JP2008224972A - 光学素子および光学素子の製造方法 - Google Patents

光学素子および光学素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008224972A
JP2008224972A JP2007062163A JP2007062163A JP2008224972A JP 2008224972 A JP2008224972 A JP 2008224972A JP 2007062163 A JP2007062163 A JP 2007062163A JP 2007062163 A JP2007062163 A JP 2007062163A JP 2008224972 A JP2008224972 A JP 2008224972A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
direction side
optical element
wavelength conversion
crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007062163A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazutomo Kadokura
一智 門倉
Kimitada Tojo
公資 東條
Katsuhiko Tokuda
勝彦 徳田
Mamoru Hisamitsu
守 久光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Original Assignee
Shimadzu Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP2007062163A priority Critical patent/JP2008224972A/ja
Publication of JP2008224972A publication Critical patent/JP2008224972A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

【課題】光学素子の製造作業効率を向上すると共に安定した特性を得る。
【解決手段】波長変換結晶(2)のレーザ光入射面(2i)以外の一面(12a)およびそれに対向する一面(12a)にダミー材(3)を貼り付けた後、レーザ結晶(1)のレーザ光出射面(1o)がある面に貼り付ける。
【効果】レーザ結晶(1)に対する貼り合わせ面積が、波長変換結晶(2)とダミー材(3)とを合わせた面積になるため、波長変換結晶(2)だけをレーザ結晶(1)に貼り合わせる作業に比べて、ずっと貼り合わせ作業が容易になり、製造の作業効率を向上することが出来る。安定した品質で貼り合わせることが出来るため、ばらつきがなくなり、安定した特性が得られる。
【選択図】図12

Description

本発明は、光学素子および光学素子の製造方法に関し、さらに詳しくは、全体を小型化でき、製造作業効率を向上でき、安定した特性が得られる光学素子およびその製造方法に関する。
冷却フィンを有するヒートシンクで波長変換素子の周囲を囲んだレーザ波長変換装置が知られている(特許文献1参照。)。
また、レーザ結晶と波長変換結晶とを一体化した構造の光学素子およびその製造方法が知られている(特許文献2参照。)。
さらに、内部に周期的分極反転構造を有する強誘電体結晶の製造方法が知られている(特許文献3参照。)。
特開2001−305592号公報 特開2005−57043号公報 特開2005−208197号公報
冷却フィンを有するヒートシンクで波長変換素子の周囲を囲む構造では、全体が大型になってしまう問題点がある。
他方、レーザ結晶と波長変換結晶とを一体化した構造の光学素子では、製造に際して、レーザ結晶のレーザ光出射面と波長変換結晶のレーザ光入射面とを貼り合わせて一体化する作業が必要になる。ここで、レーザ結晶のレーザ光出射面および波長変換結晶のレーザ光入射面の両方とも広い面積とすることが出来れば、貼り合わせる作業に困難はない。しかし、波長変換結晶のレーザ光入射面が狭い面積となる場合がある。例えば、結晶内に周期的分極反転構造を形成する必要がある波長変換結晶では、周期的分極反転構造の分極反転の周期と分極方向の結晶厚のアスペクト比の制約により、結晶厚を大きくできないため、レーザ光入射面が狭い面積となってしまう。このような場合は、レーザ結晶のレーザ光出射面と波長変換結晶のレーザ光入射面とを貼り合わせて一体化する作業が困難になり、作業効率が悪くなる問題点がある。また、安定した品質で貼り合わせることが困難になり、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がある。
そこで、本発明の目的は、全体を小型化でき、製造作業効率を向上でき、安定した特性が得られる光学素子およびその製造方法を提供することにある。
第1の観点では、本発明は、板状体であってその一面がレーザ光入射面(2i)である波長変換結晶(2)と、板状体であってその一面(3e)が前記波長変換結晶(2)の前記レーザ光入射面(2i)以外の一面(2a)に貼り付けられたダミー材(3)とを具備し、前記波長変換結晶(2)のレーザ光入射面(2i)と前記ダミー材(3)の一面(3d)とが同一平面上にあることを特徴とする光学素子(9)を提供する。
上記第1の観点による光学素子(9)では、ダミー材(3)を波長変換結晶(2)に貼り付ける構造であるため、ダミー材(3)の放熱機能を利用することが出来ると共に全体を小型化できる。また、波長変換結晶(2)のレーザ光入射面(2i)とダミー材(3)の一面(3d)とが同一平面上にあるため、この面にレーザ結晶(1)のレーザ光出射面(1o)を好適に貼り付けることが出来る。
第2の観点では、本発明は、板状体であってその一面がレーザ光出射面(1o)であるレーザ結晶(1)と、板状体であってその一面がレーザ光入射面(2i)であり且つ該レーザ光入射面(2i)が前記レーザ光出射面(1o)の一部に貼り付けられた波長変換結晶(2)と、板状体であってその一面(3d)が前記レーザ光出射面(1o)の一部に貼り付けられ且つ別の一面(3e)が前記波長変換結晶(2)の前記レーザ光入射面(2i)以外の一面(2a)に貼り付けられたダミー材(3)とを具備したことを特徴とする光学素子(10)を提供する。
上記第2の観点による光学素子(10)では、波長変換結晶(2)とダミー材(3)とを貼り合わせた後、レーザ結晶(1)に貼り付けるといった製造方法を採ることが出来る。ここで、周期的分極反転構造の分極反転の周期と分極方向の結晶厚のアスペクト比の制約がレーザ光入射面(2i)以外の一面(2a)にはないため、波長変換結晶(2)とダミー材(3)の貼り合わせ面積を大きくすることができ、この貼り合わせ作業は容易である。また、波長変換結晶(2)とダミー材(3)とを貼り合わせた物をレーザ結晶(1)に貼り合わせるが、波長変換結晶(2)とダミー材(3)とを合わせた貼り合わせ面積になるため、波長変換結晶(2)だけをレーザ結晶(1)に貼り合わせる作業に比べて、ずっと貼り合わせ作業が容易になる。よって、製造の作業効率を向上することが出来る。さらに、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。
第3の観点では、本発明は、前記第2の観点による光学素子(10)において、前記レーザ結晶(1)にスペーサ(5)を挟んで該スペーサ(5)と同じ屈折率の接着剤により前記波長変換結晶(2)および前記ダミー材(3)を貼り付けたことを特徴とする光学素子(10)を提供する。
接着剤だけであれば、接着剤の厚さがほぼ決まってしまい、エタロン効果を生じることがある。
そこで、上記第3の観点による光学素子(10)では、スペーサ(5)を挟んで光路長を調整し、エタロン効果を抑制する。
第4の観点では、本発明は、前記第2または第3の観点による光学素子(10)において、前記レーザ結晶(1)に前記波長変換結晶(2)および前記ダミー材(3)をオプチカルコンタクト(7)により貼り付けたことを特徴とする光学素子(10)を提供する。
上記第4の観点による光学素子(10)では、オプチカルコンタクトを用いるため、エタロン効果を生じなくなる。
第5の観点では、本発明は、前記第1から第4のいずれかの観点による光学素子(10)において、前記波長変換結晶(2)が、内部に周期的分極反転構造を有する強誘電体結晶であることを特徴とする光学素子(9,10)を提供する。
上記第5の観点による光学素子(9,10)では、内部に周期的分極反転構造を有する強誘電体結晶を波長変換結晶(2)とするので、周期的分極反転構造の分極反転の周期と分極方向の結晶厚のアスペクト比の制約を受ける。従って、本発明が特に有用になる。
第6の観点では、本発明は、前記第5の観点による光学素子(9,10)において、前記強誘電体結晶が、定比組成(ストイキオメトリ)または定比組成に近いタンタル酸リチウムであることを特徴とする光学素子(9,10)を提供する。
上記第6の観点による光学素子(9,10)では、定比組成(ストイキオメトリ)または定比組成に近いタンタル酸リチウムを用いるので、周期的分極反転構造の形成が容易になる。
第7の観点では、本発明は、前記第6の観点による光学素子(9,10)において、前記タンタル酸リチウムのモル分率Li2O/(Ta2O5+Li2O)が0.490以上0.500未満であることを特徴とする光学素子(9,10)を提供する。
上記第7の観点による光学素子(9,10)では、モル分率Li2O/(Ta2O5+Li2O)が0.490以上0.500未満のタンタル酸リチウムを用いるので、周期的分極反転構造の形成が容易になる。
第8の観点では、本発明は、前記第6または第7の観点による光学素子(9,10)において、前記タンタル酸リチウムが、Mg,Zn,Sc,Inの少なくとも一種類をドープされたものであることを特徴とする光学素子(9,10)を提供する。
上記第8の観点による光学素子(9,10)では、周期的分極反転構造の形成が容易になる。
第9の観点では、本発明は、前記第1から第8のいずれかの観点による光学素子(9,10)において、前記ダミー材(3)の熱伝導率が、ガラスの熱伝導率よりも大きいことを特徴とする光学素子(9,10)を提供する。
上記第9の観点による光学素子(9,10)では、ダミー材(3)がヒートシンクとして好適に機能する。
第10の観点では、本発明は、前記第1から前記第9のいずれかの観点による光学素子(9,10)において、前記波長変換結晶(2)と前記ダミー材(3)とを接着剤により貼り付けたことを特徴とする光学素子(9,10)を提供する。
上記第10の観点による光学素子(9,10)では、接着剤を用いるため、オプチカルコンタクト(7)を用いる場合より、作業が容易になる。
第11の観点では、本発明は、光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶大基板(32)の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも1面に板状体のダミー材大基板(13)を貼り付けて第1複合大基板(21’)とし、該第1複合大基板(21’)の前記光軸方向辺について作用長(L)で切断して複数の第1複合基板(21)を作成し、該第1複合基板(21)をさらに切断して複数の光学素子(9)を得ることを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
上記第11の観点による光学素子の製造方法では、大面積の波長変換結晶大基板(32)とダミー材大基板(13)とを貼り合わせるため、貼り合わせ作業が容易になる。よって、製造の作業効率を向上することが出来る。また、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。さらに、第1複合大基板(21’)の光軸方向辺について作用長(L)で切断するので、光軸に対するアライメントがばらつかず、安定した特性が得られる。また、複数の光学素子(9)をまとめて製造できる。
第12の観点では、本発明は、作用長(L)の長さの光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶基板の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも1面に板状体のダミー材基板を貼り付けて第1複合基板(21)とし、該第1複合基板(21)を切断して複数の光学素子(9)を得ることを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
上記第12の観点による光学素子の製造方法では、大面積の波長変換結晶基板とダミー材基板とを貼り合わせるため、貼り合わせ作業が容易になる。よって、製造の作業効率を向上することが出来る。さらに、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。また、複数の光学素子(9)をまとめて製造できる。
第13の観点では、本発明は、光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶大基板(32)の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも1面に板状体のダミー材大基板(13)を貼り付けて第1複合大基板(21’)とし、該第1複合大基板(21’)の前記光軸方向辺について作用長(L)で切断して複数の第1複合基板(21)を作成し、該第1複合基板(21)の前記幅方向辺と厚さ方向辺とで区画されたレーザ光入射面(12i)と板状体であってその一面がレーザ光出射面(11o)であるレーザ結晶基板(11)の前記レーザ光出射面(11o)がある面とを貼り付けて第2複合基板(22)とし、該第2複合基板(22)を切断して複数の光学素子(10)を得ることを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
上記第13の観点による光学素子の製造方法では、大面積の波長変換結晶大基板(32)とダミー材大基板(13)とを貼り合わせるため、貼り合わせ作業が容易になる。よって、製造の作業効率を向上することが出来る。また、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。さらに、第1複合大基板(21’)の光軸方向辺について作用長(L)で切断するので、光軸に対するアライメントがばらつかず、安定した特性が得られる。また、複数の光学素子(10)をまとめて製造できる。
第14の観点では、本発明は、作用長(L)の長さの光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶基板の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも1面に板状体のダミー材基板を貼り付けて第1複合基板(21)とし、該第1複合基板(21)の前記幅方向辺と厚さ方向辺とで区画されたレーザ光入射面(12i)と板状体であってその一面がレーザ光出射面(11o)であるレーザ結晶基板(11)の前記レーザ光出射面(11o)がある面とを貼り付けて第2複合基板(22)とし、該第2複合基板(22)を切断して複数の光学素子(10)を得ることを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
上記第14の観点による光学素子の製造方法では、大面積の波長変換結晶基板とダミー材基板とを貼り合わせるため、貼り合わせ作業が容易になる。よって、製造の作業効率を向上することが出来る。さらに、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。また、複数の光学素子(10)をまとめて製造できる。
第15の観点では、本発明は、前記第13または前記第14の観点による光学素子の製造方法において、前記第1複合基板(21)にスペーサ基板を挟んで該スペーサ基板と同じ屈折率の接着剤により前記レーザ結晶基板(11)を貼り付けることを特徴とする光学素子の製造方法を提供する。
上記第15の観点による光学素子の製造方法では、前記第3の観点による光学素子(10)を好適に製造できる。
本発明の光学素子(9,10)およびその製造方法によれば、全体を小型化でき、製造作業効率を向上でき、安定した特性が得られる。
以下、図に示す実施例により本発明をさらに詳細に説明する。なお、これにより本発明が限定されるものではない。
図1は、実施例1に係る光学素子9を示す斜視図である。
この光学素子9は、基本波レーザ光Lmの高調波である波長変換レーザ光Lo(SHG光)を出す波長変換結晶2と、波長変換結晶2をサンドイッチ状に挟むように波長変換結晶2に貼り付けられたダミー材3とを具備しており、波長変換結晶2のレーザ光入射面2iとダミー材3の一面3dとは同一平面上にある。
図2は、光学素子9の分解斜視図である。
板状体の波長変換結晶2のレーザ光入射面2iでない面2aに、板状体のダミー材3の面3eが貼り付けられる。
図3は、光学素子9の製造手順を示すフロー図である。
ステップS1では、図4に示すように、分極反転方向Drの光軸方向辺の長さL’、分極反転方向Drおよび分極方向Dpに交差する幅方向の幅G、分極方向Dpの厚さ方向の厚さdの板状体である波長変換結晶大基板32を作成する。長さL’は例えば6mm、幅Gは例えば6mm、厚さdは例えば0.4mmである。そして、ステップS3へ進む。
波長変換結晶大基板32は、例えば特許文献3に記載の製造方法により製造できる。すなわち、所定サイズの強誘電体結晶大基板32aの対向面に周期電極32bとベタ電極32cを形成し、電極間に電圧を印加し、強誘電体結晶大基板32aの内部に周期的分極反転構造を形成する。電極の対向方向が分極方向Dpになり、周期電極32bの形状の周期パターン方向が分極反転方向Drになる。電極は、そのまま残しておいてもよいし、除去してもよい。ダミー材との接着にオプチカルコンタクトを利用する場合には除去する方が望ましい。
強誘電体結晶大基板32aは、例えば、MgOをドープした、定比組成(ストイキオメトリ)または定比組成に近いタンタル酸リチウム基板(MgOドープ定比組成タンタル酸リチウムj基板)であり、そのモル分率Li2O/(Ta2O5+Li2O)は0.49以上0.5未満である。
ステップS2では、図5の(a)に示すように、長さL’、幅G、厚さWの板状体であるダミー材大基板13−1を作成する。また、図5の(b)に示すように、長さL’、幅G、厚さwの板状体であるダミー材大基板13−2を作成する。厚さWは例えば1mm、厚さwは例えば0.5mmである。そして、ステップS3へ進む。
ダミー材は、ヒートシンクとして好適に機能するように、ガラスの熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有する材料製とすることが好ましい。また、熱膨張した時の悪影響を抑制するため、熱膨張係数がレーザ結晶1や波長変換結晶2と同程度の材料とするのが好ましい。例えばLT基板、CLT基板、Cu基板である。
ステップS3では、図6に示すように波長変換結晶大基板32とダミー材大基板13−1とを交互に貼り合わせ、両端にはダミー材大基板13−2を貼り合わせ、第1複合大基板21’を作成する。貼り合わせた方向の第1複合大基板21’の幅Zは例えば7mmである。
貼り合わせの方法は、接着剤を用いてもよいし、オプチカルコンタクトを用いてもよい。
ステップS4では、図7に示すように分極反転方向Dr(=光軸方向)について所定の作用長Lごとに波長変換結晶大基板32をダイシング装置で切断し、図8に示すごとき第1複合基板21を複数得る。C’は切断線である。作用長Lは例えば2mmである。
ステップS5では、分極反転方向Drに対向する第1複合基板21の2面に光学研磨を施し、必要なAR膜あるいはHR膜を成膜する。例えば、2面の一方に基本波に対するAR膜を成膜し、他方にHR膜を成膜する。
ステップS6では、図9に示すように切断線Cで第1複合基板21を切断し、複数の光学素子9を得る。
図10は、ダミー材3にLT基板、Cu基板を用いた場合および比較例としてガラス基板を用いた場合における光学素子9のSHG光出力ピーク温度シフト量をそれぞれ示すグラフである。
図10から判るように、ヒートシンクとして好適に機能させるためには、ガラスの熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有する材料を用いるのが好ましい。
実施例1によれば次の効果が得られる。
(1)光学素子9を小型化できる(例えば1.4mm×2mm×2mm)。
(2)波長変換結晶大基板32とダミー材大基板13−1,13−2の貼り合わせ面積が大きい(例えば6mm×7mm)ので、貼り合わせ作業が容易になる。よって、製造の作業効率を向上することが出来る。また、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。
(3)第1複合大基板21’の光軸方向辺について作用長Lで切断するので、光軸に対するアライメントがばらつかず、安定した特性が得られる。
(4)ダミー材3として、ガラスより熱伝導のよい材料を用いれば、ヒートシンクとして好適に機能する。
(5)複数の光学素子9をまとめて製造できる。
波長変換結晶大基板32の長さL’=作用長Lとし、ダミー材大基板13−1,13−2の長さL’=作用長Lとした後で、これらを貼り合わせてもよい。
図11は、実施例3に係る光学素子10を示す斜視図である。
この光学素子10は、半導体レーザからの励起レーザ光Liにより励起されて基本波レーザ光を出すレーザ結晶1と、基本波レーザ光の高調波である波長変換レーザ光Loを出す波長変換結晶2と、波長変換結晶2をサンドイッチ状に挟むダミー材3とを具備している。
図12は、光学素子10の分解斜視図である。
板状体のレーザ結晶1のレーザ光出射面1oの一部に、板状体の波長変換結晶2のレーザ光入射面2iが貼り付けられる。また、レーザ結晶1のレーザ光出射面1oの別の一部に、板状体のダミー材3の一面3dが貼り付けられ且つダミー材3の別の一面3eが波長変換結晶2のレーザ光入射面2i以外の一面2aに貼り付けられる。
図13は、光学素子10の製造手順を示すフロー図である。
ステップS1〜S5は、実施例1と同様である。
ステップS5の後、ステップS11へ進む。
一方、ステップS8では、所定の厚さhを持つレーザ結晶大基板を作成する。
ステップS9では、第1複合基板21の長さGと幅Zに合わせたサイズにレーザ結晶大基板を切断し、図14に示すごときレーザ結晶基板11を得る。例えば、レーザ結晶基板11の厚さhは1mmである。
レーザ結晶大基板は、例えばYAG結晶大基板である。
ステップS10では、レーザ光が入射または出射するレーザ結晶基板11の2面に光学研磨を施し、必要なAR膜あるいはHR膜を成膜する。例えば、2面の一方に基本波に対するAR膜を成膜し、他方にHR膜を成膜する。
そして、ステップS11へ進む。
ステップS11では、図14に示すように第1複合基板21のAR膜を成膜した面12iとレーザ結晶基板11のAR膜を成膜した面すなわちレーザ光出射面11oとを貼り合わせて図15に示すような第2複合基板22を作成する。
貼り合わせの方法は、接着剤を用いてもよいし、オプチカルコンタクトを用いてもよい。

※第2複合基板22を作成する手法の追加
レーザ結晶基板11と第1複合基板21に研磨を施し、貼り合せ面に必要なAR膜を成膜した後、レーザ結晶基板11と第1複合基板21を貼り合せて(仮)第2複合基板22を作成する。その後、(仮)第2複合基板22のレーザ入射面とレーザ出射面の2面に光学研磨を施し、HR膜を成膜して第2複合基板22を作成する。(貼り合せ後に第2複合基板のHR面を作成することで、さらに平行平面精度が良い光学素子を得られる)
ステップS12では、図15に示すように切断線Cで第2複合基板22を切断し、複数の光学素子10を得る。
実施例3によれば、波長変換結晶2とダミー材3とを貼り合わせた後、レーザ結晶1に貼り付けるといった製造方法を採ることが出来るので、レーザ結晶1への貼り合わせ面積が波長変換結晶2とダミー材3とを合わせた面積になる。このため、貼り合わせ作業が容易になり、製造の作業効率を向上することが出来る。また、安定した品質で貼り合わせることが出来るため、貼り合わせた面内の場所によって特性が異なったり、光学素子間で特性がばらついたりする問題点がなくなり、安定した特性が得られる。また、ダミー材3として、レーザ結晶1や波長変換結晶2よりも熱伝導のよい材料を用いれば、ダミー材3がない場合より温度制御がしやすくなる。さらに、複数の光学素子10をまとめて製造できる。
図16および図17に示すように、レーザ結晶1のレーザ出射面1oと、波長変換結晶2のレーザ光入射面2iおよびダミー材3の面3dとの間に、スペーサ5を挟み、スぺーサ5と同じ屈折率の接着剤により貼り合わせてもよい。
スぺーサ5は、基本波レーザ光を通し且つレーザ結晶1と同程度の熱膨張率を持つ材料とするのが好ましい。
実施例4に係る光学素子10によれば、スぺーサ5の厚さを適切にすることで、接着剤によるエタロン効果を緩和することが出来る。
(1)波長変換結晶大基板32として、内部に周期的分極構造を有したLT基板やLN基板、MgOをドープしたLT基板やLN基板、KTP基板も使用できる。
(2)ダミー材大基板13−1,13−2として、波長変換結晶2と同じ材料(周期的分極反転構造は必要ない)や、石英ガラス、BK−7なども使用できる。
(3)ダミー基板3を波長変換結晶2の片面だけに貼り合わせてもよい。
本発明の光学素子およびその製造方法は、例えばSHG波長変換技術を用いた半導体励起固体レーザ等に利用できる。
実施例1に係る光学素子を示す斜視図である。 実施例1に係る光学素子を示す分解斜視図である。 実施例1に係る光学素子の製造手順を示すフロー図である。 波長変換結晶大基板を示す斜視図である。 ダミー材大基板を示す斜視図である。 第1複合大基板を示す斜視図である。 第1複合大基板の切断を示す斜視図である。 第1複合基板を示す斜視図である。 第1複合基板の切断を示す斜視図である。 ダミー基板の材料によるピーク温度シフト量を示すグラフである。 実施例3に係る光学素子を示す斜視図である。 実施例3に係る光学素子を示す分解斜視図である。 実施例3に係る光学素子の製造手順を示すフロー図である。 第1複合基板とレーザ結晶基板の貼り合わせ工程を示す斜視図である。 第2複合基板を示す斜視図である。 実施例4に係る光学素子を示す斜視図である。 実施例4に係る光学素子を示す分解斜視図である。
符号の説明
1 レーザ結晶 1o レーザ光出射面 2 波長変換結晶 2i レーザ光入射面 3 ダミー材 5 スぺーサ 9,10 光学素子
13−1,13−2 ダミー材大基板
21 第1複合基板
21’ 第1複合大基板
22 第2複合基板
32 波長変換結晶大基板
C,C’ 切断線

Claims (15)

  1. 板状体であってその一面がレーザ光入射面(2i)である波長変換結晶(2)と、板状体であってその一面(3e)が前記波長変換結晶(2)の前記レーザ光入射面(2i)以外の一面(2a)に貼り付けられたダミー材(3)とを具備し、前記波長変換結晶(2)のレーザ光入射面(2i)と前記ダミー材(3)の一面(3d)とが同一平面上にあることを特徴とする光学素子(9)。
  2. 板状体であってその一面がレーザ光出射面(1o)であるレーザ結晶(1)と、板状体であってその一面がレーザ光入射面(2i)であり且つ該レーザ光入射面(2i)が前記レーザ光出射面(1o)の一部に貼り付けられた波長変換結晶(2)と、板状体であってその一面(3d)が前記レーザ光出射面(1o)の一部に貼り付けられ且つ別の一面(3e)が前記波長変換結晶(2)の前記レーザ光入射面(2i)以外の一面(2a)に貼り付けられたダミー材(3)とを具備したことを特徴とする光学素子(10)。
  3. 請求項2に記載の光学素子(10)において、前記レーザ結晶(1)にスペーサ(5)を挟んで該スペーサ(5)と同じ屈折率の接着剤により前記波長変換結晶(2)および前記ダミー材(3)を貼り付けたことを特徴とする光学素子(10)。
  4. 請求項2または請求項3に記載の光学素子(10)において、前記レーザ結晶(1)に前記波長変換結晶(2)および前記ダミー材(3)をオプチカルコンタクトにより貼り付けたことを特徴とする光学素子(10)。
  5. 請求項1から請求項4のいずれかに記載の光学素子(9,10)において、前記波長変換結晶(2)が、内部に周期的分極反転構造を有する強誘電体結晶であることを特徴とする光学素子(9,10)。
  6. 請求項5に記載の光学素子(9,10)において、前記強誘電体結晶が、定比組成(ストイキオメトリ)または定比組成に近いタンタル酸リチウムであることを特徴とする光学素子(9,10)。
  7. 請求項6に記載の光学素子(9,10)において、前記タンタル酸リチウムのモル分率Li2O/(Ta2O5+Li2O)が0.490以上0.500未満であることを特徴とする光学素子(9,10)。
  8. 請求項6または請求項7に記載の光学素子(9,10)において、前記タンタル酸リチウムが、Mg,Zn,Sc,Inの少なくとも一種類をドープされたものであることを特徴とする光学素子(9,10)。
  9. 請求項1から請求項8のいずれかに記載の光学素子(9,10)において、前記ダミー材(3)の熱伝導率が、ガラスの熱伝導率よりも大きいことを特徴とする光学素子(9,10)。
  10. 請求項1から請求項9のいずれかに記載の光学素子(9,10)において、前記波長変換結晶(2)と前記ダミー材(3)とを接着剤(7)により貼り付けたことを特徴とする光学素子(9,10)。
  11. 光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶大基板(32)の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも1面に板状体のダミー材大基板(13)を貼り付けて第1複合大基板(21’)とし、該第1複合大基板(21’)の前記光軸方向辺について作用長(L)で切断して複数の第1複合基板(21)を作成し、該第1複合基板(21)をさらに切断して複数の光学素子(9)を得ることを特徴とする光学素子の製造方法。
  12. 作用長(L)の長さの光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶基板の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも1面に板状体のダミー材基板を貼り付けて第1複合基板(21)とし、該第1複合基板(21)を切断して複数の光学素子(9)を得ることを特徴とする光学素子の製造方法。
  13. 光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶大基板(32)の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも1面に板状体のダミー材大基板(13)を貼り付けて第1複合大基板(21’)とし、該第1複合大基板(21’)の前記光軸方向辺について作用長(L)で切断して複数の第1複合基板(21)を作成し、該第1複合基板(21)の前記幅方向辺と厚さ方向辺とで区画されたレーザ光入射面(12i)と板状体であってその一面がレーザ光出射面(11o)であるレーザ結晶基板(11)の前記レーザ光出射面(11o)がある面とを貼り付けて第2複合基板(22)とし、該第2複合基板(22)を切断して複数の光学素子(10)を得ることを特徴とする光学素子の製造方法。
  14. 作用長(L)の長さの光軸方向辺と幅方向辺と厚さ方向辺とを有する板状体である波長変換結晶基板の前記光軸方向辺および前記幅方向辺で区画された少なくとも1面に板状体のダミー材基板を貼り付けて第1複合基板(21)とし、該第1複合基板(21)の前記幅方向辺と厚さ方向辺とで区画されたレーザ光入射面(12i)と板状体であってその一面がレーザ光出射面(11o)であるレーザ結晶基板(11)の前記レーザ光出射面(11o)がある面とを貼り付けて第2複合基板(22)とし、該第2複合基板(22)を切断して複数の光学素子(10)を得ることを特徴とする光学素子の製造方法。
  15. 請求項13または請求項14に記載の光学素子の製造方法において、前記第1複合基板(21)にスペーサ基板を挟んで該スペーサ基板と同じ屈折率の接着剤により前記レーザ結晶基板(11)を貼り付けることを特徴とする光学素子の製造方法。
JP2007062163A 2007-03-12 2007-03-12 光学素子および光学素子の製造方法 Pending JP2008224972A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007062163A JP2008224972A (ja) 2007-03-12 2007-03-12 光学素子および光学素子の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007062163A JP2008224972A (ja) 2007-03-12 2007-03-12 光学素子および光学素子の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008224972A true JP2008224972A (ja) 2008-09-25

Family

ID=39843680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007062163A Pending JP2008224972A (ja) 2007-03-12 2007-03-12 光学素子および光学素子の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008224972A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010035694A1 (ja) * 2008-09-26 2010-04-01 三菱電機株式会社 光波長変換素子、波長変換レーザ装置および画像表示装置
JP2010147035A (ja) * 2008-12-16 2010-07-01 Shimadzu Corp 光学素子および光学素子の製造方法
JP2010204593A (ja) * 2009-03-06 2010-09-16 Ngk Insulators Ltd 高調波発生素子
JP2010204505A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Ngk Insulators Ltd 波長変換素子およびその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002031827A (ja) * 2000-07-19 2002-01-31 Tohoku Techno Arch Co Ltd 増大化された有効開口面積を持つ構造の周期分極反転非線形光学材料
JP2004295088A (ja) * 2003-03-11 2004-10-21 Ngk Insulators Ltd 波長変換素子
JP2005057043A (ja) * 2003-08-04 2005-03-03 Topcon Corp 固体レーザ装置及び波長変換光学部材の製造方法
JP2006049506A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Ricoh Co Ltd 半導体レーザ励起固体レーザ装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002031827A (ja) * 2000-07-19 2002-01-31 Tohoku Techno Arch Co Ltd 増大化された有効開口面積を持つ構造の周期分極反転非線形光学材料
JP2004295088A (ja) * 2003-03-11 2004-10-21 Ngk Insulators Ltd 波長変換素子
JP2005057043A (ja) * 2003-08-04 2005-03-03 Topcon Corp 固体レーザ装置及び波長変換光学部材の製造方法
JP2006049506A (ja) * 2004-08-03 2006-02-16 Ricoh Co Ltd 半導体レーザ励起固体レーザ装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010035694A1 (ja) * 2008-09-26 2010-04-01 三菱電機株式会社 光波長変換素子、波長変換レーザ装置および画像表示装置
JP5361897B2 (ja) * 2008-09-26 2013-12-04 三菱電機株式会社 光波長変換素子、波長変換レーザ装置および画像表示装置
US8705165B2 (en) 2008-09-26 2014-04-22 Mitsubishi Electric Corporation Optical wavelength conversion element, wavelength conversion laser device, and image display device
JP2010147035A (ja) * 2008-12-16 2010-07-01 Shimadzu Corp 光学素子および光学素子の製造方法
JP2010204505A (ja) * 2009-03-05 2010-09-16 Ngk Insulators Ltd 波長変換素子およびその製造方法
US8294978B2 (en) 2009-03-05 2012-10-23 Ngk Insulators, Ltd. Wavelength conversion devices and a method of producing the same
JP2010204593A (ja) * 2009-03-06 2010-09-16 Ngk Insulators Ltd 高調波発生素子
US8184360B2 (en) 2009-03-06 2012-05-22 Ngk Insulators, Ltd. Wavelength converting devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4640207B2 (ja) 光学素子の製造方法
JP2007256324A (ja) 波長変換素子
JP2008102228A (ja) 光学素子および光学素子の製造方法
JP2013029826A (ja) 光デバイス及び光デバイスの製造方法
US20060120415A1 (en) Blue laser beam oscillating method and system
JP2008224972A (ja) 光学素子および光学素子の製造方法
JP5420810B1 (ja) 波長変換素子
US20120077003A1 (en) Method of nonlinear crystal packaging and its application in diode pumped solid state lasers
JP2009222963A (ja) 高調波発生装置
JP2004295088A (ja) 波長変換素子
JP4806427B2 (ja) 波長変換素子およびその製造方法
JP5272700B2 (ja) 光学素子および光学素子の製造方法
JP5361897B2 (ja) 光波長変換素子、波長変換レーザ装置および画像表示装置
JP4657228B2 (ja) 波長変換素子
JP2004239959A (ja) 擬似位相整合器の製造方法、擬似位相整合器、及び固体レーザ装置
JP5855229B2 (ja) レーザ装置
JP5018685B2 (ja) 光学素子および光学素子の製造方法
JP5428132B2 (ja) 光学素子の製造方法および光学素子
JP5464121B2 (ja) 光学素子の製造方法
JP2010032568A (ja) 光学素子および光学素子の製造方法
KR100734839B1 (ko) 파장변환 광소자 및 그 제조 방법
JP4074124B6 (ja) 非線形光学クリスタル・レーザー周波数変換カプラ
JP4939576B2 (ja) 高調波発生デバイスおよびその製造方法
JP5742127B2 (ja) 光モジュールおよび固体レーザ装置
JP6255805B2 (ja) レーザモジュール、固体レーザ装置及びレーザモジュールの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20090601

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A977 Report on retrieval

Effective date: 20100921

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20110106

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110426