JP5358224B2 - 波長変換素子の製造方法 - Google Patents
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Description
しかし、本発明者が素子を作製してみたところ、波長変換用基板の光導波路の領域にマイクロクラックが発生し、光の伝搬損失が増大することがあった。このような素子について検証したところ、研磨加工時の焦電効果により、一つの素子の波長変換用基板上面と、その上隣の素子の支持基板下面の間で異常放電が発生し、光導波路に放電によるマイクロクラックが発生していたことを見いだした。このような現象は知られていない。
支持基板、
強誘電性単結晶からなるZ板からなり、周期分極反転構造および光導波路が形成されており、厚さが10μm以上、100μm以下である波長変換用基板、
この波長変換用基板の底面側に設けられている下側バッファ層、
前記波長変換用基板の上面側に設けられている上側バッファ層、および
前記支持基板と前記下側バッファ層とを接着する接着層を備えている。
複数の前記接着体を積層し、一つの前記接着体の前記上側バッファ層と他の前記接着体の前記支持基板の底面とを対向させた状態で複数の前記接着体の端面を研磨加工する研磨工程を有しており、前記支持基板が、前記強誘電性単結晶の体積抵抗率よりも低い体積抵抗率を有する材質からなることで、前記波長変換用基板と前記支持基板の底面との間の放電による前記光導波路のクラックを防止することを特徴とする。
また、還元時の圧力は、133×10−1〜133×10−7Paの減圧下で行うことが望ましい。
(1) スパッタ法によって金属薄膜を形成する。
(2) 導電性ペーストをバッファ層上に印刷等で塗布し、焼き付ける。
(3) バッファ層上に導電性テープを貼る。
図1に示す第二高調波発生素子1を作製した。
具体的には、厚さ0.5mmのZカットMgO5%ドープニオブ酸リチウム基板(体積抵抗率:5×1013Ω・cm)上に、周期7.0μmの櫛状周期電極をフォトリソグラフィ法によって形成した。この基板の裏面には全面に一様電極を形成したのち、パルス電圧を印加し、周期分極反転構造5を形成した。次いで、厚さ0.6umのSiO2アンダークラッド(バッファ層6)をスパッタ法によって成膜した。
実施例1と同様にして第二高調波発生素子1を作製し、端面研磨した。ただし、支持基板8の材質は、体積抵抗率:4x1011Ω・cmの低抵抗ニオブ酸リチウム単結晶を使用した。
実施例1と同様にして第二高調波発生素子1を作製し、端面研磨した。ただし、支持基板8の材質は、低抵抗ニオブ酸リチウム単結晶ではなく、通常のニオブ酸リチウムとした(体積抵抗率:1x1014Ω・cm)。
図3に示す第二高調波発生素子11を作製した。
具体的には、厚さ0.5mmのZカットMgO5%ドープニオブ酸リチウム基板(体積抵抗率:5×1013Ω・cm)上に、周期7.0μmの櫛状周期電極をフォトリソグラフィ法によって形成した。この基板の裏面には全面に一様電極を形成したのち、パルス電圧を印加し、周期分極反転構造5を形成した。次いで、厚さ0.6umのSiO2アンダークラッド(バッファ層6)をスパッタ法によって成膜した。
Claims (6)
- 支持基板、
強誘電性単結晶からなるZ板からなり、周期分極反転構造および光導波路が形成されており、厚さが10μm以上、100μm以下である波長変換用基板、
この波長変換用基板の底面側に設けられている下側バッファ層、
前記波長変換用基板の上面側に設けられている上側バッファ層、および
前記支持基板と前記下側バッファ層とを接着する接着層を備えている波長変換素子を製造する方法であって、
前記上側バッファ層および前記下側バッファ層の設けられた前記波長変換用基板を前記支持基板と接着して接着体を得る工程、および
複数の前記接着体を積層し、一つの前記接着体の前記上側バッファ層と他の前記接着体の前記支持基板の底面とを対向させた状態で複数の前記接着体の端面を研磨加工する研磨工程を有しており、前記支持基板が、前記強誘電性単結晶の体積抵抗率よりも低い体積抵抗率を有する材質からなることで、前記波長変換用基板と前記支持基板の底面との間の放電による前記光導波路のクラックを防止することを特徴とする、波長変換素子の製造方法。 - 前記支持基板の体積抵抗率が、前記強誘電性単結晶の体積抵抗率の1/100以下であることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記支持基板の体積抵抗率が1×1011Ω・cm以下であり、前記強誘電性単結晶の体積抵抗率が1×1013Ω・cm以上であることを特徴とする、請求項2記載の方法。
- 前記支持基板が、酸素欠損した強誘電性単結晶からなることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 前記支持基板が、鉄のドープされた強誘電性単結晶からなることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の方法。
- 前記波長変換用基板を形成する前記強誘電性単結晶の熱膨張係数と前記支持基板の熱膨張係数との差が、前記波長変換用基板を形成する前記強誘電性単結晶の熱膨張係数の10%以下であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一つの請求項に記載の方法。
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