JP4701447B2 - アナターゼ型結晶構造の酸化チタン単結晶薄膜の作製法 - Google Patents
アナターゼ型結晶構造の酸化チタン単結晶薄膜の作製法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4701447B2 JP4701447B2 JP2000213765A JP2000213765A JP4701447B2 JP 4701447 B2 JP4701447 B2 JP 4701447B2 JP 2000213765 A JP2000213765 A JP 2000213765A JP 2000213765 A JP2000213765 A JP 2000213765A JP 4701447 B2 JP4701447 B2 JP 4701447B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- titanium dioxide
- plane
- tio
- anatase
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 71
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 15
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 24
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- -1 Lanthanum aluminate Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910002294 SrAl0.5Ta0.5O3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 229910002076 stabilized zirconia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 2
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 26
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 25
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013032 photocatalytic reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アナターゼ型結晶構造の二酸化チタン単結晶膜を作製する方法に関するものであり、二酸化チタンの薄膜を単結晶化することにより膜内の結晶欠陥などを軽減させ、光触媒反応効率なとの特性を向上させようとするものである。即ちその単結晶薄膜を光触媒として用いることにより窒素酸化物等の有害ガスの分解、除去を行う反応効率の向上を目的としている。
【０００２】
【従来の技術】
真空蒸着法やゾル・ゲル法によりアナターゼ型の二酸化チタン膜の作製が行われているが、これまでの薄膜は多結晶構造のものしか作製できなかった。また、これまでの二酸化チタン薄膜にはルチル型およびアナターゼ型の二酸化チタンが混在しており光触媒反応効率の高いアナターゼ型のみの単結晶薄膜を作製することは困難であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
二酸化チタンは高温側（８００℃以上）ではルチル型が安定なため、融体からの結晶成長法によるアナターゼ型の単結晶の製造は困難である。本発明の課題は高品質なアナターゼ型結晶構造の二酸化チタン単結晶薄膜を作製することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、アナターゼ型の二酸化チタン単結晶薄膜を作製する手段として、レーザアブレーション成膜法によりランタンアルミネート（ＬａＡｌＯ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、又はＬＳＡＴ（［ＬａＡｌＯ3］）0.3−[ＳｒＡｌ0.5Ｔａ0.5Ｏ3]0.7）単結晶基板上にアナターゼ型の二酸化チタンを基板温度、酸素分圧、蒸着速度を制御して単結晶薄膜を作製するものである。
【０００５】
本発明においては、金属チタンを低圧酸素ガス雰囲気で、レーザ照射によって蒸発させ、無機あるいは金属の平滑表面あるいは単結晶表面の基板にアナターゼ型の二酸化チタンの形態で蒸着させて、薄膜状の結晶を成長させるものである。
【０００６】
この作製条件としては、レーザの出力と照射方法、酸素雰囲気の圧力、基板の種類と温度が重要な項目である。
【０００７】
【発明の実施の形態】
即ち、本発明は、低圧酸素雰囲気１０ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ（好ましくは２０ｍＴｏｒｒ〜７０ｍＴｏｒｒ、最も好ましくは３０ｍＴｏｒｒ〜４０ｍＴｏｒｒ）でレーザアブレーション成膜法により、ランタンアルミネート（ＬａＡｌＯ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、又はＬＳＡＴ（［ＬａＡｌＯ3］）0.3−[ＳｒＡｌ0.5Ｔａ0.5Ｏ3]0.7）の平滑な単結晶基板上に厚さが１０ｎｍ（ナノメータ）から２μｍの範囲に制御されたアナターゼ型の二酸化チタンの単結晶薄膜を作製するものである。
【０００８】
アナターゼ型の単結晶を形成させる基板温度は、３６０℃〜５２０℃（好ましくは４００℃〜５００℃、最も好ましくは４５０℃〜４９０℃）に制御される条件、酸素ガス圧は１０ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ（好ましくは２０ｍＴｏｒｒ〜８０ｍＴｏｒｒ、最も好ましくは３０ｍＴｏｒｒ〜４０ｍＴｏｒｒ）に制御される条件とする。以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【０００９】
【実施例１】
１パルス当たり４０ｍＪ、繰り返し周波数１０ＨｚのＹＡＧ（イットリウムアルミニウムガーネット）レーザ（波長５３２ｎｍ）を低圧酸素雰囲気中（３５ｍＴｏｒｒ）に置いた金属チタンターゲットに直径１ｍｍに集光させて入射した。金属チタンターゲットより５ｃｍの距離に基板温度４８０℃に保持した各種の単結晶基板を設置し、２時間のレーザー照射で二酸化チタン膜を作製した。得られた二酸化チタン薄膜は厚さ０．２μｍであった。
【００１０】
ここで用いた単結晶基板は、（１００）面のランタンアルミネート（ＬａＡｌＯ3）、（１００）面の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、（１００）面の安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、（１００）面のＬＳＡＴ（［ＬａＡｌＯ3］）0.3−[ＳｒＡｌ0.5Ｔａ0.5Ｏ3]0.7）であり、各基板は鏡面研磨処理をしているものを使用した。これらの基板上の成膜した二酸化チタン薄膜をＸ線回折法により結晶構造の評価したところ、各基板と成膜した二酸化チタン薄膜の結晶方位関係は、
（１００）面のＬａＡｌＯ3基板上に（００１）面のＴｉＯ2
（１００）面のＭｇＯ基板上に（１００）面のＴｉＯ2
（１００）面のＹＳＺ基板上に（００１）面のＴｉＯ2
（１００）面のＬＳＡＴ基板上に（００１）面のＴｉＯ2
であった。
【００１１】
即ち、図１は、（１００）面のＬａＡｌＯ3単結晶基板上に成膜したＴｉＯ2膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。２θ：３７．８°にあるピークはＴｉＯ2（００４）からのピークであり、ＬａＡｌＯ3（１００）面上にアナターゼ型のＴｉＯ2（００１）面が単結晶成長していることが確認できる。
【００１２】
図２は、（１００）面のＭｇＯ単結晶基板上に成膜したＴｉＯ2膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。２θ：４８．０７°にあるピークはＴｉＯ2（２００）からのピークであり、ＭｇＯ（１００）面上にアナターゼ型のＴｉＯ2（００１）面が単結晶成長していることが確認できる。
【００１３】
図３は（１００）面のＹＳＺ単結晶基板上に成膜したＴｉＯ2膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。２θ：３７．８°にあるピークはＴｉＯ2（００４）からのピークであり、ＹＳＺ（１００）面上にアナターゼ型のＴｉＯ2（００１）面が単結晶成長していることが確認できる。
【００１４】
図４は（１００）面のＬＳＡＴ単結晶基板上に成膜したＴｉＯ2膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。２θ：３７．８°にあるピークはＴｉＯ2（００４）からのピークであり、ＬＳＡＴ（１００）面上にアナターゼ型のＴｉＯ2（００１）面が単結晶成長していることが確認できる。
【００１５】
【比較例１】
実施例１と同様の条件で（１１０）面のＬａＡｌＯ3、（１１０）面及び（１１１）面のＭｇＯ、単結晶基板に厚さ０．２μｍの二酸化チタン膜を作製した。Ｘ線回折法によりこれらの二酸化チタン膜の結晶構造を評価したところ、多結晶のルチル型二酸化チタンであった。
【００１６】
【比較例２】
実施例１と同様の条件で（１００）面のＬａＡｌＯ3単結晶基板の基板温度を３５０℃とし、厚さ０．２μｍの二酸化チタン膜を作製した。Ｘ線回折法によりＴｉＯ2（００４）からの回折ピークの半値幅を評価したところ、基板温度４８０℃で作製した二酸化チタン膜に比べて、半値幅が１０％広くなった。即ち、基板温度を４８０℃から３５０℃に下げると二酸化チタン膜の結晶性が低下した。
【００１７】
【比較例３】
実施例１と同様の条件で蒸着基板（０００１）面のサファイア（α−Ａｌ2Ｏ3）とし、厚さ０．２μｍの二酸化チタン膜を作製した。この二酸化チタン膜をＸ線回折法により結晶構造を評価したところ、アナターゼ型のＴｉＯ2（００１）とルチル型のＴｉＯ2（１００）が混合した二酸化チタン膜であった。
【００１８】
さらに実施例１と同様な条件で基板温度を３５０℃、５３０℃とし、（０００１）面のサファイア（α−Ａｌ2Ｏ3）基板上に二酸化チタン膜（厚さ０．２μｍ）を作製した。いずれのもアナターゼ型のＴｉＯ2（００１）とルチル型のＴｉＯ2（００１）が混合した二酸化チタン膜であった。
【００１９】
【発明の効果】
単結晶で作製したアナターゼ型結晶構造の二酸化チタン膜は、結晶の欠陥が格段に軽減するため光触媒反応効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、（１００）面のＬａＡｌＯ3単結晶基板上に成膜したＴｉＯ2膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。
【図２】図２は（１００）面のＭｇＯ単結晶基板上に成膜したＴｉＯ2膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。
【図３】図３は（１００）面のＹＳＺ単結晶基板上に成膜したＴｉＯ2膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。
