WO2024053395A1 - プラズマ処理装置で使用される部品、プラズマ処理装置で使用される部品の製造方法、及びプラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置で使用される部品、プラズマ処理装置で使用される部品の製造方法、及びプラズマ処理装置 Download PDF

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WO2024053395A1
WO2024053395A1 PCT/JP2023/030266 JP2023030266W WO2024053395A1 WO 2024053395 A1 WO2024053395 A1 WO 2024053395A1 JP 2023030266 W JP2023030266 W JP 2023030266W WO 2024053395 A1 WO2024053395 A1 WO 2024053395A1
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WO
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conductive
plasma processing
protrusions
processing apparatus
base material
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/030266
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English (en)
French (fr)
Inventor
泰生 ▲瀬▼口
功英 伊藤
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

Definitions

  • Exemplary embodiments of the present disclosure relate to components used in plasma processing apparatuses, methods of manufacturing components used in plasma processing apparatuses, and plasma processing apparatuses.
  • Patent Document 1 There is a technique described in Patent Document 1 as a technique for manufacturing a CVD-SiC self-supporting structure by forming a CVD-SiC film on a base material and then removing the base material.
  • the present disclosure provides a technology for reducing electrical resistance and suppressing particle generation in components used in plasma processing equipment.
  • a component used in a plasma processing apparatus in one exemplary embodiment of the present disclosure includes an electrically conductive substrate and a plurality of electrically conductive projections protruding from a surface of the electrically conductive substrate, the plurality of electrically conductive projections protruding from a surface of the electrically conductive substrate. includes a plurality of conductive protrusions that are electrically connected to each other via a conductive base material, and a surface of the conductive base material and a plurality of conductive protrusions such that a portion of each of the plurality of conductive protrusions is exposed. a Si-containing coating layer formed on the surface of the genital protrusion.
  • FIG. 2 is a diagram for explaining a configuration example of parts used in a plasma processing apparatus. It is a flowchart which shows the 1st example of the manufacturing method of parts.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the configuration of a component in each step in a first example of a method for manufacturing a component. It is a flowchart which shows an example of the process of arranging a coating layer.
  • FIG. 7 is a diagram showing an example of a component in which both the tip and side surface of each conductive protrusion are exposed. It is a flowchart which shows the 2nd example of the manufacturing method of parts.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining the configuration of a component in each step in a second example of a component manufacturing method.
  • FIG. 3 is a diagram showing an example of a component in which a plurality of conductive protrusions are integrated with a conductive base material. It is a flowchart which shows the 3rd example of the manufacturing method of parts. It is a figure for explaining the composition of parts in each process in the 3rd example of the manufacturing method of parts. It is a flowchart which shows an example of the process of arranging a coating layer.
  • 1 is a diagram illustrating an example of a plasma processing apparatus in one exemplary embodiment.
  • FIG. 1 is a partially enlarged cross-sectional view of a plasma processing apparatus in one exemplary embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a first arrangement example of conductive protrusions or protrusions of components on the upper surface of the top plate of the second chamber.
  • FIG. 7 is a diagram showing a second arrangement example of conductive protrusions or protrusions of components on the upper surface of the top plate of the second chamber.
  • FIG. 7 is a diagram showing a third arrangement example of conductive protrusions or protrusions of components on the upper surface of the top plate of the second chamber.
  • FIG. 7 is a diagram showing a fourth arrangement example of conductive protrusions or protrusions of components on the upper surface of the top plate of the second chamber.
  • FIG. 7 is a diagram showing a first example of arrangement of conductive protrusions or protrusions of components at the bottom of the second chamber;
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a second example of arrangement of conductive protrusions or protrusions of components at the bottom of the second chamber;
  • FIG. 7 is a diagram showing a third example of arrangement of conductive protrusions or protrusions of components at the bottom of the second chamber;
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a fourth example of arrangement of conductive protrusions or protrusions of components at the bottom of the second chamber;
  • FIG. 7 is a diagram for explaining an example of the configuration of a component when the component is applied to a second chamber.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining an example of the configuration of a plasma processing apparatus when a component is applied to a second chamber.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining an example of the configuration of a plasma processing apparatus when a component is applied to a second chamber.
  • a component for use in a plasma processing apparatus includes a conductive substrate and a plurality of conductive projections protruding from a surface of the conductive substrate, the plurality of conductive projections comprising: a conductive substrate; includes a plurality of conductive protrusions that are electrically connected to each other via a conductive base material, and a surface of the conductive base material and a plurality of conductive protrusions such that a portion of each of the plurality of conductive protrusions is exposed.
  • a Si-containing coating layer formed on a surface of a genital protrusion.
  • the conductive substrate is formed of a first material
  • the plurality of conductive projections are formed of a second material different from the first material
  • the plurality of conductive projections are formed of a second material different from the first material. Each extends into the conductive substrate.
  • the first material includes carbon and the second material includes metal.
  • the second material includes tungsten or molybdenum.
  • the plurality of conductive protrusions are integrated with the conductive substrate.
  • the conductive substrate and the plurality of conductive protrusions are formed of tungsten or molybdenum.
  • the Si-containing coating layer is formed of Si, SiC, Si 3 N 4 or SiO 2 .
  • At least one of the plurality of conductive protrusions has an exposed tip and an unexposed side.
  • At least one of the plurality of conductive protrusions has an exposed tip and side.
  • the steps of providing a conductive substrate formed of a first material and disposing a plurality of conductive protrusions on a surface of the conductive substrate the steps of:
  • the protrusions are formed of a second material different from the first material and are electrically connected to each other via a conductive base material, and a portion of each of the plurality of conductive protrusions is exposed.
  • a method for manufacturing a component used in a plasma processing apparatus comprising: forming a Si-containing coating layer on the surface of a conductive substrate and the surfaces of a plurality of conductive protrusions by CVD.
  • the first material includes carbon and the second material includes metal.
  • the second material includes tungsten or molybdenum.
  • the Si-containing coating layer is formed of Si, SiC, Si 3 N 4 or SiO 2 .
  • the steps include: providing a conductive substrate formed of a first material; forming a Si-containing coating layer on a surface of the conductive substrate by CVD; A process of attaching protrusions to a conductive base material, the plurality of conductive protrusions being formed of a second material different from the first material and electrically connected to each other via the conductive base material, the plurality of conductive protrusions being A portion of each of the conductive protrusions is exposed from the Si-containing coating layer.
  • the first material includes carbon and the second material includes metal.
  • the second material includes tungsten or molybdenum.
  • the Si-containing coating layer is formed of Si, SiC, Si 3 N 4 or SiO 2 .
  • a conductive substrate having a plurality of protrusions the conductive substrate being formed of tungsten or molybdenum; and a portion of each of the plurality of protrusions.
  • the Si-containing coating layer is formed of Si, SiC, Si 3 N 4 or SiO 2 .
  • an outer chamber a substrate support disposed within the outer chamber, a lower conductive member disposed about the substrate support and connected to a ground potential, and a substrate support disposed within the substrate support.
  • an upper conductive member disposed above and connected to ground potential;
  • an inner chamber disposed within the outer chamber to define a processing space for processing a substrate on the substrate support;
  • an RF power source configured to provide an RF signal to the substrate support to generate a plasma, the inner chamber having a conductive chamber substrate and protruding from a top surface of the conductive chamber substrate.
  • FIG. 1 is a diagram for explaining a configuration example of a component 1 used in a plasma processing apparatus.
  • component 1 includes a conductive substrate 10, a plurality of conductive protrusions 11, and a coating layer 12.
  • the conductive substrate 10 is formed of a first material that is a conductor.
  • the first material may be carbon.
  • the plurality of conductive protrusions 11 are arranged on the surface of the conductive base material 10.
  • the plurality of conductive protrusions 11 are electrically connected to each other via the conductive base material 10.
  • a first portion of each conductive protrusion 11 is disposed within the conductive substrate 10 and a second portion of each conductive protrusion 11 projects from the conductive substrate 10.
  • each conductive protrusion 11 extends into the conductive substrate 10.
  • a first portion of each conductive protrusion 11 is embedded within the conductive substrate 10.
  • a first portion of each conductive protrusion 11 is disposed in a recess formed within the conductive substrate 10.
  • the plurality of conductive protrusions 11 are formed of a second material that is a conductor.
  • the second material is different than the first material.
  • the second material may be metal.
  • the second material may be tungsten or molybdenum.
  • the second material may have a lower electrical resistance than the first material.
  • the second material may be more plasma resistant than the first material.
  • the second material may be harder than the first material.
  • the coating layer 12 is arranged (formed) on the surface of the conductive base material 10 and the surfaces of the plurality of conductive protrusions 11. In one embodiment, the coating layer 12 is arranged such that the conductive base material 10 is not exposed and a portion of each conductive protrusion 11 is exposed. In one embodiment, each conductive protrusion 11 has an exposed tip 11a that is not covered with the coating layer 12, and a side surface 11b that is covered with the coating layer 12 and is not exposed.
  • Coating layer 12 includes a Si-containing material. That is, the coating layer 12 is a Si-containing coating layer.
  • the Si- containing material may include Si, SiC, Si3N4 or SiO2 .
  • Coating layer 12 may be formed by CVD (Chemical Vapor Deposition).
  • the coating layer 12 may be a SiC film formed by CVD (CVD-SiC film).
  • coating layer 12 may be more plasma resistant than conductive substrate 10.
  • the conductive base material 10 and the conductive projections 11 may have lower electrical resistance than the coating layer 12.
  • FIG. 2 is a flowchart showing a first example of the method for manufacturing the component 1.
  • the method for manufacturing the component 1 includes a step (ST1) of providing a conductive base material 10, a step (ST2) of arranging a plurality of conductive protrusions 11 on the surface of the conductive base material 10, and a step (ST2) of providing a conductive base material 10.
  • the method includes a step (ST3) of arranging (forming) a coating layer 12 on the surface of the conductive base material 10 and the surfaces of the plurality of conductive projections 11 so that a part of the conductive projections 11 is exposed.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the configuration of the component 1 in each step of the method for manufacturing the component 1.
  • the conductive base material 10 is prepared as shown in FIG. 3(a).
  • the conductive base material 10 may be formed into a predetermined shape that corresponds to the outer shape of the component 1.
  • a plurality of conductive protrusions 11 are embedded in the surface of the conductive base material 10.
  • a plurality of holes or grooves may be formed in the conductive base material 10, and the conductive protrusions 11 may be fitted into these holes or grooves.
  • the conductive base material 10 and the conductive projections 11 may be connected to each other by a connecting means such as a screw or an adhesive.
  • a first portion of each conductive protrusion 11 is disposed within the conductive substrate 10 and a second portion of each conductive protrusion 11 projects from the conductive substrate 10.
  • the plurality of conductive protrusions 11 are electrically connected to each other via the conductive base material 10.
  • step ST3 includes a step (ST31) of forming a coating layer 12 on the surface of the conductive base material 10 and the conductive protrusions 11, and a step of forming a coating layer 12 on the surfaces of the conductive base material 10 and the conductive protrusions 11. It may include an exposing step (ST32).
  • step ST31 of one embodiment the coating layer 12 is formed on the entire surface of the conductive base material 10 and the conductive projections 11 by CVD, as shown in FIG. 3(c).
  • step ST32 of one embodiment as shown in FIG. 3(d), a portion of the coating layer 12 is scraped to expose a portion of each conductive protrusion 11. At this time, a portion of each conductive protrusion 11 may also be shaved off. The coating layer 12 and each conductive protrusion 11 may be shaved so that the upper surfaces thereof are flush with each other. Each conductive projection 11 may have an exposed tip 11a and an unexposed side surface 11b.
  • a portion of the coating layer 12 may be shaved off to expose both the tip 11a and side surface 11b of each conductive protrusion 11.
  • each conductive protrusion 11 does not need to be shaved.
  • the exposed portion of the conductive protrusion 11 can be formed into a three-dimensional shape such as a convex shape.
  • the portion of the conductive protrusion 11 corresponding to the portion where the coating layer 12 is to be removed may be coated in advance with a material from which the coating layer 12 is easily peeled off.
  • FIG. 6 is a flowchart showing a second example of the method for manufacturing the component 1.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining the configuration of the component 1 in each step in the second example of the method for manufacturing the component 1.
