CN209708939U - 蚀刻用上部电极 - Google Patents
蚀刻用上部电极 Download PDFInfo
- Publication number
- CN209708939U CN209708939U CN201920965716.3U CN201920965716U CN209708939U CN 209708939 U CN209708939 U CN 209708939U CN 201920965716 U CN201920965716 U CN 201920965716U CN 209708939 U CN209708939 U CN 209708939U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ceramic tube
- mounting hole
- base material
- etching
- upper electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本实用新型公开了一种蚀刻用上部电极，包括母材，所述母材上具有均匀分布的安装孔，所述安装孔竖直设置，且贯穿母材的上下表面，所述安装孔内以螺纹配合方式安装有陶瓷管，所述陶瓷管具有沿轴向设置的气孔，所述气孔上下两端敞口，所述陶瓷管覆盖安装孔的内孔壁，且陶瓷管与安装孔的下端齐平。利用陶瓷管替代传统的氧化绝缘及熔射工艺，避免出现涂层分离，产生颗粒粉尘等问题，延长母材使用寿命，同时提高上部电极的拆装效率。
Description
技术领域
本实用新型涉及半导体制造设备领域，具体涉及一种蚀刻用上部电极。
背景技术
等离子气体喷射蚀刻装置主要用于蚀刻玻璃基板，现有技术在蚀刻过程中，玻璃基板位于操作平台上，通过气体喷射蚀刻使得玻璃表面形成细小回路，气体喷射通常依靠上部电极完成，现有上部电极板主要由母材构成，在母材上设气孔，并对母材表面进行氧化绝缘处理，及对气孔进行熔射处理，形成两层保护，然而上述的两种涂层边界在长时间工作后容易发生边界分离或颗粒脱落等问题，其次气孔内壁附着力低的涂层也容易脱落产生粉尘颗粒，并且，在熔射前的喷砂处理过程中，表面的阳极氧化层也极易受到破坏，严重时甚至会导致电弧击穿等问题发生，当一个气孔遭到破坏时，则难以保证喷气的均匀性，需要将整块上部电极板进行更换，大大增加了耗材成本，同时，气孔产生的颗粒粉尘也会降低蚀刻成品的质量。
实用新型内容
为解决上述问题，本实用新型提供了一种蚀刻用上部电极，以延长上部电极的使用寿命，同时防止蚀刻过程中产生粉尘颗粒，提高蚀刻成品质量。
为实现上述目的，本实用新型技术方案如下：
一种蚀刻用上部电极，包括母材，其关键在于：所述母材上具有均匀分布的安装孔，所述安装孔竖直设置，且贯穿母材的上下表面，所述安装孔内以螺纹配合方式安装有陶瓷管，所述陶瓷管具有沿轴向设置的气孔，所述气孔上下两端敞口，所述陶瓷管覆盖安装孔的内孔壁，且陶瓷管与安装孔的下端齐平。
采用以上结构，通过陶瓷管形成气孔，替代传统的氧化绝缘及熔射工艺，从而避免气孔壁脱落产生粉尘颗粒等问题，蚀刻完成之后，也不用进行清洗操作，即使局部陶瓷管异常时，只需局部更换即可，母材则可持续使用，相对延长了母材的使用寿命，且陶瓷管与安装孔螺纹配合，可大大提高拆装效率，特别便于后期保养更换。
作为优选：所述陶瓷管上端端部具有水平向外延伸的翻边，所述翻边与母材的下表面紧贴。采用上述方案，可对安装孔上端周围的母材表面进行保护，形成绝缘保护区域，弱化蚀刻过程中对母材表面的损伤，同时可对陶瓷管与安装孔的螺纹配合部位起到保护作用，防止蚀刻气体侵入螺纹间隙中，对母材造成损伤，导致连接不稳定、或寿命缩短等问题发生。
作为优选：所述安装孔与陶瓷管之间的配合面内填充有胶水。采用以上方案，首先提高了陶瓷管安装的稳定性，防止运输或安装导致陶瓷管松动，其次可对二者螺纹配合的间隙进行堵塞密封，防止有蚀刻气体侵入，对母材造成损伤。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：
采用本实用新型提供的蚀刻用上部电极，利用陶瓷管替代传统的氧化绝缘及熔射工艺，避免出现涂层分离，产生颗粒粉尘等问题，延长母材使用寿命，同时提高上部电极的拆装效率。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图；
图2为母材结构示意图；
图3为陶瓷管结构示意图。
具体实施方式
以下结合实施例和附图对本实用新型作进一步说明。
参考图1至图3所示的蚀刻用上部电极，其主要包括母材1，母材1为传统的30或50铝材，母材1上根据传统上部电极的结构加工有安装孔10，安装孔10的位置与原有结构中的喷气孔位置相互对应，并在母材1上均匀分布，安装孔10贯穿母材1的上下表面，且沿母材1的厚度方向竖直设置，其孔壁上加工有内螺纹。
安装孔10内安装有陶瓷管2，陶瓷管2由陶瓷制成，本实施例中陶瓷管2上具有与安装孔10螺纹配合的外螺纹，其通过螺纹配合的方式可拆卸地安装于安装孔10内，如图所示，陶瓷管2大体呈柱状结构，其内具有与安装孔10同轴设置的气孔20，气孔20的上下两端敞口，陶瓷管2可覆盖安装孔10的所有内控壁，且其下端与安装孔10的下端齐平。
如图所示，陶瓷管2的下端端部具有向外水平延伸的翻边21，翻边21与母材1的下表面平行设置，当陶瓷管2的上端与安装孔10的下端齐平时，翻边21与母材1的下表面紧贴，从而实现对螺纹配合部位的密封遮挡，此外，本实施例中气孔20的下端呈喇叭状，以扩大喷射范围。
参考图1至图3所示的蚀刻用上部电极，安装时，先在陶瓷管2的外螺纹上均匀涂抹耐高温胶水，然后从母材1的下表面将陶瓷管2旋入对应的安装孔10中，并对多余胶水进行清理，防止胶水附着在母材1表面，在蚀刻过程中产生粉尘颗粒，通过胶水对陶瓷管2的安装螺纹间隙进行再次密封，同时提高连接强度。
最后需要说明的是，上述描述仅仅为本实用新型的优选实施例，本领域的普通技术人员在本实用新型的启示下，在不违背本实用新型宗旨及权利要求的前提下，可以做出多种类似的表示，这样的变换均落入本实用新型的保护范围之内。
Claims (3)
1.一种蚀刻用上部电极，包括母材(1)，其特征在于：所述母材(1)上具有均匀分布的安装孔(10)，所述安装孔(10)竖直设置，且贯穿母材(1)的上下表面，所述安装孔(10)内以螺纹配合方式安装有陶瓷管(2)，所述陶瓷管(2)具有沿轴向设置的气孔(20)，所述气孔(20)上下两端敞口，所述陶瓷管(2)覆盖安装孔(10)的内孔壁，且陶瓷管(2)与安装孔(10)的下端齐平。
2.根据权利要求1所述的蚀刻用上部电极，其特征在于：所述陶瓷管(2)上端端部具有水平向外延伸的翻边(21)，所述翻边(21)与母材(1)的下表面紧贴。
3.根据权利要求1所述的蚀刻用上部电极，其特征在于：所述安装孔(10)与陶瓷管(2)之间的配合面内填充有胶水。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920965716.3U CN209708939U (zh) | 2019-06-25 | 2019-06-25 | 蚀刻用上部电极 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201920965716.3U CN209708939U (zh) | 2019-06-25 | 2019-06-25 | 蚀刻用上部电极 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN209708939U true CN209708939U (zh) | 2019-11-29 |
Family
ID=68650970
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201920965716.3U Active CN209708939U (zh) | 2019-06-25 | 2019-06-25 | 蚀刻用上部电极 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN209708939U (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111243933A (zh) * | 2020-02-18 | 2020-06-05 | 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 | 一种干法刻蚀设备的上部电极及干法刻蚀设备 |
| CN113436956A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-09-24 | 湖北灿睿光电科技有限公司 | 电极、干蚀刻设备和制造电极的方法 |
| CN113539772A (zh) * | 2020-04-22 | 2021-10-22 | 周业投资股份有限公司 | 上电极装置 |
| CN114326229A (zh) * | 2022-01-06 | 2022-04-12 | 重庆臻宝实业有限公司 | 一种可有效防止Arcing的下部电极结构及其安装方法 |
-
2019
- 2019-06-25 CN CN201920965716.3U patent/CN209708939U/zh active Active
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111243933A (zh) * | 2020-02-18 | 2020-06-05 | 信利(仁寿)高端显示科技有限公司 | 一种干法刻蚀设备的上部电极及干法刻蚀设备 |
| CN113539772A (zh) * | 2020-04-22 | 2021-10-22 | 周业投资股份有限公司 | 上电极装置 |
| TWI778354B (zh) * | 2020-04-22 | 2022-09-21 | 周業投資股份有限公司 | 上電極裝置 |
| CN113436956A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-09-24 | 湖北灿睿光电科技有限公司 | 电极、干蚀刻设备和制造电极的方法 |
| CN113436956B (zh) * | 2021-08-26 | 2022-02-25 | 湖北灿睿光电科技有限公司 | 电极、干蚀刻设备和制造电极的方法 |
| CN114326229A (zh) * | 2022-01-06 | 2022-04-12 | 重庆臻宝实业有限公司 | 一种可有效防止Arcing的下部电极结构及其安装方法 |
| CN114326229B (zh) * | 2022-01-06 | 2022-09-20 | 重庆臻宝实业有限公司 | 一种可有效防止Arcing的下部电极结构及其安装方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN209708939U (zh) | 蚀刻用上部电极 | |
| CN102768934B (zh) | 用于在等离子处理室内防止等离子不受限制事件的方法 | |
| CN102418073B (zh) | 溅射腔室、预清洗腔室以及等离子体加工设备 | |
| CN102779715B (zh) | 等离子体生成用电极和等离子体处理装置 | |
| CN105536453B (zh) | 排级式双介质阻挡等离子放电盘 | |
| US20050126488A1 (en) | Plasma processing apparatus and evacuation ring | |
| US20040072426A1 (en) | Process chamber for manufacturing a smiconductor device | |
| US5851343A (en) | Protective shield around the inner edge of endpoint window in a plasma etching chamber | |
| JP2008016795A (ja) | 耐腐食性ウェーハプロセス装置およびその作製方法 | |
| JP2009246172A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US20180240649A1 (en) | Surface coating for plasma processing chamber components | |
| KR20010033569A (ko) | 에칭 방법 | |
| KR100982649B1 (ko) | 용사 코팅 방법, 이를 이용한 정전척 제조 방법 및 정전척 | |
| CN102896113A (zh) | 一种新型的双介质阻挡常压等离子体自由基清洗喷枪 | |
| KR20070066934A (ko) | 플라즈마 에칭 챔버 | |
| CN101777731A (zh) | 一种续流遮断可靠的气体放电管 | |
| CN216120192U (zh) | 栅网固定装置、栅网结构及射频离子源 | |
| CN109742008B (zh) | 高寿命电极棒 | |
| CN102034660B (zh) | 带有屏蔽陶瓷片的气体放电管 | |
| US20200365370A1 (en) | Process chamber with reduced plasma arc | |
| KR102298030B1 (ko) | 일종의 반도체 업계에 응용되는 플라즈마를 직접 기입하여 분사하는 기술 | |
| CN210349769U (zh) | 一种带遮板的电浆蚀刻反应室 | |
| CN202096838U (zh) | 防爆脉冲控制仪 | |
| JP3115638B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| CN213835522U (zh) | 一种便于检测真空磁控溅射端头气密性的结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 401326 no.66-72, sendi Avenue, Xipeng Town, Jiulongpo District, Chongqing Patentee after: Chongqing Zhenbao Technology Co.,Ltd. Address before: 401326 no.66-72, sendi Avenue, Xipeng Town, Jiulongpo District, Chongqing Patentee before: CHONGQING ZHENBAO INDUSTRIAL Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |