JP4977640B2 - 機能性酸化物構造体、及び機能性酸化物構造体の製造方法 - Google Patents
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H. Funakubo et al, Appl. Phys. Lett., Vol. 82, No.26, p.4761-4763, 2003. Y. Sakashita et al, J. of Appl. Phys., Vol. 69(12), 15, p.8352-8357, 1991.
本明細書において、「機能性酸化物膜が、(001)単一配向の結晶配向性を有する」とは、機能性酸化物膜のθ/2θX線回折測定(XRD)において、下記式(i)で表される(00l)面のLotgerling配向度Fが99%以上である事を意味する。ここで(00l)面とは、(001)や(002)等の等価な面の総称とする。
F(%)=(P−P0)/(1−P0)×100・・・(i)
式(i)中、Pは、配向面からの反射強度の合計と全反射強度の合計の比である。(001)配向の場合、Pは、(00l)面からの反射強度I(00l)の合計ΣI(00l)と、各結晶面(hkl)からの反射強度I(hkl)の合計ΣI(hkl)との比({ΣI(00l)/ΣI(hkl)})である。例えば、ペロブスカイト結晶において(001)配向の場合、P=I(001)/[I(001)+I(100)+I(101)+I(110)+I(111)]である。
P0は、完全にランダムな配向をしている試料のPである。
完全にランダムな配向をしている場合(P=P0)にはF=0%であり、完全に配向をしている場合(P=1)にはF=100%である。
一般式AaBbO3・・・(P)
(式中、A:Aサイト元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素、B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe,及びNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、O:酸素原子。a=1.0かつb=1.0である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1.0からずれてもよい。)
本発明の機能性酸化物構造体は、下記式(1)及び/又は(2)を満足することが好ましい。
αsub―αfilm(℃−1)>1.0×10−5 ・・・(1)
(αsub―αfilm(℃−1))×(Tg−Tc(℃))>2.2×10−3 ・・・(2)
(式(1)、(2)中、αsubは前記基板の熱膨張係数、αfilmは前記機能性酸化物膜の熱膨張係数、Tgは前記機能性酸化物膜の成膜温度、Tcは相転移温度である。)
αsub(℃−1)>15.0×10−6 ・・・(3)
(式(3)中、αsubは前記基板の熱膨張係数)
本明細書において、「主成分」は、含量95モル%以上の成分と定義する。
αsub―αfilm(℃−1)>1.0×10−5 ・・・(1)
(式(1)中、αsubは前記基板の熱膨張係数、αfilmは前記機能性酸化物膜の熱膨張係数である。)
(αsub―αfilm(℃−1))×(Tg−Tc(℃))>2.2×10−3 ・・・(2)
(式(2)中、αsubは前記基板の熱膨張係数、αfilmは前記機能性酸化物膜の熱膨張係数、Tgは前記機能性酸化物膜の成膜温度、Tcは前記機能性酸化物膜の相転移温度である。)
αsub(℃−1)>15.0×10−6 ・・・(3)
(式(3)中、αsubは前記基板の熱膨張係数)
一般式AaBbO3・・・(P)
(式中、A:Aサイト元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素、B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe,及びNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、O:酸素原子。a=1.0かつb=1.0である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1.0からずれてもよい。)
図1を参照して、本発明に係る実施形態の圧電素子(強誘電体素子,機能性酸化物構造体)の構造について説明する。図1は圧電素子の厚み方向の断面図である。視認しやすくするため、構成要素の縮尺は実際のものとは適宜異ならせてある。
上部電極40の主成分としては特に制限なく、下部電極20で例示した材料、Al,Ta,Cr,及びCu等の一般的に半導体プロセスで用いられている電極材料、及びこれらの組合せが挙げられる。
一般式AaBbO3・・・(P)
(式中、A:Aサイトの元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素、
B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe,及びNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
O:酸素原子。
a=1.0かつb=1.0である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1.0からずれてもよい。)
式(P)中、AサイトのPb以外の元素としては、La等のランタニド元素やBa等が挙げられる。
(αsub―αfilm(℃−1))×(Tg−Tc(℃))>2.2×10−3 ・・・(2)
(式(1)、(2)中、αsubは前記基板の熱膨張係数、αfilmは前記機能性酸化物膜の熱膨張係数、Tgは前記機能性酸化物膜の成膜温度、Tcは前記機能性酸化物膜の相転移温度である。)
αsub(℃−1)>15.0×10−6 ・・・(3)
(式(3)中、αsubは前記基板の熱膨張係数)
例えば、成膜する膜がPb(Zr0.40Ti0.60)O3の組成を有するPZT膜である場合、熱膨張係数αsubは5.4×10−6であるので、フッ化カルシウム基板を用いればαsub―αfilm=1.35×10−5となる。
基板10の配向性は特に制限されないが、圧電体膜30は、より単結晶に近い結晶構造となるエピタキシャル膜であることが好ましいため、圧電体膜30がエピタキシャル成長可能な結晶配向性を有していることが好ましい。
以下に、Tc以上の温度Tgで圧電体膜30を成膜する場合の、圧電素子1の製造方法の一例及び、製造過程における圧電体膜30のドメインの結晶系及び配向状態等について、図2を参照して説明する。図2は圧電素子1の製造工程図(基板の厚み方向の断面図)であり、図2においては、バッファ層50は省略してある。
以上のようにして、圧電素子1は製造することができる。
本発明は、素子特性上、機能性酸化物膜が、膜厚が500nm以上であることが好ましい、圧電素子、焦電素子等の強誘電体素子や非線形光学素子等に好ましく適用することができる。上記実施形態では、機能性酸化物膜が圧電体膜である場合について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、正方晶系の結晶構造を有する、膜厚500nm以上の機能性酸化物膜である場合に適用可能である。かかる機能性酸化物膜としては、圧電体膜の他、非線形光学膜等が挙げられる。
(実施例1)
基板として、表面が(100)面であるフッ化カルシウム(CaF2)単結晶基板を用意し、その上に30nm厚の(100)LaNiO3バッファ層、150nm厚の(100)SrRuO3下部電極をスパッタ法により順次エピタキシャル成長させて成膜した。成膜温度は、それぞれ350℃(LaNiO3バッファ層)、550℃(SrRuO3下部電極)とした。
基板として、表面が(100)面であるチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)基板(熱膨張係数αsub=11.1×10−6)を用意し、その上に実施例1と同様にして150nm厚の(100)SrRuO3下部電極をスパッタ法によりエピタキシャル成長させて成膜し、その上に、実施例1と同様にして膜厚3.6μmのPb(Zr0.40Ti0.60)O3膜を成膜した。
基板を、表面が(100)面であるタンタル酸カリウム(KTaO3)基板(αsub=6.7×10−6)とした以外は比較例1と同様にして、膜厚3.6μmのPb(Zr0.40Ti0.60)O3膜を成膜した。
実施例1及び比較例1,2で得られたPZT膜について、X線回折(XRD)測定を実施した。得られた膜のXRDパターンを図3に示す。
図3に示されるように、いずれの膜も(001)優先配向の膜であり、実施例1では(100)配向のピークは観測されず、比較例1及び2の膜では(100)配向のピークが観測された。
表1に示される4種類の基板を用意し、各基板上に実施例1と同様にして150nm厚の(100)SrRuO3をスパッタ法によりエピタキシャル成長させて成膜し、その上に更に実施例1と同様にして膜厚3.6μmのPb(Zr0.40Ti0.60)O3膜を成膜した。Si基板のみ、基板と下部電極との間にバッファ層(膜厚20nm)として、イットリア安定化ジルコニア(YSZ)膜,酸化セリウム(CeO2)膜を順次成膜した。また、フッ化カルシウム基板,チタン酸ストロンチウム基板,タンタル酸カリウム基板については、実施例1及び比較例1と同様のものを用いた。
V(c)(%)=V(00l)/(V(l00)+V(00l))×100・・・(j)
式(i)中、V(c)は、膜中における(00l)面配向のドメインの体積V(00l)の合計と全ドメインの体積に対する比であるが、ここでは、(00l)面及び(l00)面のピークしか観測されなかったため、全ドメインの体積は(00l)面及び(l00)面のドメインの体積の合計となっている。
基板として、表面が(100)面であるフッ化カルシウム(CaF2)単結晶基板を用意し、その上に30nm厚の(100)LaNiO3バッファ層、150nm厚の(100)SrRuO3下部電極をスパッタ法により順次エピタキシャル成長させて成膜した。成膜温度は、それぞれ350℃(LaNiO3バッファ層)、550℃(SrRuO3下部電極)とした。