  • the manufacturing method of the component 1 includes a step of providing a conductive base material 10 (ST1a), a step of arranging (forming) a coating layer 12 on the surface of the conductive base material 10 (ST2a), and a plurality of conductive protrusions 11. arranging (attaching) on the surface of the conductive base material 10 (ST3a).
  • step ST1a of one embodiment as shown in FIG. 7(a), the conductive base material 10 is prepared.
  • step ST2a of one embodiment the coating layer 12 is placed on the surface of the conductive base material 10 by CVD, as shown in FIG. 7(b).
  • a plurality of conductive protrusions 11 are embedded in the surface of the conductive base material 10, as shown in FIG. 7(c).
  • a plurality of holes and grooves may be formed in the coating layer 12 and the conductive base material 10, and the conductive protrusions 11 may be fitted into these holes and grooves.
  • the conductive base material 10 and the conductive projections 11 may be connected to each other by a connecting means such as a screw or an adhesive.
  • a first portion of each conductive protrusion 11 may be disposed within the conductive substrate 10 and a second portion of each conductive protrusion 11 may protrude from the conductive substrate 10.
  • the plurality of conductive protrusions 11 are electrically connected to each other via the conductive base material 10.
  • the coating layer 12 is disposed on the surface of the conductive substrate 10 and the surfaces of the plurality of conductive protrusions 11 such that a portion of each conductive protrusion 11 is exposed.
  • the plurality of conductive protrusions 11 may be integrated with the conductive base material 10.
  • FIG. 8 is a diagram showing an example of a component in which a plurality of conductive protrusions are integrated with a conductive base material.
  • the component 1 includes a conductive base material 10 having a plurality of protrusions (conductive protrusions) 10a and a coating layer 12.
  • the plurality of protrusions 10a protrude from the main body of the conductive base material 10.
  • the plurality of protrusions 10a and the conductive base material 10 may be made of tungsten or molybdenum.
  • FIG. 9 is a flowchart showing a third example of the method for manufacturing the component 1.
  • the method for manufacturing the component 1 includes a step (ST1b) of providing a conductive base material 10 having a plurality of protrusions 10a, and a step of providing the conductive base material 10 by CVD so that a part of each protrusion 10a is exposed.
  • 10 (ST2b) FIG. 10 is a diagram for explaining the configuration of the component 1 in each step in the third example of the method for manufacturing the component 1.
  • step ST1b of one embodiment as shown in FIG. 10(a), a conductive base material 10 having a plurality of protrusions 10a is prepared.
  • step ST2b includes a step of forming a coating layer 12 on the surface of the conductive base material 10 (ST2b1) and a step of exposing a part of each protrusion 10a (ST2b2). It may be included.
  • step ST2b1 of one embodiment as shown in FIG. 10(b), the coating layer 12 is formed on the entire surface of the conductive base material 10 including the plurality of protrusions 10a by CVD.
  • step ST2b2 of one embodiment as shown in FIG. 10(c), a portion of the coating layer 12 is scraped to expose a portion of each protrusion 10a. At this time, a portion of each protrusion 10a may also be shaved off. The coating layer 12 and each protrusion 10a may be shaved so that the upper surfaces thereof are flush with each other. Each projection 10a may have an exposed tip 10b and an unexposed side surface 10c. Further, both the tip 10b and the side surface 10c of each protrusion 10a may be exposed.
  • the plasma processing equipment in which part 1 is used includes a capacitively coupled plasma (CCP) equipment, an inductively coupled plasma (ICP) equipment, and an ECR plasma (Electron-Cyclotron-resonance plasma).
  • CCP capacitively coupled plasma
  • ICP inductively coupled plasma
  • ECR plasma Electro-Cyclotron-resonance plasma
  • ma) Device helicon wave excitation It may be a plasma (HWP: Helicon Wave Plasma) device, a surface wave plasma (SWP: Surface Wave Plasma) device, or the like.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating an example of a plasma processing apparatus 50 in which component 1 in one exemplary embodiment is used.
  • FIG. 13 is a partially enlarged cross-sectional view of plasma processing apparatus 50 in one exemplary embodiment.
  • the plasma processing apparatus 50 is a capacitively coupled plasma processing apparatus.
  • the plasma processing apparatus 50 includes a first chamber 100, a second chamber 200, and a substrate support 300.
  • the first chamber 100 provides an interior space.
  • the first chamber 100 is made of a metal conductor such as aluminum.
  • the first chamber 100 is electrically grounded.
  • First chamber 100 is an example of an outer chamber.
  • the first chamber 100 includes a side wall 100s, an upper portion 100u, and a bottom portion 100f.
  • the side wall 100s may have a substantially cylindrical shape.
  • the central axis of the side wall 100s extends in the vertical direction, and is shown as the axis AX in FIG. 12.
  • a passage 100p is arranged in the side wall 100s.
  • the internal space of the first chamber 100 may be connected to the internal space of a transfer module installed outside the first chamber 100 via a passage 100p.
  • the passage 100p can be opened and closed by a gate valve 100g.
  • the substrate W can be transported between the interior space of the first chamber 100 and the exterior of the first chamber 100 via the passage 100p.
  • an opening 100o may be arranged in the side wall 100s.
  • the opening 100o has a size that allows the second chamber 200 to pass through.
  • the interior space of the first chamber 100 is connectable with the interior space of the transfer module via an opening 100o.
  • the opening 100o can be opened and closed by a gate valve 100v.
  • the second chamber 200 can be transported between the interior space of the first chamber 100 and the exterior of the first chamber 100 via the opening 100o.
  • a part of the side wall 100s may have a double structure formed from an inner wall 100i and an outer wall 100e. Inner wall 100i and outer wall 100e provide a space 100q therebetween. In one embodiment, opening 100o is formed in inner wall 100i and outer wall 100e. Gate valve 100v may be provided along inner wall 100i to open and close opening 100o.
  • the upper portion 100u may have a disk shape with the plate surface facing upward and downward.
  • the upper portion 100u extends from the upper end of the side wall 100s in a horizontal direction perpendicular to the axis AX.
  • An opening may be arranged in the upper portion 100u in a region intersecting the axis AX.
  • the first chamber 100 may further include a movable part 100m.
  • the movable part 100m may or may not be a part of the first chamber 100.
  • the movable part 100m is provided between the upper part 100u of the first chamber 100 and the second chamber 200.
  • the movable part 100m may be configured to be movable upward and downward within the first chamber 100.
  • the plasma processing apparatus 50 may further include a lift mechanism 120.
  • the lift mechanism 120 is configured to move the movable portion 100m upward and downward.
  • Lift mechanism 120 may include a drive device 120d and a shaft 120s.
  • the movable part 100m may be fixed to the shaft 120s.
  • the shaft 120s may extend upward from the movable portion 100m through an opening in the upper portion 100u.
  • the drive device 120d may be provided outside the first chamber 100.
  • drive device 120d is configured to move shaft 120s upward and downward.
  • the drive device 120d includes, for example, a motor.
  • the movable portion 100m may be configured to move upward and downward as the shaft 120s moves upward and downward.
  • the plasma processing apparatus 50 may further include a bellows 140 that is vertically expandable and retractable.
  • the bellows 140 may be arranged between the movable portion 100m and the upper portion 100u.
  • the lower end of the bellows 140 may be fixed to the movable part 100m.
  • the upper end of the bellows 140 may be fixed to the upper portion 100u.
  • the bellows 140 may separate an internal space of the first chamber 100 located outside the bellows 140 from an external space of the first chamber 100 that communicates with the inside of the bellows 140.
  • the movable part 100m may include a first member 100a and a second member 100b.
  • the first member 100a and the second member 100b may be fixed to each other.
  • the first member 100a may have a substantially disk shape.
  • the first member 100a may be made of a conductor such as aluminum.
  • the first member 100a may constitute an upper electrode in the plasma processing apparatus 50.
  • the second member 100b may have a substantially cylindrical shape.
  • the second member 100b may extend along the outer circumference of the first member 100a.
  • the second member 100b may have an upper plate with the plate surface facing upward above the first member 100a.
  • the lower end of the bellows 140 described above may be fixed to the upper plate of the second member 100b.
  • the movable part 100m may constitute a shower head together with a ceiling part 200c of the second chamber 200, which will be described later. That is, the movable part 100m may constitute a part of a shower head that supplies gas to the plasma processing space S, which will be described later.
  • the movable part 100m may have a gas diffusion chamber 100d and a plurality of gas holes 100h.
  • the gas diffusion chamber 100d may be arranged within the first member 100a.
  • a gas supply section 160 may be connected to the gas diffusion chamber 100d.
  • the gas supply section 160 may be provided outside the first chamber 100.
  • Gas supply 160 may include one or more gas sources, one or more flow controllers, and one or more valves for use in plasma processing apparatus 50.
  • Each of the one or more gas sources may be connected to the gas diffusion chamber 100d via a corresponding flow controller and a corresponding valve.
  • the plurality of gas holes 100h may extend downward from the gas diffusion chamber 100d.
  • the substrate support section 300 is arranged within the first chamber 100 and below the movable section 100m.
  • the substrate support section 300 is configured to support the substrate W on a support surface.
  • the substrate support section 300 may be supported by a support section 310 arranged below the substrate support section 300 .
  • the support portion 310 may have a substantially cylindrical shape.
  • the support portion 310 may be made of an insulator such as quartz, for example.
  • the support portion 310 may extend upward from the bottom plate 320.
  • the bottom plate 320 may be formed from a metal conductor such as aluminum.
  • the substrate support section 300 may include a lower electrode 340 and an electrostatic chuck 360.
  • the lower electrode 340 may have a substantially disk shape.
  • the central axis of the lower electrode 340 may substantially coincide with the axis AX.
  • Lower electrode 340 may be formed from a conductor such as aluminum.
  • the lower electrode 340 may have a flow path 340f therein.
  • the flow path 340f extends, for example, in a spiral shape.
  • the flow path 340f may be connected to the chiller unit 350.
  • the chiller unit 350 may be provided outside the first chamber 100.
  • Chiller unit 350 may supply refrigerant to flow path 34Of.
  • the refrigerant supplied to the flow path 340f may be returned to the chiller unit 350.
  • the plasma processing apparatus 50 may further include a first high frequency power source 410 and a second high frequency power source 420.
  • the first high frequency power source 410 is a power source (RF power source) that generates a first high frequency power (RF signal).
  • the first radio frequency power has a frequency suitable for plasma generation.
  • the frequency of the first high-frequency power may be, for example, 27 MHz or higher.
  • the first high frequency power source 410 may be electrically connected to the lower electrode 340 via a matching box 410m.
  • the matching box 410m may include a matching circuit for matching the impedance on the load side (lower electrode 340 side) of the first high frequency power source 410 to the output impedance of the first high frequency power source 410. .
  • the first high-frequency power source 410 may be connected to the upper electrode instead of the lower electrode 340 via the matching box 410m.
  • the second high frequency power source 420 is a power source (RF power source) that generates second high frequency power (RF signal).
  • the second radio frequency power has a frequency suitable for drawing ions into the substrate W.
  • the frequency of the second high frequency power may be, for example, 13.56 MHz or less.
  • the second high frequency power source 420 may be electrically connected to the lower electrode 340 via a matching box 420m.
  • the matching box 420m may include a matching circuit for matching the impedance on the load side (lower electrode 340 side) of the second high frequency power source 420 to the output impedance of the second high frequency power source 420. .
  • electrostatic chuck 360 is provided on bottom electrode 340.
  • Electrostatic chuck 360 may include a body and an electrode 360a.
  • the main body of the electrostatic chuck 360 may have a substantially disk shape.
  • the center axis of the electrostatic chuck 360 may substantially coincide with the axis AX.
  • the body of electrostatic chuck 360 may be formed from ceramic.
  • the substrate W is placed on the top surface of the main body of the electrostatic chuck 360.
  • the electrode 360a may be a film made of a conductor.
  • Electrode 360a is provided within the main body of electrostatic chuck 360.
  • the electrode 360a may be connected to a DC power source 360d via a switch 360s.
  • an electrostatic attraction is generated between the electrostatic chuck 360 and the substrate W when a voltage from the DC power source 360d is applied to the electrode 360a. Due to the generated electrostatic attraction, the substrate W is attracted to the electrostatic chuck 360 and held by the electrostatic chuck 360.