【図４】図４は（１００）面のＬＳＡＴ単結晶基板上に成膜したＴｉＯ2膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、アナターゼ型結晶構造の二酸化チタン単結晶膜を作製する方法に関するものであり、二酸化チタンの薄膜を単結晶化することにより膜内の結晶欠陥などを軽減させ、光触媒反応効率なとの特性を向上させようとするものである。即ちその単結晶薄膜を光触媒として用いることにより窒素酸化物等の有害ガスの分解、除去を行う反応効率の向上を目的としている。
【０００２】
【従来の技術】
真空蒸着法やゾル・ゲル法によりアナターゼ型の二酸化チタン膜の作製が行われているが、これまでの薄膜は多結晶構造のものしか作製できなかった。また、これまでの二酸化チタン薄膜にはルチル型およびアナターゼ型の二酸化チタンが混在しており光触媒反応効率の高いアナターゼ型のみの単結晶薄膜を作製することは困難であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
二酸化チタンは高温側（８００℃以上）ではルチル型が安定なため、融体からの結晶成長法によるアナターゼ型の単結晶の製造は困難である。本発明の課題は高品質なアナターゼ型結晶構造の二酸化チタン単結晶薄膜を作製することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、アナターゼ型の二酸化チタン単結晶薄膜を作製する手段として、レーザアブレーション成膜法によりランタンアルミネート（ＬａＡｌＯ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、又はＬＳＡＴ（［ＬａＡｌＯ3］）0.3−[ＳｒＡｌ0.5Ｔａ0.5Ｏ3]0.7）単結晶基板上にアナターゼ型の二酸化チタンを基板温度、酸素分圧、蒸着速度を制御して単結晶薄膜を作製するものである。
【０００５】
本発明においては、金属チタンを低圧酸素ガス雰囲気で、レーザ照射によって蒸発させ、無機あるいは金属の平滑表面あるいは単結晶表面の基板にアナターゼ型の二酸化チタンの形態で蒸着させて、薄膜状の結晶を成長させるものである。
【０００６】
この作製条件としては、レーザの出力と照射方法、酸素雰囲気の圧力、基板の種類と温度が重要な項目である。
【０００７】
【発明の実施の形態】
即ち、本発明は、低圧酸素雰囲気１０ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ（好ましくは２０ｍＴｏｒｒ〜７０ｍＴｏｒｒ、最も好ましくは３０ｍＴｏｒｒ〜４０ｍＴｏｒｒ）でレーザアブレーション成膜法により、ランタンアルミネート（ＬａＡｌＯ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、又はＬＳＡＴ（［ＬａＡｌＯ3］）0.3−[ＳｒＡｌ0.5Ｔａ0.5Ｏ3]0.7）の平滑な単結晶基板上に厚さが１０ｎｍ（ナノメータ）から２μｍの範囲に制御されたアナターゼ型の二酸化チタンの単結晶薄膜を作製するものである。
【０００８】
アナターゼ型の単結晶を形成させる基板温度は、３６０℃〜５２０℃（好ましくは４００℃〜５００℃、最も好ましくは４５０℃〜４９０℃）に制御される条件、酸素ガス圧は１０ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ（好ましくは２０ｍＴｏｒｒ〜８０ｍＴｏｒｒ、最も好ましくは３０ｍＴｏｒｒ〜４０ｍＴｏｒｒ）に制御される条件とする。以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【０００９】
【実施例１】
１パルス当たり４０ｍＪ、繰り返し周波数１０ＨｚのＹＡＧ（イットリウムアルミニウムガーネット）レーザ（波長５３２ｎｍ）を低圧酸素雰囲気中（３５ｍＴｏｒｒ）に置いた金属チタンターゲットに直径１ｍｍに集光させて入射した。金属チタンターゲットより５ｃｍの距離に基板温度４８０℃に保持した各種の単結晶基板を設置し、２時間のレーザー照射で二酸化チタン膜を作製した。得られた二酸化チタン薄膜は厚さ０．２μｍであった。
【００１０】
ここで用いた単結晶基板は、（１００）面のランタンアルミネート（ＬａＡｌＯ3）、（１００）面の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、（１００）面の安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、（１００）面のＬＳＡＴ（［ＬａＡｌＯ3］）0.3−[ＳｒＡｌ0.5Ｔａ0.5Ｏ3]0.7）であり、各基板は鏡面研磨処理をしているものを使用した。これらの基板上の成膜した二酸化チタン薄膜をＸ線回折法により結晶構造の評価したところ、各基板と成膜した二酸化チタン薄膜の結晶方位関係は、
（１００）面のＬａＡｌＯ3基板上に（００１）面のＴｉＯ2
（１００）面のＭｇＯ基板上に（１００）面のＴｉＯ2
（１００）面のＹＳＺ基板上に（００１）面のＴｉＯ2
（１００）面のＬＳＡＴ基板上に（００１）面のＴｉＯ2
であった。
【００１１】
即ち、図１は、（１００）面のＬａＡｌＯ3単結晶基板上に成膜したＴｉＯ2膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。２θ：３７．８°にあるピークはＴｉＯ2（００４）からのピークであり、ＬａＡｌＯ3（１００）面上にアナターゼ型のＴｉＯ2（００１）面が単結晶成長していることが確認できる。
【００１２】
図２は、（１００）面のＭｇＯ単結晶基板上に成膜したＴｉＯ2膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。２θ：４８．０７°にあるピークはＴｉＯ2（２００）からのピークであり、ＭｇＯ（１００）面上にアナターゼ型のＴｉＯ2（００１）面が単結晶成長していることが確認できる。
【００１３】
図３は（１００）面のＹＳＺ単結晶基板上に成膜したＴｉＯ2膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。２θ：３７．８°にあるピークはＴｉＯ2（００４）からのピークであり、ＹＳＺ（１００）面上にアナターゼ型のＴｉＯ2（００１）面が単結晶成長していることが確認できる。
【００１４】
図４は（１００）面のＬＳＡＴ単結晶基板上に成膜したＴｉＯ2膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。２θ：３７．８°にあるピークはＴｉＯ2（００４）からのピークであり、ＬＳＡＴ（１００）面上にアナターゼ型のＴｉＯ2（００１）面が単結晶成長していることが確認できる。
【００１５】
【比較例１】
実施例１と同様の条件で（１１０）面のＬａＡｌＯ3、（１１０）面及び（１１１）面のＭｇＯ、単結晶基板に厚さ０．２μｍの二酸化チタン膜を作製した。Ｘ線回折法によりこれらの二酸化チタン膜の結晶構造を評価したところ、多結晶のルチル型二酸化チタンであった。
【００１６】
【比較例２】
実施例１と同様の条件で（１００）面のＬａＡｌＯ3単結晶基板の基板温度を３５０℃とし、厚さ０．２μｍの二酸化チタン膜を作製した。Ｘ線回折法によりＴｉＯ2（００４）からの回折ピークの半値幅を評価したところ、基板温度４８０℃で作製した二酸化チタン膜に比べて、半値幅が１０％広くなった。即ち、基板温度を４８０℃から３５０℃に下げると二酸化チタン膜の結晶性が低下した。
【００１７】
【比較例３】
実施例１と同様の条件で蒸着基板（０００１）面のサファイア（α−Ａｌ2Ｏ3）とし、厚さ０．２μｍの二酸化チタン膜を作製した。この二酸化チタン膜をＸ線回折法により結晶構造を評価したところ、アナターゼ型のＴｉＯ2（００１）とルチル型のＴｉＯ2（１００）が混合した二酸化チタン膜であった。
【００１８】
さらに実施例１と同様な条件で基板温度を３５０℃、５３０℃とし、（０００１）面のサファイア（α−Ａｌ2Ｏ3）基板上に二酸化チタン膜（厚さ０．２μｍ）を作製した。いずれのもアナターゼ型のＴｉＯ2（００１）とルチル型のＴｉＯ2（００１）が混合した二酸化チタン膜であった。
【００１９】
【発明の効果】
単結晶で作製したアナターゼ型結晶構造の二酸化チタン膜は、結晶の欠陥が格段に軽減するため光触媒反応効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、（１００）面のＬａＡｌＯ3単結晶基板上に成膜したＴｉＯ2膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。
【図２】図２は（１００）面のＭｇＯ単結晶基板上に成膜したＴｉＯ2膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。
【図３】図３は（１００）面のＹＳＺ単結晶基板上に成膜したＴｉＯ2膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。
【図４】図４は（１００）面のＬＳＡＴ単結晶基板上に成膜したＴｉＯ2膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。
Claims (1)
- ３６０℃〜５２０℃の基板温度及び１０ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒの酸素ガス分圧の条件でのレーザアブレーション成膜法により、ランタンアルミネート（ＬａＡｌＯ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ＬＳＡＴ（［ＬａＡｌＯ3］）0.3− [ＳｒＡｌ0.5Ｔａ0.5Ｏ3]0.7）単結晶基板上にアナターゼ型結晶構造の二酸化チタン（ＴｉＯ2）単結晶薄膜を作製する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000213765A JP4701447B2 (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | アナターゼ型結晶構造の酸化チタン単結晶薄膜の作製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000213765A JP4701447B2 (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | アナターゼ型結晶構造の酸化チタン単結晶薄膜の作製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002030417A JP2002030417A (ja) | 2002-01-31 |
| JP4701447B2 true JP4701447B2 (ja) | 2011-06-15 |
Family
ID=18709463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000213765A Expired - Fee Related JP4701447B2 (ja) | 2000-07-14 | 2000-07-14 | アナターゼ型結晶構造の酸化チタン単結晶薄膜の作製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4701447B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4295624B2 (ja) | 2001-12-21 | 2009-07-15 | 日本板硝子株式会社 | 光触媒機能を有する部材及びその製造方法 |
| EP1637225A4 (en) * | 2003-06-09 | 2007-12-19 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | PHOTOCATALYST ELEMENT |
