JP4734823B2 - 膜多層構造体及びこれを用いるアクチュエータ素子、容量素子、フィルタ素子 - Google Patents
膜多層構造体及びこれを用いるアクチュエータ素子、容量素子、フィルタ素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4734823B2 JP4734823B2 JP2003166569A JP2003166569A JP4734823B2 JP 4734823 B2 JP4734823 B2 JP 4734823B2 JP 2003166569 A JP2003166569 A JP 2003166569A JP 2003166569 A JP2003166569 A JP 2003166569A JP 4734823 B2 JP4734823 B2 JP 4734823B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- plane
- multilayer structure
- epitaxially grown
- zirconium oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 94
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 87
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 80
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 36
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 18
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 15
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 description 70
- IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N strontium oxide Chemical compound [O-2].[Sr+2] IATRAKWUXMZMIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 50
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 44
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 41
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 41
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 37
- 229910001233 yttria-stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 35
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 30
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 30
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical group [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 12
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 8
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 7
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 7
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 7
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 6
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical group [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N hydroxyformaldehyde Chemical compound O[14CH]=O BDAGIHXWWSANSR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 3
- 229910000018 strontium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018307 LaxSr1−x Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019695 Nb2O6 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Y and Sc Chemical class 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N Oxozirconium Chemical compound [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052776 Thorium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005616 pyroelectricity Effects 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical group 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02197—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides the material having a perovskite structure, e.g. BaTiO3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
- H01L21/02189—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing zirconium, e.g. ZrO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/022—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being a laminate, i.e. composed of sublayers, e.g. stacks of alternating high-k metal oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02293—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process formation of epitaxial layers by a deposition process
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
- H01L21/31641—Deposition of Zirconium oxides, e.g. ZrO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/31691—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass with perovskite structure
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/079—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing using intermediate layers, e.g. for growth control
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/1051—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings
- H10N30/10513—Piezoelectric or electrostrictive devices based on piezoelectric or electrostrictive films or coatings characterised by the underlying bases, e.g. substrates
- H10N30/10516—Intermediate layers, e.g. barrier, adhesion or growth control buffer layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
- H10N30/204—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators using bending displacement, e.g. unimorph, bimorph or multimorph cantilever or membrane benders
- H10N30/2047—Membrane type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
- H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
- H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
- H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/07—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base
- H10N30/074—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing
- H10N30/077—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition
- H10N30/078—Forming of piezoelectric or electrostrictive parts or bodies on an electrical element or another base by depositing piezoelectric or electrostrictive layers, e.g. aerosol or screen printing by liquid phase deposition by sol-gel deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/85—Piezoelectric or electrostrictive active materials
- H10N30/853—Ceramic compositions
- H10N30/8548—Lead based oxides
- H10N30/8554—Lead zirconium titanate based
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板上に強誘電体による誘電体層を設けることで、不揮発性の半導体メモリ等として利用できる膜多層構造体及びこれを用いる容量素子、アクチュエータ素子、フィルタ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
強誘電体層のもつ分極は物質の結晶に由来するものであり、酸化物の強誘電体層を利用する場合、酸素の存在下で数百度に加熱して結晶化を行うことで、分極特性を得ることができる。この強誘電体を薄層実装して大きい分極を得るには、組成が均一で欠陥のない酸化物単結晶層にする必要がある。
しかし、多くの場合単結晶層を得るのは非常に困難で、通常は多結晶体としてしか得られない。一方、多結晶体には、粒界等の欠陥が存在するため漏れ電流も大きくなり、また、各結晶粒の配向が揃わないために、単結晶体より分極が小さくなる。したがって、基準となる基板に対する垂直方向だけでなく、基板面と同一面を持つように配向した層、いわゆるエピタキシャル層が、大きい分極を得るためには好ましい。
【０００３】
このために、強誘電体のエピタキシャル層を成長させるためには、シリコン等の単結晶半導体基板表面の配向を利用する。しかし、このシリコン単結晶基板は金属であり、高い温度で酸素雰囲気に曝らされると表面が容易に酸化し、シリコン酸化層（ＳｉＯ2）を生成する。シリコン酸化層は、非晶質で配向を持たないので、この上には強誘電体のエピタキシャル層を成長させるのは困難である。また、成長させる強誘電体層とシリコン単結晶基板の間の反応や拡散が少ないことも、強誘電体層のエピタキシャル成長には重要である。従って、これまでにシリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長できる物質として、イットリウム安定化ジルコニア（以下、「ＹＳＺ」と記す。）、酸化セリウム等の希土類元素の酸化物、酸化マグネシウム、マグネシアスピネル、チタン酸ストロンチウムなどの例が、非特許文献１に開示されている。
【０００４】
また、シリコン単結晶基板と強誘電体の単純ペロブスカイト酸化物との反応やシリコン単結晶基板表面のＳｉＯ2形成を防止するため、シリコン単結晶基板上でエピタキシャル層の形成が報告されているイットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）や酸化マグネシウム、マグネシアスピネル等を中間層として形成して、その上部にペロブスカイト構造をもった酸化物をエピタキシャル成長させることが試みられている。例として、シリコン（００１）基板上にペロブスカイト構造の（００１）エピタキシャル層を実現した構造には、ＳｒＴｉＯ3（００１）／ＭｇＡｌ2Ｏ4（００１）／Ｓｉ（００１）のエピタキシャル構造が非特許文献２に、ＰＺＴ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｓｉ（００１）のエピタキシャル構造が非特許文献３に開示されている。
また、酸化ジルコニウム層もシリコン基板上にエピタキシャル成長できることから中間層として考えられる。酸化ジルコニウム層上にペロブスカイト構造をもつ物質を形成した場合、酸化ジルコニウム（００１）面に対しペロブスカイト構造（０１１）面がエピタキシャル関係を持って成長することが非特許文献４に開示されている。
【０００５】
しかし、単純ペロブスカイト構造をもつ強誘電体の分極には方向性があるので、分極の方向と動作させるための方向とを一致した方向に強誘電体層を配向させることが必要である。例えば、自発分極をもつ強誘電体をキャパシタ部分に用いた不揮発性メモリ（ＦｅＲＡＭ）は、次世代のメモリとして、非接触のＩＣカード等の応用が期待されている。不揮発性メモリ（ＦｅＲＡＭ）などのキャパシタ部分には通常、正方晶の強誘電体ペロブスカイト酸化物が用いられているが、正方晶の強誘電体の残留分極方向は（００１）面上にある。酸化ジルコニウム層上のペロブスカイト酸化物が（０１１）面に配向してしまうと、残留分極の向きが傾くことになり、高い誘電率を得ることができず、誘電特性の低下を招くという問題点があった。この問題点は、不揮発メモリ（ＦｅＲＡＭ）だけでなく、容量素子、アクチュエータ素子及びフィルタ素子に共通する問題点である。
【０００６】
そこで、ＣｅＯ2などの希土類酸化物を添加した酸化ジルコニウム層とペロブスカイト層の間に中間層として設ける積層薄層が、一定の条件において、単純ペロブスカイト構造を有する酸化物の（００１）方向に配向したエピタキシャル薄層を得られることが特許文献１に開示されている。これは、酸化ジルコニウムの格子定数は０．５１ｎｍ、チタン酸バリウムやＰＺＴなどの代表的な単純ペロブスカイト酸化物の格子定数は約０．３９ｎｍで、不整合の割合（ここでは、（１−０．３９／０．５１）×１００％で表す。）は２３％となる。単純ペロブスカイト酸化物の（０１１）面上の面間隔は√２×０．３９ｎｍで約０．５５ｎｍとなり、結晶格子の不整合の割合は−８％と小さくなる。これによって、エピタキシャル成長できるものと考えられる。しかし、完全に（００１）方向に配向した単純ペロブスカイト層を得ることは困難で多くの場合（０１１）方向の配向が残留し、高い誘電率を得ることができない。また、結晶性も低く、さらに、配向性が低いことで分極率を大きくできないと言う問題がある。ところが、特許文献１では、チタン酸バリウム層は酸化ジルコニウム層に対して面内回転することなく成長し、チタン酸バリウム格子４格子（０．３９ｎｍ×４＝１．５６ｎｍ）対して酸化ジルコニウム格子３格子（０．５１ｎｍ×３＝１．５３ｎｍ）が整合して成長している旨が記載されている。しかし、このように大きな不整合を内包させて成長している層は、界面に応力が集中しやすく、剥がれやすくなる。また格子同士の整合性がよくないので、結晶性も低いという問題点があった。さらに、特許文献１では、単純ペロブスカイト酸化物は酸化ジルコニウム層上に（００１）面で回転することなく成長し、４５°面内回転して整合性がとれたエピタキシャル成長させた構成の層を得ることは困難だと述べている。
