DE112013006227T5 - Verbundsubstrat, Herstellungsverfahren dafür und akustische-Wellen-Vorrichtung - Google Patents

Verbundsubstrat, Herstellungsverfahren dafür und akustische-Wellen-Vorrichtung Download PDF

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piezoelectric
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Yuji Hori
Tomoyoshi Tai
Mitsuo Ikejiri
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NGK Insulators Ltd
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Abstract

Ein Verbundsubstrat-Herstellungsverfahren umfasst: (a) einen Schritt, in dem ein Substratstapel, der einen Durchmesser von 4 Zoll oder mehr hat, hochglanzpoliert wird, wobei der Substratstapel ein piezoelektrisches Substrat und ein Trägersubstrat umfasst, die aneinander gebondet sind, und das Hochglanzpolieren auf der Seite des piezoelektrischen Substrats erfolgt, bis die Dicke des piezoelektrischen Substrats 3 µm oder weniger erreicht; (b) einen Schritt, in dem Daten der Verteilung der Dicke des hochglanzpolierten piezoelektrischen Substrats erzeugt werden; und (c) einen Schritt, in dem beruhend auf den Daten der Dickenverteilung eine maschinelle Bearbeitung mit einer Ionenstrahlmaschine erfolgt, um so ein Verbundsubstrat herzustellen, wobei das piezoelektrische Substrat eine Dicke von 3 µm oder weniger hat, die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke des piezoelektrischen Substrats über die gesamte Ebenenfläche hinweg 60 nm oder weniger beträgt und das piezoelektrische Substrat eine derartige Kristallinität hat, dass die Halbwertsbreite einer Röntgenbeugungs-Rocking-Kurve 100 Bogensekunden oder weniger beträgt.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die Erfindung bezieht sich auf Verbundsubstrate, Herstellungsverfahren dafür und Akustische-Wellen-Vorrichtungen.
  • Stand der Technik
  • Von der Verwendung einer ultradünnen piezoelektrischen Schicht wird erwartet, dass sie eine Akustische-Wellen-Vorrichtung realisiert, die bei einer höheren Frequenz als bisher möglich betrieben werden kann. Chemische Gasphasenabscheidung (CVD) und die "Smart Cut"-Technologie sind zwei exemplarische Verfahren, die dazu imstande sind, solche dünne Schichten auszubilden. Diese zwei Verfahren sind bekannte Techniken. Die "Smart Cut"-Technologie wird zum Beispiel in der Patentliteratur 1 beschrieben.
  • Entgegenhaltungsliste
  • Patentliteratur
    • PTL1: JP 2010-109949 A (Absatz [0004])
  • Kurzdarstellung der Erfindung
  • Technisches Problem
  • Während das CVD-Verfahren und die "Smart Cut"-Technologie dünne Schichten mit einer hochgradig gleichmäßigen Dicke ausbilden können, haben diese Verfahren die jeweils folgenden Probleme.
    • 1) CVD – Die Kristallinität ist sehr schlecht. – Die Richtungen der Kristallachsen sind begrenzt.
    • 2) "Smart Cut"-Technologie – Kristallfehler bleiben aufgrund unzureichender Erholung von Schäden durch Ionenimplantation zurück.
  • Neben den zwei obigen Verfahren ist das Polieren von piezoelektrischen Schichten auf eine geringe Dicke versucht worden. Allerdings hat dieser Ansatz während des Polierens zum Auftreten von Brüchen geführt oder ist nicht dazu imstande gewesen, eine gleichmäßige Dicke zu erreichen.
  • Die Erfindung erfolgte angesichts der oben diskutierten Probleme. Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung, eine dünne piezoelektrische Einkristallschicht mit hoher Kristallinität, gewünschter Kristallachse und gleichmäßiger Dicke zur Verfügung zu stellen.
  • Lösung des Problems
  • Ein erfindungsgemäßes Verbundsubstrat-Herstellungsverfahren umfasst:
    • (a) einen Schritt, in dem ein Substratstapel, der einen Durchmesser von 4 Zoll oder mehr hat, hochglanzpoliert wird, wobei der Substratstapel ein piezoelektrisches Substrat und ein Trägersubstrat umfasst, die aneinander gebondet sind, und das Hochglanzpolieren auf der Seite des piezoelektrischen Substrats erfolgt, bis die Dicke des piezoelektrischen Substrats 3 µm oder weniger erreicht;
    • (b) einen Schritt, in dem Daten der Verteilung der Dicke des hochglanzpolierten piezoelektrischen Substrats erzeugt werden; und
    • (c) einen Schritt, in dem beruhend auf den Daten der Dickenverteilung eine maschinelle Bearbeitung mit einer Ionenstrahlmaschine erfolgt, um so ein Verbundsubstrat herzustellen, wobei das piezoelektrische Substrat eine Dicke von 3 µm oder weniger hat, die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke des piezoelektrischen Substrats über die gesamte Ebenenfläche hinweg 60 nm oder weniger beträgt und das piezoelektrische Substrat eine solche Kristallinität hat, dass die Halbwertsbreite einer Röntgenbeugungs-Rocking-Kurve 100 Bogensekunden oder weniger beträgt.
  • Dieses Herstellungsverfahren kann die mit dem CVD-Verfahren und der "Smart Cut"-Technologie verbundenen Probleme beseitigen und dünne piezoelektrische Einkristallschichten mit hoher Kristallinität, gewünschter Kristallachse und gleichmäßiger Dicke herstellen.
  • Ein erfindungsgemäßes Verbundsubstrat umfasst ein piezoelektrisches Substrat und ein Trägersubstrat, die aneinander gebondet sind, und es hat einen Durchmesser von 4 Zoll oder mehr,
    wobei das piezoelektrische Substrat eine Dicke von 3 µm oder weniger hat, die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke des piezoelektrischen Substrats über die gesamte Ebenenfläche des piezoelektrischen Substrats hinweg 60 nm oder weniger beträgt und das piezoelektrische Substrat eine solche Kristallinität hat, dass die Halbwertsbreite einer Röntgenbeugungs-Rocking-Kurve 100 Bogensekunden oder weniger beträgt.
  • Dieses Verbundsubstrat kann leicht durch das oben genannte Herstellungsverfahren erzielt werden. Das Verbundsubstrat kann in Akustische-Wellen-Vorrichtungen verwendet werden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist ein Schnittbild eines piezoelektrischen Substrats im Beispiel 1.
  • 2 ist ein Schnittbild eines piezoelektrischen Substrats im Beispiel 2.
  • Beschreibung von Ausführungsbeispielen
  • Unten wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verbundsubstrats beschrieben. Das Verbundsubstrat dieses Ausführungsbeispiels umfasst ein piezoelektrisches Substrat und ein Trägersubstrat, die aneinander gebondet sind, und es hat einen Durchmesser von 4 Zoll oder mehr. Das piezoelektrische Substrat hat eine Dicke von 3 µm oder weniger, und die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke des piezoelektrischen Substrats beträgt über die gesamte Ebenenfläche des piezoelektrischen Substrats hinweg 60 nm oder weniger. Zudem hat das piezoelektrische Substrat eine solche Kristallinität, dass die Halbwertsbreite einer Röntgenbeugungs-Rocking-Kurve 100 Bogensekunden oder weniger beträgt.
  • Beispiele der Materialien der piezoelektrischen Substrate schließen Lithiumtantalat, Lithiumniobat, Lithiumniobat-Lithiumtantalat-Mischkristalleinkristall, Lithiumborat, Langasit und Bergkristall ein.
  • Beispiele der Materialien der Trägersubstrate schließen Silizium, Saphir, Aluminiumnitrid, Aluminiumoxid, alkalifreies Glas, Borsilikatglas, Quarzglas, Lithiumtantalat, Lithiumniobat, Lithiumniobat-Lithiumtantalat-Mischkristalleinkristall, Lithiumborat, Langasit und Bergkristall ein. Die Größe des Trägersubstrats ist derart, dass der Durchmesser der gleiche wie der des piezoelektrischen Substrats ist und die Dicke 100 bis 1000 µm und vorzugsweise 150 bis 500 µm beträgt.
  • Auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats kann ein Elektrodenmuster ausgebildet sein. Auf diese Weise kann das Verbundsubstrat dieses Ausführungsbeispiels als eine Akustische-Wellen-Vorrichtung verwendet werden.
  • Als Nächstes wird unten ein Prozess zum Herstellen des Verbundsubstrats dieses Ausführungsbeispiels beschrieben.
  • Schritt (a):
  • Es wird ein Substratstapel (ein zu polierendes Verbundsubstrat) zur Verfügung gestellt, der einen Durchmesser von 4 Zoll oder mehr hat und ein piezoelektrisches Substrat mit einer Dicke von 100 bis 1000 µm und ein Trägersubstrat mit einer Dicke von 100 bis 1000 µm umfasst, die aneinander gebondet sind. Die Seite des piezoelektrischen Substrats wird hochglanzpoliert, bis die Dicke des piezoelektrischen Substrats 3 µm oder weniger erreicht. Der Substratstapel ist ein Stapel aus einem piezoelektrischen Substrat und einem Trägersubstrat, die über eine organische Klebeschicht oder direkt aneinander gebondet sind. Exemplarische Materialien der organischen Klebeschichten schließen Epoxidharze und Acrylharze ein. Das Direktbonden kann durch Aktivieren der jeweiligen Bondflächen des piezoelektrischen Substrats und des Trägersubstrats und durch Gegeneinanderpressen der Substrate erfolgen, während die Bondflächen einander gegenüberliegen. Zum Beispiel können die Bondflächen durch Bestrahlen der Bondflächen mit einem Ionenstrahl aus einem Inertgas (etwa Argon) oder durch die Bestrahlung mit Plasma oder einem neutralen Atomstrahl aktiviert werden.
  • Zum Beispiel kann der Schritt (a) auf eine solche Weise erfolgen, dass die Seite des piezoelektrischen Substrats des Substratstapels zunächst mit einer Schleifmaschine geschliffen und dann mit einer Läppmaschine geläppt wird und die Seite des piezoelektrischen Substrats zudem mit einer CMP-Maschine poliert wird, bis die Dicke des piezoelektrischen Substrats 3 µm oder weniger erreicht. Auf diese Weise kann die Dicke des piezoelektrischen Substrats effizient auf 3 µm oder weniger verringert werden. Der Ausdruck "CMP" ist die Abkürzung für chemisch-mechanisches Polieren.
  • Schritt (b):
  • Es werden Daten der Verteilung der Dicke des hochglanzpolierten piezoelektrischen Substrats erzeugt. Zum Beispiel können die Daten der Dickenverteilung erzeugt werden, indem die Dicke des hochglanzpolierten piezoelektrischen Substrats mit einem optischen Dickenmesser gemessen wird, der Laserinterferometrie nutzt. Auf diese Weise können die Daten der Dickenverteilung mit hoher Genauigkeit erzeugt werden.
  • Schritt (c):
  • Das piezoelektrische Substrat wird beruhend auf den Daten der Dickenverteilung maschinell mit einer Ionenstrahlmaschine bearbeitet. Dieser Schritt führt zu einem Verbundsubstrat, in dem das piezoelektrische Substrat eine Dicke von 3 µm oder weniger hat, die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke des piezoelektrischen Substrats über die gesamte Ebenenfläche hinweg 60 nm oder weniger beträgt und das piezoelektrische Substrat eine derartige Kristallinität hat, dass die Halbwertsbreite einer Röntgenbeugungs-Rocking-Kurve 100 Bogensekunden oder weniger beträgt.
  • Der Schritt (c) kann auf eine derartige Weise erfolgen, dass die Daten der Dickenverteilung in die Ionenstrahlmaschine eingegeben werden, um die Längen der Bestrahlungszeit für die jeweiligen Punkte auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats zu bestimmen, und das piezoelektrische Substrat in Übereinstimmung mit den Längen der Bestrahlungszeit maschinell bearbeitet wird. Auf diese Weise kann das piezoelektrische Substrat mit hoher Genauigkeit maschinell bearbeitet werden. In diesem Fall ist die Ausgangsleistung des Strahls konstant und dickere Bereiche werden mit dem Strahl für eine längere Zeitdauer bestrahlt. Alternativ kann der Schritt (c) auf eine derartige Weise erfolgen, dass die Daten der Dickenverteilung in die Ionenstrahlmaschine eingegeben werden, um die Strahl-Ausgangsleistungen für die jeweiligen Punkte auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats zu bestimmen, und das piezoelektrische Substrat in Übereinstimmung mit den Strahl-Ausgangsleistungen maschinell bearbeitet wird. Auch auf diese Weise ist eine genaue maschinelle Bearbeitung möglich. In diesem Fall ist die Bestrahlungszeit konstant und dickere Bereiche werden mit höheren Strahl-Ausgangsleistungen bestrahlt.
  • Die maschinelle Bearbeitung im Schritt (c) schließt vorzugsweise eine Ionenstrahlmaschine ein, die mit einer von Gleichstrom angeregten Ar-Strahlquelle ausgestattet ist. Auch wenn eine Ionenstrahlmaschine verwendbar ist, die mit einer von Plasma angeregten Ar-Strahlquelle ausgestattet ist, ist die Verwendung einer Ionenstrahlmaschine, die eine von Gleichstrom angeregte Ar-Strahlquelle hat, insofern vorteilhaft, als dass Beschädigungen der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats weiter verringert werden.
  • Gemäß dem oben beschriebenen Verfahren zur Herstellung des Verbundsubstrats dieses Ausführungsbeispiels ist es möglich, die mit dem CVD-Verfahren und der "Smart Cut"-Technologie verbundenen Probleme zu beseitigen sowie dünne piezoelektrische Einkristallschichten mit hoher Kristallinität, gewünschter Kristallachse und gleichmäßiger Dicke herzustellen. Die durch das Herstellungsverfahren hergestellten Verbundsubstrate können in Akustische-Wellen-Vorrichtungen verwendet werden. Es ist unnötig zu erwähnen, dass der Schutzumfang der Erfindung nicht auf das oben beschriebene Ausführungsbeispiel beschränkt ist und die Erfindung in Form von verschiedenen anderen Ausführungsbeispielen ausgeführt werden kann, ohne vom technischen Umfang der Erfindung abzuweichen.
  • BEISPIELE
  • Beispiel 1:
  • Ein Siliziumsubstrat (ein Trägersubstrat) und ein LiTaO3-Substrat (ein piezoelektrisches Substrat) wurden zur Verfügung gestellt, die jeweils auf beiden Seiten poliert worden waren und jeweils eine Dicke von 230 µm und einen Durchmesser von 4 Zoll hatten. Diese Substrate wurden in eine Vakuumkammer mit einem Vakuumgrad in einer Größenordnung von 10–6 Pa eingebracht und derart gehalten, dass die Bondflächen einander gegenüber lagen. Die Bondflächen beider Substrate wurden 80 Sekunden lang mit einem Ar-Strahl bestrahlt, um inaktive Schichten zu entfernen und die Oberflächen zu aktivieren. Anschließend wurden die Substrate miteinander in Kontakt gebracht und unter einer Last von 1200 kgf zusammengebondet. Der sich ergebende Substratstapel wurde geborgen und die Seite des piezoelektrischen Substrats wurde mit einer Schleifmaschine geschliffen, bis die Dicke des piezoelektrischen Substrats 10 µm erreichte. Als Nächstes wurde der Substratstapel auf eine Läppmaschine gesetzt und das piezoelektrische Substrat wurde unter Verwendung einem Diamantschlamm poliert, bis seine Dicke 3 µm erreichte. Zudem wurde die Oberfläche des piezoelektrischen Substrats mit einer CMP-Maschine hochglanzpoliert, bis seine Dicke 0,8 µm erreichte. Während dieses Prozesses wurde als Schleifmittel kolloides Siliziumoxid verwendet. Die Dicke des piezoelektrischen Substrats wurde mit einem optischen Dickenmesser gemessen, der Laserinterferometrie nutzte. Demzufolge betrug die Dicke über die gesamte Oberfläche des piezoelektrischen Substrats hinweg 0,8 µm ± 0,1 µm. Die Messung erfolgte über die gesamte Ebenenfläche des piezoelektrischen Substrats mit Ausnahme der abgeschrägten Kanten hinweg an insgesamt 80 Punkten.
  • Der auf die obige Weise erzielte Substratstapel wurde auf eine Ionenstrahlmaschine gesetzt, die mit einer von Plasma angeregten Ar-Strahlquelle ausgestattet war. Als Nächstes wurden die Daten der Dicke des piezoelektrischen Substrats, die durch die oben genannte Messung mit dem optischen Dickenmesser ermittelt worden waren, in die Ionenstrahlmaschine importiert, und für die jeweiligen Messpunkte auf dem piezoelektrischen Substrat wurden die maschinellen Bearbeitungsbeträge, genauer die Längen der Ar-Strahl-Bestrahlungszeit, bestimmt. Die Länge der Strahl-Bestrahlungszeit wurde eingestellt, indem die Vorschubgeschwindigkeit des Substratstapels gesteuert wurde. Während die Vorschubgeschwindigkeit des Substratstapels geändert wurde, wurde die gesamte Oberfläche des piezoelektrischen Substrats mit einem Ar-Strahl konstanter Ausgangsleistung bestrahlt. Der Strahlpunkt betrug 6 mm im Durchmesser. HF-Plasma wurde unter Bedingungen angeregt, bei denen die Ionenbeschleunigungsspannung und der Ionenstrom konstant bei 1300 eV und 30 mA lagen. Die tatsächliche maschinelle Bearbeitungszeit betrug ungefähr 5 Minuten.
  • Die Dicke des piezoelektrischen Substrats in dem maschinell bearbeiteten Substratstapel (in dem Verbundsubstrat dieses Beispiels) wurde erneut gemessen. Demzufolge betrug die Mediandicke 0,76 µm, und die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke betrug über die gesamte Oberfläche hinweg 24 nm. Mit einem Röntgenbeugungsmesser wurde eine Rocking-Kurve aufgezeichnet. Die Halbwertsbreite (FWHM, engl. full width at half maximum) betrug 80 Bogensekunden und dieser Wert war der gleiche wie der des Bulk-Einkristalls. Dieses Ergebnis bestätigte, dass es keine Verschlechterung der Kristallinität gab.
  • Dieses Verbundsubstrat wurde in Oberflächenwellenfiltern genutzt, um Vorrichtungen zu realisieren, die geringe Abweichungen der Frequenzen hatten und hervorragende Filtereigenschaften zeigten.
  • Beispiel 2:
  • Auf die gleiche Weise wie im Beispiel 1 wurde ein Substratstapel angefertigt. Die Dicke des piezoelektrischen Substrats wurde mit einem optischen Dickenmesser gemessen, der Laserinterferometrie nutzte. Demzufolge betrug die Dicke über die gesamte Oberfläche des piezoelektrischen Substrats hinweg 1,0 µm ± 0,12 µm. Ähnlich wie im Beispiel 1 betrug die Gesamtzahl der Messpunkte 80.
  • Der auf die obige Weise erzielte Substratstapel wurde auf eine Ionenstrahlmaschine gesetzt, die mit einer von Gleichstrom angeregten Ar-Strahlquelle ausgestattet war. Als Nächstes wurden die Daten der Dicke des piezoelektrischen Substrats, die durch die oben genannte Messung mit dem optischen Dickenmesser erzielt worden waren, in die Ionenstrahlmaschine importiert, und es wurden die maschinellen Bearbeitungsbeträge, genauer die Ar-Strahl-Ausgangsleistungen, für die jeweiligen Messpunkte auf dem piezoelektrischen Substrat bestimmt. Während der Substratstapel mit einer Vorschubgeschwindigkeit von (konstant) 0,5 mm/s vorgeschoben wurde, wurde die gesamte Oberfläche des piezoelektrischen Substrats mit dem Ar-Strahl bestrahlt, wobei die Ar-Strahl-Ausgangsleistungen im Bereich von 20 bis 100 W schwankten. Der Strahlpunkt betrug 6 mm im Durchmesser. Da die Vorschubrate konstant war, war die Länge der Strahl-Bestrahlungszeit über die gesamte Oberfläche des piezoelektrischen Substrats hinweg die gleiche.
  • Die Dicke des piezoelektrischen Substrats in dem maschinell bearbeiteten Substratstapel (in dem Verbundsubstrat dieses Beispiels) wurde erneut gemessen. Demzufolge betrug die Mediandicke 0,92 µm, und die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke betrug über die gesamte Oberfläche hinweg 50 nm. Mit einem Röntgenbeugungsmesser wurde eine Rocking-Kurve aufgezeichnet. Die Halbwertsbreite (FWHM) betrug 65 Bogensekunden und dieser Wert war der gleiche wie der des Bulk-Einkristalls. Dieses Ergebnis bestätigte, dass es keine Verschlechterung der Kristallinität gab.
  • Mit einem TEM wurden Schnitte nahe der Oberfläche der piezoelektrischen Substrate in Beispiel 1 und Beispiel 2 untersucht. Die Untersuchung zeigte das Vorhandensein von Beschädigungsschichten auf der Oberfläche beider Substrate.
  • 1 ist ein Schnittbild, das im Beispiel 1 erzielt wurde, und 2 ist ein Schnittbild, das im Beispiel 2 erzielt wurde. Die Dicke der Beschädigungsschicht (der schwarzen Oberflächenschicht) betrug im Beispiel 1 10 nm, und die Beschädigungsschicht im Beispiel 2 hatte eine Dicke von 3 nm. Dieses Ergebnis hat veranschaulicht, dass eine Ionenstrahlmaschine, die mit einer von Gleichstrom angeregten Ar-Strahlquelle ausgestattet ist, der Oberfläche weniger Schaden zufügt als eine Ionenstrahlmaschine, die mit einer von Plasma angeregten Ar-Strahlquelle ausgestattet ist.
  • Um den Einfluss der Beschädigungsschicht auf die Vorrichtungseigenschaften abzuschätzen, wurden auf den piezoelektrischen Substraten in den Verbundsubstraten der Beispiele 1 und 2 Elektroden von AOW-Resonatoren ausgebildet (AOW: akustische Oberflächenwelle). Die Elektrodenabstände betrugen 4 µm. Zwischen den erfindungsgemäßen Resonatoren und Resonatoren, die auf üblichen piezoelektrischen Substraten angefertigt worden waren, wurden ähnliche Resonatoreigenschaften mit einer zentralen Frequenz von etwa 930 MHz erzielt. Und zwar ist gezeigt worden, dass das Vorhandensein von Beschädigungsschichten mit einer Dicke von etwa 10 nm die Eigenschaften nicht beeinträchtigt.
  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der vorläufigen US-Anmeldung Nr. 61/745898, die am 26. Dezember 2012 eingereicht wurde und deren gesamter Inhalt hier durch Bezugnahme aufgenommen wird.
  • Gewerbliche Anwendbarkeit
  • Die Erfindung kann bei Akustische-Wellen-Vorrichtungen wie AOW-Filtern eingesetzt werden.

Claims (8)

  1. Verbundsubstrat-Herstellungsverfahren mit: (a) einem Schritt, in dem ein Substratstapel, der einen Durchmesser von 4 Zoll oder mehr hat, hochglanzpoliert wird, wobei der Substratstapel ein piezoelektrisches Substrat und ein Trägersubstrat umfasst, die aneinander gebondet sind, und das Hochglanzpolieren auf der Seite des piezoelektrischen Substrats erfolgt, bis die Dicke des piezoelektrischen Substrats 3 µm oder weniger erreicht; (b) einem Schritt, in dem Daten der Verteilung der Dicke des hochglanzpolierten piezoelektrischen Substrats erzeugt werden; und (c) einem Schritt, in dem beruhend auf den Daten der Dickenverteilung eine maschinelle Bearbeitung mit einer Ionenstrahlmaschine erfolgt, um so ein Verbundsubstrat herzustellen, wobei das piezoelektrische Substrat eine Dicke von 3 µm oder weniger hat, die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke des piezoelektrischen Substrats über die gesamte Ebenenfläche hinweg 60 nm oder weniger beträgt und das piezoelektrische Substrat eine derartige Kristallinität hat, dass die Halbwertsbreite einer Röntgenbeugungs-Rocking-Kurve 100 Bogensekunden oder weniger beträgt.
  2. Verbundsubstrat-Herstellungsverfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt (a) auf eine derartige Weise erfolgt, dass die Seite des piezoelektrischen Substrats des Substratstapels zunächst mit einer Schleifmaschine geschliffen und dann mit einer Läppmaschine geläppt wird und die Seite des piezoelektrischen Substrats zudem mit einer CMP-Maschine hochglanzpoliert wird, bis die Dicke des piezoelektrischen Substrats 3 µm oder weniger erreicht.
  3. Verbundsubstrat-Herstellungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei der Schritt (b) auf eine derartige Weise erfolgt, dass die Daten der Dickenverteilung erzeugt werden, indem die Dicke des hochglanzpolierten piezoelektrischen Substrats mit einem optischen Dickenmesser gemessen wird, der Laserinterferometrie nutzt.
  4. Verbundsubstrat-Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Schritt (c) auf eine derartige Weise erfolgt, dass die Daten der Dickenverteilung in die Ionenstrahlmaschine eingegeben werden, um die Längen der Strahl-Bestrahlungszeit für jeweilige Punkte auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats zu bestimmen, und das piezoelektrische Substrat in Übereinstimmung mit den Längen der Strahl-Bestrahlungszeit maschinell bearbeitet wird.
  5. Verbundsubstrat-Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Schritt (c) auf eine derartige Weise erfolgt, dass die Daten der Dickenverteilung in die Ionenstrahlmaschine eingegeben werden, um die Strahl-Ausgangsleistungen für jeweilige Punkte auf der Oberfläche des piezoelektrischen Substrats zu bestimmen, und das piezoelektrische Substrat in Übereinstimmung mit den Strahl-Ausgangsleistungen maschinell bearbeitet wird.
  6. Verbundsubstrat-Herstellungsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die im Schritt (c) verwendete Ionenstrahlmaschine eine Ionenstrahlmaschine ist, die mit einer von Gleichstrom angeregten Ar-Strahlquelle ausgestattet ist.
  7. Verbundsubstrat mit einem piezoelektrischen Substrat und einem Trägersubstrat, die aneinander gebondet sind, wobei das Verbundsubstrat einen Durchmesser von 4 Zoll oder mehr hat, wobei das piezoelektrische Substrat eine Dicke von 3 µm oder weniger hat, die Differenz zwischen der größten Dicke und der kleinsten Dicke des piezoelektrischen Substrats über die gesamte Ebenenfläche des piezoelektrischen Substrats hinweg 60 nm oder weniger beträgt und das piezoelektrische Substrat eine derartige Kristallinität hat, dass die Halbwertsbreite einer Röntgenbeugungs-Rocking-Kurve 100 Bogensekunden oder weniger beträgt.
  8. Akustische-Wellen-Vorrichtung mit dem Verbundsubstrat gemäß Anspruch
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