-
Technisches Gebiet der Erfindung
-
Die Erfindung betrifft eine Wellenlängenumwandlungsvorrichtung.
-
STAND DER TECHNIK
-
Nicht lineare optische Kristalle wie etwa Einkristalle aus Lithiumniobat und Lithiumtantalat weisen hohe sekundäre nicht lineare optische Konstanten auf. Eine periodische Polarisationsinversionskonfiguration kann in dem Kristall zur Erzeugung einer quasi phasenangepassten (QPM: Quasi-Phase-Matched) Oberschwingungserzeugungsvorrichtung (SHG: Secondary-Harmonic-Generation) ausgebildet werden. Zudem kann ein optischer Wellenleiter in der periodischen Polarisationsinversionskonfiguration zur Erzeugung einer hocheffizienten SHG-Vorrichtung ausgebildet werden, was zu einer breiten Vielfalt von Anwendungen auf den Gebieten der optischen Kommunikation, der Medizin, der Photochemie und verschiedenen optischen Messtechniken führt.
-
Gemäß der auf den vorliegenden Anmelder zurückgehenden japanischen Patentveröffentlichung
JP 2005055528 A wird eine Halbleiterlaseroszillationsvorrichtung in Fabry-Perot-Bauart zur Lichtoszillation verwendet, welche sodann auf einen optischen Wellenleiter in Scheibenbauart aus einem nichtlinearen optischen Kristall als Grundwelle eingestrahlt wird, damit ein blauer Laserstrahl von dem optischen Scheibenwellenleiter ausgegeben wird. Der optische Wellenleiter in Scheibenbauart wird durch Polieren einer Z-Platte des nichtlinearen optischen Kristalls wie etwa Lithiumkaliumniobat erzeugt.
-
ERFINDUNGSZUSAMMENFASSUNG
-
Gemaß der vorliegenden Erfindung wurde die Eingabe einer von einer Festkorperhalbleiterlaserlichtquelle eingestrahlten Grundwelle in einen optischen Scheibenwellenleiter zur Erzeugung einer Oberschwingung untersucht. Bei der Untersuchung war der optische Scheibenwellenleiter aus einer Z-Platte eines mit Magnesiumoxid dotierten Lithiumniobateinkristalls zusammengesetzt, und eine periodische Domäneninversionsstruktur war in dem optischen Scheibenwellenleiter ausgebildet. Die Z-Platte war an einem separaten dickeren Stutzkorper mit einem Harzhaftmittel angehaftet.
-
Bei der Herstellung einer derartigen Wellenlangenumwandlungsvorrichtung zur Oszillation einer Oberschwingung trat jedoch das nachstehend beschriebene unerwartete Phanomen auf. Die Abweichung in der Ausgabe der Oberschwingung erwies sich namlich als weit abliegend des erwarteten Werts, so dass die Ausgabe der Oberschwingung bei einigen Vorrichtungen beträchtlich verringert war. Wenn eine Vorrichtung hergestellt wird, und der Ausrichtung der optischen Achse bezuglich einer außeren optischen Faser unterzogen wurde, wird außerdem ein Laserstrahl auf die Vorrichtung gerichtet, um ihr optisches Ergebnis zu messen. Dabei wurde eine Harzhaftschicht nahe einer Endflache der Vorrichtung verbrannt, wobei ein Versagen der Anhaftung nahe der Endflache versursacht wurde.
-
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Wellenlangenumwandlungsvorrichtung anzugeben, indem eine periodische Domäneninversionsstruktur in einem optischen Wellenleiter in Scheibenbauart ausgebildet wird, und indem der optische Wellenleiter in Scheibenbauart auf einem Stutzkorper angehaftet wird, so dass die Reduktion und Fluktuation in der Ausgabe des wellenlangenumgewandelten Lichts und das Versagen an der Endflache aufgrund der Verbrennung der Haftmittelschicht vermieden werden kann, und eine hohe Ausgabe stabil erzielt werden kann.
-
Erfindungsgemaß wird eine Wellenlangenumwandlungsvorrichtung bereitgestellt, mit: einem Stutzkorper; einem Wellenlangenumwandlungssubstrat mit einer Z-Platte aus einem ferroelektrischen Einkristall und einer darin ausgebildeten periodischen Domäneninversionsstruktur, wobei das Substrat eine Dicke von 10 μm oder mehr und 100 μm oder weniger aufweist; einer Pufferschicht, die auf einer Grundfläche des Wellenlangenumwandlungssubstrates bereitgestellt ist; und einer organischen Harzhaftmittelschicht, welche den Stutzkorper und die Pufferschicht zusammenhaftet, und die eine Dicke von 0,6 μm oder mehr und 2,0 μm oder weniger aufweist.
-
Bei einer Untersuchung der Ursache fur die Reduktion in der Ausgangsleistung des wellenlängenumgewandelten Lichts und der Verbrennung der Haftmittelschicht nach vorstehender Beschreibung wurde herausgefunden, dass die Reduktion in der Ausgabeleistung des umgewandelten Lichts und das Verbrennen der Haftmittelschicht aufgrund einer Wechselwirkung zwischen der periodischen Domaneninversionsstruktur, der Pufferschicht und der Harzhaftmittelschicht in Abhangigkeit von der Dicke der Harzhaftmittelschicht verursacht wurde.
-
Basierend auf dieser Feststellung ergab sich, dass eine hohe Ausgabeleistung des umgewandelten Lichts stabil aufrechterhalten werden kann, und der Ausfall an dem Endteil aufgrund der Verbrennung des Harzhaftmittels vermieden werden kann, indem die Schichtdicke der Haftmittelschicht unter der periodischen Domaneninversionsstruktur und der Pufferschicht auf 0,6 μm oder mehr und 2,0 μm oder weniger ausgebildet wird.
-
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
1 zeigt eine schematische Darstellung einer Wellenlangenumwandlungsvorrichtung 1 gemäß einem Ausfuhrungsbeispiel der Erfindung.
-
2 zeigt eine schematische Darstellung einer Wellenlangenumwandlungsvorrichtung gemaß einem Vergleichsbeispiel.
-
3 zeigt eine schematische Darstellung von einer Wellenlangenumwandlungsvorrichtung gemaß einem Vergleichsbeispiel.
-
BEVORZUGTE AUSFUHRUNGSBEISPIELE DER ERFINDUNG
-
Die vorteilhaften Wirkungen der Erfindung sind nachstehend unter Bezugnahme auf die beiliegende Zeichnung naher beschrieben.
-
1 zeigt eine schematische Darstellung von einer erfindungsgemaßen Wellenlangenumwandlungsvorrichtung 1.
-
Gemaß dem Ausfuhrungsbeispiel sind Domaneninversionsteile 3 in einer Z-Platte 2 aus einem ferroelektrischen Einkristall in einem vorbestimmten Intervall ausgebildet, so dass die Inversionsteile 3 sich von einer oberen Flache 2a zu einer unteren Flache 2b erstrecken. Die Z-Platte bezeichnet ein Substrat, dessen Richtung der Domäneninversion sich zwischen einer oberen Flache und einer unteren Flache der Platte erstreckt. Die Nichtdomäneninversionsteile 4 verbleiben zwischen den jeweiligen benachbarten Domaneninversionsteilen 3. Viele Domaneninversionsteile 3 und Nichtinversionsteile 4 sind alternierend in einem vorbestimmten Intervall zur Ausbildung einer periodischen Domaneninversionsstruktur 5 ausgebildet. Eine Pufferschicht 6 ist auf einer Grundflache 2b des Wellenlangenumwandlungssubstrates 2 ausgebildet. Gemaß dem vorliegenden Ausführungsbeispiel ist ein Stutzkorper 8 an der Pufferschicht 6 durch eine organische Harzhaftmittelschicht 7 angehaftet.