基板として、表面が(100)面である、酸化マグネシウム(MgO)基板(αsub=13.5×10−6),チタン酸ストロンチウム(SrTiO3)基板(αsub=11.1×10−6),アルミナ(Al2O3)基板(αsub=8.0×10−6),シリコン(Si)基板(αsub=4.3×10−6)の4種類の基板を用意し、その上に、成膜温度600℃にて150nm厚のPt下部電極をスパッタ法によりエピタキシャル成長させて成膜し、その上に、実施例3と同様にして膜厚500nmの(Ba0.50Sr0.50)TiO3膜を成膜した。
実施例3及び比較例3で得られた(Ba0.50Sr0.50)TiO3膜について、X線回折(XRD)測定を実施した。得られた膜のXRDパターンを図4に示す。
図4に示されるように、実施例3では(100)配向のピークは観測されず、(001)配向率は100%であった。一方、比較例3では、いずれの基板においても(001)配向のピークは観測されず、ほぼ(100)単一配向膜であった。
10 基板
30 機能性酸化物膜(強誘電体膜,圧電体膜)
20、40 電極
Claims (22)
- 基板上に、膜厚が500nm以上の正方晶系の結晶系を有する機能性酸化物膜が成膜された機能性酸化物構造体において、
前記機能性酸化物膜が、鉛含有ペロブスカイト型酸化物からなり(不可避不純物を含んでいてもよい。)、且つ、(001)単一配向の結晶配向性を有することを特徴とする機能性酸化物構造体。 - 前記機能性酸化物膜が、下記一般式(P)で表される1種又は複数種のペロブスカイト型酸化物からなる(不可避不純物を含んでいてもよい。)ことを特徴とする請求項1に記載の機能性酸化物構造体。
一般式AaBbO3・・・(P)
(式中、A:Aサイトの元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素、
B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe,及びNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
O:酸素原子。
a=1.0かつb=1.0である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1.0からずれてもよい。) - 基板上に、膜厚が500nm以上の正方晶系の結晶系を有する機能性酸化物膜が成膜された機能性酸化物構造体において、
前記機能性酸化物膜が、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸バリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種のペロブスカイト型酸化物を含むものであり、且つ、(001)単一配向の結晶配向性を有することを特徴とする機能性酸化物構造体。 - 前記機能性酸化物膜がエピタキシャル膜であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の機能性酸化物構造体。
- 下記式(1)を満足することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の機能性酸化物構造体。
αsub―αfilm(℃−1)>1.0×10−5 ・・・(1)
(式(1)中、αsubは前記基板の熱膨張係数、αfilmは前記機能性酸化物膜の熱膨張係数である。) - 下記式(2)を満足することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の機能性酸化物構造体。
(αsub―αfilm(℃−1))×(Tg−Tc(℃))>2.2×10−3 ・・・(2)
(式(2)中、αsubは前記基板の熱膨張係数、αfilmは前記機能性酸化物膜の熱膨張係数、Tgは前記機能性酸化物膜の成膜温度、Tcは相転移温度である。) - 下記式(3)を満足することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の機能性酸化物構造体。
αsub(℃−1)>15.0×10−6 ・・・(3)
(式(3)中、αsubは前記基板の熱膨張係数) - 前記基板が、蛍石構造を有するフッ化物又は酸化物を主成分とするものであることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の機能性酸化物構造体。
- 前記基板が、フッ化カルシウムを主成分とするものであることを特徴とする請求項8に記載の機能性酸化物構造体。
- 前記機能性酸化物膜が強誘電体膜であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の機能性酸化物構造体。
- 前記機能性酸化物膜に対して膜厚方向に電界を印加する電極とを備えた強誘電体素子であることを特徴とする請求項10に記載の機能性酸化物構造体。
