JP5783256B2 - 圧電デバイス、および、圧電デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
このような圧電基板は、吸湿性が極めて低く、吸湿層を設けることによる効用が大きい。
これらの吸湿層は、圧電基板や支持基板に比べて十分に吸湿性が高く、また、圧電基板に積層されても、特性面や信頼性面での悪影響を及ぼすことがない。
これにより、バインダ層に含まれる溶剤成分の揮散を促進し、接合面にボイドが生じることを防ぐ、または抑制することができる。
または、上述の圧電デバイスの製造方法において、イオン注入工程と、仮支持工程と、分離工程と、支持工程と、を有すると好適である。仮支持工程は、圧電基板のイオン注入面側に、前記圧電基板と同種の材料からなる、あるいは、前記圧電基板との界面に作用する熱応力が前記支持基板と前記圧電基板との界面に作用する熱応力よりも小さい、仮支持基板を形成する工程である。支持工程は、記圧電基板から分離した前記圧電薄膜に前記支持基板を形成する工程である。
これらの製造方法では、圧電薄膜を安定した膜厚と所望の結晶方位として形成できるとともに、圧電体の材料利用効率を高めることができる。また、この製造方法では、圧電薄膜の厚み方向でイオン分布密度に偏りが生じることになる。この結果、圧電薄膜がやや反った状態となり、支持基板との接合に困難性が生じやすくなる。しかしながら、本製造方法を用いる場合、低温環境下で熱応力の影響を抑制しながら圧電基板と支持基板とを接合させることが可能であるため、効用が非常に大きなものとなる。
これらの製造方法では、シリカ前駆体の加水分解反応によるシリカへの転化を利用して、圧電薄膜と支持基板とを強固に接合させ、機能電極からの信号漏れを防いだ圧電デバイスを得ることができる。
まず、本発明の第1の実施形態に係る圧電デバイスについて、SAW(Surface Acoustic Wave)デバイスを具体例として説明する。
図1は、本実施形態のSAWデバイス10の構成を示す図である。
図3,4は、製造フローの各工程における模式図である。
Si4O3(OCH3)10+10H2O → Si4O3(OH)10+10CH3OH
Si4O3(OH)10 → 4SiO2+5H2O
ポリシラザン:
−(SiH2NH)− + H2O → SiO2+NH3+2H2
なお、シリカ前駆体としては、50℃から100℃程度の低温で、加水分解反応や重合反応によりシリカに転化するものであれば、上記以外の組成のものを用いてもよい。
次に、本発明の第2の実施形態に係る圧電デバイスの製造方法について、SAWデバイスの製造方法を具体例として説明する。
図6,7は、製造フローの各工程における模式図である。
また、図7(S211)に示すように、支持基板213が用意され、支持基板213の表面にバインダ層233が形成される(S211)。
次に、本発明の第3の実施形態に係る圧電デバイスについて、圧電体単結晶薄膜をメンブレン構造で支持するBAW(Bulk Acoustic Wave)デバイスの製造方法を具体例として説明する。
図9,10は、製造フローの各工程における模式図である。
1A,201A…接合面
2,202…欠陥層
10…SAWデバイス
11,211,311…圧電体単結晶薄膜
12,213,313…支持基板
21,221…誘電体層
31,231,351…吸湿層
32,233,343…バインダ層
33,41,234,241,344,361…酸化珪素層
50…IDT電極
60…配線
70…保護絶縁膜
80…積層基板部
200,300…薄膜仮支持構造
212,312…仮支持基板
291,292…被エッチング層
293,393…被エッチング接合層
321…下部電極パターン
322…上部電極パターン
331…犠牲層パターン
331A…メンブレン空間
341…メンブレン支持層
Claims (8)
- 圧電基板と支持基板との少なくとも一方の接合面側に吸湿層を形成する吸湿層形成工程と、
前記吸湿層に水分を吸湿させる吸湿工程と、
前記圧電基板または前記支持基板の接合面側に、100度以下の温度であっても加水分解反応が進展するシリカ前駆体を含む材料からなるバインダ層を形成するバインダ層形成工程と、
前記圧電基板と前記支持基板とを、それぞれの接合面間に前記バインダ層と前記吸湿層とを介して貼り合わせる貼合工程と、
前記吸湿層に吸湿されている水分によって前記シリカ前駆体を加水分解させてシリカに転化させるバインダ層固化工程と、
を有する、圧電デバイスの製造方法。 - 前記圧電基板は、圧電体単結晶からなる、請求項1に記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記圧電基板は、LT基板、LN基板、または水晶基板である、請求項2に記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記吸湿層は、多孔質膜、窒化アルミニウム膜、または、低真空度でのスパッタリング法もしくは低温CVD法で形成された酸化珪素層のいずれかである、請求項1〜3のいずれか1項に記載の圧電デバイスの製造方法。
- 前記貼合工程および前記バインダ層固化工程は、減圧雰囲気下で実施される、請求項1〜4のいずれか1項に記載の圧電デバイスの製造方法。
- 圧電基板にイオン化した元素を注入して、前記圧電基板の中に前記元素が集中して存在する領域を形成するイオン注入工程と、
加熱により、前記圧電基板における接合面側の領域を圧電薄膜として分離する分離工程と、
を有する、請求項1〜5のいずれか1項に記載の圧電デバイスの製造方法。 - 圧電基板にイオン化した元素を注入して、前記圧電基板の中に前記元素が集中して存在する領域を形成するイオン注入工程と、
前記圧電基板のイオン注入面側に、前記圧電基板と同種の材料からなる、あるいは、前記圧電基板との界面に作用する熱応力が前記支持基板と前記圧電基板との界面に作用する熱応力よりも小さい、仮支持基板を形成する仮支持工程と、
加熱により、前記圧電基板における前記仮支持基板との接合面側の領域を圧電薄膜として分離する分離工程と、
前記圧電基板から分離した前記圧電薄膜に前記支持基板を形成する支持工程と、
を有する請求項1〜5のいずれか1項に記載の圧電デバイスの製造方法。 - 前記圧電薄膜に機能電極を形成する機能電極形成工程を有する、請求項6または7に記載の圧電デバイスの製造方法。
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