【０００７】
【非特許文献１】
Mat.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.341（1994）P73
【非特許文献２】
J. Appl. Phys. Vol.66 （1989） P5826
【非特許文献３】
J. Crystal Growth Vol.158 （1996） P84
【非特許文献４】
Appl. Phys. Lett. Vol.67 （1995） P1387
【特許文献１】
特開平０９−１１０５９２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その課題は、半導体基板上に下地基板と整合性を持たせながら結晶配列させることで、分極を大きくした膜多層構造体を提供することを課題とする。また、この下地基板と整合性を持たせながら結晶配列させることで、キャパシタンスを大きくした容量素子、分極率を高くして移動量、作用する力を大きくしたアクチュエータ素子、広い周波数領域に対応するフィルタ素子を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、例えば、本発明は以下の手段とする。第１の手段は、半導体基板の（００１）面上に複数の層を備える膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、Ｙ、Ｓｃのいずれかを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含み、酸化ジルコニウムを主成分とする、エピタキシャル成長した（００１）面配向の第１の層と、第１の層の（００１）面の直上に配置され、第１の層の（００１）面が４５°面内回転してエピタキシャル成長した単純ペロブスカイト構造の第２の層とを有する膜多層構造体である。
第２の手段は、半導体基板の（００１）面上に複数の層を備える膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、Ｙ、Ｓｃのいずれかを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含み、酸化ジルコニウムを主成分とする、エピタキシャル成長した（００１）面配向の第１の層と、前記第１の層の（００１）面の直上に配置され、エピタキシャル成長した（００１）面配向の中間層と、前記中間層の（００１）面の直上に設けられ、前記第１の層の（００１）面が４５°面内回転してエピタキシャル成長した単純ペロブスカイト構造の第２の層とを有する膜多層構造体である。
また、上記第１又は第２の手段において、前記半導体基板をシリコンとしてもよい。さらに、上記第１又は第２の手段において、前記膜多層構造体は、第２の層の上に、エピタキシャル成長した、白金族を含む金属層をさらに設けてもよい。
また、第３の手段は、前記中間層の格子定数が、単純ペロブスカイト構造を有する薄層の格子定数に対して、６５〜７５％の範囲内にすることが好ましい。
上記第１、第２又は第３の手段において、前記第２の層は、複数の単純ペロブスカイト構造を有する薄層を有し、少なくとも１層が、酸化ジルコニウムを主成分とする層の直上にエピタキシャル成長し、圧電効果又は電歪効果を有する薄層としてもよい。
【００１０】
また、第４の手段は、誘電体層と、前記誘電体層の上方に設けた電極とを有し、 前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長した、Ｙ、Ｓｃのいずれかを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含み、酸化ジルコニウムを主成分とする（００１）面配向の第１の層と、前記第１の層の（００１）面の直上に配置され、前記第１の層の（００１）面が４５°面内回転してエピタキシャル成長した単純ペロブスカイト構造を有する第２の層とを有するアクチュエータ素子として構成してもよい。
また、第５の手段は、誘電体層と、前記誘電体層の上方に設けた電極とを有し、 前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長した、Ｙ、Ｓｃのいずれかを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含み、酸化ジルコニウムを主成分とする（００１）面配向の第１の層と、前記第１の層の（００１）面の直上に配置され、前記第１の層の（００１）面が４５°面内回転してエピタキシャル成長した単純ペロブスカイト構造を有する第２の層とを有する容量素子として構成してもよい。
また、第６の手段は、誘電体層と、前記誘電体層の上方に設けた電極とを有し、前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長した、Ｙ、Ｓｃのいずれかを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含み、酸化ジルコニウムを主成分とする、エピタキシャル成長した（００１）面配向の第１の層と、前記第１の層の（００１）面の直上に配置され、エピタキシャル成長した（００１）面配向の中間層と、前記中間層の（００１）面の直上に設けられ、前記第１の層の（００１）面が４５°面内回転してエピタキシャル成長した単純ペロブスカイト構造を有する第２の層とを有する容量素子として構成してもよい。
また、第７の手段は、誘電体層と、前記誘電体層の上方に設けた電極とを有し、前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長した、Ｙ、Ｓｃのいずれかを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含み、酸化ジルコニウムを主成分とする（００１）面配向の第１の層と、前記第１の層の（００１）面の直上に配置され、前記第１の層の（００１）面が４５°面内回転してエピタキシャル成長した単純ペロブスカイト構造を有する第２の層とを有するフィルタ素子として構成してもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の一実施形態である膜多層構造体の層構造を示す概略構成図である。本発明に係る膜多層構造体は、半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、エピタキシャル成長させて、（００１）面が４５°面内回転している単純ペロブスカイト構造の薄層とを有する。
また、図２は、本発明の他の実施形態である膜多層構造体の層構造を示す概略構成図である。本発明に係る膜多層構造体は、半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、エピタキシャル成長させて、（００１）面が４５°面内回転している単純ペロブスカイト構造の薄層と酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と単純ペロブスカイト構造を有する薄層との間に中間層とを有する。
半導体基板としては、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ）等の金属単結晶を用いる。この半導体基板としては、シリコンが好ましい。シリコンは、原料が低価であり、また、広く利用されており、種々の素子に利用することが容易である。
【００１２】
このシリコン単結晶基板上に、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ）を主成分とする薄層（以下、特に断らない限り「ＺｒＯ層」と記す。）を設け、このＺｒＯ層の上に、エピタキシャル成長させた中間層と、エピタキシャル成長させて、単純ペロブスカイト構造を有する薄層（以下、特に断らない限り「単純ペロブスカイト層」と記す。）を設ける。図１及び図２に示すように、単純ペロブスカイト層の（００１）面は、ＺｒＯ層の（００１）面に対して（００１）面で配向し、さらに、単純ペロブスカイト層は、シリコン単結晶基板とＺｒＯ層に対して、（００１）面の配列は同じで、（００１）面内で４５°面内回転させる積層構造を有する。
また、図２に示すように、中間層として、岩塩構造を有する層が設けられている。岩塩構造も、ＺｒＯ層と単純ペロブスカイト層と同様に、立方晶構造を有している。図３は、各薄層構造の結晶の層構成を示しており、図３（ａ）は酸化ジルコニウムの蛍石構造を示し、図３（ｂ）は中間層の酸化ストロンチウムの岩塩構造を示し、図３（ｃ）は単純ペロブスカイト構造を示している。
【００１３】
従来技術において説明したように、単純ペロブスカイト層の格子定数は、ＺｒＯ層の格子定数との差異が大きく、整合性が小さいために、図４は、単純ペロブスカイト（０１１）面とＺｒＯ（００１）面がエピタキシャル関係を持って成長した膜多層構造体の層構造を示す概略構成図である。図４（ａ）に示すように、単純ペロブスカイト層はＺｒＯ層に対して４５°傾いて、ＺｒＯ層の（００１）面と単純ペロブスカイト層の（０１１）面がエピタキシャル関係を持って成長する。これは、ＺｒＯの格子定数は０．５１ｎｍであり、双方とも立方晶であるが、同じ立方晶でも、チタン酸バリウムやＰＺＴなどの代表的な単純ペロブスカイトは０．３９ｎｍであり、（０１１）面の格子間距離が√２×０．３９＝０．５５ｎｍとＺｒＯの格子定数０．５１ｎｍに近い値になり、不整合の差異は小さくなる。そこで、図４（ｂ）に示すように、単純ペロブスカイト層の（００１）面ではなく、４５°傾いている（０１１）面とエピタキシャル関係を持って成長する。しかしながら、単純ペロブスカイト層の残留分極は、（００１）面上であり、シリコン単結晶基板の動作方向である垂直方向に対してこの（００１）面が傾いてしまい、その分、分極率が低くなり、また、分極させるのに高い電圧と応答するための遅延時間を要するなどにより、膜多層構造体として用いる場合の誘電特性が低くなる。
【００１４】
本発明では、図２に示すように、中間層を設けて、単純ペロブスカイト層が、（００１）面が配列したままエピタキシャル関係を持たせている。エピタキシャル成長するには、下部層と上部のエピタキシャル成長する層との整合性が重要になる。
ＺｒＯ層からエピタキシャル成長した中間層の格子定数と単純ペロブスカイト層の（００１）面内の対角上にある格子間距離（以下、単に「格子間距離」と記す。）の差異を小さくして、整合性を小さくするために、単純ペロブスカイトを（００１）面配列を維持したまま、（００１）面内で４５°面内回転させることで、格子間距離による不整合の差異を小さくした。このときに、中間層の格子定数と単純ペロブスカイトの（００１）面の格子間距離との差異によって不整合性を表すことができる。
ここで、上述したように、４５°面内回転しない場合の差異は２３％から、４５°面内回転する場合の差異は、面が４５°傾いたときと同様に、−８％となり、単純ペロブスカイトの方が大きくなるが、エピタキシャル成長を阻害するほどの差異ではない。したがって、少なくとも対応する原子の差異が８％以内で、４５°面内回転してエピタキシャル成長することを考慮すると、格子定数又は格子間距離が９２％〜１０８％の範囲にあることが必要となり、単純ペロブスカイト層の格子定数に対して、中間層の格子定数は６５〜７５％の範囲にあることが好ましい。
【００１５】
また、この他に原子の配列も考慮しなければならない。本発明では、この中間層は、その両側に隣接するエピタキシャル関係を阻害せず、かつ、単純ペロブスカイトがＺｒＯ層とのエピタキシャル関係を阻害せず、単純ペロブスカイト層をエピタキシャル成長させることができる。
また、図３（ａ）に示すように、酸化ジルコニムの蛍石構造は、（００１）面の隅に陽イオンがあり、図３（ｂ）に示すように、中間層の岩塩構造は、隅に陽イオンがあり、結晶格子の辺の真ん中に陰イオンがある。ここで、岩塩構造の例として、酸化ストロンチウム（以下、「ＳｒＯ」と記す。）は、格子定数は０．５２ｎｍである。図３（ｃ）に示すように、単純ペロブスカイト層は、結晶構造として、（００１）面の隅に陽イオンを有している。
ＺｒＯ層と中間層のＳｒＯ層は、格子定数がほとんど同じで、ＺｒＯ層とのＳｒＯの中間層は、同じ陽イオンの配列に関係なくエピタキシャル成長する。しかし、ＳｒＯ層と単純プロ部スカイと層を、上述したＺｒＯ層と単純ペロブスカイト層と同様であるとすると、格子定数が異なるために、単純ペロブスカイト層は（００１）面でエピタキシャル成長できない。しかしながら、ＳｒＯ層の結晶構造として、（００１）面内に陰イオンが存在すれば、これと引き合いことがある。したがって、格子定数又は格子間距離の差異が６５〜７５％の範囲にあり、イオンの力が作用することで、（００１）面のエピタキシャル関係を維持しつつ４５°面内回転しても安定に存在することができる。
【００１６】
このように、本発明の膜多層構造体では、ＺｒＯを主成分とするエピタキシャル層を形成したシリコン半導体基板（００１）面と単純ペロブスカイト構造酸化物の間に、様々な物質を形成した結果、岩塩構造の中間層を形成し、その上に単純ペロブスカイト構造の層を形成することにより、完全に各層とも（００１）面方向に配列するようにエピタキシャル成長させて、結晶性の非常に高い単純ペロブスカイト構造の層を形成することができる。
ここで、図５は、中間層の有無による単純ペロブスカイト層の（００１）面の配向率を示す図であり、図５（ａ）は、中間層を設けたときの各薄層の結晶面を観察したＸ線回折図であり、図５（ｂ）は、中間層を設けないときの各薄層の結晶面を観察したＸ線回折図である。図５中の、Ｓｉは、シリコン単結晶基板、ＳＴＯは単純ペロブスカイト構造のチタン酸ストロンチウム、ＹＳＺは、Ｙ添加による安定化させた酸化ジルコニア（以下、単に「ＹＳＺ」と記す。）、ＳｒＯは中間層の酸化ストロンチウムを示している。
【００１７】
図５（ｂ）に示すように、中間層を設けず積層した場合は、チタン酸ストロンチウムの（００１）面が観察されず、ほとんど（０１１）面に配列していることがわかる。それに対して、図５（ａ）では、１．５ｎｍのＳｒＯの中間層を設けている。ここでは、ＳｒＯ／ＹＳＺも（００１）に配列しており、また、単純ペロブスカイト層のＳＴＯも、（０１１）面への配向が存在せず、ほとんどが（００１）面に配列しているのが観察された。このように、ＹＳＺ層上に岩塩構造を有する中間層を設けることで、その上部に形成される単純ペロブスカイト層のＳＴＯ層を（００１）面に配列させることができる。
この中間層となる中間層として、（００１）面の隅に陽イオン、辺の間に陰イオンを有する岩塩構造が好ましく、具体的には、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化ストロンチウムで構成される群から選択される少なくとも１の酸化物を挙げることができ、さらに、ＹＳＺに格子定数の近いＳｒＯが一層好ましい。
【００１８】
また、図２で示した膜多層構造体は、岩塩構造を有するＳｒＯ初期層が厚く形成されている。岩塩構造をもつＳｒＯを、極めて薄く形成することによって、その直上に形成される単純ペロブスカイト酸化物内にＳｒＯを成層中に熱拡散させてしまうことにより、図１のようなＹＳＺエピタキシャル層上に直接（００１）配向のペロブスカイト構造エピタキシャル層を形成した多層構造を得ることができる。このときに、熱拡散させる前の中間層は、元素の配列には最隣接原子の影響が最も大きいために、１ｎｍ以下の非常に薄い薄層で十分である。しかも、一旦配列した後は、結晶の変態も生じない範囲で高温で熱処理して拡散させ消滅させても、量が少ないために、単純ペロブスカイト層の当初の結晶構造を維持することができる。
このように、単純ペロブスカイト層の（００１）面の配列をＺｒＯ層、シリコン半導体基板と一致させることで、分極率を高くし、また、膜多層構造体として動作させるときに低い電圧で応答時間を短くすることができる。
【００１９】
また、ＺｒＯ層としては、Ｙ、Ｓｃを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含有することが好ましい。純酸化ジルコニウムは高温で正方晶、室温で単斜晶であり、冷却時に相転移が伴う。この相変化に伴う体積変化が非常に大きいので、良く密着した層は得られにくい。Ｙ、Ｓｃを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を添加することによって、相転移の温度が低くなって安定化する。したがって、この安定化された立方晶のＺｒＯ層を用いるのが好ましい。添加量は、例えば、Ｙを添加したイットリウム安定化ジルコニア（ＹＳＺ）におけるＺｒとＹの原子比Ｚｒ／Ｙは、０．３〜３．０が好ましい。
【００２０】
また、この単純ペロブスカイト構造を有する酸化物は、多くは強誘電体であり、圧電性、誘電性、焦電性、半導性、電気伝導性、電気光学効果をもつ材料がある。これらの材料を適宜用いて膜多層構造体としてもちいることができる。単純ペロブスカイトしては、ＳｒＴｉＯ3、ＢａＳｒＴｉＯ3、（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、（Ｐｂ、Ｌａ）（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3、Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3、ＰｂＴｉＯ3の他にＭｇ、Ｃａを２価の金属元素として含むものであってもよい。さらに、Ａｇ、Ａｌ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｄｙ、Ｅｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｉｒ、Ｉｎ、Ｌａ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｍ、Ｓｎ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｔｅ、Ｔｈ、Ｔｌ、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｙｂ、Ｚｒ等を含むものであっても良い。これらは、化学量論組成に限るものではなく、例えば、ＳｒＴｉＯ3では、Ｓｒ／Ｔｉの原子比が、０．７〜１．３の範囲が好ましい。また、酸素Ｏは、３を中心に、２．７〜３．３の範囲が好ましい。この単純ペロブスカイト構造を維持する限りは、誘電特性に応じて原子比は適宜選択可能である。
【００２１】
特に、この中で、単純ペロブスカイト構造を有する物質として、ＳｒＲｕＯ3、ＣａＲｕＯ3、ＬａＮｉＯ3、（ＬａxＳｒ1-x）ＣｏＯ3（ただし、０＜ｘ＜１）、ＣａＴｉＯ3、（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3（ただし、０＜ｘ＜１）で構成される群から選択される少なくとも１の酸化物を用いることができる。これらは、例えば、強誘電体を用いた不揮発性メモリ（ＦｅＲＡＭ）に用いることができる。強誘電体のヒステリシス効果を利用することで不揮発性メモリにするもので、大きな残留分極を持つ強誘電体材料で、整合性の高い層を形成することで、繰り返し使用に対する層疲労に強い膜多層構造体を得ることができる。また、比誘電率が高いことで、層コンデンサとして容量素子に用いることができる。形態は、基板上に下部電極、誘電体層、上部電極を積層する構造で、下部電極としての機能を有する半導体基板をそのまま用いても良い。容量素子として、誘電体層の比誘電率、ｔａｎδ（誘電損失）が大きい材料を用いることで、容量の大きい容量素子を得ることができる。
【００２２】
また、本発明の膜多層構造体は、誘電体層の少なくとも１層が、圧電効果又は電歪効果を有する。圧電効果は、外力が加えられと分極する現象をいい、電歪効果は、電界を印加されたときに誘電分極が生じて、その結果歪みが生ずる現象をいう。この圧電効果・電歪効果を有する材料として、Ｐｂ（Ｚｒ1-xＴｉx）Ｏ3（０＜ｘ＜１）、（Ｐｂ1-yＬａy）（Ｚｒ1-xＴｉx）Ｏ3（０＜ｘ、ｙ＜１）、Ｐｂ（Ｂ’0.33Ｂ’’ 0.57）xＴｉyＺｒ1-x-yＯ3（０＜ｘ、ｙ＜１、Ｂ’は２価の遷移金属、Ｂ’’は５価の遷移金属）、Ｐｂ（Ｂ’0.5Ｂ’’ 0.5） xＴｉyＺｒ1-x-yＯ3（０＜ｘ、ｙ＜１、Ｂ’は３価の遷移金属、Ｂ’’は５価の遷移金属）、Ｐｂ（Ｂ’0.33Ｂ’’ 0.67） xＴｉyＺｒ1-x-yＯ3（ ０＜ｘ、ｙ＜１、Ｂ’は６価の遷移金属、Ｂ’’は３価の遷移金属）の群から構成される少なくとも１以上の酸化物を挙げることができる。例えば、圧電効果が大きいことで、微少の変位を感知して、応答性に優れた極めて薄いアクチュエータ素子を得ることができる。
【００２３】
また、単純ペロブスカイト構造を有する薄層の他に、タングステンブロンズ構造を有する薄層を設けても良い。タングステンブロンズ構造を有する薄層が、（ＳｒxＢａ1-x）Ｎｂ2Ｏ6（ただし、０＜ｘ＜１）、（Ｓｒ1-xＢａx）Ｔａ2Ｏ6（ただし、０＜ｘ＜１）、ＰｂＮｂ2Ｏ6、Ｂａ2ＮａＮｂ5Ｏ15、（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3（ただし、０＜ｘ＜１）で構成される群から選択される少なくとも１の酸化物を用いることができる。これらをペロブスカイト層上にはペロブスカイト層がエピタキシャル成長しやすいので、これらの層を多層化してもよい。なお、これらは、化学量論組成に限るものではなく、誘電特性を示す範囲で適宜組成を選択することができる。
一般にタングステン・ブロンズ構造は、多くは単純ペロブスカイト構造における陽イオンのサイトの一部が欠損した構造を基本にしている。したがって、八面体を形成する酸素の揺らぎによって強誘電体となっており、さらに、エピタキシャル関係において、単純ペロブスカイト構造と同様に考えることができる。
【００２４】
また、単純ペロブスカイト構造を有する薄層の他に、ビスマス層状構造を有する薄層を設けても良い。ビスマス層状構造を有する薄層としては、（Ｂｉ1-xＲx）4Ｔｉ3Ｏ12（ただし、ＲはＹ、Ｓｃを含む軽希土類金属、０＜ｘ＜１）、ＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9、ＳｒＢｉ4Ｔｉ4Ｏ15で構成される群から選択される少なくとも１の酸化物を用いることができる。ビスマス層状構造は、（Ｂｉ2Ｏ2）2（Ａm―1ＢmＯ3m+1）2で表される結晶構造で、（Ｂｉ2Ｏ2）2層の間に複数のペロブスカイト構造が挟まれている。これらも、単純ペロブスカイト構造と同様に、中間層によって、エピタキシャル成長することができる。これらを、ペロブスカイト層上にはペロブスカイト層がエピタキシャル成長しやすいので、これらの層を多層化してもよい。このビスマス層状構造を有する八面体を形成する酸素の揺らぎによって強誘電体となっている。（Ｂｉ1-xＲx）4Ｔｉ3Ｏ12等を用いることで膜多層構造体を得ることができる。なお、これらは、化学量論組成に限るものではなく、誘電特性を示す範囲で適宜組成を選択することができる。
【００２５】
また、この膜多層構造体は、単純ペロブスカイト層の上に白金族の金属を含有する金属層を、エピタキシャル成長させて設ける。膜多層構造体は、ＳＴＯ上にエピタキシャル成長可能な白金、イリジウムといった白金族の層を形成して用いてもよい。
更に多層構造を形成後、層の結晶性を向上させるために酸素中で成層温度より高い温度に上げて加熱するアニールを行っても良い。その場合、酸素が層を通して基板中に入り込むため、岩塩構造をもつ層と基板の間にシリコン熱酸化層が形成される。既に、エピタキシャル成長した後であり、ここの新たなシリコン熱酸化層が形成されても、他の薄層の構造に影響を及ぼすことはない。
【００２６】
【実施例】
また、半導体基板の（００１）面上に、エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層とエピタキシャル成長させて、かつ、（００１）面が４５°面内回転している単純ペロブスカイト構造を有する薄層とを有する層積層構造体を設けることで、アクチュエータ素子として用いることができる。このときに、半導体基板と単純ペロブスカイトとの双方又はいずれか一方に電極を設ける。以下に、その実施例を説明する。
【００２７】
（実施例１）
以下に、本発明のアクチュエータ素子の具体的な製造方法について説明する。図６は、実施例１で得られるアクチュエータ素子の層構成を示す概略図である。
初めに、（００１）方位を持つ２インチのシリコン単結晶基板を洗浄後、９％の希ふっ酸に浸して、基板表面のＳｉＯ2層を除去する。このシリコン単結晶基板を成層チャンバ内にセットし、８００℃に保持する。５×１０-4Torrの圧力で、１２ｓｃｃｍの酸素を流しながら、７分、イットリウム安定化ジルコニアターゲット（以下、「ＹＳＺターゲット」と記す。）にＫｒＦエキシマレーザを照射して、パルスレーザ蒸着法によりＹＳＺ層をエピタキシャル成長させる。
次に、赤外炉にて大気圧下で５Ｌ／分で酸素を流しながら、１０００℃で、２時間加熱し、ＹＳＺとシリコン基板の間にシリコン熱酸化層を形成し、ＹＳＺ層の結晶性を向上させる。
次に、再びチャンバに戻し、大気圧下で酸素を流しながら、１０００℃で、２時間加熱した炭酸ストロンチウムターゲットに変更し、１０ｍＴｏｒｒの圧力で、酸素を６ｓｃｃｍ流しながら、８００℃に保持し、２分レーザを照射して酸化ストロンチウム層をＹＳＺ層上にエピタキシャル成長させる。
次に、ターゲットをチタン酸ストロンチウムに変更し、１０ｍＴｏｒｒの圧力で、酸素を６ｓｃｃｍしながら、１０分レーザを照射してチタン酸ストロンチウム層をＳｒＯ／ＹＳＺ層上にエピタキシャル成長させる。
冷却後、基板をチャンバから取り出す。スパッタ装置のチャンバに入れて、６００℃に保持し、アルゴン３０ｓｃｃｍ、酸素１ｓｃｃｍ流しながら、白金を20分スパッタして白金のエピタキシャル層を形成する。
【００２８】
冷却後、基板をチャンバから取り出す。ＰＬＺＴゾルゲル液（組成：ＰＬＺＴ１１３／３／４５／５５）を０．３ｃｃ滴下してスピンコータで回転させる。３５０℃にあらかじめ昇温しておいたホットプレート上に1分載せて溶媒を揮発させ、室温まで冷却する。これを３回繰り返して溶媒を完全に除去する。
次に、基板を大気圧、５Ｌ／分で酸素流しながら６５℃、１０分加熱して、ＰＬＺＴ層を結晶化させる。これに、メタルマスクを基板上に載せ、スパッタ法により円形の白金層を形成する。
次に、底面にレジスト樹脂を塗布してパターニングし、所定の大きさに開口部をあける。その後、８０℃の飽和ＫｒＯＨ溶液に浸けて、シリコン基板を異方性エッチングし、ダイヤフラム構造とする。
さらに、基板を大気圧、５Ｌ／分で酸素を流しながら６００℃で、６０分加熱して、ＰＬＺＴ層を回復アニールする。
以上によりアクチュエータ素子が得られた。
【００２９】
また、半導体基板の（００１）面上に、エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層とエピタキシャル成長させて、かつ、（００１）面が４５°面内回転している単純ペロブスカイト構造を有する薄層とを有する誘電体層を設けることで、容量素子として用いることができる。このときに、半導体基板と単純ペロブスカイトとの双方又は単純ペロブスカイトの一方に電極を設ける。以下に、その実施例を説明する。
（実施例２）
以下に、本発明の容量素子の具体的な製造方法について説明する。図７は、実施例２で得られる容量素子の層構成を示す概略図である。
初めに、（００１）方位を持つ２インチのシリコン単結晶基板を洗浄後、９％の希ふっ酸に浸して、基板表面のＳｉＯ2層を除去する。このシリコン単結晶基板を成層チャンバ内にセットし、８００℃に保持する。５×１０-4Ｔｏｒｒの圧力で、１２ｓｃｃｍの酸素を流しながら、７分、イットリウム安定化ジルコニアターゲット（以下、「ＹＳＺターゲット」と記す。）にＫｒＦエキシマレーザを照射して、パルスレーザ蒸着法によりＹＳＺ層をエピタキシャル成長させる。・赤外炉にて大気圧下で酸素を5リットル／分流しながら1000℃、2時間加熱し、ＹＳＺとシリコン基板の間にシリコン熱酸化層を形成し、ＹＳＺ層の結晶性を向上させる。
【００３０】
次に、再びチャンバに戻し、大気圧下で酸素を流しながら、１０００℃で、２時間加熱した炭酸ストロンチウムターゲットに変更し、１０ｍＴｏｒｒの圧力で、酸素を６ｓｃｃｍ流しながら、８００℃に保持し、２分レーザを照射して酸化ストロンチウム層をＹＳＺ層上にエピタキシャル成長させる。
ターゲットをルテニウム酸ストロンチウムに変更し、１０ｍＴｏｒｒの圧力で、酸素を６ｓｃｃｍ流しながら、１０分レーザを照射してルテニウム酸ストロンチウム層をＳｒＯ／ＹＳＺ層上に（００１）方向にエピタキシャル成長させる。
次に、ターゲットをＰＺＴ５２／４８に変更し、２００ｍＴｏｒｒの圧力で、酸素を６ｓｃｃｍ流しながら、１０分レーザを照射してＰＺＴ層をＳｒＲｕ０３／ＳｒＯ／ＹＳＺ層上にエピタキシャル成長させる。
その後、メタルマスクを基板上に載せ、スパッタ法により円形の白金層を形成する。基板を大気圧、５ｍＬ／分で酸素流しながら６００℃、６０分加熱して、ＰＬＺＴ層を回復アニールする。
以上により容量素子が得られた。
【００３１】
また、半導体基板の（００１）面上に、エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層とエピタキシャル成長させて、かつ、（００１）面が４５°面内回転している単純ペロブスカイト構造を有する薄層とを有する誘電体層を設けることで、フィルタ素子として用いることができる。このときに、半導体基板と単純ペロブスカイトとの双方又はいずれか一方に電極を設ける。
ＳＡＷフィルタ素子として用いるには、圧電性を有する層を形成する必要がある。圧電性を有する層は、岩塩構造をもつ中間層上に圧電層を直接形成しても良いし、単純ペロブスカイト構造を有する絶縁層、例えばＳＴＯ層などの上に、形成してもよい。得られた圧電層上に櫛形の上部電極を形成することで、ＳＡＷフィルタが得られる。以下に、その実施例を説明する。
【００３２】
（実施例３）
図８は、実施例３で得られたフィルタ素子の層構成を示す概略図で、図８（ａ）は断面図で、図８（ｂ）は平面図である。
初めに、（００１）方位を持つ２インチのシリコン単結晶基板を洗浄後、９％の希ふっ酸に浸して、基板表面のＳｉＯ2層を除去する。このシリコン単結晶基板を成層チャンバ内にセットし、８００℃に保持する。５×１０-4Torrの圧力で、１２ｓｃｃｍの酸素を流しながら、７分、イットリウム安定化ジルコニアターゲット（以下、「ＹＳＺターゲット」と記す。）にＫｒＦエキシマレーザを照射して、パルスレーザ蒸着法によりＹＳＺ層をエピタキシャル成長させる。
次に、大気圧下で酸素を流しながら１０００℃で、２時間加熱した炭酸ストロンチウムターゲットに変更し、１０ｍＴｏｒｒの圧力で、酸素を６ｓｃｃｍ流しながら、８００℃に保持し、２分レーザを照射して酸化ストロンチウム層をＹＳＺ層上にエピタキシャル成長させる。
次に、ターゲットをチタン酸ストロンチウムに変更し、１０ｍＴｏｒｒの圧力で、酸素を６ｓｃｃｍ流しながら、１０分レーザを照射してチタン酸ストロンチウム層をＹＳＺ層上にエピタキシャル成長させる。
冷却後、基板をチャンバから取り出す。スパッタ装置のチャンバに入れて、６００℃に保持し、アルゴン３０ｓｃｃｍ、酸素１ｓｃｃｍ流しながら、白金を20分スパッタして白金のエピタキシャル層を形成する。
【００３３】
冷却後、基板をチャンバから取り出す。ＰＬＺＴゾルゲル液（組成：ＰＬＺＴ１１３／３／４５／５５）を０．３ｃｃ滴下してスピンコータで回転させる。３５０℃にあらかじめ昇温しておいたホットプレート上に1分載せて溶媒を揮発させ、室温まで冷却する。これを３回繰り返して溶媒を完全に除去する。
次に、基板を大気圧、５Ｌ／分で酸素流しながら６５℃、１０分加熱して、ＰＬＺＴ層を結晶化させる。これに、メタルマスクを基板上に載せ、スパッタ法により円形の白金層を形成する。
さらに、基板を大気圧、５Ｌ／分で酸素を流しながら６００℃で、６０分加熱して、ＰＬＺＴ層を回復アニールする。
以上によりフィルタ素子が得られた。
【００３４】
ここで示したように、ＹＳＺのエピタキシャル層を形成した（００１）面が表れたシリコン単結晶基板を用い、岩塩構造をもつＳｒＯ中間層として、単純ペロブスカイト構造をもつＳＴＯ層のＸ線回折図形の結果を図９（ａ）に、φスキャン結果を図９（ｂ）に示す。Ｘ線回折法による２θ−θスキャン結果は基板垂直方向の配向を示し、φスキャン結果は、基板面内方向の配向を示している。図９（ａ）の２θ−θスキャン結果では、でシリコン単結晶の｛００１｝とＹＳＺの｛００１｝、ＳｒＯの｛００１｝、ペロブスカイト構造の｛００１｝のピークしか見られない。ＹＳＺとＳｒＯは共に格子定数が約０．５１ｎｍであり、Ｘ線回折法でピーク分離ができない。｛０１１｝や｛１１１｝といった他の指数の回折が観察されないことから、これは全ての薄層が（００１）配向していることを示している。また、図９（ｂ）のφスキャン結果では、シリコンの面内の（２０２）、ＹＳＺおよびＳｒＯの（２０２）面、ＳＴＯの（１０１）面は、それぞれ４本のピークとして得られていることから、４回対称をもっており、全ての薄層はエピタキシャル成長していることを示している。ＳＴＯの（１０１）面はシリコンやＹＳＺ、ＳｒＯに対してピーク発現角度が４５°ずれている。ＳＴＯの格子が基板面内に対して４５°面内回転して（００１）面の配列方向に成長していることを示している。
【００３５】
図１０に、（００１）面に配向したＹＳＺエピタキシャル層の直上に形成したＳＴＯエピタキシャル層の（００１）面のピークのωロッキングカーブを示す。半値幅は０．７８°で、１°を切っており、シリコン基板上に形成されたペロブスカイト酸化物薄層として、非常に高い結晶性を有している。ペロブスカイト酸化物層が、酸化ジルコニウムに対して面内で４５°面内回転して成長することで、格子整合性が向上したためである。従って、この上部に積層される多層層は、この層の結晶性を引き継いで成長するので、結晶性の良い層の層積層構造体が得られていることがわかる。
【００３６】
以上が本発明の一実施形態による説明であるが、発明として、例えば、下記のような特徴を抽出することができるので、ここで列挙しておく。
（付記１）半導体基板の（００１）面上に複数の薄層を備える膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層に対して（００１）面が４５°面内回転して、エピタキシャル成長させる単純ペロブスカイト構造を有する薄層とが設けらている膜多層構造体である。
（付記２）また、半導体基板の（００１）面上に複数の薄層を備える膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層に対して（００１）面が４５°面内回転して、エピタキシャル成長させる単純ペロブスカイト構造を有する薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と単純ペロブスカイト構造を有する薄層との間に中間層とが設けられている膜多層構造体である。
【００３７】
（付記３）また、付記１又は２に記載の膜多層構造体において、前記半導体基板がシリコンである膜多層構造体である。
（付記４）また、付記１又は２に記載の膜多層構造体において、前記酸化ジルコニウムを主成分とする薄層が、Ｙ、Ｓｃを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含有する膜多層構造体である。
（付記５）また、付記１又は２に記載の膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、白金族を含む金属層が、エピタキシャル成長させて、単純ペロブスカイト構造を有する薄層の上に設けられる膜多層構造体である。
（付記６）また、付記５に記載の膜多層構造体において、前記白金族を含む金属層が、白金とイリジウムの混合物又はいずれか一方の金属を含有する膜多層構造体である。
（付記７）また、付記２に記載の膜多層構造体において、前記中間層の格子定数は、単純ペロブスカイト構造を有する薄層の格子定数に対して、６５〜７５％の範囲内にある膜多層構造体である。
（付記８）また、付記７に記載の膜多層構造体において、前記中間層の結晶構造は、隅に陽イオンがあり、結晶格子の辺の真ん中に陰イオンがある膜多層構造体である。
（付記９）また、付記７又は８に記載の膜多層構造体において、前記中間層は、岩塩構造を有する膜多層構造体である。
（付記１０）また、付記９に記載の膜多層構造体において、前記中間層が、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化ストロンチウムで構成される群から選択される少なくとも１の酸化物を含有する膜多層構造体である。
【００３８】
（付記１１）また、付記１、２、９に記載の膜多層構造体において、前記単純ペロブスカイト構造を有する薄層が、ＳｒＲｕＯ3、ＣａＲｕＯ3、ＬａＮｉＯ3、（ＬａxＳｒ1-x）ＣｏＯ3（ただし、０＜ｘ＜１）、ＣａＴｉＯ3、（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3（ただし、０＜ｘ＜１）で構成される群から選択される少なくとも１の酸化物を含有する膜多層構造体である。
（付記１２）また、付記１、２、９に記載の膜多層構造体において、前記誘電体層は、複数の単純ペロブスカイト構造を有する薄層を有し、少なくとも１層が、酸化ジルコニウムを主成分とする層に対してエピタキシャル成長し、圧電効果又は電歪効果を有する薄層である膜多層構造体である。
（付記１３）また、付記１２に記載の膜多層構造体において、前記圧電効果又は電歪効果を有する薄層が、Ｐｂ（Ｚｒ1-xＴｉx）Ｏ3（０＜ｘ＜１）、（Ｐｂ1-yＬａy）（Ｚｒ1-xＴｉx）Ｏ3（０＜ｘ、ｙ＜１）、Ｐｂ（Ｂ’0.33Ｂ’’ 0.57）xＴｉyＺｒ1-x-yＯ3（０＜ｘ、ｙ＜１、Ｂ’は２価の遷移金属、Ｂ’’は５価の遷移金属）、Ｐｂ（Ｂ’0.5Ｂ’’ 0.5） xＴｉyＺｒ1-x-yＯ3（０＜ｘ、ｙ＜１、Ｂ’は３価の遷移金属、Ｂ’’は５価の遷移金属）、Ｐｂ（Ｂ’0.33Ｂ’’ 0.57） xＴｉyＺｒ1-x-yＯ3（ ０＜ｘ、ｙ＜１、Ｂ’は６価の遷移金属、Ｂ’’は３価の遷移金属）の群から構成される少なくとも１以上の酸化物を含有する膜多層構造体である。
【００３９】
（付記１４）また、付記１、２、９に記載の膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、タングステンブロンズ構造を有する薄層が、単純ペロブスカイト構造を有する薄層の上に設けられる膜多層構造体である。
（付記１５）また、付記１４に記載の膜多層構造体において、前記タングステンブロンズ構造を有する薄層が、（ＳｒxＢａ1-x）Ｎｂ2Ｏ6（ただし、０＜ｘ＜１）、（Ｓｒ1-xＢａx）Ｔａ2Ｏ6（ただし、０＜ｘ＜１）、ＰｂＮｂ2Ｏ6、Ｂａ2ＮａＮｂ5Ｏ15、（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3（ただし、０＜ｘ＜１）で構成される群から選択される少なくとも１の酸化物を含有する膜多層構造体である。
（付記１６）また、付記１、２、９に記載の膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、ビスマス層状構造を有する薄層が、単純ペロブスカイト構造を有する薄層の上に設けられる膜多層構造体である。
（付記１７）また、付記１６に記載の膜多層構造体において、前記ビスマス層状構造を有する薄層が、（Ｂｉ1-xＲx）4Ｔｉ3Ｏ12（ただし、ＲはＹ、Ｓｃを含む軽希土類金属）、０＜ｘ＜１）、ＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9、ＳｒＢｉ4Ｔｉ4Ｏ15で構成される群から選択される少なくとも１の酸化物を含有する膜多層構造体である。
（付記１８）また、付記１、２、９のいずれかに記載の膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、絶縁性薄層が、半導体基板と酸化ジルコニウムを主成分とする酸化物薄層との間に設けられる膜多層構造体である。
（付記１９）また、付記１８に記載の膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、絶縁性薄層がシリコン熱酸化層である膜多層構造体である。
【００４０】
（付記２０）金属基板に誘電体層を設けるアクチュエータ素子において、前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、エピタキシャル成長させて、かつ、（００１）面が４５°面内回転している単純ペロブスカイト構造を有する薄層とが設けられるアクチュエータ素子である。
（付記２１）また、付記２０に記載のアクチュエータ素子において、前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上に複数の薄層を備え、エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層に対して（００１）面が４５°面内回転して、エピタキシャル成長させる単純ペロブスカイト構造を有する薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と単純ペロブスカイト構造を有する薄層との間に中間層とが設けられている誘電体層であるアクチュエータ素子である。
（付記２２）また、付記２０に記載のアクチュエータ素子において、前記中間層は、岩塩構造を有するアクチュエータ素子である。
【００４１】
（付記２３）金属基板に誘電体層を設ける容量素子において、前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、エピタキシャル成長させて、かつ、（００１）面が４５°面内回転している単純ペロブスカイト構造を有する薄層とが設けられる誘電体層からなる容量素子である。
（付記２４）また、付記２３に記載の容量素子において、前記誘電体層は、前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上に複数の薄層を備え、エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層に対して（００１）面が４５°面内回転して、エピタキシャル成長させる単純ペロブスカイト構造を有する薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と単純ペロブスカイト構造を有する薄層との間に中間層とが設けられている誘電体層である容量素子である。
（付記２５）また、付記２３に記載の容量素子において、前記中間層は、岩塩構造を有する容量素子である。
【００４２】
（付記２６）金属基板に誘電体層を設けるフィルタ素子において、前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、エピタキシャル成長させて、かつ、（００１）面が４５°面内回転している単純ペロブスカイト構造を有する薄層とが設けられる膜多層構造体からなるフィルタ素子である。
（付記２７）また、付記２６に記載のフィルタ素子において、前記誘電体層は、前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上に複数の薄層を備え、エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層に対して（００１）面が４５°面内回転して、エピタキシャル成長させる単純ペロブスカイト構造を有する薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と単純ペロブスカイト構造を有する薄層との間に中間層とが設けられている誘電体層であるフィルタ素子である。
（付記２８）また、付記２６に記載のフィルタ素子において、前記中間層は、岩塩構造を有するフィルタ素子である。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の層積層構造体を用いることにより、分極が増大し、より小さく、高性能な膜多層構造体及びこれを用いる容量素子、アクチュエータ素子およびフィルタ素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態である膜多層構造体の層構造を示す概略構成図である。
【図２】本発明の他の実施形態である膜多層構造体の層構造を示す概略構成図である。
【図３】各薄層構造の結晶の層構成を示しており、図３（ａ）は酸化ジルコニウムの蛍石構造を示し、図３（ｂ）は酸化ストロンチウムのの岩塩構造を示し、図３（ｃ）は単純ペロブスカイトの構造を示している。
【図４】単純ペロブスカイト（０１１）面と酸化ジルコニウム（００１）面がエピタキシャル関係を持って成長した膜多層構造体の層構造を示す概略構成図である。
【図５】中間層の有無による単純ペロブスカイト層の（００１）面の配向率を示す図であり、図５（ａ）は、中間層を設けたときの各薄層の結晶面を観察したＸ線回折図であり、図５（ｂ）は、中間層を設けないときの各薄層の結晶面を観察したＸ線回折図である。
【図６】実施例１で得られたアクチュエータ素子の層構成を示す概略図である。
【図７】実施例２で得られた容量素子の層構成を示す概略図である。
【図８】実施例３で得られたフィルタ素子の層構成を示す概略図で、図８（ａ）は断面図で、図８（ｂ）は平面図である。
【図９】図９（ａ）は、得られた層の層のＸ線回折図形の結果で、図９（ｂ）は、φスキャン結果を示す。
【図１０】（００１）面に配向したＹＳＺエピタキシャル層の直上に形成したＳＴＯエピタキシャル層の（００１）面のピークのωロッキングカーブを示す。
【符号の説明】
１１ 半導体基板（シリコン単結晶基板）
１２ 酸化ジルコニウム層（ＺｒＯ、ＹＳＺ層）
１３ 中間層（ＳｒＯ層）
１４ 単純ペロブスカイト層
１５ 白金族層
１６ 強誘電体層
１７ 上部電極層
１８ シリコン熱酸化層
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板上に強誘電体による誘電体層を設けることで、不揮発性の半導体メモリ等として利用できる膜多層構造体及びこれを用いる容量素子、アクチュエータ素子、フィルタ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
強誘電体層のもつ分極は物質の結晶に由来するものであり、酸化物の強誘電体層を利用する場合、酸素の存在下で数百度に加熱して結晶化を行うことで、分極特性を得ることができる。この強誘電体を薄層実装して大きい分極を得るには、組成が均一で欠陥のない酸化物単結晶層にする必要がある。
しかし、多くの場合単結晶層を得るのは非常に困難で、通常は多結晶体としてしか得られない。一方、多結晶体には、粒界等の欠陥が存在するため漏れ電流も大きくなり、また、各結晶粒の配向が揃わないために、単結晶体より分極が小さくなる。したがって、基準となる基板に対する垂直方向だけでなく、基板面と同一面を持つように配向した層、いわゆるエピタキシャル層が、大きい分極を得るためには好ましい。
【０００３】
このために、強誘電体のエピタキシャル層を成長させるためには、シリコン等の単結晶半導体基板表面の配向を利用する。しかし、このシリコン単結晶基板は金属であり、高い温度で酸素雰囲気に曝らされると表面が容易に酸化し、シリコン酸化層（ＳｉＯ2）を生成する。シリコン酸化層は、非晶質で配向を持たないので、この上には強誘電体のエピタキシャル層を成長させるのは困難である。また、成長させる強誘電体層とシリコン単結晶基板の間の反応や拡散が少ないことも、強誘電体層のエピタキシャル成長には重要である。従って、これまでにシリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長できる物質として、イットリウム安定化ジルコニア（以下、「ＹＳＺ」と記す。）、酸化セリウム等の希土類元素の酸化物、酸化マグネシウム、マグネシアスピネル、チタン酸ストロンチウムなどの例が、非特許文献１に開示されている。
【０００４】
また、シリコン単結晶基板と強誘電体の単純ペロブスカイト酸化物との反応やシリコン単結晶基板表面のＳｉＯ2形成を防止するため、シリコン単結晶基板上でエピタキシャル層の形成が報告されているイットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）や酸化マグネシウム、マグネシアスピネル等を中間層として形成して、その上部にペロブスカイト構造をもった酸化物をエピタキシャル成長させることが試みられている。例として、シリコン（００１）基板上にペロブスカイト構造の（００１）エピタキシャル層を実現した構造には、ＳｒＴｉＯ3（００１）／ＭｇＡｌ2Ｏ4（００１）／Ｓｉ（００１）のエピタキシャル構造が非特許文献２に、ＰＺＴ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｓｉ（００１）のエピタキシャル構造が非特許文献３に開示されている。
また、酸化ジルコニウム層もシリコン基板上にエピタキシャル成長できることから中間層として考えられる。酸化ジルコニウム層上にペロブスカイト構造をもつ物質を形成した場合、酸化ジルコニウム（００１）面に対しペロブスカイト構造（０１１）面がエピタキシャル関係を持って成長することが非特許文献４に開示されている。
【０００５】
しかし、単純ペロブスカイト構造をもつ強誘電体の分極には方向性があるので、分極の方向と動作させるための方向とを一致した方向に強誘電体層を配向させることが必要である。例えば、自発分極をもつ強誘電体をキャパシタ部分に用いた不揮発性メモリ（ＦｅＲＡＭ）は、次世代のメモリとして、非接触のＩＣカード等の応用が期待されている。不揮発性メモリ（ＦｅＲＡＭ）などのキャパシタ部分には通常、正方晶の強誘電体ペロブスカイト酸化物が用いられているが、正方晶の強誘電体の残留分極方向は（００１）面上にある。酸化ジルコニウム層上のペロブスカイト酸化物が（０１１）面に配向してしまうと、残留分極の向きが傾くことになり、高い誘電率を得ることができず、誘電特性の低下を招くという問題点があった。この問題点は、不揮発メモリ（ＦｅＲＡＭ）だけでなく、容量素子、アクチュエータ素子及びフィルタ素子に共通する問題点である。
【０００６】
そこで、ＣｅＯ2などの希土類酸化物を添加した酸化ジルコニウム層とペロブスカイト層の間に中間層として設ける積層薄層が、一定の条件において、単純ペロブスカイト構造を有する酸化物の（００１）方向に配向したエピタキシャル薄層を得られることが特許文献１に開示されている。これは、酸化ジルコニウムの格子定数は０．５１ｎｍ、チタン酸バリウムやＰＺＴなどの代表的な単純ペロブスカイト酸化物の格子定数は約０．３９ｎｍで、不整合の割合（ここでは、（１−０．３９／０．５１）×１００％で表す。）は２３％となる。単純ペロブスカイト酸化物の（０１１）面上の面間隔は√２×０．３９ｎｍで約０．５５ｎｍとなり、結晶格子の不整合の割合は−８％と小さくなる。これによって、エピタキシャル成長できるものと考えられる。しかし、完全に（００１）方向に配向した単純ペロブスカイト層を得ることは困難で多くの場合（０１１）方向の配向が残留し、高い誘電率を得ることができない。また、結晶性も低く、さらに、配向性が低いことで分極率を大きくできないと言う問題がある。ところが、特許文献１では、チタン酸バリウム層は酸化ジルコニウム層に対して面内回転することなく成長し、チタン酸バリウム格子４格子（０．３９ｎｍ×４＝１．５６ｎｍ）対して酸化ジルコニウム格子３格子（０．５１ｎｍ×３＝１．５３ｎｍ）が整合して成長している旨が記載されている。しかし、このように大きな不整合を内包させて成長している層は、界面に応力が集中しやすく、剥がれやすくなる。また格子同士の整合性がよくないので、結晶性も低いという問題点があった。さらに、特許文献１では、単純ペロブスカイト酸化物は酸化ジルコニウム層上に（００１）面で回転することなく成長し、４５°面内回転して整合性がとれたエピタキシャル成長させた構成の層を得ることは困難だと述べている。
【０００７】
【非特許文献１】
