JP2010186911A - プラズマ加工装置、プラズマ加工方法、および振動片の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】効率良く、局所的なプラズマ加工を行うことができるプラズマ加工装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマ加工装置１００は、凸部２２を有し、被加工物６０を載置する載置台２０と、載置台２０の上方に形成された加工電極３０と、を含み、載置台２０は、電気的に導電性であり、凸部２２と加工電極３０との間にプラズマを発生させることにより、凸部２２の上方に位置する被加工物６０の表面６２をプラズマ加工する。
【選択図】図１
【解決手段】本発明に係るプラズマ加工装置１００は、凸部２２を有し、被加工物６０を載置する載置台２０と、載置台２０の上方に形成された加工電極３０と、を含み、載置台２０は、電気的に導電性であり、凸部２２と加工電極３０との間にプラズマを発生させることにより、凸部２２の上方に位置する被加工物６０の表面６２をプラズマ加工する。
【選択図】図１
Description
本発明は、プラズマ加工装置、プラズマ加工方法、および振動片の製造方法に関する。
材料の表面を加工する方法の１つとして、高周波電圧を印加した電極間に反応ガスを含む処理ガスを供給し、反応ガスに基づくラジカルを発生させ、該ラジカルと被加工物とのラジカル反応によって生成された生成物質を除去することで加工を行う、いわゆるプラズマＣＶＭ（プラズマ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒｉｚａｔｉｏｎ Ｍａｃｈｉｎｉｎｇ）が知られている。
特許文献１では、ペンタイプの加工電極を用いて、被加工物に対しコの字型に加工電極を走査することで、被加工物の表面を均一に加工するプラズマＣＶＭ装置が開示されている。また、特許文献１の他の変形実施例では、ハケ形状の加工電極を用いて、被加工物の表面をＸ方向に一括して加工するプラズマＣＶＭ装置が開示されている。
しかしながら、特許文献１に開示されたプラズマＣＶＭ装置では、ペンタイプの加工電極構造だと、コの字型に加工電極を何往復も走査する必要があり、加工時間がかかってしまうという問題がある。また、ハケ形状の加工電極構造だと、加工時間は低減できるものの、被加工物の表面を局所的に加工できないという問題がある。
本発明の目的の１つは、効率良く、局所的なプラズマ加工を行うことができるプラズマ加工装置を提供することにある。また、本発明の目的の１つは、上記プラズマ加工装置を用いたプラズマ加工方法、および振動片の製造方法を提供することにある。
本発明に係るプラズマ加工装置は、
凸部を有し、被加工物を載置する載置台と、
前記載置台の上方に形成された加工電極と、
を含み、
前記載置台は、電気的に導電性であり、
前記凸部と前記加工電極との間にプラズマを発生させることにより、前記凸部の上方に位置する前記被加工物の表面をプラズマ加工する。
凸部を有し、被加工物を載置する載置台と、
前記載置台の上方に形成された加工電極と、
を含み、
前記載置台は、電気的に導電性であり、
前記凸部と前記加工電極との間にプラズマを発生させることにより、前記凸部の上方に位置する前記被加工物の表面をプラズマ加工する。
本発明に係るプラズマ加工装置によれば、効率良く、局所的なプラズマ加工を行うことができる。
本発明に係るプラズマ加工装置において、
前記加工電極は、前記被加工物の前記表面全体と対向する形状であるであることができる。
前記加工電極は、前記被加工物の前記表面全体と対向する形状であるであることができる。
本発明に係るプラズマ加工装置によれば、一括して、前記表面のプラズマ加工したい部分の全てを加工することができる。
本発明に係るプラズマ加工装置において、
前記載置台は、前記凸部の周囲に形成された絶縁部を有することができる。
前記載置台は、前記凸部の周囲に形成された絶縁部を有することができる。
本発明に係るプラズマ加工装置によれば、安定して前記被加工物を前記載置台に載置することができる。
本発明に係るプラズマ加工方法は、
本発明に係るプラズマ加工装置を用いてプラズマ加工を行うことができる。
本発明に係るプラズマ加工装置を用いてプラズマ加工を行うことができる。
本発明に係るプラズマ加工方法によれば、効率良く、局所的なプラズマ加工を行うことができる。
本発明に係る振動片の製造方法は、
圧電材料からなり、対向する第１表面および第２表面を有する基板を準備する工程と、
前記基板の前記第１表面側に凹部を形成する工程と、
凸部を有し電気的に導電性である載置台に、前記第２表面を前記載置台に向けて、前記凸部の上方に前記凹部が位置するように、前記基板を載置する工程と、
前記凸部と、前記基板の上方に形成された加工電極と、の間にプラズマを発生させることにより、前記凹部の底面をプラズマ加工する工程と、
を含み、
前記基板の前記凹部が形成された部分を、梁として用いる。
圧電材料からなり、対向する第１表面および第２表面を有する基板を準備する工程と、
前記基板の前記第１表面側に凹部を形成する工程と、
凸部を有し電気的に導電性である載置台に、前記第２表面を前記載置台に向けて、前記凸部の上方に前記凹部が位置するように、前記基板を載置する工程と、
前記凸部と、前記基板の上方に形成された加工電極と、の間にプラズマを発生させることにより、前記凹部の底面をプラズマ加工する工程と、
を含み、
前記基板の前記凹部が形成された部分を、梁として用いる。
本発明に係る振動片の製造方法によれば、効率良く、局所的なプラズマ加工によって、平坦性が高く、かつ精度良く制御された厚みの前記梁を得ることができる。
本発明に係る振動片の製造方法において、
さらに、前記載置台に、前記第１表面を前記載置台に向けて、前記凸部の上方に前記凹部が位置するように、前記基板を載置する工程と、
前記凸部と前記加工電極との間にプラズマを発生させることにより、前記凸部の上方に位置する前記第２表面をプラズマ加工する工程と、
を含むことができる。
さらに、前記載置台に、前記第１表面を前記載置台に向けて、前記凸部の上方に前記凹部が位置するように、前記基板を載置する工程と、
前記凸部と前記加工電極との間にプラズマを発生させることにより、前記凸部の上方に位置する前記第２表面をプラズマ加工する工程と、
を含むことができる。
本発明に係る振動片の製造方法によれば、前記梁の両面をプラズマ加工することができる。
本発明に係る振動片の製造方法は、
圧電材料からなり、対向する第１表面および第２表面を有する基板を準備する工程と、
前記基体の前記第１表面側に凹部を形成する工程と、
凸部を有し電気的に導電性である載置台に、前記第１表面を前記載置台に向けて、前記凸部の上方に前記凹部が位置するように、前記基板を載置する工程と、
前記凸部と、前記基板の上方に形成された加工電極と、の間にプラズマを発生させることにより、前記凸部の上方に位置する前記第２表面をプラズマ加工する工程と、
を含み、
前記基板の前記凹部が形成された部分を、梁として用いる。
圧電材料からなり、対向する第１表面および第２表面を有する基板を準備する工程と、
前記基体の前記第１表面側に凹部を形成する工程と、
凸部を有し電気的に導電性である載置台に、前記第１表面を前記載置台に向けて、前記凸部の上方に前記凹部が位置するように、前記基板を載置する工程と、
前記凸部と、前記基板の上方に形成された加工電極と、の間にプラズマを発生させることにより、前記凸部の上方に位置する前記第２表面をプラズマ加工する工程と、
を含み、
前記基板の前記凹部が形成された部分を、梁として用いる。
本発明に係る振動片の製造方法によれば、効率良く、局所的なプラズマ加工によって、平坦性が高く、かつ精度良く制御された厚みの前記梁を得ることができる。
本発明に係る振動片の製造方法において、
さらに、前記載置台に、前記第２表面を前記載置台に向けて、前記凸部の上方に前記凹部が位置するように、前記基板を載置する工程と、
前記凸部と前記加工電極との間にプラズマを発生させることにより、前記凹部の底面をプラズマ加工する工程と、
を含むことができる。
さらに、前記載置台に、前記第２表面を前記載置台に向けて、前記凸部の上方に前記凹部が位置するように、前記基板を載置する工程と、
前記凸部と前記加工電極との間にプラズマを発生させることにより、前記凹部の底面をプラズマ加工する工程と、
を含むことができる。
本発明に係る振動片の製造方法によれば、前記梁の両面をプラズマ加工することができる。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
１． プラズマ加工装置
（１）まず、本実施形態に係るプラズマ加工装置１００について、図面を参照しながら説明する。図１は、プラズマ加工装置１００を模式的に示す断面図である。
（１）まず、本実施形態に係るプラズマ加工装置１００について、図面を参照しながら説明する。図１は、プラズマ加工装置１００を模式的に示す断面図である。
プラズマ加工装置１００は、図１に示すように、チャンバー１０と、載置台２０と、加工電極３０と、を有する。さらに、プラズマ加工装置１００は、ガス供給口４０と、ガス排気口４２と、ステージ５０と、を有している。
プラズマ加工装置１００は、被加工物６０の表面６２を上側にして載置台２０に載置した状態で、ガス供給口４０から被加工物６０に反応ガスを供給しつつ、載置台２０および加工電極３０間へ通電することにより、反応ガスを活性化してプラズマを発生させ、このプラズマにより被加工物６０の表面６２をプラズマ加工する装置である。
なお、本実施形態の記載において、「プラズマ加工」とは、被加工物６０の表面６２の研磨（例えば、表面６２の凸部を除去し、表面６２を平坦化する加工など）、厚さ方向へ貫通または凹没する孔を形成するエッチング加工、所望の平面視形状となるように不要な部分を削除するエッチング加工（成形加工）、表面６２に所望の特性を付与する表面改質（例えば、撥水性ないし親水性の付与、熱処理による改質、酸化膜等の形成）など、プラズマを利用した加工全般を含むものである。
以下、プラズマ加工装置１００の構成について説明する。
チャンバー１０は、例えば、高周波をシールドできる材料からなる。チャンバー１０内で、上記のプラズマ加工が行われる。
ガス供給口４０は、チャンバー１０の側部１２に設けられている。ガス供給口４０は、ガスボンベ（図示せず）と連結しており、チャンバー１０内（より具体的には、被加工物６０の表面６２）に反応ガスを供給することができる。反応ガスとしては、例えば、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、ＣＣｌＦ３、ＳＦ６等のフッ素原子含有化合物ガスや、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４等の塩素原子含有化合物などの各種ハロゲン系ガスが用いられる。反応ガスは、キャリアーガスと共に混合ガスとして、チャンバー１０内に供給されてもよい。キャリアーガスとしては、例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ等の希ガスが用いられる。ガス排気口４２は、チャンバー１０の側部１２とは反対側の側部１４に設けられている。プラズマ加工に供された処理済の反応ガスは、ガス排気口４２からチャンバー１０外に排気される。なお、ガス供給口４０およびガス排気口４２の設置位置および設置数は、特に限定されない。図示はしないが、ガス供給口４０およびガス排気口４２は、加工電極３０の近傍に設けられていてもよい。
ステージ５０は、チャンバー１０の底部１６に設けられている。ステージ５０は、平板状であり、その上に載置台２０を設置することができる。ステージ５０は、底部１６に固定されている固定型ステージでもよいし、Ｘ方向およびＹ方向に移動可能な移動型ステージでもよい。移動ステージの場合は、被加工物６０をプラズマ加工する際に、載置台２０をＸ方向およびＹ方向に移動させることにより、被加工物６０を加工電極３０に対して２次元的に移動させることができる。移動型ステージの移動は、ＮＣ（数値制御）制御装置（図示せず）によって制御されることができる。このような移動ステージ型は、図示はしないが、特に、加工電極３０のサイズが被加工物６０のサイズに対して十分に小さい場合（例えば、加工電極３０の形状がいわゆるペン型）に、用いられることができる。
載置台２０は、ステージ５０上に設けられている。載置台２０は、電気的に導電性である。載置台２０の材質は、例えば、銅、アルミニウム、鉄、銀等の金属単体や、ステンレス鋼、真鍮、アルミニウム合金等の各種合金などである。載置台２０は、導線（図示せず）を介して接地されていてもよい。載置台２０は、凸部２２を有している。載置台２０の凸部２２によって、被加工物６０は載置される。凸部２２は、被加工物６０の裏面６４と接していることができる。凸部２２の大きさ（Ｘ方向およびＹ方向の長さ）、数、および設置位置は、任意であり、被加工物６０の表面６２のプラズマ加工を行う範囲（被加工面６６の範囲）によって決定されることができる。凸部２２は、加工電極３０と対をなす電極として機能する。加工電極３０は上部電極であり、凸部２２は下部電極であるともいえる。凸部２２と加工電極３０との間に電界が発生し、凸部２２上方の表面６２には、高密度のプラズマが生成する。これに対し、載置台２０の凸部２２を有していない部分２４（低背部２４ともいえる）は、被加工物６０との間に空隙２６が生じる。そのため、低背部２４上方の表面６２は、低密度のプラズマが生成するか、または、プラズマが生成しない。そのために、凸部２２上方の表面６２を選択的にプラズマ加工することができる。なお、凸部２２は、上下動可能であってもよい。すなわち、被加工物６０の加工したい部分の下方に位置する凸部２２を、上方に可動して被加工物６０に接触させ、その他は、下方向に可動して被加工物６０に接触させないようにすることができる。これにより、１つの載置台２０で、被加工物６０の様々な範囲を、局所的にプラズマ加工することができる。
加工電極３０は、チャンバー１０の上部１８に設けられた支持部５２に設置されている。図示はしないが、支持部５２を設けずに、加工電極３０を直接上部１８に設置してもよい。加工電極３０は、載置台２０と対向している。加工電極３０の材質は、例えば、載置台２０の材質として列挙した材料である。図示の例では、加工電極３０は、被加工物６０の表面６２全体と対向する形状（加工電極３０が全面対向型）を有している。なお、図示はしないが、上述のとおり加工電極３０の形状は、いわゆるペン型であってもよい。この場合は、全面対向型に比べて、さらに局所的なプラズマ加工が可能となる。加工電極３０と載置台２０とは、導線（図示せず）によって、加工電極３０と載置台２０と間に高周波電圧を印加する高周波電源（図示せず）と導通している。
被加工物６０は、載置台２０に載置される。被加工物６０の材質は、例えば、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の各種圧電材料、アルミナ、シリカ、チタニア等の各種セラミックス、シリコン、砒素ガリウム等の各種半導体材料、ダイヤモンド、黒鉛等の炭素系材料などである。
プラズマ加工装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。
プラズマ加工装置１００では、上述のとおり、載置部２０の凸部２２と加工電極３０との間に電界が発生し、凸部２２上方の被加工物６０の表面６２に、高密度のプラズマを生成させることができる。これにより、凸部２２上方の表面６２を選択的にプラズマ加工することができる。すなわち、凸部２２の大きさ、数、および設置位置によって、表面６２のプラズマ加工を行う範囲（被加工面６６の範囲）を決定することができる。さらに、プラズマ加工装置１００では、加工電極３０は、被加工物６０の表面６２全体と対向する形状を有することができる。そのため、一括して、表面６２のプラズマ加工したい部分の全てを加工することができる。すなわち、プラズマ加工装置１００によれば、効率良く、局所的なプラズマ加工を行うことができる。
（２）次に、本実施形態の変形例に係るプラズマ加工装置２００について、図面を参照しながら説明する。図２は、プラズマ加工装置２００を模式的に示す断面図である。以下、本実施形態の変形例に係るプラズマ加工装置２００において、本実施形態に係るプラズマ加工装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
プラズマ加工装置２００では、図２に示すように、載置台２０は、凸部２２の周囲に形成された絶縁部２１６を有する。プラズマ加工装置２００は、プラズマ加工装置１００の空隙２６（図１参照）に絶縁部２１６が充填された構造であるともいえる。絶縁部２１６は、電気的に絶縁性であり、その材質は、例えば、二酸化シリコン、窒化シリコン、ポリイミド等の樹脂などである。絶縁部２１６の高さ（Ｚ方向の長さ）は、凸部２２の高さと同じ（ほぼ同じ）である。
プラズマ加工装置２００では、絶縁部２１６によって、載置台２０の被加工物６０が載置される載置面を平坦にすることができる。そのため、安定して被加工物６０を載置することができる。
２． プラズマ加工方法
次に、本実施形態に係るプラズマ加工方法について、説明する。本実施形態に係るプラズマ加工方法は、上述した発明に係るプラズマ加工装置を用いてプラズマ加工を行うことができる。より具体的には、以下の振動片の製造方法において説明する。
次に、本実施形態に係るプラズマ加工方法について、説明する。本実施形態に係るプラズマ加工方法は、上述した発明に係るプラズマ加工装置を用いてプラズマ加工を行うことができる。より具体的には、以下の振動片の製造方法において説明する。
３． 振動片の製造方法
（１）次に、本実施形態に係る振動片１７０の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図３〜図７は、振動片１７０の製造工程を模式的に示す断面図である。振動片１７０の製造方法は、本発明に係るプラズマ加工装置を用いることができる。以下では、本発明に係るプラズマ加工装置として、プラズマ加工装置１００を用いた例について説明する。また、以下では、被加工物６０として、基板７０を用いている。
（１）次に、本実施形態に係る振動片１７０の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図３〜図７は、振動片１７０の製造工程を模式的に示す断面図である。振動片１７０の製造方法は、本発明に係るプラズマ加工装置を用いることができる。以下では、本発明に係るプラズマ加工装置として、プラズマ加工装置１００を用いた例について説明する。また、以下では、被加工物６０として、基板７０を用いている。
図３に示すように、対向する第１表面７２および第２表面７４を有する基板７０を準備する。第１表面７２および第２表面７４は、相互に反対を向いているともいえる。基板７０の材質は、例えば、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料である。
図４に示すように、基板７０をパターニングして、基板７０の第１表面７２側に凹部７５を形成する。より具体的には、マスク層（図示せず）を第１表面７２側に形成し、該マスク層をマスクとして基板７０をエッチングすることにより凹部７５を形成する。エッチングは、例えば、ウェットエッチングで行うことができる。ウェットエッチングのエッチャントとしては、例えば、ＨＦ溶液、ＮＨ４ＨＦ２溶液などを用いることができる。一般的に、水晶などの圧電材料に対して、ウェットエッチングは、ドライエッチングよりエッチング速度が大きいので、加工時間を短縮することができる。なお、マスク層は、例えば、レジスト層や金属層などからなることができる。凹部７５の形成により、基板７０は、薄肉部７６を有することができる。
図５に示すように、基板７０を、プラズマ加工装置１００のチャンバー１０内に搬送する。そして、基板７０を、第２表面７４を載置台２０に向けて、載置台２０に載置する。その際に、載置台２０の凸部２２の上方に、基板７０の凹部７５が位置するように載置する。凸部２２と凹部７５の大きさ（Ｘ方向およびＹ方向の長さ）は、同じ程度であってもよいし、凹部７５の方が大きくてもよい。凹部２２の高さ（Ｚ方向の長さ）は、凹部７５の深さ（Ｚ方向の長さ）より大きいことが好ましい。
次に、ガス供給口４０から基板７０に反応ガスを供給しつつ、載置台２０および加工電極３０間へ通電することにより、凸部２２と加工電極３０との間にプラズマを発生させ、凹部７５の底面をプラズマ加工する。該プラズマ加工により、凹部７５の底面（被加工面７７）を平坦にすることができる。また、凹部７５の底面をエッチングすることにより、薄肉部７６の厚み（Ｚ方向の長さ）を制御することができる。上述のとおり、プラズマ加工によるドライエッチングは、ウェットエッチングに比べてエッチング速度が小さいので、精度良く、薄肉部７６の厚みを制御することができる。
図６に示すように、基板７０を、第１表面７２を載置台２０に向けて（図５の状態から基板７０の表裏を反転させて）、載置台２０に載置する。その際に、載置台２０の凸部２２の上方に、基板７０の凹部７５が位置するように載置する。載置台２０の凸部２２の上面は、凹部７５の底面に接していることができる。
次に、上述と同様に、凸部２２と加工電極３０との間にプラズマを発生させ、凸部２２上方に位置する第２表面７４をプラズマ加工する。該プラズマ加工により、第２表面７４の一部（被加工面７７）を平坦にすることができる。また、精度良く、薄肉部７６の厚みを制御することができる。
図７に示すように、基板７０を、プラズマ加工装置１００のチャンバー１０外に搬送する。そして、基板７０をパターニングして、基板７０の薄肉部７６に貫通部７８を形成する。パターニングは、上述のとおり、例えばウェットエッチングによって行われる。これにより、振動片の梁７９が形成される。すなわち、薄肉部７６（基板７０の凹部７５が形成されている部分）を梁７９して用いることができる。薄肉部７６は、上記のとおり、両面ともプラズマ加工されているので、平坦性が高く、かつ精度良く制御された厚みの梁７９を得ることができる。なお、図示はしないが、梁７９に、振動片を振動させるための電極を設けてもよい。
次に、ダイシングなどにより、基板７０を個片化する。
以上の工程によって、振動片１７０を製造することができる。振動片１７０の態様としては、例えば、音叉型振動片、ウォーク型振動片などを列挙することができる。
振動片１７０の製造方法によれば、上述のとおり、プラズマ加工によって、平坦性が高く、かつ精度良く制御された厚みの梁７９を得ることができる。さらに、該プラズマ加工は、プラズマ加工装置１００によって行われることができる。そのため、上述のとおり、効率良く、局所的なプラズマ加工を行うことができる。
（２）次に、本実施形態の変形例に係る振動片１７０の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図８および図９は、本実施形態の変形例に係る振動片１７０の製造工程を模式的に示す断面図である。以下、変形例に係る振動片１７０の製造方法において、上述した本実施形態に係る振動片１７０の製造方法の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上述した本実施形態に係る振動片１７０の製造方法では、まず基板７０の第１表面７２側を加工し、次に第２表面７４側を加工したが、変形例に係る振動片１７０の製造方法では、まず基板７０の第２表面７４側を加工し、次に第１表面７２側を加工することができる。
すなわち、変形例に係る振動片１７０の製造方法では、第１表面７２側に凹部７５を形成した後（図４参照）、図８に示すように、基板７０を、第１表面７２を載置台２０に向けて、載置台２０に載置する。その際に、載置台２０の凸部２２の上方に、基板７０の凹部７５が位置するように載置する。凸部２２の上面は、凹部７５の底面に接していることができる。そして、凸部２２と加工電極３０との間にプラズマを発生させ、凸部２２上方に位置する第２表面７４をプラズマ加工する。次に、図９に示すように、基板７０を、第２表面７４を載置台２０に向けて、載置台２０に載置する。その際に、載置台２０の凸部２２の上方に、基板７０の凹部７５が位置するように載置する。そして、凸部２２と加工電極３０との間にプラズマを発生させ、凹部７５の底面をプラズマ加工する。
変形例に係る振動片１７０の製造方法によっても、効率良く、局所的なプラズマ加工によって、平坦性が高く、かつ精度良く制御された厚みの梁７９を得ることができる。
なお、上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
１０ チャンバー、１２ 側部、１４ 側部、１６ 底部、１８ 上部、２０ 載置部、２２ 凸部、２４ 低背部、２６ 空隙、３０ 加工電極、４０ ガス供給口、４２ ガス排気口、５０ ステージ、５２ 支持部、６０ 被加工物、６２ 表面、６４ 裏面、６６ 被加工面、７０ 基板、７２ 第１表面、７４ 第２表面、７５ 溝部、７６ 薄肉部、７７ 被加工面、７８ 貫通部、７９ 梁、１００ プラズマ加工装置、１７０ 振動片、２００ プラズマ加工装置、２１６ 絶縁部
Claims (8)
- 凸部を有し、被加工物を載置する載置台と、
前記載置台の上方に形成された加工電極と、
を含み、
前記載置台は、電気的に導電性であり、
前記凸部と前記加工電極との間にプラズマを発生させることにより、前記凸部の上方に位置する前記被加工物の表面をプラズマ加工する、プラズマ加工装置。 - 請求項１において、
前記加工電極は、前記被加工物の前記表面全体と対向する形状である、プラズマ加工装置。 - 請求項１または２において、
前記載置台は、前記凸部の周囲に形成された絶縁部を有する、プラズマ加工装置。 - 請求項１ないし３のいずれかに記載のプラズマ加工装置を用いてプラズマ加工を行う、プラズマ加工方法。
- 圧電材料からなり、対向する第１表面および第２表面を有する基板を準備する工程と、
前記基板の前記第１表面側に凹部を形成する工程と、
凸部を有し電気的に導電性である載置台に、前記第２表面を前記載置台に向けて、前記凸部の上方に前記凹部が位置するように、前記基板を載置する工程と、
前記凸部と、前記基板の上方に形成された加工電極と、の間にプラズマを発生させることにより、前記凹部の底面をプラズマ加工する工程と、
を含み、
前記基板の前記凹部が形成された部分を、梁として用いる、振動片の製造方法。 - 請求項５において、
さらに、前記載置台に、前記第１表面を前記載置台に向けて、前記凸部の上方に前記凹部が位置するように、前記基板を載置する工程と、
前記凸部と前記加工電極との間にプラズマを発生させることにより、前記凸部の上方に位置する前記第２表面をプラズマ加工する工程と、
を含む、振動片の製造方法。 - 圧電材料からなり、対向する第１表面および第２表面を有する基板を準備する工程と、
前記基体の前記第１表面側に凹部を形成する工程と、
凸部を有し電気的に導電性である載置台に、前記第１表面を前記載置台に向けて、前記凸部の上方に前記凹部が位置するように、前記基板を載置する工程と、
前記凸部と、前記基板の上方に形成された加工電極と、の間にプラズマを発生させることにより、前記凸部の上方に位置する前記第２表面をプラズマ加工する工程と、
を含み、
前記基板の前記凹部が形成された部分を、梁として用いる、振動片の製造方法。 - 請求項７において、
さらに、前記載置台に、前記第２表面を前記載置台に向けて、前記凸部の上方に前記凹部が位置するように、前記基板を載置する工程と、
前記凸部と前記加工電極との間にプラズマを発生させることにより、前記凹部の底面をプラズマ加工する工程と、
を含む、振動片の製造方法。
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| JP2009030848A JP2010186911A (ja) | 2009-02-13 | 2009-02-13 | プラズマ加工装置、プラズマ加工方法、および振動片の製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014138415A (ja) * | 2013-01-18 | 2014-07-28 | Seiko Epson Corp | 振動素子の製造方法 |
-
2009
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