  • the plasma processing apparatus 50 may provide a gas line for supplying heat transfer gas (for example, helium gas) to the gap between the electrostatic chuck 360 and the back surface of the substrate W.
  • the substrate support section 300 may support the edge ring ER placed thereon.
  • the substrate W may be placed on the electrostatic chuck 360 within the area surrounded by the edge ring ER.
  • Edge ring ER may be made of silicon, quartz or silicon carbide, for example.
  • the plasma processing apparatus 50 may further include an insulating section 370.
  • the insulating portion 370 may be made of an insulator such as quartz.
  • the insulating portion 370 may have a substantially cylindrical shape.
  • the insulating part 370 may extend along the outer periphery of the lower electrode 340 and the outer periphery of the electrostatic chuck 360.
  • the plasma processing apparatus 50 may further include a conductor section 380.
  • the conductor portion 380 may be formed from a conductor such as aluminum.
  • the conductor portion 380 may have a substantially cylindrical shape.
  • the conductor portion 380 may be provided along the outer periphery of the substrate support portion 300.
  • the conductor portion 380 may extend in the vertical direction along the outer periphery of the insulating portion 370.
  • the conductor portion 380 may be connected to ground. In one example, the conductor portion 380 may be grounded via the bottom plate 320, the bottom portion 100f of the first chamber 100, and the like.
  • the plasma processing apparatus 50 may further include a cover ring 390.
  • Covering 390 may be formed from an insulator such as quartz. Covering 390 may have an annular shape. The cover ring 390 may be provided on the insulating part 370 and the conductor part 380 so as to be located outside the region where the edge ring ER is arranged in the radial direction.
  • the plasma processing apparatus 50 may further include a contact 400.
  • contact 400 may be electrically connected to conductor portion 380.
  • the second chamber 200 contacts the contact 400 while forming a plasma processing space S together with the substrate support 300 .
  • contacts 400 are located outside cover ring 390 and extend upwardly from conductor portion 380.
  • the contact 400 may be configured to elastically contact the second chamber 200. As shown in FIG. 13, the contact 400 may include a spring 400s. The contact 400 may further include a contact portion 400c. The spring 400s and the contact portion 400c may be electrically conductive. The lower end of the spring 400s may be fixed to the conductor portion 380. The spring 400s may extend upward from the conductor portion 380. The contact portion 400c may be fixed to the upper end of the spring 400s. The contact portion 400c may be a portion that contacts the second chamber 200.
  • the second chamber 200 is disposed within the first chamber 100 and is configured to form a plasma processing space S together with the substrate support 300.
  • the plasma processing space S may be a space where plasma is generated and the substrate W is processed.
  • the second chamber 200 may be formed of a conductor. Second chamber 200 is an example of an inner chamber.
  • the second chamber 200 may include a top portion 200c, a side portion 200s, and a bottom portion 200b.
  • the top portion 200c may have a substantially disk shape.
  • the ceiling 200c may extend horizontally above the plasma processing space S.
  • the top surface of the top portion 200c may be in contact with the bottom surface of the movable portion 100m.
  • a plurality of gas holes 200h may be arranged in the top portion 200c.
  • the plurality of gas holes 200h penetrate the top portion 200c and open toward the plasma processing space S.
  • Each of the plurality of gas holes 200h may be connected to the plurality of gas holes 100h.
  • the side portion 200s may have a substantially cylindrical shape.
  • the side portion 200s may extend in the circumferential direction on the side of the plasma processing space S.
  • the side portion 200s may extend downward from the edge of the top portion 200c and may be connected to the edge of the bottom portion 200b.
  • the bottom portion 200b may have a substantially annular shape.
  • the bottom portion 200b may extend horizontally from the lower end of the side portion 200s toward the axis AX side (center side).
  • the bottom portion 200b may be in contact with at least one of the contact 400 and the conductor portion 380.
  • the plasma processing apparatus 50 may further include an exhaust device 700.
  • the evacuation system 700 may include a pressure regulator, such as an automatic pressure control valve, and a pressure reduction pump, such as a turbomolecular pump.
  • the exhaust device 700 may be connected to the bottom 100f of the first chamber 100 below the bottom 200b.
  • the second chamber 200 may be removable from the first chamber 100.
  • the plasma processing apparatus 50 may further include a clamp 500 and a release mechanism 600.
  • Clamp 500 may be configured to releasably secure second chamber 200 to first chamber 100.
  • the release mechanism 600 may be configured to release the second chamber 200 from being fixed by the clamp 500.
  • clamp 500 releasably fixes the top portion 200c of the second chamber 200 to the movable portion 100m of the first chamber 100.
  • clamp 500 may include multiple supports 520, multiple springs 540, and multiple plates 560. Note that each of the number of supporting parts 520, the number of springs 540, and the number of plates 560 of the clamp 500 may be one.
  • Each of the plurality of support parts 520 may have a vertically long bar shape.
  • Each of the plurality of supports 520 may have a lower end 520b that protrudes horizontally from the support main body.
  • the movable part 100m of the first chamber 100 includes a plurality of cavities 100c formed on the upper surface of the first member 100a, and a plurality of holes extending downward from the cavities 100c and vertically penetrating the first member 100a. 100t may be arranged.
  • the cavity 100c may be closed by a lid 580 provided on the top surface of the first member 100a.
  • a recess 200r may be disposed on the upper surface of the ceiling 200c of the second chamber 200.
  • Each of the plurality of supports 520 may vertically penetrate the cavity 100c and the hole 100t.
  • the lower end 520b of the support portion 520 may be located in the recess 200r.
  • the recessed portion 200r may have an expanded portion (stepped portion) 200e that expands in the horizontal direction, and the expanded portion 200e may form a locking portion 200f in the recessed portion 200r.
  • the lower end portion 520b can be locked to the locking portion 200f.
  • the plate 560 may be fixed to the upper end of the support section 520. Plate 560 may be placed in cavity 100c.
  • the spring 540 may be disposed along the support portion 520 between the bottom surface of the cavity 100c and the plate 560. The spring 540 urges the plate 560 upward with respect to the movable portion 100m. As a result, the support portion 520 is urged upward, and as a result, the lower end portion 520b of the support portion 520 is pressed against the locking portion 200f of the top portion 200c, and the second chamber 200 is held and fixed to the movable portion 100m. obtain.
  • the release mechanism 600 may include an air supply.
  • the air supply device can supply air to the gap between the lid 580 and the plate 560.
  • the release mechanism 600 pushes down the plate 560 by supplying air to the gap between the lid 580 and the plate 560, thereby causing the lower end 520b of the support portion 520 to separate from the locking portion 200f of the top portion 200c.
  • the fixation between the second chamber 200 and the movable part 100m can be released.
  • the second chamber 200 can be removed from the first chamber 100 in a state in which the second chamber 200 and the movable part 100m are unlocked.
  • the component 1 may be applied to the second chamber 200.
  • the conductive protrusion 11 or protrusion 10a of the component 1 is placed on the top surface of the top 200c of the second chamber 200 as an electrical contact, and electrically connects the second chamber 200 and the movable part 100m of the first chamber 100. You can connect to At this time, the conductive protrusion 11 or the protrusion 10a may come into contact with the lower surface of the first member 100a. Further, the conductive protrusion 11 or the protrusion 10a of the component 1 may be arranged as an electrical contact on the lower surface or inner peripheral surface of the bottom portion 200b to electrically connect the second chamber 200 and the conductor portion 380. At this time, the conductive protrusion 11 or the protrusion 10a may contact at least one of the conductor portion 380 and the contact 400.
  • FIG. 14 is a diagram showing an example of the arrangement of the conductive protrusions 11 (protrusions 10a) of the component 1 on the upper surface of the top 200c of the second chamber 200.
  • the conductive protrusions 11 or the protrusions 10a may be arranged in an annular shape around the entire circumference on the top surface of the top 200c as shown in FIG. 14A, or in an annular dotted line shape as shown in FIG. 14B. Good too.
  • the conductive projections 11 or the projections 10a may be arranged concentrically on the upper surface of the top portion 200c, as shown in FIG. 14C.
  • the conductive protrusion 11 or the protrusion 10a may have an annular shape covering the entire circumference, or may have a dotted line shape.
  • the conductive projections 11 or the projections 10a may be arranged in a convex shape (pin shape) at a plurality of points on the upper surface of the top portion 200c, as shown in FIG. 14D.
  • FIG. 15 is a diagram showing an example of the arrangement of the conductive protrusions 11 (protrusions 10a) of the component 1 on the bottom 200b of the second chamber 200.
  • the conductive protrusions 11 or the protrusions 10a may be arranged in an annular shape around the entire circumference on the lower surface of the bottom portion 200b as shown in FIG. 15A, or as shown in FIG. It may be arranged in a shape.
  • the conductive projections 11 or the projections 10a may be arranged in a convex shape (pin shape) at a plurality of points on the lower surface of the bottom portion 200b, as shown in FIG. 15C.
  • the conductive protrusions 11 or the protrusions 10a may be arranged in an annular shape on the inner peripheral surface of the bottom portion 200b, as shown in FIG. 15D.
  • Plasma is generated in the plasma processing space S in the second chamber 200 shown in FIG.
  • the potential generated by the plasma generated in the plasma processing space S is grounded from the second chamber 200 through, for example, the conductor portion 380, the bottom portion 100f of the first chamber 100, and the side wall 100s. Further, the potential generated by the plasma is grounded from the second chamber 200 through, for example, the movable part 100m, the bellows 140, the upper part 100u of the first chamber 100, and the side wall 100s.
  • the component 1 may be applied to other members on the current-carrying path for grounding the potential generated by plasma in the plasma processing apparatus 50.
  • the component 1 may be applied to each member of the movable part 100m, the bellows 140, the first chamber 100, and the like.
  • the component 1 may be applied to other members constituting a plasma processing apparatus.
  • the component 1 may be applied to a shower head, a lower electrode, an electrostatic chuck, an edge ring, an upper electrode, etc.
  • the shape of the conductive base material 10 in the component 1, the number, shape, and position of the conductive protrusions 11 (protrusions 10a), the thickness of the coating layer 12, etc. are changed as appropriate depending on the member of the plasma processing apparatus to which it is applied.
  • a component 1 used in a plasma processing apparatus has a conductive substrate 10, a plurality of conductive protrusions 11, and a coating layer 12, the coating layer 12 comprising a Si-containing material. are arranged so that the conductive base material 10 is not exposed but a portion of each conductive protrusion 11 is exposed. Since the component 1 includes the conductive base material 10 and the conductive projections 11, the electrical resistance of the component 1 can be reduced. By exposing a portion of the conductive protrusion 11, the conductive protrusion 11 can be used as an electrical contact. Thereby, the component 1 can be used as a member in a current-carrying path for grounding the potential generated by plasma.
  • the conductive protrusion 11 can also be used as a part that is fixed to other parts.
  • the coating layer 12 of the Si-containing material By disposing the coating layer 12 of the Si-containing material on the surface of the component 1, generation of particles from the conductive base material 10 during plasma generation can be suppressed.
  • the strength of the component 1 can be ensured because the component 1 includes the conductive base material 10 and the conductive protrusions 11.
  • the coating layer 12 by CVD, the adhesion between the coating layer 12 and the conductive base material 10 or the conductive projections 11 is improved, and as a result, the strength of the component 1 can be increased.
  • the conductive base material 10 By forming the conductive base material 10 from carbon, the conductive base material 10 can be easily molded and electrical resistance can be reduced. Since the conductive protrusions 11 are formed of metal, which is a different material from the conductive base material 10, the carbon of the conductive base material 10 is not exposed, and generation of particles from the carbon can be suppressed. By forming the conductive protrusion 11 or the conductive base material 10 and the coating layer 12 from materials having similar coefficients of linear expansion, the strength of the component 1 against temperature fluctuations can be improved.
  • the strength of the component 1 can be increased.
  • FIG. 16 is a diagram for explaining an example of the configuration of the component 1 when the component 1 is applied to the second chamber 200 of the plasma processing apparatus 50.
  • the component 1 includes a conductive base material 10, at least one upper conductive protrusion 11-1, at least one lower conductive protrusion 11-2, and a coating layer 12 containing Si. That's fine.
  • the conductive base material 10 may include a top portion 800, an annular side wall 801, and a bottom portion 802.
  • the top portion 800 may have a substantially disk shape.
  • the annular side portion 801 may have a generally cylindrical shape.
  • the bottom portion 802 may have a substantially annular shape.
  • the bottom portion 802 may extend horizontally inwardly from the annular side portion 501. Note that a plurality of gas holes may be formed in the top portion 800 to extend through the top portion 800 in the vertical direction.
  • a plurality of exhaust holes may be formed in the bottom portion 802 to extend through the bottom portion 802 in the vertical direction.
  • One or more upper conductive protrusions 11-1 may protrude upward from the upper surface of the top portion 800 of the conductive base material 10.
  • One or more lower conductive protrusions 11-2 may protrude downward from the lower surface of the bottom portion 802 of the conductive substrate 10.
  • the coating layer 12 covers the conductive chamber base material 10, the upper conductive protrusions 11-1 and the lower conductive protrusions such that each of the upper conductive protrusions 11-1 and the lower conductive protrusions 11-2 has an exposed portion. 11-2.
  • the coating layer 12 may also be formed on the inner side surface of the gas hole in the top part 800 and the inner side surface of the exhaust hole in the bottom part 802.
  • 17 and 18 are diagrams for explaining an example of the configuration of the plasma processing apparatus 50 when the component 1 is applied to the second chamber 200 of the plasma processing apparatus 50.
  • the exposed portion of the upper conductive projection 11-1 may contact the first member 110a, which is an example of the upper conductive member.
  • the first member 100a may be connected to ground potential.
  • the exposed portion of the lower conductive protrusion 11-2 may be in contact with a contact 400 as an example of the lower conductive member.
  • Contact 400 may be connected to ground potential.
  • the exposed portion of the lower conductive projection 11-2 may be in contact with a conductor portion 380 as an example of the lower conductive member.
  • Conductor portion 380 may be connected to ground potential.
  • the gas hole in the top portion 800 may communicate with the gas hole 100h, and the exhaust hole in the bottom portion 802 may communicate with the exhaust device 700.
  • Embodiments of the present disclosure further include the following aspects.
  • a component used in a plasma processing device a conductive base material; A plurality of conductive protrusions protruding from the surface of the conductive base material, wherein the plurality of conductive protrusions are electrically connected to each other via the conductive base material.
  • a protrusion and and a Si-containing coating layer formed on the surface of the conductive base material and the surface of the plurality of conductive protrusions so that a portion of each of the plurality of conductive protrusions is exposed. Parts used.
  • the conductive base material is formed of a first material
  • the plurality of conductive protrusions are formed of a second material different from the first material, Each of the plurality of conductive protrusions extends into the conductive base material, Parts used in the plasma processing apparatus described in Supplementary Note 1.
  • the first material includes carbon, the second material includes metal; Parts used in the plasma processing apparatus described in Appendix 2.
  • the second material includes tungsten or molybdenum. Parts used in the plasma processing apparatus described in Appendix 3.
  • the conductive base material and the plurality of conductive protrusions are made of tungsten or molybdenum. Parts used in the plasma processing apparatus described in Appendix 5.
  • the Si-containing coating layer is formed of Si, SiC, Si 3 N 4 or SiO 2 .
  • At least one of the plurality of conductive protrusions has an exposed tip and an unexposed side surface.
  • At least one of the plurality of conductive protrusions has an exposed tip and side surface.
  • Appendix 10 providing a conductive substrate formed of a first material; a step of arranging a plurality of conductive protrusions on the surface of the conductive base material, the plurality of conductive protrusions being formed of a second material different from the first material; the step of being electrically connected to each other via forming a Si-containing coating layer on the surface of the conductive substrate and the surface of the plurality of conductive protrusions by CVD so that a portion of each of the plurality of conductive protrusions is exposed;
  • a method for manufacturing parts used in plasma processing equipment including:
  • the first material includes carbon, the second material includes metal; A method for manufacturing a component used in a plasma processing apparatus according to appendix 10.
  • the second material includes tungsten or molybdenum.
  • the Si-containing coating layer is formed of Si, SiC, Si 3 N 4 or SiO 2 .
  • (Appendix 14) providing a conductive substrate formed of a first material; forming a Si-containing coating layer on the surface of the conductive substrate by CVD; A step of attaching a plurality of conductive protrusions to the conductive base material, wherein the plurality of conductive protrusions are formed of a second material different from the first material, and the conductive protrusions are attached through the conductive base material. the step of being electrically connected to each other and having a portion of each of the plurality of conductive protrusions exposed from the Si-containing coating layer; A method for manufacturing parts used in plasma processing equipment, including:
  • the first material includes carbon, the second material includes metal; A method for manufacturing a component used in a plasma processing apparatus according to appendix 14.
  • the second material includes tungsten or molybdenum.
  • the Si-containing coating layer is formed of Si, SiC, Si 3 N 4 or SiO 2 .
  • a method for manufacturing parts used in plasma processing equipment including:
  • the Si-containing coating layer is formed of Si, SiC, Si 3 N 4 or SiO 2 .
  • an outer chamber (Additional note 20) an outer chamber; a substrate support disposed within the outer chamber; a lower conductive member disposed around the substrate support and connected to a ground potential; an upper conductive member disposed above the substrate support and connected to a ground potential; an inner chamber disposed within the outer chamber to define a processing space for processing a substrate on the substrate support; an RF power source configured to provide an RF signal to the substrate support to generate a plasma within the processing space;
  • the inner chamber is a conductive chamber base material; at least one upper conductive projection protruding from the top surface of the conductive chamber substrate; at least one lower conductive protrusion protruding from a lower surface of the conductive chamber base and electrically connected to the at least one upper conductive protrusion through the conductive chamber base; the conductive chamber substrate, the at least one upper conductive protrusion and the at least one lower conductive protrusion, such that each of the at least one upper conductive protrusion and the at least one lower conductive protrusion has an exposed portion

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Abstract

プラズマ処理装置において使用される部品において、電気抵抗を低減し、なおかつパーティクルの発生を抑制する技術を提供する。　プラズマ処理装置で使用される部品は、導電性基材と、導電性基材の表面から突出している複数の導電性突起であって、複数の導電性突起は、導電性基材を介して互いに電気的に接続されている、複数の導電性突起と、複数の導電性突起の各々の一部が露出するように導電性基材の表面及び複数の導電性突起の表面上に形成されるＳｉ含有コーティング層と、を含む。

Description

プラズマ処理装置で使用される部品、プラズマ処理装置で使用される部品の製造方法、及びプラズマ処理装置
　本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理装置で使用される部品、プラズマ処理装置で使用される部品の製造方法、及びプラズマ処理装置に関する。
　基材にＣＶＤ－ＳｉＣ膜を形成した後、基材を除去してＣＶＤ－ＳｉＣ自立構造体を製造する技術として、特許文献１に記載された技術がある。
特開２００１－１５８６６６号公報
　本開示は、プラズマ処理装置において使用される部品において、電気抵抗を低減し、なおかつパーティクルの発生を抑制する技術を提供する。
　本開示の一つの例示的実施形態におけるプラズマ処理装置で使用される部品は、導電性基材と、導電性基材の表面から突出している複数の導電性突起であって、複数の導電性突起は、導電性基材を介して互いに電気的に接続されている、複数の導電性突起と、複数の導電性突起の各々の一部が露出するように導電性基材の表面及び複数の導電性突起の表面上に形成されるＳｉ含有コーティング層と、を含む。
　本開示の一つの例示的実施形態によれば、プラズマ処理装置において使用される部品において、電気抵抗を低減し、なおかつパーティクルの発生を抑制する技術を提供することができる。
プラズマ処理装置で使用される部品の構成例を説明するための図である。 部品の製造方法の第１の例を示すフローチャートである。 部品の製造方法の第１の例における、各工程における部品の構成を説明するための図である。 コーティング層を配置する工程の例を示すフローチャートである。 各導電性突起の先端と側面の両方が露出している部品の例を示す図である。 部品の製造方法の第２の例を示すフローチャートである。 部品の製造方法の第２の例における、各工程における部品の構成を説明するための図である。 複数の導電性突起が導電性基材と一体化された部品の例を示す図である。 部品の製造方法の第３の例を示すフローチャートである。 部品の製造方法の第３の例における、各工程における部品の構成を説明するための図である。 コーティング層を配置する工程の例を示すフローチャートである。 一つの例示的実施形態におけるプラズマ処理装置の一例を示す図である。 一つの例示的実施形態におけるプラズマ処理装置の部分拡大断面図である。 第２のチャンバの天板上面における部品の導電性突起或いは突起の第１の配置例を示す図である。 第２のチャンバの天板上面における部品の導電性突起或いは突起の第２の配置例を示す図である。 第２のチャンバの天板上面における部品の導電性突起或いは突起の第３の配置例を示す図である。 第２のチャンバの天板上面における部品の導電性突起或いは突起の第４の配置例を示す図である。 第２のチャンバの底部における部品の導電性突起或いは突起の第１の配置例を示す図である。 第２のチャンバの底部における部品の導電性突起或いは突起の第２の配置例を示す図である。 第２のチャンバの底部における部品の導電性突起或いは突起の第３の配置例を示す図である。 第２のチャンバの底部における部品の導電性突起或いは突起の第４の配置例を示す図である。 部品が第２のチャンバに適用される場合における部品の構成の一例を説明するための図である。 部品が第２のチャンバに適用される場合におけるプラズマ処理装置の構成の一例を説明するための図である。 部品が第２のチャンバに適用される場合におけるプラズマ処理装置の構成の一例を説明するための図である。
　以下、本開示の各実施形態について説明する。
　一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置で使用される部品であって、導電性基材と、導電性基材の表面から突出している複数の導電性突起であって、複数の導電性突起は、導電性基材を介して互いに電気的に接続されている、複数の導電性突起と、複数の導電性突起の各々の一部が露出するように導電性基材の表面及び複数の導電性突起の表面上に形成されるＳｉ含有コーティング層と、を含む、プラズマ処理装置で使用される部品が提供される。
　一つの例示的実施形態において、導電性基材は、第１の材料で形成され、複数の導電性突起は、第１の材料とは異なる第２の材料で形成され、複数の導電性突起の各々は、導電性基材内まで延在している。
　一つの例示的実施形態において、第１の材料は、カーボンを含み、第２の材料は、金属を含む。
　一つの例示的実施形態において、第２の材料は、タングステン又はモリブデンを含む。
　一つの例示的実施形態において、複数の導電性突起は、導電性基材と一体化されている。
　一つの例示的実施形態において、導電性基材及び複数の導電性突起は、タングステン又はモリブデンで形成されている。
　一つの例示的実施形態において、Ｓｉ含有コーティング層は、Ｓｉ，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯ２で形成される。
　一つの例示的実施形態において、複数の導電性突起のうちの少なくとも１つは、露出した先端と、露出しない側面とを有する。
　一つの例示的実施形態において、複数の導電性突起のうちの少なくとも１つは、露出した先端及び側面を有する。
　一つの例示的実施形態において、第１の材料で形成される導電性基材を提供する工程と、複数の導電性突起を導電性基材の表面に配置する工程であって、複数の導電性突起は、第１の材料とは異なる第２の材料で形成され、導電性基材を介して互いに電気的に接続される、工程と、複数の導電性突起の各々の一部が露出するようにＣＶＤにより導電性基材の表面及び複数の導電性突起の表面上にＳｉ含有コーティング層を形成する工程と、を含む、プラズマ処理装置で使用される部品の製造方法が提供される。
　一つの例示的実施形態の前記製造方法において、第１の材料は、カーボンを含み、第２の材料は、金属を含む。
　一つの例示的実施形態において、第２の材料は、タングステン又はモリブデンを含む。
　一つの例示的実施形態において、Ｓｉ含有コーティング層は、Ｓｉ，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯ２で形成される。
　一つの例示的実施形態において、第１の材料で形成される導電性基材を提供する工程と、ＣＶＤにより導電性基材の表面上にＳｉ含有コーティング層を形成する工程と、複数の導電性突起を導電性基材に取り付ける工程であって、複数の導電性突起は、第１の材料とは異なる第２の材料で形成され、導電性基材を介して互いに電気的に接続され、複数の導電性突起の各々の一部は、Ｓｉ含有コーティング層から露出する、前記工程と、を含む、プラズマ処理装置で使用される部品の製造方法が提供される。
　一つの例示的実施形態の前記製造方法において、第１の材料は、カーボンを含み、第２の材料は、金属を含む。
　一つの例示的実施形態において、第２の材料は、タングステン又はモリブデンを含む。
　一つの例示的実施形態において、Ｓｉ含有コーティング層は、Ｓｉ，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯ２で形成される。
　一つの例示的実施形態において、複数の突起を有する導電性基材を提供する工程であって、導電性基材がタングステン又はモリブデンで形成されている、工程と、複数の突起の各々の一部が露出するようにＣＶＤにより導電性基材の表面上にＳｉ含有コーティング層を形成する工程と、を含む、プラズマ処理装置で使用される部品の製造方法が提供される。
　一つの例示的実施形態の前記製造方法において、Ｓｉ含有コーティング層は、Ｓｉ，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯ２で形成される。
　一つの例示的実施形態において、外側チャンバと、外側チャンバ内に配置される基板支持部と、基板支持部の周囲に配置され、接地電位に接続される下側導電性部材と、基板支持部の上方に配置され、接地電位に接続される上側導電性部材と、基板支持部上の基板を処理するための処理空間を規定するように外側チャンバ内に配置される内側チャンバと、処理空間内にプラズマを生成するためにＲＦ信号を基板支持部に供給するように構成されるＲＦ電源と、を備え、内側チャンバは、導電性チャンバ基材と、前記導電性チャンバ基材の上面から突出している少なくとも１つの上側導電性突起と、前記導電性チャンバ基材の下面から突出しており、前記導電性チャンバ基材を介して前記少なくとも１つの上側導電性突起と電気的に接続される少なくとも１つの下側導電性突起と、前記少なくとも１つの上側導電性突起及び前記少なくとも１つの下側導電性突起の各々が露出部分を有するように前記導電性チャンバ基材、前記少なくとも１つの上側導電性突起及び前記少なくとも１つの下側導電性突起の表面上に形成されるＳｉ含有コーティング層と、を含み、前記少なくとも１つの上側導電性突起の露出部分は、前記上側導電性部材と接触しており、前記少なくとも１つの下側導電性突起の露出部分は、前記下側導電性部材と接触している、プラズマ処理装置。が提供される。
　以下、図面を参照して、本開示の各実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づいて上下左右等の位置関係を説明する。図面の寸法比率は実際の比率を示すものではなく、また、実際の比率は図示の比率に限られるものではない。
＜プラズマ処理装置で使用される部品の一例＞
　図１は、プラズマ処理装置で使用される部品１の構成例を説明するための図である。一実施形態において、部品１は、導電性基材１０と、複数の導電性突起１１と、コーティング層１２を含む。
　一実施形態において、導電性基材１０は、導体である第１の材料で形成されている。第１の材料は、カーボンであり得る。
　一実施形態において、複数の導電性突起１１は、導電性基材１０の表面に配置されている。複数の導電性突起１１は、導電性基材１０を介して互いに電気的に接続されている。各導電性突起１１の第１の部分は、導電性基材１０内に配置され、各導電性突起１１の第２の部分は、導電性基材１０から突出している。一実施形態において、各導電性突起１１は、導電性基材１０内まで延在している。一実施形態において、各導電性突起１１の第１の部分は、導電性基材１０内に埋め込まれている。一実施形態において、各導電性突起１１の第１の部分は、導電性基材１０内に形成された凹部に配置されている。一実施形態において、複数の導電性突起１１は、導体である第２の材料で形成されている。一実施形態において、第２の材料は、第１の材料と異なる。第２の材料は、金属であり得る。第２の材料は、タングステン又はモリブデンであり得る。第２の材料は、第１の材料よりも電気抵抗が低くてよい。第２の材料は、第１の材料よりも耐プラズマ性が高くてよい。第２の材料は、第１の材料よりも硬度が高くてよい。
　一実施形態において、コーティング層１２は、導電性基材１０の表面及び複数の導電性突起１１の表面に配置（形成）されている。一実施形態において、コーティング層１２は、導電性基材１０が露出せず、各導電性突起１１の一部が露出するように配置されている。一実施形態において、各導電性突起１１は、コーティング層１２で覆われておらず露出した先端１１ａと、コーティング層１２で覆われて露出しない側面１１ｂを有している。
　コーティング層１２は、Ｓｉ含有材料を含む。即ち、コーティング層１２は、Ｓｉ含有コーティング層である。Ｓｉ含有材料は、Ｓｉ，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯ２を含み得る。コーティング層１２は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成され得る。コーティング層１２は、ＣＶＤにより形成されたＳｉＣ膜（ＣＶＤ－ＳｉＣ膜）であり得る。一実施形態において、コーティング層１２は、導電性基材１０よりも耐プラズマ性が高くてよい。一実施形態において、導電性基材１０や導電性突起１１は、コーティング層１２よりも電気抵抗が低くてよい。
＜部品１の製造方法の第１の例＞
　図２は、部品１の製造方法の第１の例を示すフローチャートである。一実施形態において、部品１の製造方法は、導電性基材１０を提供する工程（ＳＴ１）と、複数の導電性突起１１を導電性基材１０の表面に配置する工程（ＳＴ２）と、各導電性突起１１の一部が露出するように導電性基材１０の表面及び複数の導電性突起１１の表面にコーティング層１２を配置（形成）する工程（ＳＴ３）とを含む。図３は、部品１の製造方法の各工程における部品１の構成を説明するための図である。
　一実施形態の工程ＳＴ１において、図３の（ａ）に示すように導電性基材１０が準備される。導電性基材１０は、部品１の外形となる所定形状に成形されていてよい。
　一実施形態の工程ＳＴ２において、図３の（ｂ）に示すように、複数の導電性突起１１が、導電性基材１０の表面に埋め込まれる。一実施形態において、導電性基材１０に複数の穴や溝が形成され、それらの穴や溝に導電性突起１１が嵌め込まれてよい。導電性基材１０と導電性突起１１は、ねじや接着剤などの接続手段により互いに接続されてよい。各導電性突起１１の第１の部分は、導電性基材１０内に配置され、各導電性突起１１の第２の部分は、導電性基材１０から突出している。複数の導電性突起１１は、導電性基材１０を介して互いに電気的に接続される。
　一実施形態において、図４に示すように、工程ＳＴ３は、導電性基材１０と導電性突起１１の表面にコーティング層１２を形成する工程（ＳＴ３１）と、各導電性突起１１の一部を露出させる工程（ＳＴ３２）を含んでいてよい。
　一実施形態の工程ＳＴ３１において、図３の（ｃ）に示すように、ＣＶＤにより導電性基材１０と導電性突起１１の表面の全体にコーティング層１２が形成される。
　一実施形態の工程ＳＴ３２において、図３の（ｄ）に示すように、コーティング層１２の一部が削られ、各導電性突起１１の一部が露出される。このとき、各導電性突起１１の一部も削られてよい。コーティング層１２及び各導電性突起１１は、上面が同一平面になるように削られてよい。各導電性突起１１は、露出した先端１１ａと、露出しない側面１１ｂを有してよい。
　一実施形態において、工程ＳＴ３２は、図５に示すように、コーティング層１２の一部が削られ、各導電性突起１１の先端１１ａと側面１１ｂの両方が露出してよい。このとき、各導電性突起１１は削られなくてよい。これにより、導電性突起１１の露出部分を凸状などの立体形状にすることができる。また、コーティング層１２が除去される部分に対応する導電性突起１１の部分には、コーティング層１２が剥がれやすい材料を予め被覆しておいてよい。
＜部品１の製造方法の第２の例＞
　上述の部品１の製造方法において、導電性基材１０の表面に複数の導電性突起１１を配置する前に、コーティング層１２を配置してもよい。図６は、部品１の製造方法の第２の例を示すフローチャートである。図７は、部品１の製造方法の第２の例における、各工程における部品１の構成を説明するための図である。部品１の製造方法は、導電性基材１０を提供する工程（ＳＴ１ａ）と、導電性基材１０の表面にコーティング層１２を配置（形成）する工程（ＳＴ２ａ）と、複数の導電性突起１１を導電性基材１０の表面に配置する（取り付ける）工程（ＳＴ３ａ）とを含む。
　一実施形態の工程ＳＴ１ａにおいて、図７の（ａ）に示すように、導電性基材１０が準備される。
　次に、一実施形態の工程ＳＴ２ａにおいて、図７の（ｂ）に示すように、ＣＶＤにより導電性基材１０の表面にコーティング層１２が配置される。
　次に、一実施形態の工程ＳＴ３ａにおいて、図７の（ｃ）に示すように、複数の導電性突起１１が、導電性基材１０の表面に埋め込まれる。一実施形態において、コーティング層１２や導電性基材１０に複数の穴や溝が形成され、それらの穴や溝に導電性突起１１が嵌め込まれてよい。導電性基材１０と導電性突起１１は、ねじや接着剤などの接続手段により互いに接続されてよい。各導電性突起１１の第１の部分は、導電性基材１０内に配置され、各導電性突起１１の第２の部分は、導電性基材１０から突出していてよい。複数の導電性突起１１は、導電性基材１０を介して互いに電気的に接続される。結果的に、コーティング層１２は、各導電性突起１１の一部が露出するように導電性基材１０の表面及び複数の導電性突起１１の表面に配置される。
　部品１において、複数の導電性突起１１が導電性基材１０と一体化されていてよい。図８は、複数の導電性突起が導電性基材と一体化された部品の例を示す図である。一実施形態において、部品１は、複数の突起（導電性突起）１０ａを有する導電性基材１０と、コーティング層１２を有する。複数の突起１０ａは、導電性基材１０の本体から突出している。複数の突起１０ａ及び導電性基材１０は、タングステン又はモリブデンで形成されていてよい。
＜部品１の製造方法の第３の例＞
　図９は、部品１の製造方法の第３の例を示すフローチャートである。一実施形態において、部品１の製造方法は、複数の突起１０ａを有する導電性基材１０を提供する工程（ＳＴ１ｂ）と、各々の突起１０ａの一部が露出するようにＣＶＤにより導電性基材１０の表面にコーティング層１２を配置（形成）する工程（ＳＴ２ｂ）とを含む。図１０は、部品１の製造方法の第３の例における、各工程における部品１の構成を説明するための図である。
　一実施形態の工程ＳＴ１ｂにおいて、図１０の（ａ）に示すように、複数の突起１０ａを有する導電性基材１０が準備される。
　一実施形態において、図１１に示すように、工程ＳＴ２ｂは、導電性基材１０の表面にコーティング層１２を形成する工程（ＳＴ２ｂ１）と、各突起１０ａの一部を露出させる工程（ＳＴ２ｂ２）を含んでいてよい。
　一実施形態の工程ＳＴ２ｂ１において、図１０の（ｂ）に示すように、ＣＶＤにより、複数の突起１０ａを含む導電性基材１０の表面の全体にコーティング層１２が形成される。
　一実施形態の工程ＳＴ２ｂ２において、図１０の（ｃ）に示すように、コーティング層１２の一部が削られ、各突起１０ａの一部が露出される。このとき、各突起１０ａの一部も削られてよい。コーティング層１２及び各突起１０ａは、上面が同一平面になるように削られてよい。各突起１０ａは、露出した先端１０ｂと、露出しない側面１０ｃを有するようにしてよい。また、各突起１０ａの先端１０ｂと側面１０ｃの両方が露出してもよい。
＜プラズマ処理装置５０の一例＞
　部品１が使用されるプラズマ処理装置は、容量結合プラズマ（ＣＣＰ；Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）装置、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）装置、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ　ｐｌａｓｍａ）装置、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）装置、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）装置等であってよい。図１２は、一つの例示的実施形態における部品１が使用されるプラズマ処理装置５０の一例を示す図である。図１３は、一つの例示的実施形態におけるプラズマ処理装置５０の部分拡大断面図である。一実施形態において、プラズマ処理装置５０は、容量結合型のプラズマ処理装置である。一実施形態において、図１２に示すように、プラズマ処理装置５０は、第１のチャンバ１００と、第２のチャンバ２００と、基板支持部３００を備える。
　一実施形態において、第１のチャンバ１００は、内部空間を提供している。第１のチャンバ１００は、アルミニウムなどの金属の導体で形成されている。第１のチャンバ１００は、電気的に接地されている。第１のチャンバ１００は、外側チャンバの一例である。
　一実施形態において、第１のチャンバ１００は、側壁１００ｓ、上部１００ｕ、底部１００ｆを含む。側壁１００ｓは、略円筒形状を有していてよい。側壁１００ｓの中心軸線は、鉛直方向に延びており、図１２においては軸線ＡＸとして示される。側壁１００ｓには、通路１００ｐが配置されている。第１のチャンバ１００の内部空間は、通路１００ｐを介して、第１のチャンバ１００の外部に設置された搬送モジュールの内部空間と接続され得る。一実施形態において、通路１００ｐは、ゲートバルブ１００ｇによって開閉可能である。基板Ｗは、第１のチャンバ１００の内部空間と第１のチャンバ１００の外部との間で通路１００ｐを介して搬送され得る。
　一実施形態において、側壁１００ｓには、開口１００ｏが配置されていてよい。開口１００ｏは、第２のチャンバ２００が通過可能な大きさを有している。一実施形態において、第１のチャンバ１００の内部空間は、開口１００ｏを介して搬送モジュールの内部空間と接続可能である。一実施形態において、開口１００ｏは、ゲートバルブ１００ｖによって開閉可能である。第２のチャンバ２００は、第１のチャンバ１００の内部空間と第１のチャンバ１００の外部との間で開口１００ｏを介して搬送され得る。
　一実施形態において、側壁１００ｓの一部は、内側壁１００ｉ及び外側壁１００ｅから形成された二重構造を有していてよい。内側壁１００ｉと外側壁１００ｅは、それらの間に空間１００ｑを提供している。一実施形態において、開口１００ｏは、内側壁１００ｉ及び外側壁１００ｅに形成されている。ゲートバルブ１００ｖは、開口１００ｏを開閉するために、内側壁１００ｉに沿って設けられていてよい。
　一実施形態において、上部１００ｕは、板面が上下に向いた円板形状を有していてよい。上部１００ｕは、側壁１００ｓの上端から軸線ＡＸに直交する水平方向に延在している。上部１００ｕには、軸線ＡＸに交差する領域において開口が配置されていてよい。
　一実施形態において、第１のチャンバ１００は、可動部１００ｍを更に含んでいてよい。可動部１００ｍは、第１のチャンバ１００の一部であっても一部でなくてもよい。一実施形態において、可動部１００ｍは、第１のチャンバ１００の上部１００ｕと第２のチャンバ２００と間に設けられている。可動部１００ｍは、第１のチャンバ１００内で上方及び下方に移動可能に構成されていてよい。
　一実施形態において、プラズマ処理装置５０は、リフト機構１２０を更に備えていてよい。リフト機構１２０は、可動部１００ｍを上方及び下方に移動させるように構成されている。リフト機構１２０は、駆動装置１２０ｄ及びシャフト１２０ｓを含み得る。可動部１００ｍは、シャフト１２０ｓに固定されていてよい。シャフト１２０ｓは、可動部１００ｍから上部１００ｕの開口を通って上方に延在していてよい。駆動装置１２０ｄは、第１のチャンバ１００の外側に設けられていてよい。一実施形態において、駆動装置１２０ｄは、シャフト１２０ｓを上方及び下方に移動させるように構成されている。駆動装置１２０ｄは、例えばモータを含む。シャフト１２０ｓの上方及び下方への移動により、可動部１００ｍは、上方及び下方に移動するようになっていてよい。
　一実施形態において、プラズマ処理装置５０は、上下に伸縮自在なベローズ１４０を更に備えていてよい。ベローズ１４０は、可動部１００ｍと上部１００ｕとの間に配置されていてよい。ベローズ１４０の下端は、可動部１００ｍに固定されてよい。ベローズ１４０の上端は、上部１００ｕに固定されていてよい。ベローズ１４０は、ベローズ１４０の外側に位置する第１のチャンバ１００の内部空間と、ベローズ１４０の内側に連通する第１のチャンバ１００の外部空間とを分離していてよい。
　一実施形態において、可動部１００ｍは、第１の部材１００ａ及び第２の部材１００ｂを含んでいてよい。第１の部材１００ａと第２の部材１００ｂは、互いに固定されていてよい。第１の部材１００ａは、略円板形状を有していてよい。第１の部材１００ａは、アルミニウムなどの導体から形成されていてよい。第１の部材１００ａは、プラズマ処理装置５０において上部電極を構成し得る。第２の部材１００ｂは、略円筒形状を有していてよい。第２の部材１００ｂは、第１の部材１００ａの外周に沿って延在してよい。第２の部材１００ｂは、第１の部材１００ａの上方において、板面が上に向いた上板を有していてよい。上述したベローズ１４０の下端は、第２の部材１００ｂの上板に固定されていてよい。
　一実施形態において、可動部１００ｍは、第２のチャンバ２００の後述する天部２００ｃと共にシャワーヘッドを構成してもよい。即ち、可動部１００ｍは、後述するプラズマ処理空間Ｓにガスを供給するシャワーヘッドの一部を構成していてもよい。この実施形態において、可動部１００ｍは、ガス拡散室１００ｄ及び複数のガス孔１００ｈを有していてよい。
　一実施形態において、ガス拡散室１００ｄは、第１の部材１００ａ内に配置されていてよい。ガス拡散室１００ｄには、ガス供給部１６０が接続されていてよい。ガス供給部１６０は、第１のチャンバ１００の外部に設けられていてよい。ガス供給部１６０は、プラズマ処理装置５０において用いられる一つ以上のガスのソース、一つ以上の流量制御器、及び一つ以上のバルブを含み得る。一つ以上のガスのソースの各々は、対応の流量制御器及び対応のバルブを介して、ガス拡散室１００ｄに接続されていてよい。複数のガス孔１００ｈは、ガス拡散室１００ｄから下方に延びていてよい。
　一実施形態において、基板支持部３００は、第１のチャンバ１００内、且つ、可動部１００ｍの下方に配置されている。基板支持部３００は、支持面上に基板Ｗを支持するように構成されている。基板支持部３００は、基板支持部３００の下方に配置された支持部３１０によって支持されていてもよい。支持部３１０は、略円筒形状を有していてよい。支持部３１０は、例えば石英などの絶縁体から形成されていてよい。支持部３１０は、底板３２０から上方に延在していてもよい。底板３２０は、アルミニウムなどの金属の導体から形成され得る。
　基板支持部３００は、下部電極３４０及び静電チャック３６０を含んでいてよい。下部電極３４０は、略円盤形状を有していてよい。下部電極３４０の中心軸線は、軸線ＡＸに略一致していてよい。下部電極３４０は、アルミニウムなどの導体から形成されていてよい。下部電極３４０は、その内部に流路３４０ｆを有していてよい。流路３４０ｆは、例えば渦巻き状に延在している。流路３４０ｆは、チラーユニット３５０に接続されていてよい。チラーユニット３５０は、第１のチャンバ１００の外部に設けられていてよい。チラーユニット３５０は、冷媒を流路３４０ｆに供給し得る。流路３４０ｆに供給された冷媒は、チラーユニット３５０に戻され得る。
　プラズマ処理装置５０は、第１の高周波電源４１０及び第２の高周波電源４２０を更に備えていてもよい。第１の高周波電源４１０は、第１の高周波電力（ＲＦ信号）を発生する電源（ＲＦ電源）である。一実施形態において、第１の高周波電力は、プラズマの生成に適した周波数を有する。第１の高周波電力の周波数は、例えば２７ＭＨｚ以上であってよい。一実施形態において、第１の高周波電源４１０は、整合器４１０ｍを介して下部電極３４０に電気的に接続されていてよい。一実施形態において、整合器４１０ｍは、第１の高周波電源４１０の負荷側（下部電極３４０側）のインピーダンスを第１の高周波電源４１０の出力インピーダンスに整合させるためのマッチング回路を有していてよい。なお、第１の高周波電源４１０は、下部電極３４０ではなく、上部電極に整合器４１０ｍを介して接続されていてもよい。
　第２の高周波電源４２０は、第２の高周波電力（ＲＦ信号）を発生する電源（ＲＦ電源）である。一実施形態において、第２の高周波電力は、基板Ｗへのイオンの引き込みに適した周波数を有する。第２の高周波電力の周波数は、例えば１３．５６ＭＨｚ以下であってよい。一実施形態において、第２の高周波電源４２０は、整合器４２０ｍを介して下部電極３４０に電気的に接続されてよい。一実施形態において、整合器４２０ｍは、第２の高周波電源４２０の負荷側（下部電極３４０側）のインピーダンスを第２の高周波電源４２０の出力インピーダンスに整合させるためのマッチング回路を有していてよい。
　一実施形態において、静電チャック３６０は、下部電極３４０上に設けられている。静電チャック３６０は、本体と電極３６０ａを含んでいてよい。静電チャック３６０の本体は、略円盤形状を有していてよい。静電チャック３６０の中心軸線は、軸線ＡＸと略一致していてよい。静電チャック３６０の本体は、セラミックから形成されていてよい。基板Ｗは、静電チャック３６０の本体の上面の上に載置される。電極３６０ａは、導体から形成された膜であってよい。電極３６０ａは、静電チャック３６０の本体内に設けられている。電極３６０ａは、スイッチ３６０ｓを介して直流電源３６０ｄに接続されていてよい。一実施形態において、直流電源３６０ｄからの電圧が電極３６０ａに印加されると、静電チャック３６０と基板Ｗとの間で静電引力が発生する。発生した静電引力により、基板Ｗは静電チャック３６０に引き付けられ、静電チャック３６０によって保持される。プラズマ処理装置５０は、静電チャック３６０と基板Ｗの裏面との間の間隙に、伝熱ガス（例えば、ヘリウムガス）を供給するガスラインを提供していてもよい。