Mat.Res.Soc.Symp.Proc.Vol.341（1994）P73
【非特許文献２】
J. Appl. Phys. Vol.66 （1989） P5826
【非特許文献３】
J. Crystal Growth Vol.158 （1996） P84
【非特許文献４】
Appl. Phys. Lett. Vol.67 （1995） P1387
【特許文献１】
特開平０９−１１０５９２号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その課題は、半導体基板上に下地基板と整合性を持たせながら結晶配列させることで、分極を大きくした膜多層構造体を提供することを課題とする。また、この下地基板と整合性を持たせながら結晶配列させることで、キャパシタンスを大きくした容量素子、分極率を高くして移動量、作用する力を大きくしたアクチュエータ素子、広い周波数領域に対応するフィルタ素子を提供することを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、例えば、本発明は以下の手段とする。第１の手段は、半導体基板の（００１）面上に複数の層を備える膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、Ｙ、Ｓｃのいずれかを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含み、酸化ジルコニウムを主成分とする、エピタキシャル成長した（００１）面配向の第１の層と、第１の層の（００１）面の直上に配置され、第１の層の（００１）面が４５°面内回転してエピタキシャル成長した単純ペロブスカイト構造の第２の層とを有する膜多層構造体である。
第２の手段は、半導体基板の（００１）面上に複数の層を備える膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、Ｙ、Ｓｃのいずれかを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含み、酸化ジルコニウムを主成分とする、エピタキシャル成長した（００１）面配向の第１の層と、前記第１の層の（００１）面の直上に配置され、エピタキシャル成長した（００１）面配向の中間層と、前記中間層の（００１）面の直上に設けられ、前記第１の層の（００１）面が４５°面内回転してエピタキシャル成長した単純ペロブスカイト構造の第２の層とを有する膜多層構造体である。
また、上記第１又は第２の手段において、前記半導体基板をシリコンとしてもよい。さらに、上記第１又は第２の手段において、前記膜多層構造体は、第２の層の上に、エピタキシャル成長した、白金族を含む金属層をさらに設けてもよい。
また、第３の手段は、前記中間層の格子定数が、単純ペロブスカイト構造を有する薄層の格子定数に対して、６５〜７５％の範囲内にすることが好ましい。
上記第１、第２又は第３の手段において、前記第２の層は、複数の単純ペロブスカイト構造を有する薄層を有し、少なくとも１層が、酸化ジルコニウムを主成分とする層の直上にエピタキシャル成長し、圧電効果又は電歪効果を有する薄層としてもよい。
【００１０】
また、第４の手段は、誘電体層と、前記誘電体層の上方に設けた電極とを有し、 前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長した、Ｙ、Ｓｃのいずれかを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含み、酸化ジルコニウムを主成分とする（００１）面配向の第１の層と、前記第１の層の（００１）面の直上に配置され、前記第１の層の（００１）面が４５°面内回転してエピタキシャル成長した単純ペロブスカイト構造を有する第２の層とを有するアクチュエータ素子として構成してもよい。
また、第５の手段は、誘電体層と、前記誘電体層の上方に設けた電極とを有し、 前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長した、Ｙ、Ｓｃのいずれかを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含み、酸化ジルコニウムを主成分とする（００１）面配向の第１の層と、前記第１の層の（００１）面の直上に配置され、前記第１の層の（００１）面が４５°面内回転してエピタキシャル成長した単純ペロブスカイト構造を有する第２の層とを有する容量素子として構成してもよい。
また、第６の手段は、誘電体層と、前記誘電体層の上方に設けた電極とを有し、前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長した、Ｙ、Ｓｃのいずれかを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含み、酸化ジルコニウムを主成分とする、エピタキシャル成長した（００１）面配向の第１の層と、前記第１の層の（００１）面の直上に配置され、エピタキシャル成長した（００１）面配向の中間層と、前記中間層の（００１）面の直上に設けられ、前記第１の層の（００１）面が４５°面内回転してエピタキシャル成長した単純ペロブスカイト構造を有する第２の層とを有する容量素子として構成してもよい。
また、第７の手段は、誘電体層と、前記誘電体層の上方に設けた電極とを有し、前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長した、Ｙ、Ｓｃのいずれかを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含み、酸化ジルコニウムを主成分とする（００１）面配向の第１の層と、前記第１の層の（００１）面の直上に配置され、前記第１の層の（００１）面が４５°面内回転してエピタキシャル成長した単純ペロブスカイト構造を有する第２の層とを有するフィルタ素子として構成してもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の一実施形態である膜多層構造体の層構造を示す概略構成図である。本発明に係る膜多層構造体は、半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、エピタキシャル成長させて、（００１）面が４５°面内回転している単純ペロブスカイト構造の薄層とを有する。
また、図２は、本発明の他の実施形態である膜多層構造体の層構造を示す概略構成図である。本発明に係る膜多層構造体は、半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、エピタキシャル成長させて、（００１）面が４５°面内回転している単純ペロブスカイト構造の薄層と酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と単純ペロブスカイト構造を有する薄層との間に中間層とを有する。
半導体基板としては、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム・ヒ素（ＧａＡｓ）等の金属単結晶を用いる。この半導体基板としては、シリコンが好ましい。シリコンは、原料が低価であり、また、広く利用されており、種々の素子に利用することが容易である。
【００１２】
このシリコン単結晶基板上に、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ）を主成分とする薄層（以下、特に断らない限り「ＺｒＯ層」と記す。）を設け、このＺｒＯ層の上に、エピタキシャル成長させた中間層と、エピタキシャル成長させて、単純ペロブスカイト構造を有する薄層（以下、特に断らない限り「単純ペロブスカイト層」と記す。）を設ける。図１及び図２に示すように、単純ペロブスカイト層の（００１）面は、ＺｒＯ層の（００１）面に対して（００１）面で配向し、さらに、単純ペロブスカイト層は、シリコン単結晶基板とＺｒＯ層に対して、（００１）面の配列は同じで、（００１）面内で４５°面内回転させる積層構造を有する。
また、図２に示すように、中間層として、岩塩構造を有する層が設けられている。岩塩構造も、ＺｒＯ層と単純ペロブスカイト層と同様に、立方晶構造を有している。図３は、各薄層構造の結晶の層構成を示しており、図３（ａ）は酸化ジルコニウムの蛍石構造を示し、図３（ｂ）は中間層の酸化ストロンチウムの岩塩構造を示し、図３（ｃ）は単純ペロブスカイト構造を示している。
【００１３】
従来技術において説明したように、単純ペロブスカイト層の格子定数は、ＺｒＯ層の格子定数との差異が大きく、整合性が小さいために、図４は、単純ペロブスカイト（０１１）面とＺｒＯ（００１）面がエピタキシャル関係を持って成長した膜多層構造体の層構造を示す概略構成図である。図４（ａ）に示すように、単純ペロブスカイト層はＺｒＯ層に対して４５°傾いて、ＺｒＯ層の（００１）面と単純ペロブスカイト層の（０１１）面がエピタキシャル関係を持って成長する。これは、ＺｒＯの格子定数は０．５１ｎｍであり、双方とも立方晶であるが、同じ立方晶でも、チタン酸バリウムやＰＺＴなどの代表的な単純ペロブスカイトは０．３９ｎｍであり、（０１１）面の格子間距離が√２×０．３９＝０．５５ｎｍとＺｒＯの格子定数０．５１ｎｍに近い値になり、不整合の差異は小さくなる。そこで、図４（ｂ）に示すように、単純ペロブスカイト層の（００１）面ではなく、４５°傾いている（０１１）面とエピタキシャル関係を持って成長する。しかしながら、単純ペロブスカイト層の残留分極は、（００１）面上であり、シリコン単結晶基板の動作方向である垂直方向に対してこの（００１）面が傾いてしまい、その分、分極率が低くなり、また、分極させるのに高い電圧と応答するための遅延時間を要するなどにより、膜多層構造体として用いる場合の誘電特性が低くなる。
【００１４】
本発明では、図２に示すように、中間層を設けて、単純ペロブスカイト層が、（００１）面が配列したままエピタキシャル関係を持たせている。エピタキシャル成長するには、下部層と上部のエピタキシャル成長する層との整合性が重要になる。
ＺｒＯ層からエピタキシャル成長した中間層の格子定数と単純ペロブスカイト層の（００１）面内の対角上にある格子間距離（以下、単に「格子間距離」と記す。）の差異を小さくして、整合性を小さくするために、単純ペロブスカイトを（００１）面配列を維持したまま、（００１）面内で４５°面内回転させることで、格子間距離による不整合の差異を小さくした。このときに、中間層の格子定数と単純ペロブスカイトの（００１）面の格子間距離との差異によって不整合性を表すことができる。
ここで、上述したように、４５°面内回転しない場合の差異は２３％から、４５°面内回転する場合の差異は、面が４５°傾いたときと同様に、−８％となり、単純ペロブスカイトの方が大きくなるが、エピタキシャル成長を阻害するほどの差異ではない。したがって、少なくとも対応する原子の差異が８％以内で、４５°面内回転してエピタキシャル成長することを考慮すると、格子定数又は格子間距離が９２％〜１０８％の範囲にあることが必要となり、単純ペロブスカイト層の格子定数に対して、中間層の格子定数は６５〜７５％の範囲にあることが好ましい。
【００１５】
また、この他に原子の配列も考慮しなければならない。本発明では、この中間層は、その両側に隣接するエピタキシャル関係を阻害せず、かつ、単純ペロブスカイトがＺｒＯ層とのエピタキシャル関係を阻害せず、単純ペロブスカイト層をエピタキシャル成長させることができる。
また、図３（ａ）に示すように、酸化ジルコニムの蛍石構造は、（００１）面の隅に陽イオンがあり、図３（ｂ）に示すように、中間層の岩塩構造は、隅に陽イオンがあり、結晶格子の辺の真ん中に陰イオンがある。ここで、岩塩構造の例として、酸化ストロンチウム（以下、「ＳｒＯ」と記す。）は、格子定数は０．５２ｎｍである。図３（ｃ）に示すように、単純ペロブスカイト層は、結晶構造として、（００１）面の隅に陽イオンを有している。
ＺｒＯ層と中間層のＳｒＯ層は、格子定数がほとんど同じで、ＺｒＯ層とのＳｒＯの中間層は、同じ陽イオンの配列に関係なくエピタキシャル成長する。しかし、ＳｒＯ層と単純プロ部スカイと層を、上述したＺｒＯ層と単純ペロブスカイト層と同様であるとすると、格子定数が異なるために、単純ペロブスカイト層は（００１）面でエピタキシャル成長できない。しかしながら、ＳｒＯ層の結晶構造として、（００１）面内に陰イオンが存在すれば、これと引き合いことがある。したがって、格子定数又は格子間距離の差異が６５〜７５％の範囲にあり、イオンの力が作用することで、（００１）面のエピタキシャル関係を維持しつつ４５°面内回転しても安定に存在することができる。
【００１６】
このように、本発明の膜多層構造体では、ＺｒＯを主成分とするエピタキシャル層を形成したシリコン半導体基板（００１）面と単純ペロブスカイト構造酸化物の間に、様々な物質を形成した結果、岩塩構造の中間層を形成し、その上に単純ペロブスカイト構造の層を形成することにより、完全に各層とも（００１）面方向に配列するようにエピタキシャル成長させて、結晶性の非常に高い単純ペロブスカイト構造の層を形成することができる。
ここで、図５は、中間層の有無による単純ペロブスカイト層の（００１）面の配向率を示す図であり、図５（ａ）は、中間層を設けたときの各薄層の結晶面を観察したＸ線回折図であり、図５（ｂ）は、中間層を設けないときの各薄層の結晶面を観察したＸ線回折図である。図５中の、Ｓｉは、シリコン単結晶基板、ＳＴＯは単純ペロブスカイト構造のチタン酸ストロンチウム、ＹＳＺは、Ｙ添加による安定化させた酸化ジルコニア（以下、単に「ＹＳＺ」と記す。）、ＳｒＯは中間層の酸化ストロンチウムを示している。
【００１７】
図５（ｂ）に示すように、中間層を設けず積層した場合は、チタン酸ストロンチウムの（００１）面が観察されず、ほとんど（０１１）面に配列していることがわかる。それに対して、図５（ａ）では、１．５ｎｍのＳｒＯの中間層を設けている。ここでは、ＳｒＯ／ＹＳＺも（００１）に配列しており、また、単純ペロブスカイト層のＳＴＯも、（０１１）面への配向が存在せず、ほとんどが（００１）面に配列しているのが観察された。このように、ＹＳＺ層上に岩塩構造を有する中間層を設けることで、その上部に形成される単純ペロブスカイト層のＳＴＯ層を（００１）面に配列させることができる。
この中間層となる中間層として、（００１）面の隅に陽イオン、辺の間に陰イオンを有する岩塩構造が好ましく、具体的には、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化ストロンチウムで構成される群から選択される少なくとも１の酸化物を挙げることができ、さらに、ＹＳＺに格子定数の近いＳｒＯが一層好ましい。
【００１８】
また、図２で示した膜多層構造体は、岩塩構造を有するＳｒＯ初期層が厚く形成されている。岩塩構造をもつＳｒＯを、極めて薄く形成することによって、その直上に形成される単純ペロブスカイト酸化物内にＳｒＯを成層中に熱拡散させてしまうことにより、図１のようなＹＳＺエピタキシャル層上に直接（００１）配向のペロブスカイト構造エピタキシャル層を形成した多層構造を得ることができる。このときに、熱拡散させる前の中間層は、元素の配列には最隣接原子の影響が最も大きいために、１ｎｍ以下の非常に薄い薄層で十分である。しかも、一旦配列した後は、結晶の変態も生じない範囲で高温で熱処理して拡散させ消滅させても、量が少ないために、単純ペロブスカイト層の当初の結晶構造を維持することができる。
このように、単純ペロブスカイト層の（００１）面の配列をＺｒＯ層、シリコン半導体基板と一致させることで、分極率を高くし、また、膜多層構造体として動作させるときに低い電圧で応答時間を短くすることができる。
【００１９】
また、ＺｒＯ層としては、Ｙ、Ｓｃを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含有することが好ましい。純酸化ジルコニウムは高温で正方晶、室温で単斜晶であり、冷却時に相転移が伴う。この相変化に伴う体積変化が非常に大きいので、良く密着した層は得られにくい。Ｙ、Ｓｃを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を添加することによって、相転移の温度が低くなって安定化する。したがって、この安定化された立方晶のＺｒＯ層を用いるのが好ましい。添加量は、例えば、Ｙを添加したイットリウム安定化ジルコニア（ＹＳＺ）におけるＺｒとＹの原子比Ｚｒ／Ｙは、０．３〜３．０が好ましい。
【００２０】
また、この単純ペロブスカイト構造を有する酸化物は、多くは強誘電体であり、圧電性、誘電性、焦電性、半導性、電気伝導性、電気光学効果をもつ材料がある。これらの材料を適宜用いて膜多層構造体としてもちいることができる。単純ペロブスカイトしては、ＳｒＴｉＯ3、ＢａＳｒＴｉＯ3、（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、（Ｐｂ、Ｌａ）（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3、Ｐｂ（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3、ＰｂＴｉＯ3の他にＭｇ、Ｃａを２価の金属元素として含むものであってもよい。さらに、Ａｇ、Ａｌ、Ｂａ、Ｂｉ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｄｙ、Ｅｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｉｒ、Ｉｎ、Ｌａ、Ｓｂ、Ｓｃ、Ｓｍ、Ｓｎ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｔｅ、Ｔｈ、Ｔｌ、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｙｂ、Ｚｒ等を含むものであっても良い。これらは、化学量論組成に限るものではなく、例えば、ＳｒＴｉＯ3では、Ｓｒ／Ｔｉの原子比が、０．７〜１．３の範囲が好ましい。また、酸素Ｏは、３を中心に、２．７〜３．３の範囲が好ましい。この単純ペロブスカイト構造を維持する限りは、誘電特性に応じて原子比は適宜選択可能である。
【００２１】
特に、この中で、単純ペロブスカイト構造を有する物質として、ＳｒＲｕＯ3、ＣａＲｕＯ3、ＬａＮｉＯ3、（ＬａxＳｒ1-x）ＣｏＯ3（ただし、０＜ｘ＜１）、ＣａＴｉＯ3、（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3（ただし、０＜ｘ＜１）で構成される群から選択される少なくとも１の酸化物を用いることができる。これらは、例えば、強誘電体を用いた不揮発性メモリ（ＦｅＲＡＭ）に用いることができる。強誘電体のヒステリシス効果を利用することで不揮発性メモリにするもので、大きな残留分極を持つ強誘電体材料で、整合性の高い層を形成することで、繰り返し使用に対する層疲労に強い膜多層構造体を得ることができる。また、比誘電率が高いことで、層コンデンサとして容量素子に用いることができる。形態は、基板上に下部電極、誘電体層、上部電極を積層する構造で、下部電極としての機能を有する半導体基板をそのまま用いても良い。容量素子として、誘電体層の比誘電率、ｔａｎδ（誘電損失）が大きい材料を用いることで、容量の大きい容量素子を得ることができる。
【００２２】
また、本発明の膜多層構造体は、誘電体層の少なくとも１層が、圧電効果又は電歪効果を有する。圧電効果は、外力が加えられと分極する現象をいい、電歪効果は、電界を印加されたときに誘電分極が生じて、その結果歪みが生ずる現象をいう。この圧電効果・電歪効果を有する材料として、Ｐｂ（Ｚｒ1-xＴｉx）Ｏ3（０＜ｘ＜１）、（Ｐｂ1-yＬａy）（Ｚｒ1-xＴｉx）Ｏ3（０＜ｘ、ｙ＜１）、Ｐｂ（Ｂ’0.33Ｂ’’ 0.57）xＴｉyＺｒ1-x-yＯ3（０＜ｘ、ｙ＜１、Ｂ’は２価の遷移金属、Ｂ’’は５価の遷移金属）、Ｐｂ（Ｂ’0.5Ｂ’’ 0.5） xＴｉyＺｒ1-x-yＯ3（０＜ｘ、ｙ＜１、Ｂ’は３価の遷移金属、Ｂ’’は５価の遷移金属）、Ｐｂ（Ｂ’0.33Ｂ’’ 0.67） xＴｉyＺｒ1-x-yＯ3（ ０＜ｘ、ｙ＜１、Ｂ’は６価の遷移金属、Ｂ’’は３価の遷移金属）の群から構成される少なくとも１以上の酸化物を挙げることができる。例えば、圧電効果が大きいことで、微少の変位を感知して、応答性に優れた極めて薄いアクチュエータ素子を得ることができる。
【００２３】
また、単純ペロブスカイト構造を有する薄層の他に、タングステンブロンズ構造を有する薄層を設けても良い。タングステンブロンズ構造を有する薄層が、（ＳｒxＢａ1-x）Ｎｂ2Ｏ6（ただし、０＜ｘ＜１）、（Ｓｒ1-xＢａx）Ｔａ2Ｏ6（ただし、０＜ｘ＜１）、ＰｂＮｂ2Ｏ6、Ｂａ2ＮａＮｂ5Ｏ15、（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3（ただし、０＜ｘ＜１）で構成される群から選択される少なくとも１の酸化物を用いることができる。これらをペロブスカイト層上にはペロブスカイト層がエピタキシャル成長しやすいので、これらの層を多層化してもよい。なお、これらは、化学量論組成に限るものではなく、誘電特性を示す範囲で適宜組成を選択することができる。
一般にタングステン・ブロンズ構造は、多くは単純ペロブスカイト構造における陽イオンのサイトの一部が欠損した構造を基本にしている。したがって、八面体を形成する酸素の揺らぎによって強誘電体となっており、さらに、エピタキシャル関係において、単純ペロブスカイト構造と同様に考えることができる。
【００２４】
また、単純ペロブスカイト構造を有する薄層の他に、ビスマス層状構造を有する薄層を設けても良い。ビスマス層状構造を有する薄層としては、（Ｂｉ1-xＲx）4Ｔｉ3Ｏ12（ただし、ＲはＹ、Ｓｃを含む軽希土類金属、０＜ｘ＜１）、ＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9、ＳｒＢｉ4Ｔｉ4Ｏ15で構成される群から選択される少なくとも１の酸化物を用いることができる。ビスマス層状構造は、（Ｂｉ2Ｏ2）2（Ａm―1ＢmＯ3m+1）2で表される結晶構造で、（Ｂｉ2Ｏ2）2層の間に複数のペロブスカイト構造が挟まれている。これらも、単純ペロブスカイト構造と同様に、中間層によって、エピタキシャル成長することができる。これらを、ペロブスカイト層上にはペロブスカイト層がエピタキシャル成長しやすいので、これらの層を多層化してもよい。このビスマス層状構造を有する八面体を形成する酸素の揺らぎによって強誘電体となっている。（Ｂｉ1-xＲx）4Ｔｉ3Ｏ12等を用いることで膜多層構造体を得ることができる。なお、これらは、化学量論組成に限るものではなく、誘電特性を示す範囲で適宜組成を選択することができる。
【００２５】
また、この膜多層構造体は、単純ペロブスカイト層の上に白金族の金属を含有する金属層を、エピタキシャル成長させて設ける。膜多層構造体は、ＳＴＯ上にエピタキシャル成長可能な白金、イリジウムといった白金族の層を形成して用いてもよい。
更に多層構造を形成後、層の結晶性を向上させるために酸素中で成層温度より高い温度に上げて加熱するアニールを行っても良い。その場合、酸素が層を通して基板中に入り込むため、岩塩構造をもつ層と基板の間にシリコン熱酸化層が形成される。既に、エピタキシャル成長した後であり、ここの新たなシリコン熱酸化層が形成されても、他の薄層の構造に影響を及ぼすことはない。
【００２６】
【実施例】
また、半導体基板の（００１）面上に、エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層とエピタキシャル成長させて、かつ、（００１）面が４５°面内回転している単純ペロブスカイト構造を有する薄層とを有する層積層構造体を設けることで、アクチュエータ素子として用いることができる。このときに、半導体基板と単純ペロブスカイトとの双方又はいずれか一方に電極を設ける。以下に、その実施例を説明する。
【００２７】
（実施例１）
以下に、本発明のアクチュエータ素子の具体的な製造方法について説明する。図６は、実施例１で得られるアクチュエータ素子の層構成を示す概略図である。
初めに、（００１）方位を持つ２インチのシリコン単結晶基板を洗浄後、９％の希ふっ酸に浸して、基板表面のＳｉＯ2層を除去する。このシリコン単結晶基板を成層チャンバ内にセットし、８００℃に保持する。５×１０-4Torrの圧力で、１２ｓｃｃｍの酸素を流しながら、７分、イットリウム安定化ジルコニアターゲット（以下、「ＹＳＺターゲット」と記す。）にＫｒＦエキシマレーザを照射して、パルスレーザ蒸着法によりＹＳＺ層をエピタキシャル成長させる。
次に、赤外炉にて大気圧下で５Ｌ／分で酸素を流しながら、１０００℃で、２時間加熱し、ＹＳＺとシリコン基板の間にシリコン熱酸化層を形成し、ＹＳＺ層の結晶性を向上させる。
次に、再びチャンバに戻し、大気圧下で酸素を流しながら、１０００℃で、２時間加熱した炭酸ストロンチウムターゲットに変更し、１０ｍＴｏｒｒの圧力で、酸素を６ｓｃｃｍ流しながら、８００℃に保持し、２分レーザを照射して酸化ストロンチウム層をＹＳＺ層上にエピタキシャル成長させる。
次に、ターゲットをチタン酸ストロンチウムに変更し、１０ｍＴｏｒｒの圧力で、酸素を６ｓｃｃｍしながら、１０分レーザを照射してチタン酸ストロンチウム層をＳｒＯ／ＹＳＺ層上にエピタキシャル成長させる。
冷却後、基板をチャンバから取り出す。スパッタ装置のチャンバに入れて、６００℃に保持し、アルゴン３０ｓｃｃｍ、酸素１ｓｃｃｍ流しながら、白金を20分スパッタして白金のエピタキシャル層を形成する。
【００２８】
冷却後、基板をチャンバから取り出す。ＰＬＺＴゾルゲル液（組成：ＰＬＺＴ１１３／３／４５／５５）を０．３ｃｃ滴下してスピンコータで回転させる。３５０℃にあらかじめ昇温しておいたホットプレート上に1分載せて溶媒を揮発させ、室温まで冷却する。これを３回繰り返して溶媒を完全に除去する。
次に、基板を大気圧、５Ｌ／分で酸素流しながら６５℃、１０分加熱して、ＰＬＺＴ層を結晶化させる。これに、メタルマスクを基板上に載せ、スパッタ法により円形の白金層を形成する。
次に、底面にレジスト樹脂を塗布してパターニングし、所定の大きさに開口部をあける。その後、８０℃の飽和ＫｒＯＨ溶液に浸けて、シリコン基板を異方性エッチングし、ダイヤフラム構造とする。
さらに、基板を大気圧、５Ｌ／分で酸素を流しながら６００℃で、６０分加熱して、ＰＬＺＴ層を回復アニールする。
以上によりアクチュエータ素子が得られた。
【００２９】
また、半導体基板の（００１）面上に、エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層とエピタキシャル成長させて、かつ、（００１）面が４５°面内回転している単純ペロブスカイト構造を有する薄層とを有する誘電体層を設けることで、容量素子として用いることができる。このときに、半導体基板と単純ペロブスカイトとの双方又は単純ペロブスカイトの一方に電極を設ける。以下に、その実施例を説明する。
（実施例２）
以下に、本発明の容量素子の具体的な製造方法について説明する。図７は、実施例２で得られる容量素子の層構成を示す概略図である。
初めに、（００１）方位を持つ２インチのシリコン単結晶基板を洗浄後、９％の希ふっ酸に浸して、基板表面のＳｉＯ2層を除去する。このシリコン単結晶基板を成層チャンバ内にセットし、８００℃に保持する。５×１０-4Ｔｏｒｒの圧力で、１２ｓｃｃｍの酸素を流しながら、７分、イットリウム安定化ジルコニアターゲット（以下、「ＹＳＺターゲット」と記す。）にＫｒＦエキシマレーザを照射して、パルスレーザ蒸着法によりＹＳＺ層をエピタキシャル成長させる。・赤外炉にて大気圧下で酸素を5リットル／分流しながら1000℃、2時間加熱し、ＹＳＺとシリコン基板の間にシリコン熱酸化層を形成し、ＹＳＺ層の結晶性を向上させる。
【００３０】
次に、再びチャンバに戻し、大気圧下で酸素を流しながら、１０００℃で、２時間加熱した炭酸ストロンチウムターゲットに変更し、１０ｍＴｏｒｒの圧力で、酸素を６ｓｃｃｍ流しながら、８００℃に保持し、２分レーザを照射して酸化ストロンチウム層をＹＳＺ層上にエピタキシャル成長させる。
ターゲットをルテニウム酸ストロンチウムに変更し、１０ｍＴｏｒｒの圧力で、酸素を６ｓｃｃｍ流しながら、１０分レーザを照射してルテニウム酸ストロンチウム層をＳｒＯ／ＹＳＺ層上に（００１）方向にエピタキシャル成長させる。
次に、ターゲットをＰＺＴ５２／４８に変更し、２００ｍＴｏｒｒの圧力で、酸素を６ｓｃｃｍ流しながら、１０分レーザを照射してＰＺＴ層をＳｒＲｕ０３／ＳｒＯ／ＹＳＺ層上にエピタキシャル成長させる。
その後、メタルマスクを基板上に載せ、スパッタ法により円形の白金層を形成する。基板を大気圧、５ｍＬ／分で酸素流しながら６００℃、６０分加熱して、ＰＬＺＴ層を回復アニールする。
以上により容量素子が得られた。
【００３１】
また、半導体基板の（００１）面上に、エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層とエピタキシャル成長させて、かつ、（００１）面が４５°面内回転している単純ペロブスカイト構造を有する薄層とを有する誘電体層を設けることで、フィルタ素子として用いることができる。このときに、半導体基板と単純ペロブスカイトとの双方又はいずれか一方に電極を設ける。
ＳＡＷフィルタ素子として用いるには、圧電性を有する層を形成する必要がある。圧電性を有する層は、岩塩構造をもつ中間層上に圧電層を直接形成しても良いし、単純ペロブスカイト構造を有する絶縁層、例えばＳＴＯ層などの上に、形成してもよい。得られた圧電層上に櫛形の上部電極を形成することで、ＳＡＷフィルタが得られる。以下に、その実施例を説明する。
【００３２】
（実施例３）
図８は、実施例３で得られたフィルタ素子の層構成を示す概略図で、図８（ａ）は断面図で、図８（ｂ）は平面図である。
初めに、（００１）方位を持つ２インチのシリコン単結晶基板を洗浄後、９％の希ふっ酸に浸して、基板表面のＳｉＯ2層を除去する。このシリコン単結晶基板を成層チャンバ内にセットし、８００℃に保持する。５×１０-4Torrの圧力で、１２ｓｃｃｍの酸素を流しながら、７分、イットリウム安定化ジルコニアターゲット（以下、「ＹＳＺターゲット」と記す。）にＫｒＦエキシマレーザを照射して、パルスレーザ蒸着法によりＹＳＺ層をエピタキシャル成長させる。
次に、大気圧下で酸素を流しながら１０００℃で、２時間加熱した炭酸ストロンチウムターゲットに変更し、１０ｍＴｏｒｒの圧力で、酸素を６ｓｃｃｍ流しながら、８００℃に保持し、２分レーザを照射して酸化ストロンチウム層をＹＳＺ層上にエピタキシャル成長させる。
次に、ターゲットをチタン酸ストロンチウムに変更し、１０ｍＴｏｒｒの圧力で、酸素を６ｓｃｃｍ流しながら、１０分レーザを照射してチタン酸ストロンチウム層をＹＳＺ層上にエピタキシャル成長させる。
冷却後、基板をチャンバから取り出す。スパッタ装置のチャンバに入れて、６００℃に保持し、アルゴン３０ｓｃｃｍ、酸素１ｓｃｃｍ流しながら、白金を20分スパッタして白金のエピタキシャル層を形成する。
【００３３】
冷却後、基板をチャンバから取り出す。ＰＬＺＴゾルゲル液（組成：ＰＬＺＴ１１３／３／４５／５５）を０．３ｃｃ滴下してスピンコータで回転させる。３５０℃にあらかじめ昇温しておいたホットプレート上に1分載せて溶媒を揮発させ、室温まで冷却する。これを３回繰り返して溶媒を完全に除去する。
次に、基板を大気圧、５Ｌ／分で酸素流しながら６５℃、１０分加熱して、ＰＬＺＴ層を結晶化させる。これに、メタルマスクを基板上に載せ、スパッタ法により円形の白金層を形成する。
さらに、基板を大気圧、５Ｌ／分で酸素を流しながら６００℃で、６０分加熱して、ＰＬＺＴ層を回復アニールする。
以上によりフィルタ素子が得られた。
【００３４】
ここで示したように、ＹＳＺのエピタキシャル層を形成した（００１）面が表れたシリコン単結晶基板を用い、岩塩構造をもつＳｒＯ中間層として、単純ペロブスカイト構造をもつＳＴＯ層のＸ線回折図形の結果を図９（ａ）に、φスキャン結果を図９（ｂ）に示す。Ｘ線回折法による２θ−θスキャン結果は基板垂直方向の配向を示し、φスキャン結果は、基板面内方向の配向を示している。図９（ａ）の２θ−θスキャン結果では、でシリコン単結晶の｛００１｝とＹＳＺの｛００１｝、ＳｒＯの｛００１｝、ペロブスカイト構造の｛００１｝のピークしか見られない。ＹＳＺとＳｒＯは共に格子定数が約０．５１ｎｍであり、Ｘ線回折法でピーク分離ができない。｛０１１｝や｛１１１｝といった他の指数の回折が観察されないことから、これは全ての薄層が（００１）配向していることを示している。また、図９（ｂ）のφスキャン結果では、シリコンの面内の（２０２）、ＹＳＺおよびＳｒＯの（２０２）面、ＳＴＯの（１０１）面は、それぞれ４本のピークとして得られていることから、４回対称をもっており、全ての薄層はエピタキシャル成長していることを示している。ＳＴＯの（１０１）面はシリコンやＹＳＺ、ＳｒＯに対してピーク発現角度が４５°ずれている。ＳＴＯの格子が基板面内に対して４５°面内回転して（００１）面の配列方向に成長していることを示している。
【００３５】
図１０に、（００１）面に配向したＹＳＺエピタキシャル層の直上に形成したＳＴＯエピタキシャル層の（００１）面のピークのωロッキングカーブを示す。半値幅は０．７８°で、１°を切っており、シリコン基板上に形成されたペロブスカイト酸化物薄層として、非常に高い結晶性を有している。ペロブスカイト酸化物層が、酸化ジルコニウムに対して面内で４５°面内回転して成長することで、格子整合性が向上したためである。従って、この上部に積層される多層層は、この層の結晶性を引き継いで成長するので、結晶性の良い層の層積層構造体が得られていることがわかる。
【００３６】
以上が本発明の一実施形態による説明であるが、発明として、例えば、下記のような特徴を抽出することができるので、ここで列挙しておく。
（付記１）半導体基板の（００１）面上に複数の薄層を備える膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層に対して（００１）面が４５°面内回転して、エピタキシャル成長させる単純ペロブスカイト構造を有する薄層とが設けらている膜多層構造体である。
（付記２）また、半導体基板の（００１）面上に複数の薄層を備える膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層に対して（００１）面が４５°面内回転して、エピタキシャル成長させる単純ペロブスカイト構造を有する薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と単純ペロブスカイト構造を有する薄層との間に中間層とが設けられている膜多層構造体である。
【００３７】
（付記３）また、付記１又は２に記載の膜多層構造体において、前記半導体基板がシリコンである膜多層構造体である。
（付記４）また、付記１又は２に記載の膜多層構造体において、前記酸化ジルコニウムを主成分とする薄層が、Ｙ、Ｓｃを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含有する膜多層構造体である。
