレート
を含む。ガス分配プレートは、プラズマ処理中にプラズマへの曝露によって引き起こる劣
化により周期的な交換を必要とする。しかしながら、本発明者らは、ガス分配プレートが
、恒久的にベースに結合されているので、ガス分配プレートを交換するためにシャワーヘ
ッドアセンブリ全体を交換する必要があり、このように交換処理を高価にすることに気付
いた。
したがって、本発明者らは、取り外し可能なガス分配プレートを有する改良されたシャ
ワーヘッドの実施形態を提供してきた。
概要
取り外し可能なガス分配プレートを有するシャワーヘッドの実施形態が、本明細書内に
提供される。いくつかの実施形態では、半導体処理チャンバ内で使用するためのシャワー
ヘッドは、第１面及び第２面を有するベースと、ベースの第２面に近接して配置されたガ
ス分配プレートと、ガス分配プレートをベースに取り外し可能に結合するためにガス分配
プレートの周縁部の周りに配置されたクランプと、ベースとガス分配プレートとの間に配
置された熱ガスケットとを含むことができる。
いくつかの実施形態では、処理チャンバは、チャンバ本体の内部容積内に配置された基
板支持体を有するチャンバ本体と、基板支持体の反対側のチャンバ本体の内部容積内に配
置されたシャワーヘッドを含むことができる。シャワーヘッドは、第１面及び対向する第
２面を有するベースであって、ベースの第１面は、処理チャンバのコンポーネントに結合
されたベースと、ベースの第２面に近接して配置されたガス分配プレートと、ガス分配プ
レートをベースに取り外し可能に結合するためにガス分配プレートの周縁部の周りに配置
されたクランプと、ベースとガス分配プレートとの間に配置された熱ガスケットとを含む
。
本発明の他の、及び更なる実施形態が、以下に記載される。
上記に簡単に要約され、以下に詳細に議論される本発明の実施形態は、添付の図面に示
される本発明の例示的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかし
ながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範
囲を制限していると解釈されるべきではなく、本発明は他の等しく有効な実施形態を含み
得ることに留意すべきである。
本発明のいくつかの実施形態に係るガス分配プレートを有するシャワーヘッドを示す。 本発明のいくつかの実施形態によるガス分配プレートを有するシャワーヘッドと共に使用するのに適した処理チャンバを示す。
理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照
番号を使用している。図面は、比例して描かれているわけではなく、明確にするために簡
素化されているかもしれない。一実施形態の要素及び構成を更なる説明なしに他の実施形
態に有益に組み込んでもよいと理解される。
詳細な説明
取り外し可能なガス分配プレートを有するシャワーヘッドの実施形態が、本明細書内に
提供される。少なくともいくつかの実施形態では、本発明のシャワーヘッドは、有利なこ
とに、ガス分配プレートの取り外し及び交換を可能にし、これによって恒久的に結合した
ガス分配プレートを有する従来のシャワーヘッドと比較して、より長い耐用年数を有し、
ガス分配プレートの交換においてより費用効率の高いシャワーヘッドを提供することがで
きる。
図１は、本発明のいくつかの実施形態に係るガス分配プレートを有するシャワーヘッド
を示す。シャワーヘッド１００は、一般的に、本体１０２と、ガス分配プレート１０４と
、ガス分配プレートを本体１０２に取り外し可能に結合するように構成したクランプ１１
０を含む。
本体１０２は、第１面１５０と、第２面１４０と、第１面１５０から第２面１４０まで
延びる本体１０２内に形成された複数の貫通孔１１６を含む。複数の貫通孔１１６は、本
体１０２を貫通してガス分配プレート１０４への処理ガスの通過を促進する。いくつかの
実施形態では、貫通孔１１６は、皿穴（例えば、図示の皿穴１１８）を開け、これによっ
て貫通孔１１６における残留電界を低減し、ガス分配プレート１０４へのより均一なガス
流を促進することができる。いくつかの実施形態では、空洞１１４が、本体１０２の第１
面１５０内に形成され、これによって複数の貫通孔１１６への処理ガスのより均一な分配
を促進することができる。本体１０２は、任意の適したプロセス適合性のある材料（例え
ば、アルミニウムなど）から製造することができる。導電性材料（例えば、アルミニウム
）から本体１０２を製造することによって、本体１０２は、電極として機能することがで
き、これによって例えば、シャワーヘッド１００に提供された処理ガスからのプラズマの
形成を促進する。
いくつかの実施形態では、１以上のチャネルが、本体１０２の表面に形成され、これに
よって１以上のＯリング及び／又はＲＦガスケット（図示のＯリング１３０、１３２、１
３４、及びＲＦガスケット１０８、１２６）を収容することができる。Ｏリング１３０、
１３２、１３４は、存在する場合、本体１０２と、クランプ１１０又は処理チャンバの表
面（図示せず）との間にシールを提供する。Ｏリング１３０、１３２、１３４は、例えば
前述のシールを促進するのに適した任意の材料（例えば、ゴム）から製造することができ
る。ＲＦガスケット１０８、１２６は、例えば、ＲＦ源から本体１０２及びクランプ１１
０までのＲＦ電力の導電性を促進する。例えば、ＲＦ電力は、ＲＦ電源（例えば、後述の
ＲＦ電源２４８）から、本体１０２に結合され１以上のＲＦガスケット（例えば、ＲＦガ
スケット１２６）に接触しているコンポーネントへと供給することができる。ＲＦガスケ
ット１０８、１２６は、任意の好適な導電性材料（例えば、ステンレス鋼）から製造する
ことができる。
ガス分配プレート１０４は、本体１０２から、例えば、ガス分配プレート１０４内に形
成された複数のガス分配孔１４２を介して処理チャンバの処理容積へと提供される処理ガ
スの分配を促進する。ガス分配孔１４２は、処理ガスの所望の分布を提供するのに適した
任意の方法で配置することができる。例えば、いくつかの実施形態では、ガス分配プレー
ト１０４が、本体１０２に結合された場合、ガス分配孔１４２は、本体１０２の貫通孔１
１６の周りに配置されたクラスタ内に配置することができる。
ガス分配プレート１０４は、プラズマ（例えば、処理中に処理チャンバ内で形成される
プラズマ）への曝露の際に劣化に耐えるのに適した任意の材料から製造することができる
。例えば、いくつかの実施形態では、ガス分配プレート１０４は、単結晶シリコン（Ｓｉ
）から製造することができる。単結晶シリコンは、典型的には、好ましい材料である炭化
ケイ素と比較して、より速いエッチング速度を有するため、少なくとも部分的にガス分配
プレート用の材料としては使用されない。しかしながら、本発明者らは、単結晶シリコン
が、ガス分配プレートを製造するために使用される従来の材料（例えば、炭化ケイ素（Ｓ
ｉＣ）など）と比較して、表面粗さの変化、アーク放電、マイクロマスキングの影響を受
けにくく、更に（例えば、約１５０℃よりも高い）高温で、より優れた操作性を提供する
ことを見出した。また、単結晶シリコンは、従来の材料に比べて低コストで、より容易に
入手可能であり、得ることができる。また、シャワーヘッド１００がケイ素含有ガスを含
む基板処理で使用される実施形態において、ガス分配プレート１０４をシリコンから製造
することは、ガス分配プレート１０４の劣化による汚染の過程を減少させる。
ガス分配プレート１０４は、所望のガス分布及び適切な有用な機能的寿命を提供するの
に十分な任意の適切な厚さを有することができる。また、いくつかの実施形態では、ガス
分配プレート１０４が、本体１０２に結合される場合、ガス分配プレート１０４は、ガス
分配プレート１０４と本体１０２との間に配置された１以上の熱ガスケット（３つの熱ガ
スケット１２０、１２２、１２４が図示される）との連続的な接触を確保するのに十分な
適切な厚さを有することができる。例えば、いくつかの実施形態では、ガス分配プレート
１０４の厚さは、ガス分配プレート１０４の縁部においてクランプ１１０によって提供さ
れる力によって生じるガス分配プレート１０４の湾曲量が、圧縮時の熱ガスケット１２０
、１２２、１２４の変形量よりも少なくなるように選択し、これによってクランプ時に、
熱ガスケット１２０、１２２、１２４のそれぞれとの連続的な接触を確実にすることがで
きる。代替的に、又はこれと組み合わせて、いくつかの実施形態では、ガス分配プレート
１０４の厚さは、プラズマの侵入を低減し、ガス分配プレート１０４の有用な機能寿命を
向上させるのに適したガス分配孔１４２のアスペクト比を提供するように選択することが
できる。例えば、ガス分配孔１４２が約０．５ｍｍの直径を有する実施形態では、ガス分
配プレート１０４は、約９ｍｍの厚さを有することができる。
クランプ１１０は、ガス分配プレート１０４を本体１０２に結合するのを促進する。い
くつかの実施形態では、クランプ１１０は、クランプ内に形成されたねじ穴１３８に対応
する本体１０２内に形成された貫通孔１３６に設けられた締結具１０６を介する結合を促
進する。クランプ１１０は、任意のプロセス互換性のある導電性材料（例えば、アルミニ
ウム）から製造することができる。いくつかの実施形態では、クランプ１１０は、プラズ
マ環境内でクランプ１１０の劣化を低減するために、スプレーコーティングで（例えば、
イットリア（Ｙ２Ｏ３））をコーティングすることができる。
いくつかの実施形態では、クランプ１１０は、１以上のＯリング及びＲＦガスケット（
Ｏリング１２８及びＲＦガスケット１４８が図示される）を収容するために、クランプ１
１０の表面内に形成された１以上のチャネルを含むことができる。Ｏリング１２８は、存
在する場合、本体１０２へのクランプ時に、ガス分配プレート１０４の破損を防止するた
めに、ガス分配プレート１０４へクッション性を提供する。ＲＦガスケット１４８は、存
在する場合、本体１０２からクランプ１１０を介してガス分配プレート１０４へのＲＦ電
力の導電性を促進し、これによってガス分配プレート１０４がＲＦ電極として機能するの
を可能にする。ガス分配プレート１０４にＲＦ電流路を提供することはまた、本体１０２
とガス分配プレート１０４との間のギャップ１４６を遮蔽し、これは例えば、本体１０２
の貫通孔１１６でのアーク放電を低減させる。Ｏリング１２８及びＲＦガスケット１４８
は、任意の適切な材料（例えば、Ｏリング１３０、１３２、１３４、及びＲＦガスケット
１０８、１２６に関して上述した材料など）から製造することができる。
いくつかの実施形態では、熱ガスケット１２０、１２２、１２４を、本体１０２とガス
分配プレート１０４との間に配置することができる。熱ガスケット１２０、１２２、１２
４は、存在する場合、本体１０２とガス分配プレート１０４との間の熱交換を促進し、こ
れによって例えば、ガス分配プレート１０４全域に亘るより均一な温度勾配を提供するこ
とができる。また、熱ガスケット１２０、１２２、１２４は、本体１０２とガス分配プレ
ート１０４との間のギャップ１４６を提供し、貫通孔１４２と対応するガス分配孔１４２
のグループ毎に個別のプレナム（例えば、ゾーン）を画定することができる。
熱ガスケット１２０、１２２、１２４は、処理圧力及び温度（例えば、真空条件及び約
１５０℃又はそれ以上の温度）で脱ガスの少ない任意の圧縮性のある熱伝導性材料から製
造することができる。例えば、いくつかの実施形態では、ガスケットは、シリコン含有材
料を含むことができる。熱ガスケット１２０、１２２、１２４は、本体１０２とガス分配
プレート１０４との間の接触を維持するのに適した任意の形状を有することができる。例
えば、いくつかの実施形態では、熱ガスケット１２０、１２２、１２４は、図１に示され
るように、矩形断面を有する複数の同心リングとすることができる。いくつかの実施形態
では、熱ガスケット１２０、１２２、１２４の形状は、ガス分配プレート１０４の縁部で
クランプ１１０によって提供される力により、共にクランプされたときに、本体１０２と
ガス分配プレート１０４との間の距離の差（例えば、ガス分配プレート１０４の湾曲）を
調整するように最適化することができる。
いくつかの実施形態では、保護リング１１２をシャワーヘッドの周囲に配置し、これに
よって本体１０２、クランプ１１０及びガス分配プレート１０４の部分を遮蔽することが
できる。保護リング１１２は、任意の適切なプロセス適合性のある材料（例えば、石英（
ＳｉＯ２））から製造することができる。
図２は、本発明のいくつかの実施形態に係るシャワーヘッドと共に使用するのに適した
例示的な処理チャンバ２００の概略図を示す。例示的な処理チャンバは、カリフォルニア
州サンタクララのアプライドマテリアル社（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｉｎ
ｃ．）から入手可能なＥＮＡＢＬＥＲ（商標名）、ＥＮＡＢＬＥＲ（商標名）Ｅ５、ＡＤ
ＶＡＮＴＥＤＧＥ（商標名）、又は他の処理チャンバを含むことができる。シャワーヘッ
ドを有する、又は有するように改変されている他の適切な処理チャンバも同様に、本発明
から利益を得ることができる。
いくつかの実施形態では、処理チャンバ２００は、一般的に、チャンバ本体２０２を備
えることができ、このチャンバ本体２０２は、チャンバ本体の内部容積２０５内に配置さ
れた、基板２１０を上で支持するための基板支持台２０８と、過剰な処理ガス、処理副生
成物等をチャンバ本体２０２の内部容積２０５から取り除くための排気システム２２０を
有する。
いくつかの実施形態では、上部ライナ２６４及び下部ライナ２６６は、チャンバ本体２
０２の内部を覆い、これによって処理中にチャンバ本体２０２を保護することができる。
いくつかの実施形態では、チャンバ本体２０２は、処理容積２０４を含むことができる内
部容積２０５を有する。処理容積２０４は、例えば、基板支持台２０８とシャワーヘッド
２１４（例えば、上述のシャワーヘッド１００）及び／又は所望の位置に提供されたノズ
ルとの間に画定することができる。いくつかの実施形態では、ガス供給源２８８は、チャ
ンバ本体２０２の処理容積２０４に１以上の処理ガスを分配するためのシャワーヘッド２
１４に１以上の処理ガスを提供することができる。
いくつかの実施形態では、基板支持台２０８は、基板支持台２０８の表面上に基板２１
０を保持又は支持する機構（例えば、静電チャック、真空チャック、又は基板保持クラン
プなど）を含むことができる。代替的に又はこれと組み合わせて、いくつかの実施形態で
は、基板支持台２０８は、基板の温度を制御するための機構（例えば、加熱及び／又は冷
却装置、図示せず）及び／又は基板表面近傍で種のフラックス及び／又はイオンエネルギ
ーを制御するための機構を含むことができる。例えば、いくつかの実施形態では、基板支
持台２０８は、電極２４０と、それぞれの整合回路網２３６、２６２を介して電極２４０
に結合された１以上の電源（２つのバイアス電源２３８、２４４）を含むことができる。
例えば、基板支持台２０８は、整合回路網２６２を介してバイアス電源２４４に結合され
たカソードとして構成することができる。上述のバイアス電源（例えば、バイアス電源２
３８、２４４）は、約２ＭＨｚ又は約１３．５６ＭＨｚ又は６０ＭＨｚの周波数で、最大
１２，０００Ｗを生成可能であるかもしれない。少なくとも１つのバイアス電源は、連続
又はパルス電力を供給することができる。いくつかの実施形態では、バイアス電源は、代
替的にＤＣ又はパルスＤＣ源とすることができる。
いくつかの実施形態では、基板支持台２０８は、基板支持台２０８上に配置され、処理
中に基板２１０の少なくとも一部を支持するように構成された基板支持リング２８０を含
むことができる。いくつかの実施形態では、１以上のリング（インサートリング２７８及
びバリアリング２４２が図示される）を、基板支持台２０８の周りに配置することができ
る。１以上のリングは、任意の適切なプロセス適合性材料から製造することができる。例
えば、いくつかの実施形態では、インサートリングは、シリコン（Ｓｉ）から製造するこ
とができる。いくつかの実施形態では、バリアリング２４２は、石英（ＳｉＯ２）から製
造することができる。いくつかの実施形態では、接地されたメッシュ２６０が、基板支持
台２０８の周囲に配置され、チャンバ本体２０２に結合されることができる。
基板２１０は、チャンバ本体２０２の壁内の開口部２１２を介してチャンバ本体２０２
に入ることができる。開口部２１２は、スリットバルブ２１８を介して、又は開口部２１
２を通ってチャンバの内部へのアクセスを選択的に提供するための他の機構を介して選択
的にシールすることができる。基板支持台２０８は、開口部２１２を介してチャンバの内
外へ基板を搬送するのに適した（図示されるような）下方位置と、処理に適した選択可能
な上方位置との間で、基板支持台２０８の位置を制御することができるリフト機構２３４
に結合することができる。処理位置は、特定の処理に対して処理の均一性を最大化するよ
うに選択することができる。基板支持台２０８は、上昇された処理位置のうちの少なくと
も１つにある場合、対称的な処理領域を提供するために、開口２１２の上方に配置するこ
とができる。
いくつかの実施形態では、保護リング２０６（例えば、上述の保護リング１１２）は、
シャワーヘッド２１４の周りに配置され、シャワーヘッド２１４の少なくとも一部（例え
ば、シャワーヘッド２１４の本体２９４（例えば、上述の本体１０２）又はガス分配プレ
ート２９６（例えば、上述のガス分配プレート１０４）など）を覆うことができる。いく
つかの実施形態では、保護リング２０６は、上部ライナ２６４によって支持することがで
きる。
いくつかの実施形態では、シャワーヘッド２１４は、チラープレート２８４に結合され
る、及び／又はチラープレート２８４によって支持されることができる。チラープレート
２８４は、存在する場合、処理中にシャワーヘッド２１４の温度の制御を促進する。いく
つかの実施形態では、チラープレート２８４は、チラープレート２８４内に形成された複
数のチャネル（図示せず）を含み、これによって温度制御流体供給源（チラー）２９０に
よって提供される温度制御流体が、チラープレート２８４を通って流れ、シャワーヘッド
２１４の温度制御を促進することを可能にする。
いくつかの実施形態では、１以上のコイル（内側コイル２７４及び外側コイル２７２が
図示される）を、シャワーヘッド２１４の上方に、及び／又はシャワーヘッド２１４の周
縁部に近接して配置することができる。１以上のコイルは、存在する場合、処理チャンバ
２００の処理容積２０４内に形成されるプラズマを整形するのを促進することができる。
いくつかの実施形態では、ＲＦ電源２８６は、同軸スタブ２９２を介して、チラープレ
ート２７０及び／又はシャワーヘッド２１４にＲＦ電力を提供する。同軸スタブ２９２は
、特性インピーダンス、共振周波数を有する固定インピーダンス整合回路網であり、シャ
ワーヘッド２１４とＲＦ電源２８６との間の近似のインピーダンス整合を提供する。いく
つかの実施形態では、同軸スタブ２９２は、概して、内側円筒導体２９８と、外側円筒導
体２０１と、内側筒状導体２９８と外側円筒導体２０１との間の空間を充填する絶縁体２
０３とを含む。
内側円筒導体２９８と外側円筒導体２０１は、特定の処理環境に耐えることができる任
意の適切な導電性材料で作ることができる。例えば、いくつかの実施形態では、内側円筒
導体２９８と外側円筒導体２０１は、ニッケルコーティングされたアルミニウムから製造
することができる。１以上のタップ２２１は、ＲＦ電源２８６から同軸スタブ２９２へＲ
Ｆ電力を印加するために、同軸スタブ２９２の軸方向長さに沿った特定の点に設けられる
。ＲＦ電源２８６のＲＦパワー端子２０７及びＲＦリターン端子２０９は、同軸スタブ２
９２上のタップ２２１で、内側円筒導体２９８及び外側円筒導体２０１にそれぞれ接続さ
れる。同軸スタブ２９２の遠端２１３における終端導体２１１は、同軸スタブ２９２がそ
の遠端２１３で短絡されるように、内側円筒導体２９８と外側円筒導体２０１を共に短絡
させる。同軸スタブ２９２の近端２１５では、外側円筒導体２０１が、環状導電性ハウジ
ング又は支持体２７６を介してチャンバ本体２０２に接続され、一方、内側円筒導体２９
８は、導電性シリンダー２１７を介してチラープレート２７０及び／又はシャワーヘッド
２１４に接続される。いくつかの実施形態では、スタブ２９２、外側円筒導体２０１は、
環状導電性ハウジング又は支持体２７６を介してチャンバ本体２０２に接続されている。
実施形態は、誘電体リング２１９が、導電性シリンダー２１７とチラープレート２７０の
間に配置され、導電性シリンダー２１７とチラープレート２７０を分離する。
排気システム２２０は、概して、ポンピングプレナム２２４と、ポンピングプレナム２
２４をチャンバ本体２０２の内部容積２０５（及び、一般的に、処理容積２０４）に、例
えば、１以上の入口２２２を介して結合する１以上のコンジットとを含む。真空ポンプ２
２８は、チャンバ本体２０２から排気ガスを外へポンピングするためのポンピングポート
２２６を介してポンピングプレナム２２４に結合することができる。真空ポンプ２２８は
、適切な排気処理装置に必要とされるような排気をルーティングするための排気出口２３
２に流体結合することができる。バルブ２３０（例えば、ゲートバルブなど）を、ポンピ
ングプレナム２２４内に配置し、真空ポンプ２２８の動作と組み合わせて、排気ガスの流
量の制御を促進することができる。ｚモーションゲートバルブが図示されているが、排気
の流れを制御するための任意の適切なプロセス互換バルブを利用することができる。
上記のように処理チャンバ２００の制御を促進するために、コントローラ２５０は、様
々なチャンバ及びサブプロセッサを制御するための、工業環境で使用可能な汎用コンピュ
ータプロセッサの任意の形態のうちの１つとすることができる。ＣＰＵ２５２のメモリ又
はコンピュータ可読媒体２５６は、容易に入手可能なメモリ（例えば、ランダムアクセス
メモリ（ＲＡＭ）、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、フロッピー（登録商標）ディスク
、ハードディスク、又はローカル又はリモートのデジタル記憶装置の任意の他の形態）の
うちの１以上とすることができる。サポート回路２５４は、従来の方法でプロセッサをサ
ポートするためにＣＰＵ２５２に結合される。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロ
ック回路、入力／出力回路及びサブシステム等を含む。
１以上の方法及び／又はプロセスは、一般的に、ＣＰＵ２５２によって実行されるとき、方法及び／又はプロセスを処理チャンバ２００に実行させるソフトウェアルーチン２５８としてメモリ２５６内に格納することができる。ソフトウェアルーチン２５８はまた、ＣＰＵ２５２によって制御されるハードウェアから離れて位置する第２のＣＰＵ（図示せず）によって格納及び／又は実行されることができる。本発明の方法のいくつか又は全ては、ハードウェア内で実行することもできる。このように、方法及び／又はプロセスは、ソフトウェア内に実装し、コンピュータシステムを用いて実行してもよいし、ハードウェア内に、例えば、特定用途向け集積回路として又は他のタイプのハードウェア実装でもよいし、又はソフトウェアとハードウェアの組み合わせとしてもよい。ソフトウェアルーチン２５８は、基板２１０を基板支持台２０８上に位置決めされた後に実行することができる。ソフトウェアルーチン２５８は、ＣＰＵ２５２によって実行されると、本明細書に開示された方法が実行されるようにチャンバ動作を制御する特定の目的のコンピュータ（コントローラ）２５０に汎用コンピュータを変える。
このように、取り外し可能なガス分配プレートを有するシャワーヘッドの実施形態が、
本明細書内に提供された。本発明のシャワーヘッドの実施形態は、有利なことに、従来の
シャワーヘッドと比較して、より長い耐用年数と、ガス分配プレートの交換においてより
費用効率の高い方法を提供することができる。
上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発
明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができる。

Claims (11)

  1. 基板処理チャンバ内で使用するためのシャワーヘッドであって、
    第１面及び対向する第２面を有する本体と、
    本体の第２面に近接して配置されたガス分配プレートと、
    ガス分配プレートを本体に取り外し可能に結合するためにガス分配プレートの周縁部の周りに配置されたクランプであって、本体は、クランプを介してガス分配プレートに電気的に結合されているクランプと、
    本体とガス分配プレートとの間に配置された１以上の熱ガスケットとを含むシャワーヘッド。
  2. １以上の熱ガスケットは、本体とガス分配プレートとの間に配置された複数の同心円状リングを含む、請求項１記載のシャワーヘッド。
  3. 本体の周縁部及びクランプの周りに配置され、本体の少なくとも一部及びガス分配プレートの少なくとも一部を覆うようにクランプの部分に亘って延びるリングを含む、請求項１記載のシャワーヘッド。
  4. クランプと本体との間に配置された第１のＲＦガスケットを含み、本体からクランプまでＲＦ電力を結合するのを促進する、請求項１記載のシャワーヘッド。
  5. クランプとガス分配プレートとの間に配置された第２のＲＦガスケットを含み、クランプからガス分配プレートまでＲＦ電力を結合するのを促進する、請求項１記載のシャワーヘッド。
  6. 本体は、本体の第１面から第２面まで延びる複数の貫通孔を含む、請求項１記載のシャワーヘッド。
  7. 本体は、本体の第１面内に沿って形成されたプレナムを含み、プレナムは、複数の貫通孔に流体結合されている、請求項６記載のシャワーヘッド。
  8. 複数の貫通孔の各々の端部は、本体内に皿穴が開けられている、請求項６記載のシャワーヘッド。
  9. ガス分配プレートは、単結晶シリコン（Ｓｉ）から製造される、請求項１記載のシャワーヘッド。
  10. チャンバ本体の内部容積内に配置された基板支持体を有するチャンバ本体と、
    基板支持体の反対側のチャンバ本体の内部容積内に配置された、請求項１〜９のいずれか１項に開示されるようなシャワーヘッドを含む処理チャンバ。
  11. 処理チャンバのコンポーネントは、チャンバ本体の天井に結合されたチラープレートである、請求項１０記載の処理チャンバ。
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