- 基板上に、
鉛含有ペロブスカイト型酸化物からなり(不可避不純物を含んでいてもよい。)、所定の温度にて結晶構造が相転移する機能性酸化物膜であって、前記所定の温度以下の温度において正方晶系の結晶構造を有する膜厚500nm以上の該機能性酸化物膜を備えた機能性酸化物構造体の製造方法において、
前記機能性酸化物の熱膨張係数に応じて下記式(1)を満足する前記基板を用意し、
該基板上に前記機能性酸化物膜を前記所定の温度以上の温度で成膜することを特徴とする機能性酸化物構造体の製造方法。
αsub―αfilm(℃−1)>1.0×10−5 ・・・(1)
(式(1)中、αsubは前記基板の熱膨張係数、αfilmは前記機能性酸化物膜の熱膨張係数である。) - 基板上に、
鉛含有ペロブスカイト型酸化物からなり(不可避不純物を含んでいてもよい。)、所定の温度にて結晶構造が相転移する機能性酸化物膜であって、前記所定の温度以下の温度において正方晶系の結晶構造を有する膜厚500nm以上の該機能性酸化物膜を備えた機能性酸化物構造体の製造方法において、
前記機能性酸化物の熱膨張係数に応じて下記式(2)を満足する前記基板を用意し、
該基板上に前記機能性酸化物膜を前記所定の温度以上の温度で成膜することを特徴とする機能性酸化物構造体の製造方法。
(αsub―αfilm(℃−1))×(Tg−Tc(℃))>2.2×10−3 ・・・(2)
(式(2)中、αsubは前記基板の熱膨張係数、αfilmは前記機能性酸化物膜の熱膨張係数、Tgは前記機能性酸化物膜の成膜温度、Tcは相転移温度である。) - 基板上に、
鉛含有ペロブスカイト型酸化物からなり(不可避不純物を含んでいてもよい。)、所定の温度にて結晶構造が相転移する機能性酸化物膜であって、前記所定の温度以下の温度において正方晶系の結晶構造を有する膜厚500nm以上の該機能性酸化物膜を備えた機能性酸化物構造体の製造方法において、
前記機能性酸化物の熱膨張係数に応じて下記式(3)を満足する前記基板を用意し、
該基板上に前記機能性酸化物膜を前記所定の温度以上の温度で成膜することを特徴とする機能性酸化物構造体の製造方法。
αsub(℃−1)>15.0×10−6 ・・・(3)
(式(3)中、αsubは前記基板の熱膨張係数) - 前記機能性酸化物膜が、下記一般式(P)で表される1種又は複数種のペロブスカイト型酸化物からなる(不可避不純物を含んでいてもよい。)ことを特徴とする請求項12〜14のいずれかに記載の機能性酸化物構造体の製造方法。
一般式AaBbO3・・・(P)
(式中、A:Aサイト元素であり、Pbを含む少なくとも1種の元素、
B:Bサイトの元素であり、Ti,Zr,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Sc,Co,Cu,In,Sn,Ga,Zn,Cd,Fe,及びNiからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素、
O:酸素原子。
a=1.0かつb=1.0である場合が標準であるが、これらの数値はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で1.0からずれてもよい。) - 基板上に、
チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸バリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種のペロブスカイト型酸化物を含み、所定の温度にて結晶構造が相転移する機能性酸化物膜であって、前記所定の温度以下の温度において正方晶系の結晶構造を有する膜厚500nm以上の該機能性酸化物膜を備えた機能性酸化物構造体の製造方法において、
前記機能性酸化物の熱膨張係数に応じて下記式(1)を満足する前記基板を用意し、
該基板上に前記機能性酸化物膜を前記所定の温度以上の温度で成膜することを特徴とする機能性酸化物構造体の製造方法。
α sub ―α film (℃ −1 )>1.0×10 −5 ・・・(1)
(式(1)中、α sub は前記基板の熱膨張係数、α film は前記機能性酸化物膜の熱膨張係数である。) - 基板上に、
チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸バリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種のペロブスカイト型酸化物を含み、所定の温度にて結晶構造が相転移する機能性酸化物膜であって、前記所定の温度以下の温度において正方晶系の結晶構造を有する膜厚500nm以上の該機能性酸化物膜を備えた機能性酸化物構造体の製造方法において、
前記機能性酸化物の熱膨張係数に応じて下記式(2)を満足する前記基板を用意し、
該基板上に前記機能性酸化物膜を前記所定の温度以上の温度で成膜することを特徴とする機能性酸化物構造体の製造方法。