| JP4977640B2 (ja) * | 2008-03-03 | 2012-07-18 | 富士フイルム株式会社 | 機能性酸化物構造体、及び機能性酸化物構造体の製造方法 |
| CN109402583B (zh) * | 2018-11-22 | 2020-09-25 | 湖北大学 | 一种铌掺杂二氧化钛锐钛矿相与金红石相双层复合薄膜气敏传感器及其制备方法 |
| CN111519251B (zh) * | 2019-02-01 | 2021-09-21 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种二氧化钛单晶材料及其生长方法 |
-
2000
- 2000-07-14 JP JP2000213765A patent/JP4701447B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002030417A (ja) | 2002-01-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Tani et al. | Preferred orientations for sol-gel derived PLZT thin layers | |
| JP5403497B2 (ja) | 結晶成長用基板とこれを用いた結晶成長方法 | |
| US9887348B2 (en) | Ferroelectric ceramics and manufacturing method thereof | |
| KR101767242B1 (ko) | 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막 및 그 제조방법 | |
| Bai et al. | Preparation of YVO4 thin films by metal organic chemical vapor deposition | |
| US6747317B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP4701447B2 (ja) | アナターゼ型結晶構造の酸化チタン単結晶薄膜の作製法 | |
| EP0693580B1 (en) | Oxide thin film having quartz crystal structure and process for producing the same | |
| CN109659411A (zh) | 一种氧化镓半导体叠层结构及其制备方法 | |
| Ito | Chemical vapor deposition of highly oriented ceramic coatings in a high-intensity laser irradiation | |
| US7851412B2 (en) | Wide band gap semiconductor templates | |
| JP4565170B2 (ja) | アナターゼ型ＴｉＯ２単結晶薄膜の作製方法 | |
| JP2003086586A (ja) | 配向性強誘電体薄膜素子及びその製造方法 | |
| JP2011195396A (ja) | 積層膜およびその製膜方法 | |
| CN111519251B (zh) | 一种二氧化钛单晶材料及其生长方法 | |
| JP4761013B2 (ja) | シリコン単結晶基板上にアナターゼ型の二酸化チタン結晶配向膜を作製する方法 | |
| JP3586870B2 (ja) | 配向性薄膜形成基板およびその作製方法 | |
| JP2007039758A (ja) | 結晶性の低い基板の表面に結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製する方法 | |
| JP3785614B2 (ja) | 可視光下で光触媒性を示す酸化チタン膜及びその製造方法 | |
| CN101139702B (zh) | 脉冲激光沉积制备硅基锐钛矿相TiO2薄膜的方法 | |
| JP4599547B2 (ja) | 二層構造の光触媒酸化チタン膜及びその製造方法 | |
| JP2005268196A (ja) | 酸化亜鉛多結晶膜及びこれを用いた機能素子 | |
| JP2002020199A (ja) | ルチル型酸化チタン単結晶薄膜の作製法 | |
| JP4590580B2 (ja) | チタン酸化物混在型高活性光触媒薄膜及びその製造方法 | |
| WO2024048357A1 (ja) | 下地基板及び単結晶ダイヤモンド積層基板並びにそれらの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20060223 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070713 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090812 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101116 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110105 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110121 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110218 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |