JP4599547B2 - 二層構造の光触媒酸化チタン膜及びその製造方法 - Google Patents
二層構造の光触媒酸化チタン膜及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4599547B2 JP4599547B2 JP2001300852A JP2001300852A JP4599547B2 JP 4599547 B2 JP4599547 B2 JP 4599547B2 JP 2001300852 A JP2001300852 A JP 2001300852A JP 2001300852 A JP2001300852 A JP 2001300852A JP 4599547 B2 JP4599547 B2 JP 4599547B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- tio
- titanium oxide
- sapphire substrate
- photocatalytic titanium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 31
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 title claims description 18
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 39
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical group [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001443 photoexcitation Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明はレーザアブレーション成膜法により高い光触媒性をもった二酸化チタンの作製に関するものであり、Ｔｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二層構造の膜を形成することによりＴｉＯ2のみの膜に比べてより高い光触媒性を有した二酸化チタン膜が得られることを見出した。即ち、チタン酸化物であるＴｉ2Ｏ3膜をＴｉＯ2膜の下地にすることにより高い光触媒性をもった二酸化チタン膜が得られ、窒素酸化物等の有害ガスの分解、除去への利用への拡大が図れる。
【０００２】
【従来の技術】
真空蒸着法やゾル・ゲル法により二酸化チタン膜の作製が行われているが、これまでのＴｉＯ2膜はその結晶構造がルチルおよびアナターゼの多結晶構造のものしか作製できなかった。また、これらの作製方法では種々のチタン酸化物であるＴｉ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の膜を多層構造で作製することは困難であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本件の課題は、数十ｎｍ（ナノメートル）程度の非常に薄い厚さで平滑な膜の作製が可能なレーザアブレーション成膜法により、エピタキシャル成長させたＴｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二層構造の膜を形成することにより高い光触媒性をもった二酸化チタン膜を作製することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明では、レーザアブレーション成膜法により、サファイア基板上にＴｉ2Ｏ3そしてＴｉＯ2の順でエピタキシャル成長膜を積層させることが重要である。このためにサファイア基板上のＴｉ2Ｏ3膜およびＴｉ2Ｏ3膜上のＴｉ2Ｏ3膜のエピタキシャル成長を見出した。作製した膜の結晶構造はＸ線回折法により評価し、さらに光触媒性をパルス光励起表面正孔量測定法（特願２０００−２１３７７２号）により評価した。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明においては、レーザアブレーション成膜法によりサファイア基板上にＴｉ2Ｏ3そしてＴｉＯ2の順でエピタキシャル成長させた膜を積層することにより高い光触媒性をもった二酸化チタンを作製するものである。
この作製条件として、Ｔｉ2Ｏ3及びＴｉＯ2蒸着時の基板温度、酸素ガス圧、蒸発物質が重要な項目である。
【０００６】