-
Im Ubrigen kann eine zusätzliche Pufferschicht auf der Seite einer oberen Flache 2a des Substrates 2 ausgebildet sein, und ein separater Stutzkorper kann auf der Pufferschicht angehaftet sein, obwohl eine derartige Konfiguration in 1 nicht gezeigt ist.
-
Eine Grundwelle wird auf einer Eingangsflache 2c von einer nicht gezeigten Lichtquelle gemäß Pfeil A eingestrahlt, und dann durch die periodische Domäneninversionsstruktur 5 einer Wellenlangenumwandlung unterzogen, so dass das wellenlangenumgewandelte Licht von einer Emissionsflache 2d gemaß Pfeil B emittiert wird. Die Wellenlange des umgewandelten Lichts entscheidet sich durch die Periode der Domaneninversion in Richtung des sich ausbreitenden Lichts.
-
Erfindungsgemaß sind der Stützkorper und die Pufferschicht mit dem organischen Harzhaftmittel angehaftet, und die Dicke ”t” der organischen Harzhaftmittelschicht ist auf 0,6 μm oder mehr und 2,0 μm oder weniger beschrankt. Die Grunde fur die Beschrankungen und die vorteilhaften Wirkungen sind nachstehend beschrieben.
-
Erfindungsgemäß sind die Grunde fur den Anstieg des Verlusts des umgewandelten Lichts nach dem Passieren der periodischen Domäneninversionsstruktur wie folgt. Dies ist unter Bezugnahme auf 2 beschrieben.
-
Zunachst neigen Domaneninversionsteile 3 dazu, sich bezuglich der Nichtdomäneninversionsteile 4 auf der Grundflache einer Platte leicht zuruckzuziehen, wenn eine periodische Domaneninversionsstruktur in einer Z-Platte eines ferroelektrischen Einkristalls ausgebildet wird. Im Ergebnis werden mikroskopische Unregelmaßigkeiten auf der Grundflache des Substrates ausgebildet. Wenn die Pufferschicht 6 auf der Grundflache bereitgestellt wird, werden die mikroskopischen Unregelmaßigkeiten auf der Grundflache des Wellenlangenumwandlungssubstrates 2 auf die Oberflache der Pufferschicht 6 ubertragen.
-
Falls die organische Haftmittelschicht 7 dünn ist, und insbesondere wenn die Dicke unter 0,6 μm betragt, ist es schwierig, dass mikroskopische Hohlraume auf der Oberfläche der Pufferschicht 6 mit dem Harzhaftmittel ausgefüllt werden, so dass mikroskopische Blasen 9 ausgebildet werden konnen. Das sich in der periodischen Domaneninversionsstruktur 5 ausbreitende Licht wird durch viele Blasen 9 beeinflusst, und dann nach außen gestreut, was zu einem optischen Verlust fuhrt. Es ist bewiesen, dass der optische Verlust die Reduktion der Ausgangsleistung des wellenlangenumgewandelten Lichts verursacht.
-
Erfindungsgemaß wurde herausgefunden, dass die mikroskopischen Unregelmaßigkeiten auf der Oberflache der Pufferschicht ausgefüllt und die Blasen 9 vermieden werden konnen, so dass die Ausgangsleistung des wellenlangenumgewandelten Lichts verbessert und stabilisiert werden kann, indem die Dicke ”t” der organischen Haftmittelschicht 7 auf 0,6 μm oder mehr ausgebildet wird.
-
Wenn andererseits gemaß 3 die organische Harzhaftmittelschicht 7 dick ist, insbesondere wenn die Dicke ”t” 2,0 μm uberschreitet, konnen die Unregelmaßigkeiten auf der Oberflache der Pufferschicht 6 und die resultierenden Blasen vermieden werden. Es wurde jedoch unerwarteter Weise herausgefunden, dass das wellenlangenumgewandelte Licht nach der Umwandlung in der periodischen Domäneninversionsstruktur 5 in der organischen Harzhaftmittelschicht 7 absorbiert wird, so dass die Harzschicht 7 erwärmt und am Endteil verbrannt wird. Ein derartiges Erwärmen und Verbrennen wird bei der Grundwelle und dem einzigartigen Phänomen in dem durch die periodische Domaneninversionsstruktur erzeugten wellenlangenumgewandelten Licht nicht beobachtet.
-
Wenn zudem das Wellenlangenumwandlungssubstrat 2 aus einem ferroelektrischen Einkristall eine X-Platte, eine Y-Platte, eine abgesetzte X-Platte oder dergleichen anstelle der Z-Platte ist, wird die periodische Domäneninversionsstruktur nicht auf der Grundflache 2b des Wellenlängenumwandlungssubstrates 2 freigelegt, und die resultierenden Unregelmaßigkeiten werden nicht erzeugt. Daher treten die vorstehend beschriebene Verbrennung der Harzhaftmittelschicht aufgrund der Oberflachenunregelmäßigkeiten der Pufferschicht 6 und die Reduktion in der Ausgabeleistung des wellenlangenumgewandelten Lichts aufgrund der Lichtverluste nicht auf.
-
Wenn zudem der Wellenlangenumwandlungsteil nicht aus einer periodischen Wellenlangenumwandlungsstruktur zusammengesetzt ist, wird die periodische Wellenlangenumwandlungsstruktur nicht auf der Grundflache 2b des Wellenlangenumwandlungssubstrates 2 freigelegt, so dass die resultierenden Unregelmaßigkeiten nicht erzeugt werden. Daher treten das vorstehend beschriebene Verbrennen der Harzhaftmittelschicht aufgrund der Oberflachenunregelmaßigkeiten bei der Pufferschicht 6 und die Reduktion der Ausgangsleistung des wellenlängenumgewandelten Lichts aufgrund des Lichtverlustes nicht auf. Die Erfindung basiert mithin auf der Erkenntnis der fur die vorstehend beschriebene spezifische Struktur charakteristischen Probleme.
-
Erfindungsgemaß ist die Dicke ”T” des Wellenlängenumwandlungssubstrates 2 auf 10 μm oder mehr und 100 μm oder weniger ausgebildet. Durch Ausbilden der Dicke auf 10 μm oder mehr wird ein Einstrahlen der Grundwelle in den Wellenleiter zur Verbesserung der Verbindungseffizienz der Grundwelle einfach. Unter diesem Gesichtspunkt kann die Dicke des Wellenlangenumwandlungssubstrates 2 vorzugsweise 20 μm oder mehr betragen.
-
Ferner wird die Dicke ”T” des Wellenlangenumwandlungssubstrates 2 auf 100 μm oder weniger ausgebildet, so dass die Energieeffizienz des geleiteten Lichts und die Umwandlungseffizienz verbessert werden können. Unter diesem Gesichtspunkt beträgt die Dicke des Wellenlangenumwandlungssubstrates 2 vorzugsweise 80 μm oder weniger.
-
Der das Wellenlangenumwandlungssubstrat ausbildende ferroelektrische Einkristall ist nicht besonders beschrankt, solange er zur Lichtmodulation befähigt ist. Der Einkristall kann Lithiumniobat, Lithiumtantalat, eine Festkorperlosung aus Lithiumniobat und Lithiumtantalat, Lithiumkaliumniobat, KTP, Galliumarsenid, Quarz und dergleichen sein.
-
Zur weiteren Verbesserung der Bestandigkeit des optischen Wellenleiters gegen optische Beschadigung kann der ferroelektrische Einkristall ein oder mehr metallische Elemente aus der Gruppe Magnesium (Mg), Zink (Zn), Scandium (Sc) und Indium (In) enthalten, wobei Magnesium besonders bevorzugt ist. Außerdem kann ein Element der seltenen Erden als Dotierstoff in dem ferroelektrischen Einkristall enthalten sein. Das Element der seltenen Erden wirkt als ein additives Element zur Laseroszillation. Als Element der seltenen Erden sind Nd, Er, Tm, Ho, Dy und Pr besonders bevorzugt.
-
Als die Materialien fur die Pufferschicht 6 können Siliziumoxid, Magnesiumfluorid, Siliziumnitrid, Aluminiumoxid und Tantalpentoxid als Beispiel aufgelistet werden.
-
Die Dicke ”c” der Pufferschicht 6 ist nicht besonders beschrankt. Falls die Dicke ”c” der Pufferschicht zu gering ist, erhöht sich jedoch der optische Ausbreitungsverlust. Unter diesem Gesichtspunkt betragt ”c” vorzugsweise 0,2 μm oder mehr. Falls jedoch die Dicke ”c” der Pufferschicht zu groß ist, wurde die Ausbildung der Pufferschicht schwierig werden. Unter diesem Gesichtspunkt betragt ”c” vorzugsweise 2,0 μm oder weniger und noch bevorzugter 1,5 μm oder weniger.
-
Obwohl das organische Harzhaftmittel, welches die organische Harzhaftmittelschicht ausbildet, nicht besonders beschrankt ist, seien ein unter Ultraviolettstrahlen ausheilbares Haftmittel und ein wärmehartendes Haftmittel erwahnt. Spezifische Beispiele für das organische Harzhaftmittel sind nicht besonders beschränkt, und beinhalten ein acrylisches Harzhaftmittel, ein warmehartendes Harzhaftmittel und ein unter Ultraviolettstrahlen ausheilendes Harzhaftmittel.
-
BEISPIELE
-
Beispiel 1
-
Die optische Umwandlungsvorrichtung mit der in 1 gezeigten Struktur wurde hergestellt.
-
Im Einzelnen wurde eine kammformige periodische Elektrode mit einer Periode von 0,7 μm auf einer mit 5% Magnesiumoxid dotierten Z-Platte aus Lithiumniobat mit einer Dicke von 0,5 mm ausgebildet. Eine Elektrode wurde auf der gesamten Ruckflache des Substrates ausgebildet, und eine Impulsspannung wurde daran angelegt. Die Oberflache wurde mit einer Mischung aus Flusssaure und Salpetersaure geatzt, um zu beweisen, dass eine periodische Domaneninversionsstruktur 5 ausgebildet worden ist. Nachdem die periodische Domaneninversionsstruktur 5 ausgebildet wurde, wurde eine Siliziumdioxidpufferschicht 6 mit einer Dicke von 0,4 μm darauf durch einen Zerstäubungsvorgang ausgebildet.
-
Ein Acrylharzhaftmittel wurde auf einem nicht dotieren Lithiumniobatsubstrat mit einer Dicke von 0,5 mm aufgebracht, welches sodann an das vorstehend beschriebene Magnesiumoxid-dotierte Lithiumniobatsubstrat angehaftet wurde. Die Dicke ”t” der Haftschicht betrug dabei 0,6 μm. Die Oberflache des Magnesiumoxid-dotierten Lithiumniobatsubstrates wurde einem Schleif- und Poliervorgang für eine Dicke von 50 μm unterzogen. Nachdem ein optischer Wellenleiter ausgebildet war, wurde eine obere Mantelschicht aus Ta2O5 mit einer Dicke von 0,5 μm durch einen Zerstaubungsvorgang ausgebildet. Nachdem die somit erhaltene Vorrichtung mit einem Chipschneidegerat auf eine Lange von 5 mm und eine Breite von 0,8 mm geschnitten wurde, wurde die Endfläche poliert und mit einer Antireflexionsschicht beschichtet.
-
Ein Nd-YAG-Laser wurde bei dem optischen Wellenleiter zum Messen der optischen Eigenschaften verwendet. Genauer wurde die Oszillationsleistung des Lasers auf 5 W eingestellt, um ein Grundwellenlicht bereitzustellen, das mit einer Linse auf die Endflache des Wellenleiters kondensiert wurde. Es wurde somit bewiesen, dass 96% der Grundwelle verbunden werden konnten, und es wurde eine SHG-Ausgangsleistung von 100 mW beobachtet.
-
(Beispiel 2)
-
Die Wellenlangenumwandlungsvorrichtung wurde nach demselben Ablauf wie bei Beispiel 1 hergestellt, außer dass die Dicke ”t” der Haftschicht 7 2,0 μm betrug. Die Oszillationsleistung des Nd-YAG-Lasers wurde auf 5 W eingestellt, und die Grundwelle wurde auf die Endflache des Wellenleiters kondensiert. Es wurde somit bewiesen, dass 95% der Grundwelle in den Wellenleiter verbunden werden konnten, um eine SHG-Ausgabe von 93 mW zu erhalten.
-
(Vergleichsbeispiel 1)
-
Ein Haftmittel wurde auf ein nicht dotiertes Lithiumniobatsubstrat mit einer Dicke von 0,5 mm aufgebracht, was sodann an das vorstehend beschriebene Magnesiumoxid-dotierte Lithiumniobatsubstrat angehaftet wurde. Dabei betrug die Dicke der Haftschicht 0,3 μm. Die Oberflache des Magnesiumoxid-dotierten Lithiumniobatsubstrates wurde einem Schleif- und Poliervorgang fur eine Dicke von 50 μm unterzogen.
-
Nachdem der optische Wellenleiter ausgebildet war, wurde eine obere Mantelschicht aus Ta2O5 mit einer Dicke von 0,5 μm durch einen Zerstaubungsvorgang ausgebildet. Nachdem die somit erhaltene Vorrichtung mit einem Chipschneidegerat auf eine Lange von 5 mm und eine Breite von 8,0 mm geschnitten wurde, wurde die Endflache poliert. Dabei wurden Blasen 9 am Endflächenteil freigelegt, so dass ein Teil des Scheibenwellenleiters abgeschalt wurde.
-
Ein Nd-YAG-Laser wurde bei dem optischen Wellenleiter zum Messen der optischen Eigenschaften verwendet. Die Oszillationsleistung des Lasers wurde auf 2 W zur Bereitstellung eines Grundwellenlichts eingestellt, was mit einer Linse auf die Endfläche des Wellenleiters kondensiert wurde. Es wurde somit bewiesen, dass 65% der Grundwelle verbunden werden konnten, und es wurde eine SHG-Ausgangsleistung von 58 mW beobachtet.
-
(Vergleichsbeispiel 2)
-
Die Dicke ”t” der Haftschicht wurde bei dem Vergleichsbeispiel 1 zu 0,5 μm ausgebildet. Nachdem die somit erhaltene Vorrichtung mit einem Chipschneidegerat auf eine Lange von 5 mm und eine Breite von 8,0 mm geschnitten wurde, wurde die Endfläche poliert. Dabei wurden Blasen 9 an dem Endflächenteil freigelegt, so dass ein Teil des Scheibenwellenleiters abgeschält wurde.
-
Ein Nd-YAG-Laser wurde bei dem optischen Wellenleiter zum Messen der optischen Eigenschaften verwendet. Die Oszillationsleistung des Lasers wurde auf 2 W zur Bereitstellung eines Grundwellenlichts eingestellt, was mit einer Linse auf die Endflache des Wellenleiters kondensiert wurde. Es wurde somit bewiesen, dass 70% des Grundwellenlichts verbunden werden konnten, und es wurde eine SHG-Ausgangsleistung von 65 mW beobachtet.
-
(Vergleichsbeispiel 3)
-
Die Dicke ”t” der Haftmittelschicht wurde bei dem Vergleichsbeispiel 1 auf 3,0 μm ausgebildet. Ein Nd-YAG-Laser wurde bei dem Wellenleiter zur Messung der optischen Eigenschaften verwendet. Die Oszillationsleistung des Lasers wurde zur Bereitstellung eines Grundwellenlichts auf 5 W eingestellt, welches mit einer Linse auf die Endflache des Wellenleiters kondensiert wurde. Es wurde somit bewiesen, dass 95% der Grundwelle verbunden werden konnten, und es wurde eine SHG-Ausgangsleistung von 98 mW beobachtet. Danach verbrannte jedoch die Haftschicht und versagte in der Nähe der Endfläche.
-
(Vergleichsbeispiel 4)
-
Die Dicke ”t” der Haftschicht wurde bei dem Vergleichsbeispiel 1 zu 2,2 μm ausgebildet. Ein Nd-YAG-Laser wurde bei dem Wellenleiter zur Messung der optischen Eigenschaften verwendet. Die Oszillationsleistung des Lasers wurde zur Bereitstellung eines Grundwellenlichts auf 5 W eingestellt, was mit einer Linse auf die Endflache des Wellenleiters kondensiert wurde. Es wurde somit bewiesen, dass 96% der Grundwelle verbunden werden konnten, und eine SHG-Ausgangsleistung von 99 mW wurde beobachtet. Ein Teil der Haftschicht wurde jedoch in der Nahe der Endflache verbrannt, so dass die SHG-Ausgangsleistung auf 40 mW verringert wurde.
-
Sodann wurden die Wellenlangenumwandlungsvorrichtungen gemaß demselben Ablauf wie bei Beispiel 1 hergestellt. Die Vorrichtungen wurden der Messung der SHG-Ausgangsleistung wie bei Beispiel 1 und einer Untersuchung des Erscheinungsbilds der Vorrichtung unterzogen. Die Dicken der Wellenlangenumwandlungsvorrichtung und des Stutzkorpers wurden jedoch gemäß Tabelle 1 verandert. Die SHG-Ausgangsleistung und das beobachtete Phanomen sind in Tabelle 1 gezeigt.
| Dicke des Wellenlängenumwandlungssubstrates
(μm) | Dicke der Haftschicht
(μm) | Phanomen |
| 9 | 0,6 | Verbindungseffizienz wurde verringert. |
| 9 | 2,1 | Ein Teil der Haftschicht nahe der Endflache wurde verbrannt und versagte. |
| 10 | 0,5 | An der Endfläche wurden Blasen freigelegt. |
| 10 | 0,6 | Keine Probleme |
| 10 | 2,0 | Keine Probleme |
| 10 | 2,1 | Ein Teil der Haftschicht nahe der Endflache wurde verbrannt und versagte. |
| 40 | 1,3 | Keine Probleme |
| 100 | 0,5 | An der Endfläche wurden Blasen freigelegt. |
| 100 | 0,6 | Keine Probleme |
| 100 | 2,0 | Keine Probleme |
| 100 | 2,1 | Ein Teil der Haftschicht nahe der Endflache wurde verbrannt und versagte. |
| 101 | 0,6 | Die Umwandlungseffizienz wurde verringert. |
| 101 | 2,0 | Die Umwandlungseffizienz wurde verringert. |
Tabelle 1
-
Wenn die Dicke des Wellenlängenumwandlungssubstrates weniger als 10 μm betrug, wurde die Verbindungseffizienz verringert. Wenn die Dicke der Haftmittelschicht 0,5 μm betrug, wurden ferner Blasen an der Endflache freigelegt, so dass die SHG-Ausgangsleistung verringert war. Wenn die Dicke der Haftschicht 2,1 μm betrug, wurde ferner ein Teil der Haftmittelschicht in der Nahe der Endflache verbrannt und viel aus.
-
Obwohl die spezifischen Ausfuhrungsbeispiele der Erfindung vorstehend beschrieben sind, ist die Erfindung nicht auf die spezifischen Ausfuhrungsbeispiele beschrankt, und kann mit verschiedenen Anderungen und Abwandlungen durchgefuhrt werden, ohne von dem Bereich der beigefugten Patentanspruche abzuweichen.