　基板支持部３００は、その上に配置されるエッジリングＥＲを支持していてよい。基板Ｗは、エッジリングＥＲによって囲まれた領域内で静電チャック３６０上に載置され得る。エッジリングＥＲは、例えばシリコン、石英、又は炭化ケイ素から形成されてよい。
　プラズマ処理装置５０は、絶縁部３７０を更に備えていてもよい。絶縁部３７０は、石英などの絶縁体から形成されていてよい。絶縁部３７０は、略筒形状を有し得る。絶縁部３７０は、下部電極３４０の外周及び静電チャック３６０の外周に沿って延在していてよい。
　プラズマ処理装置５０は、導体部３８０を更に備えていてもよい。導体部３８０は、アルミニウムなどの導体から形成されてよい。導体部３８０は、略筒形状を有し得る。導体部３８０は、基板支持部３００の外周に沿って設けられていてよい。導体部３８０は、絶縁部３７０の外周に沿って上下方向に延在していてよい。導体部３８０は、グランドに接続されていてよい。一例では、導体部３８０は、底板３２０及び第１のチャンバ１００の底部１００ｆ等を介して接地されていてよい。
　プラズマ処理装置５０は、カバーリング３９０を更に備えていてもよい。カバーリング３９０は、石英などの絶縁体から形成されていてよい。カバーリング３９０は、環状の形状を有し得る。カバーリング３９０は、径方向においてエッジリングＥＲが配置される領域の外側に位置するように、絶縁部３７０及び導体部３８０上に設けられていてよい。
　プラズマ処理装置５０は、コンタクト４００を更に備えていてもよい。一実施形態において、コンタクト４００は、導体部３８０に電気的に接続されていてよい。一実施形態において、第２のチャンバ２００は、基板支持部３００と共にプラズマ処理空間Ｓを形成している状態で、コンタクト４００に当接する。一実施形態において、コンタクト４００は、カバーリング３９０の外側に配置されており、導体部３８０から上方に延在している。
　コンタクト４００は、第２のチャンバ２００と弾性的に接触するように構成されていてもよい。図１３に示すように、コンタクト４００は、バネ４００ｓを有していてもよい。コンタクト４００は、接触部４００ｃを更に有していてもよい。バネ４００ｓ及び接触部４００ｃは、導電性を有していてよい。バネ４００ｓの下端は、導体部３８０に固定されていてよい。バネ４００ｓは、導体部３８０から上方に延在していてよい。接触部４００ｃは、バネ４００ｓの上端に固定されていてよい。接触部４００ｃは、第２のチャンバ２００に接触する部分であってよい。
　一実施形態において、図１２に示すように、第２のチャンバ２００は、第１のチャンバ１００内に配置され、基板支持部３００と共にプラズマ処理空間Ｓを形成するように構成されている。プラズマ処理空間Ｓは、プラズマが生成され、基板Ｗが処理される空間であり得る。第２のチャンバ２００は、導体により形成されていてよい。第２のチャンバ２００は、内側チャンバの一例である。
　一実施形態において、第２のチャンバ２００は、天部２００ｃ、側部２００ｓ、底部２００ｂを含んでいてよい。天部２００ｃは、略円板形状を有していてよい。天部２００ｃは、プラズマ処理空間Ｓの上方で水平方向に延在していてよい。天部２００ｃの上面は、可動部１００ｍの下面に当接していてよい。天部２００ｃには、複数のガス孔２００ｈが配置されていてよい。複数のガス孔２００ｈは、天部２００ｃを貫通しており、プラズマ処理空間Ｓに向けて開口している。複数のガス孔２００ｈはそれぞれ、複数のガス孔１００ｈに接続されていてよい。
　一実施形態において、側部２００ｓは、略円筒形状を有していてよい。側部２００ｓは、プラズマ処理空間Ｓの側方で周方向に延在していてよい。側部２００ｓは、天部２００ｃの縁部から下方に延在し、底部２００ｂに縁部に接続されていてよい。
　一実施形態において、底部２００ｂは、略円環形状を有していてよい。底部２００ｂは、側部２００ｓの下端から軸線ＡＸ側（中心側）に向かって水平方向に延在していてよい。底部２００ｂは、コンタクト４００及び導体部３８０の少なくともいずれかに当接していてよい。
　底部２００ｂには、複数の貫通孔が形成されていてよい。プラズマ処理装置５０は、排気装置７００を更に備え得る。排気装置７００は、自動圧力制御弁などの圧力調整器及びターボ分子ポンプなどの減圧ポンプを含んでいてよい。排気装置７００は、底部２００ｂの下方で、第１のチャンバ１００の底部１００ｆに接続されていてよい。
　第２のチャンバ２００は、第１のチャンバ１００から取り外し可能であってよい。一実施形態において、図１２及び図１３に示すように、プラズマ処理装置５０は、クランプ５００及び解除機構６００を更に備えていてよい。クランプ５００は、第２のチャンバ２００を、第１のチャンバ１００に解除可能に固定するように構成されていてよい。解除機構６００は、クランプ５００による第２のチャンバ２００の固定を解除するように構成されていてよい。
　一実施形態において、図１３に示すように、クランプ５００は、第２のチャンバ２００の天部２００ｃを第１のチャンバ１００の可動部１００ｍに解除可能に固定する。一実施形態において、クランプ５００は、複数の支持部５２０、複数のバネ５４０及び複数のプレート５６０を含んでいてよい。なお、クランプ５００の支持部５２０の個数、バネ５４０の個数及びプレート５６０の個数の各々は、一つであってもよい。
　複数の支持部５２０の各々は、上下に長い棒形状を有していてよい。複数の支持部５２０の各々は、支持部本体から水平方向に突出した下端部５２０ｂを有していてよい。第１のチャンバ１００の可動部１００ｍには、第１の部材１００ａの上面に形成された複数の空洞１００ｃと、当該空洞１００ｃから下方に延び、第１の部材１００ａを上下に貫通する複数の孔１００ｔが配置されていてよい。空洞１００ｃは、第１の部材１００ａの上面に設けられた蓋体５８０によって封鎖されていてよい。第２のチャンバ２００の天部２００ｃの上面には、凹部２００ｒが配置されていてよい。複数の支持部５２０の各々は、空洞１００ｃ及び孔１００ｔを上下に貫通してよい。支持部５２０の下端部５２０ｂは、凹部２００ｒに位置していてよい。凹部２００ｒは、水平方向に拡張する拡張部（段部）２００ｅを有し、拡張部２００ｅによって凹部２００ｒに係止部２００ｆが形成されていてよい。下端部５２０ｂは、係止部２００ｆに係止され得る。
　プレート５６０は、支持部５２０の上端に固定されていてよい。プレート５６０は、空洞１００ｃに配置されてよい。バネ５４０は、支持部５２０に沿って空洞１００ｃの底面とプレート５６０との間に配置されていてよい。バネ５４０は、可動部１００ｍに対してプレート５６０を上方に付勢している。これにより、支持部５２０が上方に付勢され、この結果、支持部５２０の下端部５２０ｂが天部２００ｃの係止部２００ｆに押し付けられ、第２のチャンバ２００が可動部１００ｍに保持、固定され得る。
　一実施形態において、解除機構６００は、エア供給器を備えていてよい。エア供給器は、蓋体５８０とプレート５６０との間の間隙にエアを供給し得る。解除機構６００は、蓋体５８０とプレート５６０との間の間隙にエアを供給することによって、プレート５６０を押し下げ、これによって、支持部５２０の下端部５２０ｂが天部２００ｃの係止部２００ｆから離れ、第２のチャンバ２００と可動部１００ｍとの固定が解除され得る。第２のチャンバ２００と可動部１００ｍとの固定が解除された状態において、第２のチャンバ２００を第１のチャンバ１００から取り外すことができる。
　上記プラズマ処理装置５０において、部品１は、第２のチャンバ２００に適用されてよい。部品１の導電性突起１１或いは突起１０ａが、電気接点として、第２のチャンバ２００の天部２００ｃの上面に配置され、第２のチャンバ２００と第１のチャンバ１００の可動部１００ｍとを電気的に接続してよい。このとき、導電性突起１１或いは突起１０ａは、第１の部材１００ａの下面に接触してよい。また、部品１の導電性突起１１或いは突起１０ａが、電気接点として、底部２００ｂの下面或いは内周面に配置され、第２のチャンバ２００と導体部３８０とを電気的に接続してよい。このとき、導電性突起１１或いは突起１０ａは、導体部３８０、コンタクト４００の少なくともいずれかに接触してよい。
　図１４は、第２のチャンバ２００の天部２００ｃの上面における部品１の導電性突起１１（突起１０ａ）の配置例を示す図である。導電性突起１１或いは突起１０ａは、図１４Ａに示すように、天部２００ｃの上面において、全周にわたる環状に配置されてもよいし、図１４Ｂに示すように、環状の点線状に配置されてもよい。導電性突起１１或いは突起１０ａは、図１４Ｃに示すように、天部２００ｃの上面において、同心円状に配置されてもよい。このとき、導電性突起１１或いは突起１０ａは、全周にわたる環状であっても、点線状であってもよい。導電性突起１１或いは突起１０ａは、図１４Ｄに示すように、天部２００ｃの上面において、複数点の凸形状（ピン形状）に配置されてもよい。
　図１５は、第２のチャンバ２００の底部２００ｂにおける部品１の導電性突起１１（突起１０ａ）の配置例を示す図である。導電性突起１１或いは突起１０ａは、図１５Ａに示すように、底部２００ｂの下面において、全周にわたる環状に配置されてもよいし、図１５Ｂに示すように、底部２００ｂの下面において、環状の点線状に配置されてもよい。導電性突起１１或いは突起１０ａは、図１５Ｃに示すように、底部２００ｂの下面において、複数点の凸形状（ピン形状）に配置されてもよい。導電性突起１１或いは突起１０ａは、図１５Ｄに示すように、底部２００ｂの内周面において、環状に配置されてもよい。
　図１２に示す第２のチャンバ２００内のプラズマ処理空間Ｓでプラズマが生成される。プラズマ処理空間Ｓで生成されたプラズマにより生じる電位は、第２のチャンバ２００から、例えば導体部３８０、第１のチャンバ１００の底部１００ｆ、側壁１００ｓを通じて接地される。また、プラズマにより生じる電位は、第２のチャンバ２００から、例えば可動部１００ｍ、ベローズ１４０、第１のチャンバ１００の上部１００ｕ、側壁１００ｓを通じて接地される。
　なお、部品１は、プラズマ処理装置５０において、プラズマにより生じる電位を接地するための通電経路上にある他の部材に適用してよい。部品１は、可動部１００ｍ、ベローズ１４０、第１のチャンバ１００の各部材などに適用してよい。部品１は、プラズマ処理装置を構成する他の部材に適用してよい。部品１は、シャワーヘッド、下部電極、静電チャック、エッジリング、上部電極などに適用してよい。部品１における導電性基材１０の形状、導電性突起１１（突起１０ａ）の数や形状、位置、コーティング層１２の厚みなどは、適用されるプラズマ処理装置の部材に応じて適宜変更される。
　本例示的実施形態によれば、プラズマ処理装置で使用される部品１は、導電性基材１０と、複数の導電性突起１１と、コーティング層１２を有し、コーティング層１２は、Ｓｉ含有材料を含み、導電性基材１０が露出せず各々の導電性突起１１の一部が露出するように配置されている。部品１が導電性基材１０と導電性突起１１を有することで、部品１の電気抵抗を小さくすることができる。導電性突起１１の一部が露出することで、導電性突起１１を電気接点として使用することができる。これにより、部品１を、プラズマにより生じる電位を接地するための通電経路にある部材に使用することができる。また、導電性突起１１は、他の部品との固定部分としても使用することができる。そして、部品１の表面にＳｉ含有材料のコーティング層１２を配置することで、プラズマ発生時に導電性基材１０からパーティクルが発生することを抑制することができる。部品１が導電性基材１０を有することや導電性突起１１を有することで、部品１の強度を確保することができる。また、コーティング層１２がＣＶＤで形成されることで、コーティング層１２と導電性基材１０や導電性突起１１との密着性が向上し、この結果部品１の強度を上げることができる。
　導電性基材１０がカーボンで形成されることで、導電性基材１０を成型しやすく、また電気抵抗を低減することができる。導電性突起１１が、導電性基材１０と異なる材料である金属で形成されることで、導電性基材１０のカーボンが露出せず、カーボンからパーティクルが生じることを抑制することができる。導電性突起１１或いは導電性基材１０とコーティング層１２とを線膨張率が近い材料で形成することで、温度変動に対する部品１の強度を向上することができる。
　導電性突起１１が導電性基材１０と一体化されること、すなわち、部品１が、突起１０ａを有する導電性基材１０を含むことで、部品１の強度を上げることができる。
　図１６は、部品１がプラズマ処理装置５０の第２のチャンバ２００に適用される場合における部品１の構成の一例を説明するための図である。この場合、部品１は、導電性基材１０と、少なくとも一つの上側導電性突起１１－１と、少なくとも一つの下側導電性突起１１－２と、Ｓｉを含有するコーティング層１２と、を含んでよい。
　導電性基材１０は、天部８００と、環状側壁８０１と、底部８０２を含んでよい。天部８００は、略円板形状を有してよい。環状側部８０１は、略円筒形状を有してよい。底部８０２は、略円環形状を有してよい。底部８０２は、環状側部５０１から内側に向かって水平方向に延在してよい。なお、天部８００には、縦方向に貫通する複数のガス孔が形成されてよい。底部８０２には、縦方向に貫通する複数の排気孔が形成されてよい。
　一つ又は複数の上側導電性突起１１－１は、導電性基材１０の天部８００の上面から上方に突出してよい。
　一つ又は複数の下側導電性突起１１－２は、導電性基材１０の底部８０２の下面から下方に突出してよい。
　コーティング層１２は、上側導電性突起１１－１及び下側導電性突起１１－２の各々が露出部分を有するように導電性チャンバ基材１０、上側導電性突起１１－１及び下側導電性突起１１－２の表面上に形成されてよい。コーティング層１２は、天部８００のガス孔の内部側面や底部８０２の排気孔の内部側面にも形成されてよい。
　図１７及び図１８は、部品１がプラズマ処理装置５０の第２のチャンバ２００に適用される場合におけるプラズマ処理装置５０の構成の一例を説明するための図である。
　上側導電性突起１１―１の露出部分は、上側導電性部材の一例としての第１の部材１１０ａと接触してよい。第１の部材１００ａは、接地電位に接続されてよい。図１７に示すように、下側導電性突起１１－２の露出部分は、下側導電性部材の一例としてのコンタクト４００と接触してよい。コンタクト４００は、接地電位に接続されてよい。図１８に示すように、下側導電性突起１１－２の露出部分は、下側導電性部材の一例としての導体部３８０と接触してよい。導体部３８０は、接地電位に接続されてよい。天部８００のガス孔は、ガス孔１００ｈに連通し、底部８０２の排気孔は、排気装置７００に連通してよい。
　本開示の実施形態は、以下の態様をさらに含む。
（付記１）
　プラズマ処理装置で使用される部品であって、
　導電性基材と、
　前記導電性基材の表面から突出している複数の導電性突起であって、前記複数の導電性突起は、前記導電性基材を介して互いに電気的に接続されている、前記複数の導電性突起と、
　前記複数の導電性突起の各々の一部が露出するように前記導電性基材の表面及び前記複数の導電性突起の表面上に形成されるＳｉ含有コーティング層と、を含む、プラズマ処理装置で使用される部品。
（付記２）
　前記導電性基材は、第１の材料で形成され、
　前記複数の導電性突起は、前記第１の材料とは異なる第２の材料で形成され、
　前記複数の導電性突起の各々は、前記導電性基材内まで延在している、
付記１に記載のプラズマ処理装置で使用される部品。
（付記３）
　前記第１の材料は、カーボンを含み、
　前記第２の材料は、金属を含む、
付記２に記載のプラズマ処理装置で使用される部品。
（付記４）
　前記第２の材料は、タングステン又はモリブデンを含む、
付記３に記載のプラズマ処理装置で使用される部品。
（付記５）
　前記複数の導電性突起は、前記導電性基材と一体化されている、
付記１に記載のプラズマ処理装置で使用される部品。
（付記６）
　前記導電性基材及び前記複数の導電性突起は、タングステン又はモリブデンで形成されている、
付記５に記載のプラズマ処理装置で使用される部品。
（付記７）
　前記Ｓｉ含有コーティング層は、Ｓｉ，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯ２で形成される、
付記１から６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置で使用される部品。
（付記８）
　前記複数の導電性突起のうちの少なくとも１つは、露出した先端と、露出しない側面とを有する、
付記１から７のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置で使用される部品。
（付記９）
　前記複数の導電性突起のうちの少なくとも１つは、露出した先端及び側面を有する、
付記１から７のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置で使用される部品。
（付記１０）
　第１の材料で形成される導電性基材を提供する工程と、
　複数の導電性突起を前記導電性基材の表面に配置する工程であって、前記複数の導電性突起は、前記第１の材料とは異なる第２の材料で形成され、前記導電性基材を介して互いに電気的に接続される、前記工程と、
　前記複数の導電性突起の各々の一部が露出するようにＣＶＤにより前記導電性基材の表面及び前記複数の導電性突起の表面上にＳｉ含有コーティング層を形成する工程と、
を含む、プラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
（付記１１）
　前記第１の材料は、カーボンを含み、
　前記第２の材料は、金属を含む、
付記１０に記載のプラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
（付記１２）
　前記第２の材料は、タングステン又はモリブデンを含む、
付記１１に記載のプラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
（付記１３）
　前記Ｓｉ含有コーティング層は、Ｓｉ，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯ２で形成される、
付記１０から１２のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
（付記１４）
　第１の材料で形成される導電性基材を提供する工程と、
　ＣＶＤにより前記導電性基材の表面上にＳｉ含有コーティング層を形成する工程と、
　複数の導電性突起を前記導電性基材に取り付ける工程であって、前記複数の導電性突起は、前記第１の材料とは異なる第２の材料で形成され、前記導電性基材を介して互いに電気的に接続され、前記複数の導電性突起の各々の一部は、前記Ｓｉ含有コーティング層から露出する、前記工程と、
を含む、プラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
（付記１５）
　前記第１の材料は、カーボンを含み、
　前記第２の材料は、金属を含む、
付記１４に記載のプラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
（付記１６）
　前記第２の材料は、タングステン又はモリブデンを含む、
付記１５に記載のプラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
（付記１７）
　前記Ｓｉ含有コーティング層は、Ｓｉ，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯ２で形成される、
付記１４から１６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
（付記１８）
　複数の突起を有する導電性基材を提供する工程であって、前記導電性基材がタングステン又はモリブデンで形成されている、前記工程と、
　前記複数の突起の各々の一部が露出するようにＣＶＤにより前記導電性基材の表面上にＳｉ含有コーティング層を形成する工程と、
を含む、プラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
（付記１９）
　前記Ｓｉ含有コーティング層は、Ｓｉ，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯ２で形成される、
付記１８に記載のプラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
（付記２０）
　外側チャンバと、
　前記外側チャンバ内に配置される基板支持部と、
　前記基板支持部の周囲に配置され、接地電位に接続される下側導電性部材と、
　前記基板支持部の上方に配置され、接地電位に接続される上側導電性部材と、
　前記基板支持部上の基板を処理するための処理空間を規定するように前記外側チャンバ内に配置される内側チャンバと、
　前記処理空間内にプラズマを生成するためにＲＦ信号を前記基板支持部に供給するように構成されるＲＦ電源と、を備え、
　前記内側チャンバは、
　導電性チャンバ基材と、
　前記導電性チャンバ基材の上面から突出している少なくとも１つの上側導電性突起と、
　前記導電性チャンバ基材の下面から突出しており、前記導電性チャンバ基材を介して前記少なくとも１つの上側導電性突起と電気的に接続される少なくとも１つの下側導電性突起と、
　前記少なくとも１つの上側導電性突起及び前記少なくとも１つの下側導電性突起の各々が露出部分を有するように前記導電性チャンバ基材、前記少なくとも１つの上側導電性突起及び前記少なくとも１つの下側導電性突起の表面上に形成されるＳｉ含有コーティング層と、を含み、
　前記少なくとも１つの上側導電性突起の露出部分は、前記上側導電性部材と接触しており、
　前記少なくとも１つの下側導電性突起の露出部分は、前記下側導電性部材と接触している、
プラズマ処理装置。
　以上の各実施形態は、説明の目的で記載されており、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。以上の各実施形態は、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく種々の変形をなし得る。例えば、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態に追加することができる。また、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態の対応する構成要素と置換することができる。
１……部品、１０……導電性基材、１１……導電性突起、１１ａ……先端、１１ｂ……側面、１２……コーティング層、５０……プラズマ処理装置、２００……第２のチャンバ、３００……基板支持部、Ｗ…基板
 

Claims (20)

  1. 　プラズマ処理装置で使用される部品であって、
    　導電性基材と、
    　前記導電性基材の表面から突出している複数の導電性突起であって、前記複数の導電性突起は、前記導電性基材を介して互いに電気的に接続されている、前記複数の導電性突起と、
    　前記複数の導電性突起の各々の一部が露出するように前記導電性基材の表面及び前記複数の導電性突起の表面上に形成されるＳｉ含有コーティング層と、
    を含む、プラズマ処理装置で使用される部品。
  2. 　前記導電性基材は、第１の材料で形成され、
    　前記複数の導電性突起は、前記第１の材料とは異なる第２の材料で形成され、
    　前記複数の導電性突起の各々は、前記導電性基材内まで延在している、
    請求項１に記載のプラズマ処理装置で使用される部品。
  3. 　前記第１の材料は、カーボンを含み、
    　前記第２の材料は、金属を含む、
    請求項２に記載のプラズマ処理装置で使用される部品。
  4. 　前記第２の材料は、タングステン又はモリブデンを含む、
    請求項３に記載のプラズマ処理装置で使用される部品。
  5. 　前記複数の導電性突起は、前記導電性基材と一体化されている、
    請求項１に記載のプラズマ処理装置で使用される部品。
  6. 　前記導電性基材及び前記複数の導電性突起は、タングステン又はモリブデンで形成されている、
    請求項５に記載のプラズマ処理装置で使用される部品。
  7. 　前記Ｓｉ含有コーティング層は、Ｓｉ，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯ２で形成される、
    請求項１から６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置で使用される部品。
  8. 　前記複数の導電性突起のうちの少なくとも１つは、露出した先端と、露出しない側面とを有する、
    請求項１に記載のプラズマ処理装置で使用される部品。
  9. 　前記複数の導電性突起のうちの少なくとも１つは、露出した先端及び側面を有する、
    請求項１に記載のプラズマ処理装置で使用される部品。
  10. 　第１の材料で形成される導電性基材を提供する工程と、
    　複数の導電性突起を前記導電性基材の表面に配置する工程であって、前記複数の導電性突起は、前記第１の材料とは異なる第２の材料で形成され、前記導電性基材を介して互いに電気的に接続される、前記工程と、
    　前記複数の導電性突起の各々の一部が露出するようにＣＶＤにより前記導電性基材の表面及び前記複数の導電性突起の表面上にＳｉ含有コーティング層を形成する工程と、
    を含む、プラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
  11. 　前記第１の材料は、カーボンを含み、
    　前記第２の材料は、金属を含む、
    請求項１０に記載のプラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
  12. 　前記第２の材料は、タングステン又はモリブデンを含む、
    請求項１１に記載のプラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
  13. 　前記Ｓｉ含有コーティング層は、Ｓｉ，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯ２で形成される、
    請求項１０から１２のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
  14. 　第１の材料で形成される導電性基材を提供する工程と、
    　ＣＶＤにより前記導電性基材の表面上にＳｉ含有コーティング層を形成する工程と、
    　複数の導電性突起を前記導電性基材に取り付ける工程であって、前記複数の導電性突起は、前記第１の材料とは異なる第２の材料で形成され、前記導電性基材を介して互いに電気的に接続され、前記複数の導電性突起の各々の一部は、前記Ｓｉ含有コーティング層から露出する、前記工程と、
    を含む、プラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
  15. 　前記第１の材料は、カーボンを含み、
    　前記第２の材料は、金属を含む、
    請求項１４に記載のプラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
  16. 　前記第２の材料は、タングステン又はモリブデンを含む、
    請求項１５に記載のプラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
  17. 　前記Ｓｉ含有コーティング層は、Ｓｉ，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯ２で形成される、
    請求項１４から１６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
  18. 　複数の突起を有する導電性基材を提供する工程であって、前記導電性基材がタングステン又はモリブデンで形成されている、前記工程と、
    　前記複数の突起の各々の一部が露出するようにＣＶＤにより前記導電性基材の表面上にＳｉ含有コーティング層を形成する工程と、
    を含む、プラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
  19. 　前記Ｓｉ含有コーティング層は、Ｓｉ，ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４又はＳｉＯ２で形成される、
    請求項１８に記載のプラズマ処理装置で使用される部品の製造方法。
  20. 　外側チャンバと、
    　前記外側チャンバ内に配置される基板支持部と、
    　前記基板支持部の周囲に配置され、接地電位に接続される下側導電性部材と、
    　前記基板支持部の上方に配置され、接地電位に接続される上側導電性部材と、
    　前記基板支持部上の基板を処理するための処理空間を規定するように前記外側チャンバ内に配置される内側チャンバと、
    　前記処理空間内にプラズマを生成するためにＲＦ信号を前記基板支持部に供給するように構成されるＲＦ電源と、を備え、
    　前記内側チャンバは、
    　導電性チャンバ基材と、
    　前記導電性チャンバ基材の上面から突出している少なくとも１つの上側導電性突起と、
    　前記導電性チャンバ基材の下面から突出しており、前記導電性チャンバ基材を介して前記少なくとも１つの上側導電性突起と電気的に接続される少なくとも１つの下側導電性突起と、
    　前記少なくとも１つの上側導電性突起及び前記少なくとも１つの下側導電性突起の各々が露出部分を有するように前記導電性チャンバ基材、前記少なくとも１つの上側導電性突起及び前記少なくとも１つの下側導電性突起の表面上に形成されるＳｉ含有コーティング層と、を含み、
    　前記少なくとも１つの上側導電性突起の露出部分は、前記上側導電性部材と接触しており、
    　前記少なくとも１つの下側導電性突起の露出部分は、前記下側導電性部材と接触している、
    プラズマ処理装置。
     
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007335831A (ja) * 2006-06-11 2007-12-27 Momentive Performance Materials Inc 耐久性グラファイトコネクタ及びそれを製造する方法
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