JP5922352B2 - 窒化膜の製造装置及びその製造方法、並びにその製造プログラム - Google Patents
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Description
図3は、本実施形態の窒化膜(具体的には、窒化シリコン膜(SiN))の製造装置100の構成を示す一部断面図である。本図面は概略図であるため、公知のガス供給機構の一部や排気機構の一部を含む周辺装置は省略されている。
次に、チャンバー30における窒化膜の形成プロセスについて説明する。本実施形態では、チャンバー30内の基板20上に窒化シリコン膜70が形成される。具体的なプロセスの一例を示すと、チャンバー30内の圧力が50〜200Paとなるまで、シラン(SiH4)ガスが5〜50sccm、及びアンモニア(NH3)ガスが5〜50sccm供給される。また、本実施形態では、前述の2種類のガスに加えて、窒素(N2)ガスが500〜2000sccm供給される。
次に、上述の各種の興味深い結果を踏まえ、発明者らは、本実施形態の窒化膜の製造装置100を用いて、基板20上に、第1高周波電力のみを印加することによって形成される窒化シリコン膜と、第2高周波電力のみを印加することによって形成される窒化シリコン膜とを、いわば積層することにより、窒化シリコン膜70aを製造した。この際に、発明者らは、前述のそれぞれの高周波電力の処理時間の比を変えたときの、窒化膜の応力、窒化膜の屈折率、及び窒化膜の堆積速度の依存性を調査した。以下、第1高周波電力が印加される期間を「第1期間」といい、第2高周波電力が印加される期間を「第2期間」という。
したがって、図10及び図11に示す結果に図9の結果を併せると、所望の応力を得るために任意の第1期間と第2期間とを導き出したとしても、所定の数値範囲の窒化膜の屈折率の分布及び/又はその窒化膜の堆積速度が得られることになる。
ところで、上述の実施形態では、主として窒化シリコン膜の製造装置及びその製造方法、並びにその製造プログラムについて説明したが、上述の実施形態は、酸窒化膜(例えば、酸窒化シリコン膜)に対しても適用できる。酸窒化膜も、狭義の窒化膜と同様に、形成された膜に対して圧縮応力や引張応力が生じる場合が一般的であり、その応力の制御を行いつつ、屈折率や堆積速度の分布を制御することは非常に困難である。しかしながら、上述の実施形態を酸窒化膜に適用することにより、上述の実施形態の効果と同等、又は少なくとも一部の効果が奏され得る。
31 ステージ
32a,32b,32c ガスボンベ
33a,33b,33c ガス流量調整器
30 チャンバー
36a 第1高周波電源
36b 第2高周波電源
37 真空ポンプ
38 排気流量調整器
39 制御部
34a,34b ヒーター
35 シャワーヘッドガス導入部
40 スイッチ
70,70a,90a,90b 窒化膜
100 窒化膜の製造装置
Claims (10)
- チャンバー内に配置された基板上にプラズマCVD法によって窒化膜を形成する窒化膜の製造装置であって、
前記窒化膜の形成のために独立に印加する相対的に高い周波数の第1高周波電力及び/又は相対的に低い周波数の第2高周波電力とを用いて得られる、所定の数値範囲内に収まった前記窒化膜の屈折率の分布及び/又は前記窒化膜の堆積速度の分布に基づいて、かつ、前記第1高周波電力が印加される第1期間と前記第2高周波電力が印加される第2期間との比率に基づいて、所望(応力が0の場合を含む)の前記窒化膜の圧縮応力又は引張応力を得るための前記第1期間と前記第2期間とを算出する制御部を備えた、
窒化膜の製造装置。 - 前記制御部が、前記第1期間と前記第2期間とを交互に設けるように制御する、
請求項1に記載の窒化膜の製造装置。 - 前記所定の数値範囲は、前記窒化膜の屈折率の分布及び/又は前記窒化膜の堆積速度の分布の不均一性が、±5%以下となる範囲である、
請求項1又は請求項2に記載の窒化膜の製造装置。 - 前記所定の数値範囲内に収まった前記窒化膜の屈折率及び/又は前記窒化膜の堆積速度の分布が、前記基板の温度、前記チャンバー内の圧力、前記チャンバー内に導入される反応性ガスの流量、及び前記チャンバー内に導入される非反応性ガスの流量の群から選択される少なくとも1つの値を変動させることにより得られる、
請求項1又は請求項2に記載の窒化膜の製造装置。 - チャンバー内に配置された基板上にプラズマCVD法によって窒化膜を形成する窒化膜の製造方法であって、
前記窒化膜の形成のために独立に印加する相対的に高い周波数の第1高周波電力及び/又は相対的に低い周波数の第2高周波電力を用いて所定の数値範囲内に収まった前記窒化膜の屈折率の分布及び/又は前記窒化膜の堆積速度の分布を得る工程と、
前記窒化膜の屈折率の分布及び/又は前記窒化膜の堆積速度の分布に基づいて、かつ、前記第1高周波電力が印加される第1期間と前記第2高周波電力が印加される第2期間との比率に基づいて、所望(応力が0の場合を含む)の前記窒化膜の圧縮応力又は引張応力を得るための前記第1期間と前記第2期間とを算出する工程と、を含む、
窒化膜の製造方法。 - 前記第1期間と前記第2期間とが交互に設けられる、
請求項5に記載の窒化膜の製造方法。 - 前記所定の数値範囲は、前記窒化膜の屈折率の分布及び/又は前記窒化膜の堆積速度の分布の不均一性が、±5%以下となる範囲である、
請求項5又は請求項6に記載の窒化膜の製造方法。 - チャンバー内に配置された基板上にプラズマCVD法によって窒化膜を形成する窒化膜の製造プログラムであって、コンピューターに、
前記窒化膜の形成のために独立に印加する相対的に高い周波数の第1高周波電力及び/又は相対的に低い周波数の第2高周波電力を用いて所定の数値範囲内に収まった前記窒化膜の屈折率の分布及び/又は前記窒化膜の堆積速度の分布を取得させるステップと、
前記窒化膜の屈折率の分布及び/又は前記窒化膜の堆積速度の分布に基づいて、かつ、前記第1高周波電力が印加される第1期間と前記第2高周波電力が印加される第2期間との比率に基づいて、所望(応力が0の場合を含む)の前記窒化膜の圧縮応力又は引張応力を得るための前記第1期間と前記第2期間とを算出させるステップと、を実行させる命令を含む、
窒化膜の製造プログラム。 - 請求項8に記載の窒化膜の製造プログラムを記録した記録媒体。
- 請求項8又は請求項9に記載の窒化膜の製造プログラムにより制御される制御部を備えた、
窒化膜の製造装置。
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