（付記５）また、付記１又は２に記載の膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、白金族を含む金属層が、エピタキシャル成長させて、単純ペロブスカイト構造を有する薄層の上に設けられる膜多層構造体である。
（付記６）また、付記５に記載の膜多層構造体において、前記白金族を含む金属層が、白金とイリジウムの混合物又はいずれか一方の金属を含有する膜多層構造体である。
（付記７）また、付記２に記載の膜多層構造体において、前記中間層の格子定数は、単純ペロブスカイト構造を有する薄層の格子定数に対して、６５〜７５％の範囲内にある膜多層構造体である。
（付記８）また、付記７に記載の膜多層構造体において、前記中間層の結晶構造は、隅に陽イオンがあり、結晶格子の辺の真ん中に陰イオンがある膜多層構造体である。
（付記９）また、付記７又は８に記載の膜多層構造体において、前記中間層は、岩塩構造を有する膜多層構造体である。
（付記１０）また、付記９に記載の膜多層構造体において、前記中間層が、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化ストロンチウムで構成される群から選択される少なくとも１の酸化物を含有する膜多層構造体である。
【００３８】
（付記１１）また、付記１、２、９に記載の膜多層構造体において、前記単純ペロブスカイト構造を有する薄層が、ＳｒＲｕＯ3、ＣａＲｕＯ3、ＬａＮｉＯ3、（ＬａxＳｒ1-x）ＣｏＯ3（ただし、０＜ｘ＜１）、ＣａＴｉＯ3、（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3（ただし、０＜ｘ＜１）で構成される群から選択される少なくとも１の酸化物を含有する膜多層構造体である。
（付記１２）また、付記１、２、９に記載の膜多層構造体において、前記誘電体層は、複数の単純ペロブスカイト構造を有する薄層を有し、少なくとも１層が、酸化ジルコニウムを主成分とする層に対してエピタキシャル成長し、圧電効果又は電歪効果を有する薄層である膜多層構造体である。
（付記１３）また、付記１２に記載の膜多層構造体において、前記圧電効果又は電歪効果を有する薄層が、Ｐｂ（Ｚｒ1-xＴｉx）Ｏ3（０＜ｘ＜１）、（Ｐｂ1-yＬａy）（Ｚｒ1-xＴｉx）Ｏ3（０＜ｘ、ｙ＜１）、Ｐｂ（Ｂ’0.33Ｂ’’ 0.57）xＴｉyＺｒ1-x-yＯ3（０＜ｘ、ｙ＜１、Ｂ’は２価の遷移金属、Ｂ’’は５価の遷移金属）、Ｐｂ（Ｂ’0.5Ｂ’’ 0.5） xＴｉyＺｒ1-x-yＯ3（０＜ｘ、ｙ＜１、Ｂ’は３価の遷移金属、Ｂ’’は５価の遷移金属）、Ｐｂ（Ｂ’0.33Ｂ’’ 0.57） xＴｉyＺｒ1-x-yＯ3（ ０＜ｘ、ｙ＜１、Ｂ’は６価の遷移金属、Ｂ’’は３価の遷移金属）の群から構成される少なくとも１以上の酸化物を含有する膜多層構造体である。
【００３９】
（付記１４）また、付記１、２、９に記載の膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、タングステンブロンズ構造を有する薄層が、単純ペロブスカイト構造を有する薄層の上に設けられる膜多層構造体である。
（付記１５）また、付記１４に記載の膜多層構造体において、前記タングステンブロンズ構造を有する薄層が、（ＳｒxＢａ1-x）Ｎｂ2Ｏ6（ただし、０＜ｘ＜１）、（Ｓｒ1-xＢａx）Ｔａ2Ｏ6（ただし、０＜ｘ＜１）、ＰｂＮｂ2Ｏ6、Ｂａ2ＮａＮｂ5Ｏ15、（ＢａxＳｒ1-x）ＴｉＯ3（ただし、０＜ｘ＜１）で構成される群から選択される少なくとも１の酸化物を含有する膜多層構造体である。
（付記１６）また、付記１、２、９に記載の膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、ビスマス層状構造を有する薄層が、単純ペロブスカイト構造を有する薄層の上に設けられる膜多層構造体である。
（付記１７）また、付記１６に記載の膜多層構造体において、前記ビスマス層状構造を有する薄層が、（Ｂｉ1-xＲx）4Ｔｉ3Ｏ12（ただし、ＲはＹ、Ｓｃを含む軽希土類金属）、０＜ｘ＜１）、ＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9、ＳｒＢｉ4Ｔｉ4Ｏ15で構成される群から選択される少なくとも１の酸化物を含有する膜多層構造体である。
（付記１８）また、付記１、２、９のいずれかに記載の膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、絶縁性薄層が、半導体基板と酸化ジルコニウムを主成分とする酸化物薄層との間に設けられる膜多層構造体である。
（付記１９）また、付記１８に記載の膜多層構造体において、前記膜多層構造体は、絶縁性薄層がシリコン熱酸化層である膜多層構造体である。
【００４０】
（付記２０）金属基板に誘電体層を設けるアクチュエータ素子において、前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、エピタキシャル成長させて、かつ、（００１）面が４５°面内回転している単純ペロブスカイト構造を有する薄層とが設けられるアクチュエータ素子である。
（付記２１）また、付記２０に記載のアクチュエータ素子において、前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上に複数の薄層を備え、エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層に対して（００１）面が４５°面内回転して、エピタキシャル成長させる単純ペロブスカイト構造を有する薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と単純ペロブスカイト構造を有する薄層との間に中間層とが設けられている誘電体層であるアクチュエータ素子である。
（付記２２）また、付記２０に記載のアクチュエータ素子において、前記中間層は、岩塩構造を有するアクチュエータ素子である。
【００４１】
（付記２３）金属基板に誘電体層を設ける容量素子において、前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、エピタキシャル成長させて、かつ、（００１）面が４５°面内回転している単純ペロブスカイト構造を有する薄層とが設けられる誘電体層からなる容量素子である。
（付記２４）また、付記２３に記載の容量素子において、前記誘電体層は、前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上に複数の薄層を備え、エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層に対して（００１）面が４５°面内回転して、エピタキシャル成長させる単純ペロブスカイト構造を有する薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と単純ペロブスカイト構造を有する薄層との間に中間層とが設けられている誘電体層である容量素子である。
（付記２５）また、付記２３に記載の容量素子において、前記中間層は、岩塩構造を有する容量素子である。
【００４２】
（付記２６）金属基板に誘電体層を設けるフィルタ素子において、前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、エピタキシャル成長させて、かつ、（００１）面が４５°面内回転している単純ペロブスカイト構造を有する薄層とが設けられる膜多層構造体からなるフィルタ素子である。
（付記２７）また、付記２６に記載のフィルタ素子において、前記誘電体層は、前記誘電体層は、半導体基板の（００１）面上に複数の薄層を備え、エピタキシャル成長させる酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層に対して（００１）面が４５°面内回転して、エピタキシャル成長させる単純ペロブスカイト構造を有する薄層と、酸化ジルコニウムを主成分とする薄層と単純ペロブスカイト構造を有する薄層との間に中間層とが設けられている誘電体層であるフィルタ素子である。
（付記２８）また、付記２６に記載のフィルタ素子において、前記中間層は、岩塩構造を有するフィルタ素子である。
【００４３】
【発明の効果】
本発明の層積層構造体を用いることにより、分極が増大し、より小さく、高性能な膜多層構造体及びこれを用いる容量素子、アクチュエータ素子およびフィルタ素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態である膜多層構造体の層構造を示す概略構成図である。
【図２】本発明の他の実施形態である膜多層構造体の層構造を示す概略構成図である。
【図３】各薄層構造の結晶の層構成を示しており、図３（ａ）は酸化ジルコニウムの蛍石構造を示し、図３（ｂ）は酸化ストロンチウムのの岩塩構造を示し、図３（ｃ）は単純ペロブスカイトの構造を示している。
【図４】単純ペロブスカイト（０１１）面と酸化ジルコニウム（００１）面がエピタキシャル関係を持って成長した膜多層構造体の層構造を示す概略構成図である。
【図５】中間層の有無による単純ペロブスカイト層の（００１）面の配向率を示す図であり、図５（ａ）は、中間層を設けたときの各薄層の結晶面を観察したＸ線回折図であり、図５（ｂ）は、中間層を設けないときの各薄層の結晶面を観察したＸ線回折図である。
【図６】実施例１で得られたアクチュエータ素子の層構成を示す概略図である。
【図７】実施例２で得られた容量素子の層構成を示す概略図である。
【図８】実施例３で得られたフィルタ素子の層構成を示す概略図で、図８（ａ）は断面図で、図８（ｂ）は平面図である。
【図９】図９（ａ）は、得られた層の層のＸ線回折図形の結果で、図９（ｂ）は、φスキャン結果を示す。
【図１０】（００１）面に配向したＹＳＺエピタキシャル層の直上に形成したＳＴＯエピタキシャル層の（００１）面のピークのωロッキングカーブを示す。
【符号の説明】
１１ 半導体基板（シリコン単結晶基板）
１２ 酸化ジルコニウム層（ＺｒＯ、ＹＳＺ層）
１３ 中間層（ＳｒＯ層）
１４ 単純ペロブスカイト層
１５ 白金族層
１６ 強誘電体層
１７ 上部電極層
１８ シリコン熱酸化層
Claims (9)
- 半導体基板の（００１）面上に複数の層を備える膜多層構造体において、
前記膜多層構造体は、
Ｙ、Ｓｃのいずれかを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含み、酸化ジルコニウムを主成分とする、エピタキシャル成長した（００１）面配向の第１の層と、
前記第１の層の（００１）面の直上に配置され、前記第１の層の（００１）面が４５°面内回転してエピタキシャル成長した単純ペロブスカイト構造の第２の層と
を有することを特徴とする膜多層構造体。 - 半導体基板の（００１）面上に複数の層を備える膜多層構造体において、
前記膜多層構造体は、
Ｙ、Ｓｃのいずれかを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含み、酸化ジルコニウムを主成分とする、エピタキシャル成長した（００１）面配向の第１の層と、
前記第１の層の（００１）面の直上に配置され、エピタキシャル成長した（００１）面配向の中間層と、
前記中間層の（００１）面の直上に設けられ、前記第１の層の（００１）面が４５°面内回転してエピタキシャル成長した単純ペロブスカイト構造の第２の層と
を有することを特徴とする膜多層構造体。 - 請求項１又は２に記載の膜多層構造体において、
前記第２の層の上に、エピタキシャル成長した、白金族を含む金属層をさらに有することを特徴とする請求項１又は２に記載の膜多層構造体。 - 請求項２に記載の膜多層構造体において、
前記中間層の格子定数は、前記第２の層の格子定数に対して、６５〜７５％の範囲内にあることを特徴とする膜多層構造体。 - 請求項１又は２に記載の膜多層構造体において、
前記第２の層は、複数の単純ペロブスカイト構造を有する薄層を有し、少なくとも１層が、酸化ジルコニウムを主成分とする層の直上にエピタキシャル成長し、圧電効果又は電歪効果を有する薄層であることを特徴とする膜多層構造体。 - 誘電体層と、
前記誘電体層の上方に設けた電極と
を有し、
前記誘電体層は、
半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長した、Ｙ、Ｓｃのいずれかを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含み、酸化ジルコニウムを主成分とする（００１）面配向の第１の層と、
前記第１の層の（００１）面の直上に配置され、前記第１の層の（００１）面が４５°面内回転してエピタキシャル成長した単純ペロブスカイト構造を有する第２の層と
を有することを特徴とするアクチュエータ素子。 - 誘電体層と、
前記誘電体層の上方に設けた電極と
を有し、
前記誘電体層は、
半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長した、Ｙ、Ｓｃのいずれかを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含み、酸化ジルコニウムを主成分とする（００１）面配向の第１の層と、
前記第１の層の（００１）面の直上に配置され、前記第１の層の（００１）面が４５°面内回転してエピタキシャル成長した単純ペロブスカイト構造を有する第２の層と
を有することを特徴とする容量素子。 - 誘電体層と、
前記誘電体層の上方に設けた電極と
を有し、
前記誘電体層は、
半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長した、Ｙ、Ｓｃのいずれかを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含み、酸化ジルコニウムを主成分とする、エピタキシャル成長した（００１）面配向の第１の層と、
前記第１の層の（００１）面の直上に配置され、エピタキシャル成長した（００１）面配向の中間層と、
前記中間層の（００１）面の直上に設けられ、前記第１の層の（００１）面が４５°面内回転してエピタキシャル成長した単純ペロブスカイト構造を有する第２の層と
を有することを特徴とする容量素子。 - 誘電体層と、
前記誘電体層の上方に設けた電極と
を有し、
前記誘電体層は、
半導体基板の（００１）面上にエピタキシャル成長した、Ｙ、Ｓｃのいずれかを含む軽希土類金属又はアルカリ土類金属を含み、酸化ジルコニウムを主成分とする（００１）面配向の第１の層と、
前記第１の層の（００１）面の直上に配置され、前記第１の層の（００１）面が４５°面内回転してエピタキシャル成長した単純ペロブスカイト構造を有する第２の層と
を有することを特徴とするフィルタ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003166569A JP4734823B2 (ja) | 2003-06-11 | 2003-06-11 | 膜多層構造体及びこれを用いるアクチュエータ素子、容量素子、フィルタ素子 |
| US10/832,428 US7368172B2 (en) | 2003-06-11 | 2004-04-27 | Membrane multi-layer structure, and actuator element, capacitive element and filter element using the same |
| EP20040010561 EP1486590B1 (en) | 2003-06-11 | 2004-05-04 | Multi-layer structure, and actuator element, capacitive element and filter element using the same |
| CNB2004100479686A CN1302564C (zh) | 2003-06-11 | 2004-06-09 | 多层膜结构及采用该多层膜结构的致动元件、电容元件和滤波元件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003166569A JP4734823B2 (ja) | 2003-06-11 | 2003-06-11 | 膜多層構造体及びこれを用いるアクチュエータ素子、容量素子、フィルタ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005005450A JP2005005450A (ja) | 2005-01-06 |
| JP4734823B2 true JP4734823B2 (ja) | 2011-07-27 |
Family
ID=33296845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003166569A Expired - Fee Related JP4734823B2 (ja) | 2003-06-11 | 2003-06-11 | 膜多層構造体及びこれを用いるアクチュエータ素子、容量素子、フィルタ素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7368172B2 (ja) |
| EP (1) | EP1486590B1 (ja) |
| JP (1) | JP4734823B2 (ja) |
| CN (1) | CN1302564C (ja) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4365712B2 (ja) * | 2004-03-25 | 2009-11-18 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2005294308A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Fujitsu Ltd | 強誘電体膜を含んだ電子素子とその製造方法 |
| KR100642635B1 (ko) * | 2004-07-06 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 하이브리드 유전체막을 갖는 반도체 집적회로 소자들 및그 제조방법들 |
| JP2006303219A (ja) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Murata Mfg Co Ltd | 可変容量素子 |
| JP2008147233A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Seiko Epson Corp | アクチュエータ装置の製造方法及び液体噴射ヘッド |
| CN101631605B (zh) * | 2007-02-20 | 2012-10-03 | 国际壳牌研究有限公司 | 气体分离膜系统及其制备或修复方法和用途 |
| JP2009070926A (ja) * | 2007-09-11 | 2009-04-02 | Tokyo Institute Of Technology | ペロブスカイト型酸化物薄膜の成膜方法および積層体 |
| JP2011044579A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜素子及びその製造方法 |
| WO2011065317A1 (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-03 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
| JP5791370B2 (ja) * | 2010-06-10 | 2015-10-07 | キヤノン株式会社 | 圧電材料、圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置 |
| JP5427835B2 (ja) | 2011-05-25 | 2014-02-26 | 太陽誘電株式会社 | 圧電駆動素子及び圧電駆動装置 |
| US9761785B2 (en) | 2011-10-17 | 2017-09-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Stylo-epitaxial piezoelectric and ferroelectric devices and method of manufacturing |
| US8866367B2 (en) | 2011-10-17 | 2014-10-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Thermally oxidized seed layers for the production of {001} textured electrodes and PZT devices and method of making |
| KR101305271B1 (ko) * | 2012-03-22 | 2013-09-06 | 한국기계연구원 | 자기전기 복합체 |
| JP6024502B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2016-11-16 | 三菱マテリアル株式会社 | ＬａＮｉＯ３薄膜形成用組成物及びこの組成物を用いたＬａＮｉＯ３薄膜の形成方法 |
| US10340082B2 (en) | 2015-05-12 | 2019-07-02 | Capacitor Sciences Incorporated | Capacitor and method of production thereof |
| JP6953306B2 (ja) | 2014-05-12 | 2021-10-27 | キャパシター サイエンシズ インコーポレイテッドＣａｐａｃｉｔｏｒ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | エネルギー蓄積装置及びその製造方法 |
| US10347423B2 (en) | 2014-05-12 | 2019-07-09 | Capacitor Sciences Incorporated | Solid multilayer structure as semiproduct for meta-capacitor |
| AU2015343211A1 (en) | 2014-11-04 | 2017-04-27 | Capacitor Sciences Incorporated | Energy storage devices and methods of production thereof |
| US9852846B2 (en) | 2015-02-26 | 2017-12-26 | Capacitor Sciences Incorporated | Self-healing capacitor and methods of production thereof |
| US9932358B2 (en) | 2015-05-21 | 2018-04-03 | Capacitor Science Incorporated | Energy storage molecular material, crystal dielectric layer and capacitor |
| US9941051B2 (en) | 2015-06-26 | 2018-04-10 | Capactor Sciences Incorporated | Coiled capacitor |
| US10026553B2 (en) | 2015-10-21 | 2018-07-17 | Capacitor Sciences Incorporated | Organic compound, crystal dielectric layer and capacitor |
| US10305295B2 (en) | 2016-02-12 | 2019-05-28 | Capacitor Sciences Incorporated | Energy storage cell, capacitive energy storage module, and capacitive energy storage system |
| US10153087B2 (en) | 2016-04-04 | 2018-12-11 | Capacitor Sciences Incorporated | Electro-polarizable compound and capacitor |
| US9978517B2 (en) | 2016-04-04 | 2018-05-22 | Capacitor Sciences Incorporated | Electro-polarizable compound and capacitor |
| US11495670B2 (en) | 2016-09-22 | 2022-11-08 | Iqe Plc | Integrated epitaxial metal electrodes |
| JP7005604B2 (ja) | 2016-09-22 | 2022-01-21 | アイキューイー ピーエルシー | 統合されたエピタキシャル金属電極 |
| US10395841B2 (en) | 2016-12-02 | 2019-08-27 | Capacitor Sciences Incorporated | Multilayered electrode and film energy storage device |
| KR20180090116A (ko) * | 2017-02-02 | 2018-08-10 | 삼성전자주식회사 | 광 필터 및 이를 포함하는 광 분광기 |
| US20200388489A1 (en) * | 2019-06-06 | 2020-12-10 | Iqe Plc | Integrated epitaxial metal electrodes for modified devices |
| KR102441000B1 (ko) * | 2020-06-02 | 2022-09-05 | 연세대학교 산학협력단 | 압전발광 구조체, 압전 구조체, 이의 제조 방법 및 이를 이용하는 고감도 압력 센서 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6369280A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-29 | Hitachi Ltd | 圧電素子及びその製造方法 |
| JP3310881B2 (ja) | 1995-08-04 | 2002-08-05 | ティーディーケイ株式会社 | 積層薄膜、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび積層薄膜の製造方法 |
| US5753934A (en) | 1995-08-04 | 1998-05-19 | Tok Corporation | Multilayer thin film, substrate for electronic device, electronic device, and preparation of multilayer oxide thin film |
| US6258459B1 (en) | 1998-04-28 | 2001-07-10 | Tdk Corporation | Multilayer thin film |
| JP4036544B2 (ja) * | 1998-09-22 | 2008-01-23 | Ｔｄｋ株式会社 | 電圧制御発振器 |
| US6319730B1 (en) * | 1999-07-15 | 2001-11-20 | Motorola, Inc. | Method of fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface |
| JP2001122698A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-08 | Seiko Epson Corp | 酸化物電極薄膜 |
| JP2001313429A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Tdk Corp | 積層薄膜その製造方法および電子デバイス |
| US6709776B2 (en) | 2000-04-27 | 2004-03-23 | Tdk Corporation | Multilayer thin film and its fabrication process as well as electron device |
| JP2003142479A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置、エピタキシャル膜の製造方法、およびレーザアブレーション装置 |
-
2003
- 2003-06-11 JP JP2003166569A patent/JP4734823B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-04-27 US US10/832,428 patent/US7368172B2/en active Active
- 2004-05-04 EP EP20040010561 patent/EP1486590B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-09 CN CNB2004100479686A patent/CN1302564C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1486590A1 (en) | 2004-12-15 |
| US20040253466A1 (en) | 2004-12-16 |
| JP2005005450A (ja) | 2005-01-06 |
| CN1302564C (zh) | 2007-02-28 |
| CN1574357A (zh) | 2005-02-02 |
| EP1486590B1 (en) | 2013-12-11 |
| US7368172B2 (en) | 2008-05-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4734823B2 (ja) | 膜多層構造体及びこれを用いるアクチュエータ素子、容量素子、フィルタ素子 | |
| US7339219B2 (en) | Capacitance device including a perovskite film having (001) orientation | |
| KR100671375B1 (ko) | 박막 적층체, 그 박막 적층체를 이용한 전자 장치, 및액추에이터와, 액추에이터의 제조 방법 | |
| JP3310881B2 (ja) | 積層薄膜、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび積層薄膜の製造方法 | |
| JP4483849B2 (ja) | 強誘電体薄膜 | |
| US8075795B2 (en) | Piezoelectrics, piezoelectric element, and piezoelectric actuator | |
| US20070045595A1 (en) | Capacitative element, integrated circuit and electronic device | |
| JP3999300B2 (ja) | 強誘電体薄膜およびその製造方法 | |
| WO2016031986A1 (ja) | 強誘電性薄膜、電子素子及び製造方法 | |
| JP2005294452A (ja) | 薄膜積層体、その薄膜積層体を用いたアクチュエータ素子、フィルター素子、強誘電体メモリ、および光偏向素子 | |
| JP2000169297A (ja) | 酸化物強誘電体薄膜の製造方法、酸化物強誘電体薄膜及び酸化物強誘電体薄膜素子 | |
| JP3669860B2 (ja) | 積層薄膜 | |
| JP2005294308A (ja) | 強誘電体膜を含んだ電子素子とその製造方法 | |
| JP3994468B2 (ja) | 酸化物積層構造およびその製造方法ならびに強誘電体不揮発性メモリ | |
| JPH09252094A (ja) | 薄膜キャパシタ及び半導体装置 | |
| JP4142128B2 (ja) | 積層薄膜およびその製造方法 | |
| JP4142127B2 (ja) | 積層薄膜およびその製造方法 | |
| JPH11261028A (ja) | 薄膜キャパシタ | |
| KR100795664B1 (ko) | (001) 배향된 페로브스카이트막의 형성 방법, 및 이러한페로브스카이트막을 갖는 장치 | |
| JP4977640B2 (ja) | 機能性酸化物構造体、及び機能性酸化物構造体の製造方法 | |
| JPH11274419A (ja) | 薄膜キャパシタ | |
| JP3480767B2 (ja) | 薄膜キャパシタ | |
| Norga et al. | Growth of (111)-oriented Pb (Zr, Ti) O3 layers on nanocrystalline RuO2 electrodes using the sol-gel technique | |
| JP4126093B2 (ja) | 薄膜電子部品 | |
| JPH08340087A (ja) | 強誘電体不揮発性メモリ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060525 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091217 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091222 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100212 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110329 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110411 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4734823 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |