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Die
Erfindung betrifft eine Wellenlängenumwandlungsvorrichtung
und ein Verfahren zu deren Herstellung.
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Nichtlineare
optische Kristalle wie etwa Einkristalle aus Lithiumniobat und Lithiumtantalat
weisen eine hohe sekundäre nichtlineare optische Konstante
auf. In dem Kristall kann zur Erzeugung einer quasi-phasenangepassten
(QPM) Vorrichtung für die Erzeugung einer zweiten Oberschwingung
(„Secondary Harmonic Generation”: SHG) eine periodische
Polarisationsinversionskonfiguration ausgebildet sein. Zudem kann
in der periodischen Polarisationsinversionskonfiguration für
die Erzeugung einer hocheffizienten SHG-Vorrichtung ein optischer
Wellenleiter ausgebildet sein, was zu einer breiten Vielfalt von
Anwendungen auf den Gebieten optische Kommunikation, Medizin, Fotochemie,
und verschiedener optischer Messverfahren führt.
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Gemäß der
japanischen Patentoffenlegungsschrift
Nr. 2005-55528A wird eine Halbleiterlaseroszillationsvorrichtung
in Fabry-Pérot-Bauart zur Oszillation von Licht verwendet,
welches sodann auf einen aus einem nichtlinearen optischen Kristall
ausgebildeten scheibenartigen optischen Wellenleiter als Grundwelle
für die Ausgabe eines blauen Laserstrahls aus dem optischen
Scheibenwellenleiter eingestrahlt wird. Der scheibenartige optische
Wellenleiter wird durch Polieren einer Z-Platte des nichtlinearen
optischen Kristalls wie etwa Lithiumkaliumniobat erzeugt.
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Ferner
offenbart die Druckschrift
WO 2009/107473 A1 (
PCT/JP2009/052121 ) ein Wellenlängenumwandlungssubstrat
aus einer Z-Platte, das mit einem Stützkörper
durch eine organische Harzhaftschicht verbunden ist, so dass eine
Verbrennung und Luftblasenerzeugung in der Haftschicht vermieden
werden kann.
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Wenn
eine Wellenlängenumwandlungsvorrichtung unter Verwendung
eines optischen Wellenleiters erzeugt wird, ist es notwendig, die
Endfläche der Vorrichtung optisch zu polieren, und eine
Antireflexionsschicht auf der polierten Endfläche auszubilden.
Dazu wird eine Vielzahl der Vorrichtungen gestapelt und gehalten,
und die Endflächen der Vorrichtungen werden sodann gleichzeitig
zusammen poliert.
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Bei
einer Nacharbeitung der Vorrichtung zeigten sich jedoch Mikrorisse
im Bereich des optischen Wellenleiters des Wellenlängenumwandlungssubstrates.
Der Ausbreitungsverlust für das Licht kann dadurch erhöht
werden. Eine Untersuchung dieser Vorrichtung mit den Mikrorissen
ergab folgendes. Aufgrund des piezoelektrischen Effekts während des
Poliervorgangs wurde eine unnormale Entladung zwischen der oberen
Fläche des Wellenlängenumwandlungssubstrates der
einen Vorrichtung und der unteren Fläche des Stützkörpers
der benachbarten Vorrichtung auf der oberen Seite im Stapel erzeugt. Somit
war bewiesen, dass die unnormale Entladung die Mikrorisse in dem
optischen Wellenleiter induziert. Ein derartiges Phänomen
ist im Stand der Technik nicht bekannt.
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Der
vorliegenden Erfindung liegt demnach die Aufgabe zugrunde, eine
Wellenlängenumwandlungsvorrichtung bereitzustellen, die
durch Anhaften eines Stützkörpers und eines Wellenlängenumwandlungssubstrates
aus einer Z-Platte aus einem ferroelektrischen Einkristall mit einer
periodischen Polarisationsinversionsstruktur erzeugt wird, um die
Mikrorisse in dem optischen Wellenleiter aufgrund des durch den
Poliervorgang für die Endfläche der Vorrichtung
verursachten pyroelektrischen Effekts und den resultierenden Anstieg
der Ausbreitungsverluste zu vermeiden.
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Erfindungsgemäß wird
eine Wellenlängenumwandlungsvorrichtung bereitgestellt,
mit: einem Stützkörper; einem Wellenlängenumwandlungssubstrat
mit einer Z-Platte mit einem ferroelektrischen Einkristall und einer
darin ausgebildeten periodischen Polarisationsinversionsstruktur;
einer Unterseitenpufferschicht, die auf der Seite einer Bodenfläche
des Wellenlängenumwandlungssubstrates bereitgestellt ist;
einer Oberseitenpufferschicht, die auf der Seite einer oberen Fläche
des Wellenlängenumwandlungssubstrates bereitgestellt ist;
und einer Haftschicht, die den Stützkörper und
die Unterseitenpufferschicht aneinander anhaftet, wobei der Stützkörper
einen spezifischen Volumenwiderstand aufweist, der geringer als
der des ferroelektrischen Einkristalls des Wellenlängenumwandlungssubstrates
ist.
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Erfindungsgemäß wird
ferner eine Wellenlängenumwandlungsvorrichtung bereitgestellt,
mit: einem Stützkörper; einem Wellenlängenumwandlungssubstrat
mit einer Z-Platte mit einem ferroelektrischen Einkristall und einer
darin ausgebildeten periodischen Polarisationsinversionsstruktur;
einer Unterseitenpufferschicht, die auf der Seite einer Bodenfläche
des Wellenlängenumwandlungssubstrates bereitgestellt ist;
einer Oberseitenpufferschicht, die auf der Seite einer oberen Fläche
des Wellenlängenumwandlungssubstrates bereitgestellt ist;
einer Haftschicht, welche den Stützkörper und
die Unterseitenpufferschicht aneinander anhaftet; und einer leitenden
Schicht, die auf der Oberseitenpufferschicht bereitgestellt ist.
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Erfindungsgemäß wird
ferner ein Verfahren zur Herstellung der Wellenlängenumwandlungsvorrichtung
bereitgestellt, das Verfahren umfasst die Schritte: Anhaften des
Stützkörpers und des Wellenlängenumwandlungssubstrates
an den Ober- und Unterseitenpufferschichten zur Bereitstellung eines Anhaftungskörpers;
und Polieren der Endflächen der miteinander laminierten
Anhaftungskörper.
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Erfindungsgemäß wird
die Materialverwendung für den an dem Wellenlängenumwandlungssubstrat
anhaftenden Stützkörper verringert. Während
des Polierens der Endfläche kann dadurch die unnormale
Entladung zwischen der oberen Fläche des Wellenlängenumwandlungssubstrates
einer Vorrichtung und der unteren Fläche des Stützkörpers
der darauf benachbarten Vorrichtung vermieden werden. Somit ergibt
sich, dass die Mikrorisse aufgrund der Entladung in dem optischen
Wellenleiter dadurch vermieden werden können.
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Zudem
wird erfindungsgemäß die leitende Schicht auf
der Pufferschicht auf dem Wellenlängenumwandlungssubstrat
ausgebildet. Während des Poliervorgangs für die
Endfläche kann dadurch die unnormale Entladung zwischen
der oberen Fläche des Wellenlängenumwandlungssubstrates
einer Vorrichtung und der unteren Fläche des Stützkörpers
der darauf bereitgestellten benachbarten Vorrichtung vermieden werden.
Somit ergibt sich, dass die Mikrorisse aufgrund der Entladung in
dem optischen Wellenleiter dadurch vermieden werden können.
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Die
Erfindung ist nachstehend unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung
näher beschrieben. Es zeigen:
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1 ein
Diagramm zur schematischen Darstellung einer Wellenlängenumwandlungsvorrichtung 1 gemäß einem
Ausführungsbeispiel der Erfindung;
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2 eine
schematische Darstellung von einer Vielzahl der Vorrichtungen nach 1,
die miteinander laminiert sind; und
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3 ein
Diagramm zur schematischen Darstellung einer Wellenlängenumwandlungsvorrichtung 11 gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung.
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Gemäß den
in den 1 bis 3 gezeigten Beispielen sind
in einer aus einem ferroelektrischen Einkristall ausgebildeten Z-Platte 2 Polarisationsinversionsteile 3 von
einer oberen Fläche 2a zu einer unteren Fläche 2b in
einem vorbestimmten Intervall bereitgestellt. Eine Z-Platte bedeutet
eine Platte, bei der der Poliervorgang in einer Richtung von der
oberen Fläche zu der unteren Fläche der Platte auftritt.
Zwischen den benachbarten Polarisationsinversionsteilen verbleiben
jeweils Nichtpolarisationsinversionsteile 4. Die Polarisationsinversionsteile 3 und
Nichtpolarisationsinversionsteile 4 sind mit einer vorbestimmten
Periode zur Bereitstellung einer periodischen Polarisationsinversionsstruktur 5 alternierend
ausgebildet.
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Eine
Unterseitenpufferschicht 6 ist auf einer Bodenfläche 2b ausgebildet,
und eine Oberseitenpufferschicht 9 ist auf einer oberen
Fläche 2a des Wellenlängenumwandlungssubstrates 2 ausgebildet. Gemäß dem
vorliegenden Beispiel haftet der Stützkörper 8 an
der unteren Fläche der Unterseitenpufferschicht 6 durch
eine Anhaftungsschicht an.
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Dann
wird eine Grundwelle in einer Einfallsfläche 2a gemäß dem
Pfeil „A” von einer nicht gezeigten Lichtquelle
eingestrahlt. Die Grundwelle breitet sich dann durch die periodische
Domäneninversionsstruktur 5 unter Umwandlung ihrer
Wellenlänge aus, so dass das umgewandelte Licht danach
von einer Emissionsfläche 2d als ein Pfeil „B” emittiert
wird. Die Wellenlänge des umgewandelten Lichts wird durch eine
in der Richtung des sich ausbreitenden Lichtes gesehene Polarisationsinversionsperiode
bestimmt.
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Bei
der Herstellung werden die Ober- und Unterseitenpufferschichten
auf dem Wellenlängenumwandlungssubstrat 2 ausgebildet,
an das der Stützkörper 8 dann für
den Erhalt eines Anhaftungskörpers 1A angehaftet
wird. Beim optischen Polieren der Einfallsfläche 2c oder
Emissionsfläche 2d des Anhaftungskörpers
werden gemäß 2 eine Vielzahl
der Anhaftungskörper laminiert und als integrierter Körper
gehalten. Die Einfalls- oder Emissionsfläche des laminierten
und integrierten Körpers wird optisch poliert. Bei dem
optischen Poliervorgang wird ein Verfahren für einen Grobschliff
auf einer Platte mit einer Metalloberfläche unter Verwendung
von Schleifmitteln aus Diamantteilchen und für ein optisches
Polieren unter Verwendung eines Schleifmittels aus kolloidalem Siliziumdioxid
auf einer Platte mit einer Polyurethanoberfläche bevorzugt.
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Dabei
ergaben sich jedoch die nachstehend aufgeführten Probleme.
Genauer wird eine unnormale Entladung 13 aufgrund einer
Pyroelektrizität verursacht, die zwischen der oberen Fläche 2a des
Wellenlängenumwandlungssubstrates 2 und der Bodenfläche 8b des
Stützkörpers 8 des benachbarten Anhaftungskörpers 1A erzeugt
wird, was zu Mikrorissen 14 aufgrund der unnormalen Entladung
zum Inneren des optischen Wellenleiters führt. Derartige
Mikrorisse führen zu einem Ausbreitungsverlust innerhalb des
optischen Wellenleiters.
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Erfindungsgemäß wird
der spezifische Widerstand des Materials für den Stützkörper
verringert, so dass die unnormale Entladung und die resultierenden
Risse sowie der Anstieg der Ausbreitungsverluste vermieden werden
können.
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Zudem
wird erfindungsgemäß wie bei 3 eine
leitende Schicht 10 auf der Oberseitenpufferschicht 9 ausgebildet,
so dass die unnormale Entladung und die resultierenden Risse sowie
der Anstieg der Ausbreitungsverluste vermieden werden können.
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Falls
im Übrigen das aus einem ferroelektrischen Einkristall
ausgebildete Wellenlängenumwandlungssubstrat 2 nicht
eine Z-Platte ist, sondern eine X-Platte, eine Y-Platte oder eine
abgesetzte X-Platte ist, wird die unnormale Entladung zwischen dem
Wellenlängenumwandlungssubstrat und dem Stützkörper
während des Poliervorgangs für die Endfläche
nicht verursacht.
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Daher
werden von vorneherein die Ausbreitungsverluste im optischen Wellenleiter
nicht beobachtet. Die Erfindung basiert somit auf der Entdeckung
der vorstehend geschilderten Probleme, welche für die vorstehend
beschriebene spezifische Struktur charakteristisch sind.
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Erfindungsgemäß kann
die Dicke „T” des Wellenlängenumwandlungssubstrates 2 (vergleiche 1 und 3)
vorzugsweise 10 μm oder mehr und 100 μm oder weniger
betragen. Durch Erhöhen der Dicke „T” auf
10 μm oder mehr kann die Grundwelle leicht in den Wellenleiter
zur Verbesserung der Verbindungseffizienz für die Grundwelle
eingestrahlt werden. Unter diesem Gesichtspunkt kann die Dicke „T” des
Wellenlängenumwandlungssubstrates 2 noch bevorzugter
20 μm oder mehr betragen.
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Zudem
kann durch Ausbilden der Dicke „T” des Wellenlängenumwandlungssubstrates 2 auf
100 μm oder weniger die Energiedichte des geführten Lichtes
zur Verbesserung der Umwandlungseffizienz erhöht werden.
Unter diesem Gesichtspunkt kann die Dicke „T” des
Wellenlängenumwandlungssubstrates 2 noch bevorzugter
80 μm oder weniger betragen.
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Das
ferroelektrische Material für das Wellenlängenumwandlungssubstrat
ist nicht besonders beschränkt, solange es zur Modulation
von Licht befähigt ist. Der Einkristall kann aus Lithiumniobat,
Lithiumtantalat, einer Festkörperlösung aus Lithiumniobat
und Lithiumtantalat, Lithiumkaliumniobat, KTP, GaAs, Quarz, K3Li2Nb5O15, La3Ga5SiO14 und dergleichen
sein.
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Zur
weiteren Verbesserung der Beständigkeit des optischen Wellenleiters
gegenüber optischer Beschädigung kann der ferroelektrische
Einkristall ein oder mehrere metallische Elemente aus der aus Magnesium
(Mg), Zink (Zn), Scandium (Sc) und Indium (In) bestehenden Gruppe
enthalten, wobei Magnesium besonders bevorzugt ist. Zudem kann ein Element
der seltenen Erden als Dotierstoff in dem ferroelektrischen Einkristall
enthalten sein. Das Element der seltenen Erden wirkt als additives
Element zur Laseroszillation. Von den Elementen der seltenen Erden
sind Nd, Er, Tm, Ho, Dy und Pr besonders bevorzugt.
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Gemäß einem
bevorzugten Ausführungsbeispiel beträgt der spezifische
Volumenwiderstand des Stützkörpers 1/100 oder
weniger, und noch bevorzugter 1/500 oder weniger von dem des das
Wellenlängenumwandlungssubstrat ausbildenden Einkristalls.
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Ferner
beträgt gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel
der spezifische Volumenwiderstand des Stützkörpers
1 × 1012 Ω·cm
oder weniger (noch bevorzugter 1 × 1011 Ω·cm
oder weniger). Zudem beträgt der spezifische Volumenwiderstand
für den Einkristall des Wellenlängenumwandlungssubstrates
2 × 1012 Ω·cm
oder höher (noch bevorzugter 1 × 1013 Ω·cm
oder höher).
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Gemäß einem
bevorzugten Ausführungsbeispiel ist der Stützkörper
aus einem sauerstoffarmen ferroelektrischen Einkristall ausgebildet.
Zur Erzeugung eines sauerstoffarmen ferroelektrischen Einkristalls
zur Verringerung des spezifischen Volumenwiderstands wird der Einkristall
unter reduzierender Atmosphäre (vorzugsweise unter Wasserstoffatmosphäre)
bevorzugt bei 200 bis 1000°C wärmebehandelt. Es
wird ferner bevorzugt, dass die Reduktion bei einem Druck von 133 × 10–1 bis 133 × 10–7 Pa durchgeführt wird.
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Weiterhin
ist gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel
der Stützkörper aus einem mit Eisen dotierten
ferroelektrischen Einkristall ausgebildet. Zur Dotierung von Eisenatomen
in dem Einkristall wird den Rohmaterialien beim Aufwachsen des Einkristalls
im Voraus ein Eisenbestandteil hinzugefügt. Ein derartiger
Eisenbestandteil beinhaltet Fe2O3.
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Das
Verfahren zur Herstellung der leitenden Schicht 10 auf
der Oberseitenpufferschicht ist nicht beschränkt und beinhaltet
folgendes.
- (1) Eine Metalldünnschicht
wird durch Zerstäubung hergestellt.
- (2) Eine leitende Paste wird auf der Pufferschicht durch Aufdrucken
oder dergleichen aufgebracht und gebrannt.
- (3) Ein leitendes Band wird auf der Pufferschicht aufgeklebt.
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Das
Material für die leitende Schicht ist nicht besonders beschränkt
und beinhaltet ein Metall und eine leitende Paste. Im Einzelnen
können Al, Ti, Ta, Cu, Ag sowie die Elemente der Indiumreihe
für die Paste verwendet werden.
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Die
Dicke der leitenden Schicht ist nicht besonders beschränkt,
und ist vorzugsweise 0,05 μm oder größer
und noch bevorzugter 0,1 μm oder größer.
Unter dem Gesichtspunkt einer Reduktion der optischen Absorption
durch die leitende Schicht beträgt zudem die Dicke der
leitenden Schicht vorzugsweise 5 μm oder weniger.
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Die
leitende Schicht kann vorzugsweise 90 Prozent oder mehr bis zur
gesamten Oberfläche der Oberseitenpufferschicht bedecken.
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Ferner
wird gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel
der das Wellenlängenumwandlungssubstrat ausbildende Einkristall
aus einer Gruppe ausgewählt, die aus Lithiumniobat, Lithiumtantalat und
einer Festkörperlösung aus Lithiumniobat und Lithiumtantalat
besteht, und der den Stützkörper ausbildende Einkristall
mit geringem Widerstand wird aus einer Gruppe ausgewählt,
die aus Lithiumniobat, Lithiumtantalat und einer Festkörperlösung
aus Lithiumniobat und Lithiumtantalat besteht.
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Der
spezifische Volumenwiderstand für das das Wellenlängenumwandlungssubstrat
ausbildende Material kann vorzugsweise 1 × 1019 Ω·cm
oder weniger unter praktischen Gesichtspunkten betragen. Zudem kann
unter praktischen Gesichtspunkten der spezifische Volumenwiderstand
des den Stützkörper ausbildenden Materials vorzugsweise
1 × 1010 Ω·cm oder
höher sein.
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Gemäß einem
bevorzugten Ausführungsbeispiel beträgt die Differenz
im thermischen Ausdehnungskoeffizienten für den das Wellenlängenumwandlungssubstrat
ausbildenden Einkristall und den Stützkörper 10
Prozent oder weniger des thermischen Ausdehnungskoeffizienten für
den das Wellenlängenumwandlungssubstrat ausbildenden Einkristall.
Durch Reduzierung der Differenz der thermischen Ausdehnungskoeffizienten
ist es möglich, eine Fluktuation oder Reduktion bei der
Emissionseffizienz zu vermeiden, wenn Temperaturzyklen oder Temperaturänderungen
durchlaufen werden.
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Für
die Materialien der Oberseiten- und Unterseitenpufferschichten können
Siliziumoxyd, Magnesiumfluorid, Siliziumnitrid, Aluminiumoxyd und Tantalpentoxid
als Beispiele aufgeführt werden.
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Die
Dicke „c” der Oberseitenpufferschicht und der
Unterseitenpufferschicht ist nicht besonders beschränkt.
Wenn die Dicke „c” der Pufferschichten zu gering
ist, erhöht sich jedoch der optische Ausbreitungsverlust.
Unter diesem Gesichtspunkt beträgt die Dicke „c” vorzugsweise
0,2 μm oder mehr. Wenn zudem die Dicke „c” der
Pufferschichten zu groß ist, wird eine Erzeugung der Pufferschicht
schwierig. Unter diesem Gesichtspunkt kann die Dicke „c” vorzugsweise
2,0 μm oder weniger und noch bevorzugter 1,5 μm
oder weniger betragen.
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Das
Material für die Haftschicht zum Anhaften des Wellenlängenumwandlungssubstrats
und des Stützkörpers kann ein anorganisches Haftmittel, ein
organisches Haftmittel oder eine Kombination daraus sein.
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Obwohl
das organische Haftmittel nicht besonders beschränkt ist,
sind beispielsweise Epoxydhaftmittel, Akrylhaftmittel, wärmehärtende
Haftmittel, unter ultravioletten Strahlen härtende Haftmittel
sowie ALON-Keramiken C (Markenname der Toa Gosei Ltd.; Wärmeausdehnungskoeffizient:
13 × 10–6/K) bevorzugt
beinhaltet, die einen Wärmeausdehnungskoeffizienten relativ
nahe zu dem eines den elektrooptischen Effekt zeigenden Materials
wie etwa Lithiumniobat aufweisen.
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Ferner
ist bevorzugt, dass das anorganische Haftmittel eine niedrige dielektrische
Konstante und eine Anhaftungstemperatur (Verarbeitungstemperatur)
von 600°C oder weniger aufweist. Zudem weist das Haftmittel vorzugsweise
eine ausreichend hohe Anhaftungsfestigkeit während der
Verarbeitung auf. Im Einzelnen beinhaltet das Haftmittel ein Glas
aus einem einzelnen Bestandteil oder einer Kombination von vielen
Bestandteilen, die aus einer Gruppe ausgewählt werden,
die aus Siliziumoxyd, Bleioxyd, Aluminiumoxyd, Magnesiumoxyd, Kalziumoxyd,
Boroxyd und dergleichen besteht. Das andere anorganische Haftmittel
beinhaltet beispielsweise Tantalpentoxid, Titanoxyd, Niobpentoxid
und Zinkoxyd.
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Das
Herstellungsverfahren für die anorganische Haftmittelschicht
ist nicht besonders beschränkt und beinhaltet Zerstäubung,
Gasphasenabscheidung, Aufschleuderungsbeschichtung sowie eine Sol-Gel-Verarbeitung.
Zudem kann eine Schicht aus einem Haftmittel zwischen dem Wellenlängenumwandlungssubstrat
und einem Stützkörper zu deren Verbindung angeordnet
werden. Eine Schicht aus einem wärmehärtenden
Harz, einem unter Licht aushärtenden Harz oder einem unter
Licht verdickenden Harzhaftmittel wird vorzugsweise zwischen dem
Wellenlängenumwandlungssubstrat und dem Stützkörper
angeordnet und dann ausgeheilt. Eine derartige Schicht kann vorzugsweise
ein Schichtharz mit einer Dicke von 10 μm oder weniger
sein.
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BEISPIELE
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(Beispiel 1)
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Die
in 1 dargestellte Vorrichtung zur Oszillation einer
zweiten Oberschwingung wurde hergestellt.
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Im
Einzelnen wurde eine kammförmige periodische Elektrode
mit einer Periode von 7,0 μm auf einem mit 5% MgO dotierten
Lithiumniobat-Z-Substrat mit einer Dicke von 0,5 mm durch Fotolithographie ausgebildet.
Das Substrat wies einen spezifischen Volumenwiderstand von 5 × 1013 Ω·cm auf. Eine Elektrodenmembran
wurde über die gesamte Oberfläche der Rückfläche
des Substrates ausgebildet. Dann wurde eine Impulsspannung zum Ausbilden
der periodischen Domänenpolarisationsinversionsstruktur 5 an
die Elektroden angelegt. Eine untere Mantelschicht 6 aus
SiO2 (Pufferschicht) mit einer Dicke von 0,6 μm
wurde durch Zerstäubung darauf ausgebildet.
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Auf
einem Lithiumniobatsubstrat 8 mit geringem Widerstand in
Z-Schnitt mit einer Dicke von 0,5 mm wurde ein Haftmittel aufgebracht,
das dann an das vorstehend beschriebene MgO-dotierte Lithiumniobatsubstrat
angehaftet wurde. Das Substrat 8 wies einen spezifischen
Volumenwiderstand von 5 × 1010 Ω·cm
auf. Die Dicke des Haftmittels betrug 0,4 μm. Die Oberfläche
des MgO-dotierten Lithiumniobatsubstrats wurde auf eine Dicke von
45 μm abgeschliffen und poliert. Auf dem somit erhaltenen
Substrat 2 wurde ein optischer Wellenleiter ausgebildet, und
eine obere Mantelschicht 9 aus Siliziumdioxyd (Pufferschicht)
mit einer Dicke von 0,6 μm wurde durch Zerstäubung
darauf ausgebildet.
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Der
somit erhaltene Anhaftungskörper wurde mittels eines Chipschneidegerätes
auf eine Länge von 5 mm und eine Breite von 23 mm geschnitten. Der
Anhaftungskörper wurde auf einer Einspannvorrichtung zum
Polieren der Endfläche fixiert. 20 der Anhaftungskörper
wurden laminiert und auf der Einspannvorrichtung fixiert. Die Endflächen
der Anhaftungskörper wurden mit einem Diamantschleifmittel und
danach mit einem Schleifmittel aus kolloidalem Siliziumoxyd poliert.
Auf beiden Endflächen jedes Anhaftungskörpers
wurden jeweils Antireflexionsschichten ausgebildet. Danach wurde
der Anhaftungskörper in Chips mit jeweils einer Breite
von 3,5 mm geschnitten, und ein optischer Scheibenwellenleiter wurde
darin ausgebildet.
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In
dem optischen Wellenleiter wurde ein Nd-YAG-Laser zum Messen der
optischen Eigenschaften des Chips verwendet. Genauer wurde die Oszillationsleistung
des Lasers auf 2 W zur Bereitstellung von Grundwellenlicht eingestellt,
was auf den optischen Scheibenwellenleiter durch eine Linse eingestrahlt
wurde. Das Grundwellenlicht wurde über eine Breite von
3 mm gerastert, und die Verteilung der resultierenden SHG-Ausgabe
wurde gemessen. Es ergab sich, dass eine SHG-Ausgabeleistung von 10
mW oder mehr über den gesamten gerasterten Bereich beobachtet
wurde.
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(Beispiel 2)
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Die
Vorrichtung 1 zur Oszillation einer zweiten Oberschwingung
wurde gemäß demselben Ablauf wie bei Beispiel
1 hergestellt, und ihre Endfläche wurde poliert. Das Material
für den Stützkörper 8 war jedoch
ein Einkristall aus Lithiumniobat mit einem geringen Widerstand,
d. h. mit einem spezifischen Volumenwiderstand von 4 × 1011 Ω·cm.
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Ein
Nd-YAG-Laser wurde in dem optischen Wellenleiter zum Messen der
optischen Eigenschaften des Chips verwendet. Genauer wurde die Oszillationsleistung
des Lasers auf 2 W zur Bereitstellung von Grundwellenlicht eingestellt,
was auf den optischen Scheibenwellenleiter durch eine Linse eingestrahlt
wurde. Das Grundwellenlicht wurde über eine Breite von
3 mm gerastert, und die Verteilung der resultierenden SHG-Ausgabe
wurde gemessen. Es ergab sich, dass eine SHG-Ausgabeleistung von
10 mW oder mehr über den gesamten gerasterten Bereich betrachtet
wurde.
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(Vergleichsbeispiel 1)
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Die
Vorrichtung 1 zum Oszillieren einer zweiten Oberschwingung
wurde gemäß demselben Ablauf wie bei Beispiel
1 hergestellt, und ihre Endfläche wurde poliert. Das Material
für den Stützkörper 8 war jedoch
ein konventioneller Einkristall aus Lithiumniobat (mit einem spezifischen
Volumenwiderstand von 1 × 1019 Ω·cm),
anstelle des Einkristalls aus Lithiumniobat mit niedrigem Widerstand.
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Ein
Nd-YAG-Laser wurde bei dem optischen Wellenleiter zur Messung der
optischen Eigenschaften des Chips verwendet. Genauer wurde die Oszillationsleistung
des Lasers zur Bereitstellung von Grundwellenlicht auf 2 W eingestellt,
das auf den optischen Scheibenwellenleiter durch eine Linse eingestrahlt
wurde. Das Grundwellenlicht wurde über eine Breite von
3 mm gerastert, und die Verteilung der resultierenden SHG-Ausgabe
wurde gemessen. Es ergab sich, dass eine SHG-Ausgabeleistung von
weniger als 2 mW an drei betrachteten Bereichen beobachtet wurde.
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Als
Ergebnis der Beobachtung der drei Bereiche mit der geringen Ausgabeleistung
wurden Spuren einer Entladung 13 auf der Oberfläche
des optischen Scheibenwellenleiters und Risse 14 innerhalb
des Wellenleiters nachgewiesen.
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(Beispiel 3)
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Die
in 3 dargestellte Vorrichtung 11 zur Oszillation
einer zweiten Oberschwingung wurde herstellt.
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Im
Einzelnen wurde eine kammförmige periodische Elektrode
mit einer Periode von 7,0 μm auf einem mit 5% MgO dotierten
Lithiumniobat-Z-Substrat mit einer Dicke von 0,5 mm durch Fotolithographie ausgebildet.
Das Substrat wies einen spezifischen Volumenwiderstand von 5 × 1013 Ω·cm auf. Eine Elektrodenmembran
wurde über der gesamten Oberfläche der Rückfläche
des Substrates ausgebildet. Dann wurde eine Impulsspannung an den
Elektroden zur Ausbildung einer periodischen Domänenpolarisationsinversionsstruktur 5 angelegt.
Eine untere Mantelschicht 6 aus Siliziumdioxyd (Pufferschicht)
mit einer Dicke von 0,6 μm wurde durch Zerstäubung
darauf ausgebildet.
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Auf
einem Lithiumniobatsubstrat 8 mit einer Dicke von 0,5 mm
wurde ein Haftmittel aufgebracht, was sodann an das vorstehend beschriebene MgO-dotierte
Lithiumniobatsubstrat angehaftet wurde. Das Substrat 8 wies
einen spezifischen Volumenwiderstand von 1 × 1019 Ω·cm auf. Die Dicke
des Haftmittels betrug 0,4 μm. Die Oberfläche
des MgO-dotierten Lithiumniobatsubstrats wurde auf eine Dicke von
45 μm geschliffen und poliert. Auf dem somit erhaltenen
Substrat 2 wurde ein optischer Wellenleiter ausgebildet,
und eine obere Mantelschicht 9 aus Siliziumdioxyd (Pufferschicht)
mit einer Dicke von 0,6 μm wurde darauf durch Zerstäubung
ausgebildet. Zudem wurde auf der oberen Mantelschicht 9 durch
Zerstäubung eine leitende Schicht 10 mit einer Dicke
von 0,5 μm aus Cr ausgebildet.
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Der
somit erhaltene Anhaftungskörper wurde durch ein Chipschneidegerät
auf eine Länge von 5 mm und eine Breite von 23 mm geschnitten.
Der Anhaftungskörper wurde auf eine Einspannvorrichtung zum
Polieren der Endfläche fixiert. 20 der Anhaftungskörper
wurden laminiert und auf der Einspannvorrichtung fixiert. Die Endflächen
der Anhaftungskörper wurden mit Diamantschleifmittel und
danach durch kolloidales Siliziumoxydschleifmittel poliert. Auf
beiden Endflächen jedes Anhaftungskörpers wurden
jeweils Antireflexionsschichten ausgebildet. Danach wurde der Anhaftungskörper
in Chips mit jeweils einer Breite von 3,5 mm geschnitten, und ein optischer
Scheibenwellenleiter wurde darin ausgebildet.
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Ein
Nd-YAG-Laser wurde in dem optischen Wellenleiter zur Messung der
optischen Eigenschaften des Chips verwendet.
-
Genauer
wurde die Oszillationsleistung des Lasers zur Bereitstellung von
Grundwellenlicht auf 2 W eingestellt, das auf den optischen Scheibenwellenleiter
durch eine Linse eingestrahlt wurde. Das Grundwellenlicht wurde über
eine Breite von 3 mm gerastert, und die Verteilung der resultierenden SHG-Ausgabe
wurde gemessen. Es ergab sich, dass eine SHG-Ausgabeleistung von
10 mW oder mehr über dem gesamten gerasterten Bereich beobachtet wurde.
-
- 1,
11
- Wellenlängenumwandlungsvorrichtung,
- 2
- Wellenlängenumwandlungssubstrat,
- 3
- Polarisationsinversionsteil,
- 4
- Nichtinversionsteil,
- 5
- Periodische
Domäneninversionsstruktur,
- 6
- Unterseitenpufferschicht,
- 7
- Anhaftungsschicht,
- 8
- Stützkörper,
- 9
- Oberseitenpufferschicht,
- 10
- leitende
Schicht
-
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
-
- - JP 2005-55528
A [0003]
- - WO 2009/107473 A1 [0004]
- - JP 2009/052121 [0004]