(α sub ―α film (℃ −1 ))×(Tg−Tc(℃))>2.2×10 −3 ・・・(2)
(式(2)中、α sub は前記基板の熱膨張係数、α film は前記機能性酸化物膜の熱膨張係数、Tgは前記機能性酸化物膜の成膜温度、Tcは相転移温度である。) - 基板上に、
チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸バリウムからなる群より選ばれる少なくとも1種のペロブスカイト型酸化物を含み、所定の温度にて結晶構造が相転移する機能性酸化物膜であって、前記所定の温度以下の温度において正方晶系の結晶構造を有する膜厚500nm以上の該機能性酸化物膜を備えた機能性酸化物構造体の製造方法において、
前記機能性酸化物の熱膨張係数に応じて下記式(3)を満足する前記基板を用意し、
該基板上に前記機能性酸化物膜を前記所定の温度以上の温度で成膜することを特徴とする機能性酸化物構造体の製造方法。
α sub (℃ −1 )>15.0×10 −6 ・・・(3)
(式(3)中、α sub は前記基板の熱膨張係数) - 前記基板が、蛍石型の結晶構造を有するフッ化物又は酸化物を主成分とするものであることを特徴とする請求項12〜18に記載の機能性酸化物構造体の製造方法。
- 前記基板が、フッ化カルシウムを主成分とするものであることを特徴とする請求項19に記載の機能性酸化物構造体の製造方法。
- 前記機能性酸化物膜がエピタキシャル膜であることを特徴とする請求項12〜20のいずれかに記載の機能性酸化物構造体の製造方法。
- 前記機能性酸化物膜が圧電体膜であることを特徴とする請求項12〜21のいずれかに記載の機能性酸化物構造体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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JP4977640B2 true JP4977640B2 (ja) | 2012-07-18 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008052318A Active JP4977640B2 (ja) | 2008-03-03 | 2008-03-03 | 機能性酸化物構造体、及び機能性酸化物構造体の製造方法 |
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---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4977641B2 (ja) * | 2008-03-03 | 2012-07-18 | 富士フイルム株式会社 | 機能性酸化物構造体 |
JP5344482B2 (ja) * | 2009-11-24 | 2013-11-20 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 単結晶ダイヤモンド上にpzt薄膜を形成する方法、pzt薄膜が形成された単結晶ダイヤモンド、及びpzt薄膜が形成された単結晶ダイヤモンドを使用したキャパシタ |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0543399A (ja) * | 1991-03-08 | 1993-02-23 | Ricoh Co Ltd | 薄膜機能部材 |
JP3999300B2 (ja) * | 1997-02-07 | 2007-10-31 | Tdk株式会社 | 強誘電体薄膜およびその製造方法 |
JP4701447B2 (ja) * | 2000-07-14 | 2011-06-15 | 独立行政法人 日本原子力研究開発機構 | アナターゼ型結晶構造の酸化チタン単結晶薄膜の作製法 |
JP4859333B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2012-01-25 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス用基板の製造方法 |
JP5311728B2 (ja) * | 2005-08-23 | 2013-10-09 | キヤノン株式会社 | 圧電体素子、それを用いた液体吐出ヘッド、及び液体吐出装置 |
JP4977641B2 (ja) * | 2008-03-03 | 2012-07-18 | 富士フイルム株式会社 | 機能性酸化物構造体 |
-
2008
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Publication number | Publication date |
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JP2009208985A (ja) | 2009-09-17 |
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