CN111243933A - 一种干法刻蚀设备的上部电极及干法刻蚀设备 - Google Patents

一种干法刻蚀设备的上部电极及干法刻蚀设备 Download PDF

Info

Publication number
CN111243933A
CN111243933A CN202010098825.7A CN202010098825A CN111243933A CN 111243933 A CN111243933 A CN 111243933A CN 202010098825 A CN202010098825 A CN 202010098825A CN 111243933 A CN111243933 A CN 111243933A
Authority
CN
China
Prior art keywords
upper electrode
dry etching
base material
vent hole
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010098825.7A
Other languages
English (en)
Inventor
王金宝
冷问竹
陈飞
李岩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Truly Renshou High end Display Technology Ltd
Original Assignee
Truly Renshou High end Display Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Truly Renshou High end Display Technology Ltd filed Critical Truly Renshou High end Display Technology Ltd
Priority to CN202010098825.7A priority Critical patent/CN111243933A/zh
Publication of CN111243933A publication Critical patent/CN111243933A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开了一种干法刻蚀设备的上部电极及干法刻蚀设备,包括上部电极主体和用于套合所述上部电极主体的辅助装置;所述上部电极主体包括母材,所述母材上设有多个第一通气孔;所述辅助装置包括基板,所述基板上设有第二通气孔;所述基板覆盖所述母材表面,所述第二通气孔向外延伸至所述第一通气孔内,所述基板表面及所述第二通气孔表面具有绝缘膜。本发明中通过在上部电极主体上套合辅助装置,在干法刻蚀过程中消耗辅助装置上的绝缘膜,而对上部电极主体的母材没有损耗,可以使上部电极主体上的通气孔的孔径保持长久的稳定形态,保证干法刻蚀工艺稳定,确保了上部电极主体的反复使用性,延长了上部电极的使用寿命。

Description

一种干法刻蚀设备的上部电极及干法刻蚀设备
技术领域
本发明涉及了干刻蚀装备技术领域,特别是涉及了一种干法刻蚀设备的上部电极及干法刻蚀设备。
背景技术
在显示技术领域,通常通过干法刻蚀工艺对玻璃基板进行刻蚀,以制作相应的图形。干法刻蚀是一种利用等离子体进行薄膜刻蚀的技术。现有技术中干法刻蚀设备包括:反应腔、位于反应腔内的上部电极和下部电极,所述下部电极用于载置待刻蚀的玻璃基板;在具体实施时,将待刻蚀的玻璃基置于下部电极上,反应腔内通入等离子气体,将反应腔密闭,为上部电极和下部电极施加电压,二者之间形成电势差,从而促使等离子体向玻璃基板运动,对玻璃基板进行刻蚀。
上部电极是干法刻蚀设备的主要部件。现有技术中上部电极主要为铝基板加工很多通气孔,在铝基板表面和通气孔内进行阳极氧化形成氧化铝绝缘膜,达到绝缘阴极耐蚀效果。
但本申请的发明人在实现本申请实施例的过程中,发现上述技术至少存在如下技术问题:上部电极上的通气孔的孔径一般在0.6-1.2mm,现在技术是消耗母材铝基板进行表面阳极处理,形成氧化铝绝缘膜。在干法刻蚀工艺过程中,该层氧化铝绝缘膜会被消耗,无法起到绝缘功能,导致母材铝裸露,干法刻蚀设备出现异常放电,产品会产生不良。产生这种现象后需要将氧化铝绝缘膜从母材铝上剥离,再次消耗母材铝进行阳极氧化形成新的氧化铝绝缘膜。这样反复进行,母材上通气孔孔径会变大,每次孔径的变化量在0.05-0.1mm,随着重复剥离和阳极氧化,母材消耗越多,孔径越大,通过通气孔进入反应腔的工艺气体的分布和速率发生变化,导致干法刻蚀工艺不稳定,会直接影响产品性能,当通气孔孔径大于1.2mm以上,干法刻蚀工艺就不再适用了,这个上部电极就报废,需要换新的上部电极。因此,现有技术中上部电极的通气孔的孔径变化导致干法刻蚀工艺异常时有发生,干法刻蚀工艺不稳定,产品性能不稳定,同时上部电极的使用次数有限,报废价值低,使用寿命短。
发明内容
为了弥补已有技术的缺陷,本发明提供一种干法刻蚀设备的上部电极及干法刻蚀设备,解决了现有技术中上部电极的通气孔孔径变化导致干法刻蚀工艺不稳定的技术问题,可以保持上部电极通气孔孔径保持稳定,保证干法刻蚀工艺稳定,产品性能稳定,提高运行周期。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现:
本发明的第一方面,提供了一种干法刻蚀设备的上部电极,包括上部电极主体和用于套合所述上部电极主体的辅助装置;所述上部电极主体包括母材,所述母材上设有多个第一通气孔;所述辅助装置包括基板,所述基板上设有与所述第一通气孔对应的第二通气孔;所述基板覆盖所述母材表面,所述第二通气孔向外延伸至所述第一通气孔内,所述基板表面及所述第二通气孔表面具有绝缘膜。
进一步地,所述辅助装置与所述上部电极主体可分离式设置。
进一步地,所述基板与所述母材具有相同的形状。
进一步地,所述辅助装置由绝缘材料制成。
进一步地,所述辅助装置由金属材料制成,所述绝缘膜通过阳极氧化工艺形成。
进一步地,所述母材为铝基板,所述母材为长方形,所述第一通气孔在所述母材上呈阵列分布。
进一步地,所述母材表面和第一通气孔内均设有氧化铝绝缘膜。
进一步地,所述母材厚度为10-15mm,所述基板的厚度控制为3-5mm。
根据本发明的另一方面,提供了干法刻蚀设备,其包括上述上部电极。
本发明具有如下有益效果:
本发明中通过在上部电极主体上套合辅助装置,在干法刻蚀过程中消耗辅助装置上的绝缘膜,而对上部电极主体的母材没有损耗,可以使上部电极主体上的通气孔的孔径保持长久的稳定形态,保证干法刻蚀工艺稳定,确保了上部电极主体的反复使用性,延长了上部电极的使用寿命,采用本申请的上部电极可极大提高运行周期,节省维护成本,并提升生产效率。
具体实施方式
本发明中所用原料、设备,若无特别说明,均为本领域的常用原料、设备;本发明中所用方法,若无特别说明,均为本领域的常规方法。
如无特殊说明,本说明书中的术语的含义与本领域技术人员一般理解的含义相同,但如有冲突,则以本说明书中的定义为准。
除非另有明确的限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义;术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中,除非另有说明,单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数;“多个”的含义是两个或两个以上。这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在,而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
为了更好的理解上述技术方案,下面将结合具体的实施例对上述技术方案进行详细的说明,实施例仅是本发明的优选实施方式,不是对本发明的限定。
正如背景技术所描述的,现有技术中存在上部电极的通气孔的孔径变化导致干法刻蚀工艺异常时有发生,干法刻蚀工艺不稳定,产品性能不稳定,同时上部电极的使用次数有限,报废价值低,使用寿命短的问题。为了解决上述技术问题,本发明提供了一种干法刻蚀设备的上部电极和干法刻蚀设备,可以保持上部电极通气孔孔径保持稳定,保证干法刻蚀工艺稳定,产品性能稳定,提高运行周期。
本申请实施例中的技术方案为解决上述技术问题,总体思路如下:
第一方面,本发明提供了一种干法刻蚀设备的上部电极,包括上部电极主体和用于套合所述上部电极主体的辅助装置;所述上部电极主体包括母材,所述母材上设有多个第一通气孔;所述辅助装置包括基板,所述基板上设有与所述第一通气孔对应的第二通气孔;所述基板覆盖所述母材表面,所述第二通气孔向外延伸至所述第一通气孔内,所述基板表面及所述第二通气孔表面具有绝缘膜。
可以理解,当该辅助装置套合于该上部电极主体上时,辅助装置的基板覆盖在母材的表面,第二通气孔嵌套入第一通气孔中。本申请中,通过将辅助装置上的第二通气孔嵌套设置在所述第一通气孔内,实现对上部电极主体上通气孔的覆盖。
本发明中通过在上部电极主体上套合辅助装置,在干法刻蚀过程中消耗辅助装置上的绝缘膜,而对上部电极主体的母材没有损耗,可以使上部电极主体上的通气孔的孔径保持长久的稳定形态,保证干法刻蚀工艺稳定,确保了上部电极主体的反复使用性,延长了上部电极的使用寿命,采用本申请的上部电极可极大提高运行周期,节省维护成本,并提升生产效率。
可以理解,本申请实施例中,所述辅助装置与所述上部电极主体可分离式设置。在辅助装置上的绝缘膜被消耗后,更换具有绝缘膜的辅助装置即可,,节省维护成本,并提升生产效率。
本申请实施例中,所述第二通气孔贯穿所述基板且向外延伸形成连接管,所述连接管嵌套设置在所述第一通气孔内。
本申请实施例中,所述基板与所述母材具有相同的形状。本申请实施例中,所述基板的形状均参照上部电极主体中母材进行设计,如本实施例中所述母材为长方形,其上呈矩形阵列分布有多个第一通气孔,那么基板的形状与上部电极主体的基板的形状相适应,其大小基本保持一致,即基板覆盖于上部电极主体的母材上面,可以实现全覆盖。
所述基板上设有贯穿其厚度方向上下表面的第二通气孔,第二通气孔的设置位置以及孔径大小也是根据上部电极主体上第一通气孔来设计,只需满足如下调节即可,当辅助装置正对放置在上部电极主体上时,第二通气孔与第一通气孔能实现一一对应,且第二通气孔与第一通气孔的轴线一致,其二者同轴设置。
本申请实施例中,对第二通气孔的形状不作特别限定,可以为圆形孔或方形孔,也可以根据需要设置为其它形状的通气孔。
可以理解,所述第一通气孔的孔径大于第二通气孔的孔径,其具体相差多少则根据需要而定,本申请不作具体限定。
本申请实施例中,所述辅助装置可以由绝缘材料制成,所述绝缘膜可以直接由所述绝缘材料形成。由于辅助装置由绝缘材料制成,本身绝缘,不再需要增加新的绝缘膜。
本申请中对绝缘材料的种类不作特别限定,可以为现有技术中公开的可适用于制备基板的任何一种绝缘材料。优选地,所述辅助装置由陶瓷制成,陶瓷本身具有非常优异的绝缘性能和耐酸碱腐蚀等特点,加上陶瓷表面易加工成比较光滑平整的特性;更优选地,所述辅助装置由Y2O3制成,采用Y2O3按模具一次成型,Y2O3材质本身绝缘,耐腐蚀。
本申请实施例中,所述辅助装置还可以由金属材料制成,作为优选,所述金属材料为纯铝,但不局限于此,也可以是其他未列举在本实施例中的但被本领域技术人员所熟知的金属材料。
所述辅助装置由金属材料制成时,需要在辅助装置上制作绝缘膜本申请对形成绝缘膜的方法不作特别限定,可以采用现有技术中本领域技术人员所熟知的各种方法,作为举例,可以采用阳极氧化工艺形成绝缘膜,还可以采用熔射喷涂工艺形成绝缘膜。
本申请实施例中,对所述上部电极主体的具体结构不作特别限定,其为现有技术中采用的上部电极。具体来说,所述母材为铝基板,所述母材为长方形,所述第一通气孔贯穿所述母材,所述第一通气孔在所述母材上呈阵列分布,所述母材表面和第一通气孔内均设有氧化铝绝缘膜。
本申请实施例中,所述母材厚度为10-15mm,更优选地,所述母材的厚度为12mm。所述基板的厚度控制为3-5mm。
第二方面,本发明提供了干法刻蚀设备,其包括上述上部电极。
以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制,但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案,均应落在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种干法刻蚀设备的上部电极,其特征在于,其包括上部电极主体和用于套合所述上部电极主体的辅助装置;所述上部电极主体包括母材,所述母材上设有多个第一通气孔;所述辅助装置包括基板,所述基板上设有与所述第一通气孔对应的第二通气孔;所述基板覆盖所述母材表面,所述第二通气孔向外延伸至所述第一通气孔内,所述基板表面及所述第二通气孔表面具有绝缘膜。
2.如权利要求1所述的干法刻蚀设备的上部电极,其特征在于,所述辅助装置与所述上部电极主体可分离式设置。
3.如权利要求1所述的干法刻蚀设备的上部电极,其特征在于,所述基板与所述母材具有相同的形状。
4.如权利要求1所述的干法刻蚀设备的上部电极,其特征在于,所述辅助装置由绝缘材料制成。
5.如权利要求1所述的干法刻蚀设备的上部电极,其特征在于,所述辅助装置由金属材料制成,所述绝缘膜通过阳极氧化工艺形成。
6.如权利要求1所述的干法刻蚀设备的上部电极,其特征在于,所述母材为铝基板,所述母材为长方形,所述第一通气孔在所述母材上呈阵列分布。
7.如权利要求1所述的干法刻蚀设备的上部电极,其特征在于,所述母材表面和第一通气孔内均设有氧化铝绝缘膜。
8.如权利要求1所述的干法刻蚀设备的上部电极,其特征在于,所述母材厚度为10-15mm,所述基板的厚度控制为3-5mm。
9.一种干法刻蚀设备,其特征在于,其包括权利要求1-9任一项所述的上部电极。
CN202010098825.7A 2020-02-18 2020-02-18 一种干法刻蚀设备的上部电极及干法刻蚀设备 Pending CN111243933A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010098825.7A CN111243933A (zh) 2020-02-18 2020-02-18 一种干法刻蚀设备的上部电极及干法刻蚀设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010098825.7A CN111243933A (zh) 2020-02-18 2020-02-18 一种干法刻蚀设备的上部电极及干法刻蚀设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111243933A true CN111243933A (zh) 2020-06-05

Family

ID=70876465

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010098825.7A Pending CN111243933A (zh) 2020-02-18 2020-02-18 一种干法刻蚀设备的上部电极及干法刻蚀设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111243933A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114284127A (zh) * 2021-12-16 2022-04-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种电极固定底座

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08227874A (ja) * 1995-02-21 1996-09-03 Mitsubishi Electric Corp 真空処理装置および真空処理方法
US20120222815A1 (en) * 2011-03-04 2012-09-06 Mohamed Sabri Hybrid ceramic showerhead
CN103779166A (zh) * 2014-01-17 2014-05-07 北京京东方光电科技有限公司 一种刻蚀设备反应腔的电极和刻蚀设备
CN106340434A (zh) * 2015-07-10 2017-01-18 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和喷淋头
CN207159098U (zh) * 2017-08-10 2018-03-30 重庆臻宝实业有限公司 上部电极熔射辅助装置
US20190019657A1 (en) * 2017-07-11 2019-01-17 The Japan Steel Works, Ltd. Atomic layer deposition apparatus
US20190032211A1 (en) * 2017-07-28 2019-01-31 Lam Research Corporation Monolithic ceramic gas distribution plate
US20190245174A1 (en) * 2018-02-08 2019-08-08 Contemporary Amperex Technology Co., Limited One-way valve, top cover component, box and battery module
CN209708939U (zh) * 2019-06-25 2019-11-29 重庆臻宝实业有限公司 蚀刻用上部电极
JP2019220623A (ja) * 2018-06-21 2019-12-26 東京エレクトロン株式会社 シャワーヘッドおよびプラズマ処理装置

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08227874A (ja) * 1995-02-21 1996-09-03 Mitsubishi Electric Corp 真空処理装置および真空処理方法
US20120222815A1 (en) * 2011-03-04 2012-09-06 Mohamed Sabri Hybrid ceramic showerhead
CN103779166A (zh) * 2014-01-17 2014-05-07 北京京东方光电科技有限公司 一种刻蚀设备反应腔的电极和刻蚀设备
CN106340434A (zh) * 2015-07-10 2017-01-18 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和喷淋头
US20190019657A1 (en) * 2017-07-11 2019-01-17 The Japan Steel Works, Ltd. Atomic layer deposition apparatus
US20190032211A1 (en) * 2017-07-28 2019-01-31 Lam Research Corporation Monolithic ceramic gas distribution plate
CN207159098U (zh) * 2017-08-10 2018-03-30 重庆臻宝实业有限公司 上部电极熔射辅助装置
US20190245174A1 (en) * 2018-02-08 2019-08-08 Contemporary Amperex Technology Co., Limited One-way valve, top cover component, box and battery module
JP2019220623A (ja) * 2018-06-21 2019-12-26 東京エレクトロン株式会社 シャワーヘッドおよびプラズマ処理装置
CN209708939U (zh) * 2019-06-25 2019-11-29 重庆臻宝实业有限公司 蚀刻用上部电极

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114284127A (zh) * 2021-12-16 2022-04-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种电极固定底座
CN114284127B (zh) * 2021-12-16 2023-07-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种电极固定底座

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101098990B (zh) 不溶性阳极
CN111477833B (zh) 一种锂离子电池极片及其激光裁切制片方法
CN102017034A (zh) 用于铝电解电容器的电极材料和制造该电极材料的方法
JP2002117801A (ja) マルチチャネルプレートおよびその製造方法
CN111243933A (zh) 一种干法刻蚀设备的上部电极及干法刻蚀设备
KR100564106B1 (ko) 고체 산화물 연료전지의 제조방법
JP2963384B2 (ja) 電界電子放出装置の製造方法
CN1264138A (zh) 固体电解电容器的制造方法和制造装置
CN102082063A (zh) 一种用于中、低频等离子体加工设备的电极板和反应腔室
JP4992522B2 (ja) コンデンサ用電極箔及びそれを用いたコンデンサ
CN1988101A (zh) 一种场发射阴极的制备方法
KR101501649B1 (ko) Cnt-모재 복합구조를 가지는 전기도금 또는 전해용 양극의 제조방법
CN102751505A (zh) 一种铅酸蓄电池极板板栅
JPH0826470B2 (ja) 銅メッキ液とこれを用いる電解銅箔の製造方法
WO2009084893A2 (en) Manufacturing method of porous metal electrode for molten carbonate fuel cells using dry process
JP2007042789A (ja) 電解コンデンサ用電極箔の作製方法
JP2008159922A (ja) 電解コンデンサ用アルミニウム電極箔の製造方法
KR101406550B1 (ko) 전기주조용 모판, 그 제조방법 및 이를 이용한 금속지지체 제조방법
JPH08106852A (ja) ガス放電パネルの陰極およびその形成方法
CN212910266U (zh) 高频盲孔金属基板用化学镀金挂篮
JP2006092765A (ja) 画像表示装置用金属部材の製造方法
CN204289360U (zh) 一种用于平行束离子源的阳极装置
KR100430590B1 (ko) 샌드블라스팅 식각 속도가 다른 후막을 이용한 플라즈마디스플레이 소자의 후면판 격벽의 제조방법
KR20010003083A (ko) 다 단계로 양극화된 알루미나 주형에 탄소나노튜브를 합성하는 방법 및 이 방법에 의해 합성된 탄소나노튜브의 용도
KR20210126299A (ko) 알루미늄 디퓨저의 양극산화피막 형성방법 및 그에 의해 제조된 산화피막이 형성된 알루미늄 디퓨저

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200605

RJ01 Rejection of invention patent application after publication