即ち、本発明では、レーザアブレーション成膜法によりサファイア基板上にＴｉ2Ｏ3そしてＴｉＯ2の順でエピタキシャル成長させるものである。サファイア基板上にＴｉ2Ｏ3膜をエピタキシャル成長させる基板温度は、３００℃〜５００℃（好ましくは３５０℃〜４５０℃、最も好ましくは４００℃）であり、蒸着雰囲気は真空中（≦１×１０-6Ｔｏｒｒ）、蒸発物質はＴｉＯ2焼結体である。Ｔｉ2Ｏ3膜上にＴｉＯ2膜をエピタキシャル成長させる基板温度は、３５０℃〜５５０℃（好ましくは４００℃〜５００℃、最も好ましくは４５０℃）であり、蒸着雰囲気は低圧酸素雰囲気で１０ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ（好ましくは２０ｍＴｏｒｒ〜８０ｍＴｏｒｒ、最も好ましくは３０ｍＴｏｒｒ〜４０ｍＴｏｒｒ）に制御される条件とする。蒸発物質はＴｉＯ2焼結体または金属チタンである。
【０００７】
レーザアブレーション成膜法において用いるレーザーは、蒸発物質を蒸発することができるものであればいずれでもよいが、好ましくはＹＡＧ（イットリウムアルミニウムガーネット）レーザー（波長５３２ｎｍ）である。
本発明に用いることができるサファイア基板は、(０００１）面方位のサファイア単結晶基板である。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【０００８】
【実施例】
（実施例１）
１パルス当たり１００ｍＪ、繰り返し周波数１０ＨｚのＹＡＧ（イットリウムアルミニウムガーネット）レーザー（波長５３２ｎｍ）を真空中（≦１×１０-6Ｔｏｒｒ）に置いたＴｉＯ2焼結体ターゲット（ＴｉＯ2：φ５０ｍｍ、厚さ５ｍｍ）に直径１ｍｍに集光させて入射した。ＴｉＯ2焼結体ターゲットより５ｃｍmの距離に基板温度４００℃に保持した（０００１）面方位のサファイア単結晶基板を設置し、３時間のレーザー照射でＴｉ2Ｏ3膜を作製した。得られたＴｉ2Ｏ3膜は厚さ０．１μｍであった。さらに、同上のレーザー照射条件及び基板温度で低圧酸素雰囲気中（３５ｍＴｏｒｒ）に置いた金属チタン（Ｔｉ：φ５０ｍｍ、厚さ５ｍｍ）に照射してＴｉ2Ｏ3膜上にＴｉＯ2膜を作製した。３時間のレーザー照射で得られたＴｉＯ2膜の厚さ０．１μｍであった。
【０００９】
作製した膜の結晶構造をＸ線回折法により評価した。その結果を図１に示す。低角度側のピークからそれぞれＴｉ2Ｏ3（０００６），ＴｉＯ2（２００）およびサファイア（０００６）からのピークに対応し、このＸ線回折測定の結果から（０００１）面のサファイア基板上に（０００１）面のＴｉ2Ｏ3膜が成長し、さらに、この膜の上に（１００）面のルチル型のＴｉＯ2膜が成長する結晶方位関係であった。
【００１０】
成膜した二酸化チタン膜の光触媒性能を見積もるため、パルス光励起表面正孔量測定法（特願２０００−２１３７７２号）により評価を行った。その結果を図２に示す。横軸は励起光の波長、縦軸は量子効率（表面励起正孔数／入射光強度）でプロットしている。この量子効率が高いほど、光の入射に対して多くの正孔が表面に励起することを意味しているので、高い触媒性能が期待される。Ｔｉ2Ｏ3膜上にＴｉＯ2を蒸着した本発明による二層構造の膜と、同一の蒸着条件でサファイア基板上に作製したルチル型ＴｉＯ2膜との自然光下での光触媒性能を評価したところ、本発明によるＴｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二層膜の方が４倍高い光触媒性能であることが分かった。
【００１１】
（比較例１）
実施例１と同様の条件でサファイア基板上にＴｉ2Ｏ3膜のみの膜を作製し、光触媒性能を評価したところ、光触媒性は見出せなかった。また、サファイア基板上にルチル型ＴｉＯ2膜のみの膜を作製し、光触媒性能を評価したところ、本発明によるＴｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二層構造の膜と比較して光触媒性は低かった。
【００１２】
（比較例２）
実施例１と同様の条件で、真空中（≦１×１０-6Ｔｏｒｒ）に置いたＴｉＯ2焼結体ターゲットを用いてサファイア基板上に蒸着を行った。基板温度２５０℃で蒸着した膜ではＴｉ2Ｏ3膜のエピタキシャル成長は確認できなかった。また、基板温度５５０℃で蒸着した膜ではルチル型のＴｉＯ2膜が成長していた。サファイア基板上にエピタキシャル成長させたＴｉ2Ｏ3膜上にルチル型のＴｉＯ2膜を成長させる場合、基板温度を３００℃で蒸着した膜ではＴｉＯ2膜のエピタキシャル成長は確認できなかった。さらに基板温度が５６０℃で蒸着した膜では、下地のＴｉ2Ｏ3膜がルチル型のＴｉＯ2に変化し、蒸着膜全体がルチル型のＴｉＯ2膜となってしまった。
【００１３】
【発明の効果】
レーザアブレーション成膜法を用いてＴｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二層構造の膜を形成することにより、ＴｉＯ2膜のみのものに比べてより高い光触媒性をもった二酸化チタン膜が得られることを見出した。即ち、チタン酸化物であるＴｉ2Ｏ3膜をＴｉＯ2膜の下地にすることにより二酸化チタン膜の光触媒性が高くなり、窒素酸化物等の有害ガスの分解、除去への利用が拡大できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、レーザアブレーション成膜法によりサファイア基板上に成膜したＴｉ2Ｏ3とＴｉＯ2の二層膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。
【図２】 図２は、レーザアブレーション成膜法によりサファイア基板上に成膜した本発明によるＴｉ2Ｏ3とＴｉＯ2の二層膜およびＴｉＯ2のみの膜の表面励起正孔量測定結果を示す図である。
【発明の属する技術分野】
この発明はレーザアブレーション成膜法により高い光触媒性をもった二酸化チタンの作製に関するものであり、Ｔｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二層構造の膜を形成することによりＴｉＯ2のみの膜に比べてより高い光触媒性を有した二酸化チタン膜が得られることを見出した。即ち、チタン酸化物であるＴｉ2Ｏ3膜をＴｉＯ2膜の下地にすることにより高い光触媒性をもった二酸化チタン膜が得られ、窒素酸化物等の有害ガスの分解、除去への利用への拡大が図れる。
【０００２】
【従来の技術】
真空蒸着法やゾル・ゲル法により二酸化チタン膜の作製が行われているが、これまでのＴｉＯ2膜はその結晶構造がルチルおよびアナターゼの多結晶構造のものしか作製できなかった。また、これらの作製方法では種々のチタン酸化物であるＴｉ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の膜を多層構造で作製することは困難であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本件の課題は、数十ｎｍ（ナノメートル）程度の非常に薄い厚さで平滑な膜の作製が可能なレーザアブレーション成膜法により、エピタキシャル成長させたＴｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二層構造の膜を形成することにより高い光触媒性をもった二酸化チタン膜を作製することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明では、レーザアブレーション成膜法により、サファイア基板上にＴｉ2Ｏ3そしてＴｉＯ2の順でエピタキシャル成長膜を積層させることが重要である。このためにサファイア基板上のＴｉ2Ｏ3膜およびＴｉ2Ｏ3膜上のＴｉ2Ｏ3膜のエピタキシャル成長を見出した。作製した膜の結晶構造はＸ線回折法により評価し、さらに光触媒性をパルス光励起表面正孔量測定法（特願２０００−２１３７７２号）により評価した。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明においては、レーザアブレーション成膜法によりサファイア基板上にＴｉ2Ｏ3そしてＴｉＯ2の順でエピタキシャル成長させた膜を積層することにより高い光触媒性をもった二酸化チタンを作製するものである。
この作製条件として、Ｔｉ2Ｏ3及びＴｉＯ2蒸着時の基板温度、酸素ガス圧、蒸発物質が重要な項目である。
【０００６】
即ち、本発明では、レーザアブレーション成膜法によりサファイア基板上にＴｉ2Ｏ3そしてＴｉＯ2の順でエピタキシャル成長させるものである。サファイア基板上にＴｉ2Ｏ3膜をエピタキシャル成長させる基板温度は、３００℃〜５００℃（好ましくは３５０℃〜４５０℃、最も好ましくは４００℃）であり、蒸着雰囲気は真空中（≦１×１０-6Ｔｏｒｒ）、蒸発物質はＴｉＯ2焼結体である。Ｔｉ2Ｏ3膜上にＴｉＯ2膜をエピタキシャル成長させる基板温度は、３５０℃〜５５０℃（好ましくは４００℃〜５００℃、最も好ましくは４５０℃）であり、蒸着雰囲気は低圧酸素雰囲気で１０ｍＴｏｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ（好ましくは２０ｍＴｏｒｒ〜８０ｍＴｏｒｒ、最も好ましくは３０ｍＴｏｒｒ〜４０ｍＴｏｒｒ）に制御される条件とする。蒸発物質はＴｉＯ2焼結体または金属チタンである。
【０００７】
レーザアブレーション成膜法において用いるレーザーは、蒸発物質を蒸発することができるものであればいずれでもよいが、好ましくはＹＡＧ（イットリウムアルミニウムガーネット）レーザー（波長５３２ｎｍ）である。
本発明に用いることができるサファイア基板は、(０００１）面方位のサファイア単結晶基板である。
以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【０００８】
【実施例】
（実施例１）
１パルス当たり１００ｍＪ、繰り返し周波数１０ＨｚのＹＡＧ（イットリウムアルミニウムガーネット）レーザー（波長５３２ｎｍ）を真空中（≦１×１０-6Ｔｏｒｒ）に置いたＴｉＯ2焼結体ターゲット（ＴｉＯ2：φ５０ｍｍ、厚さ５ｍｍ）に直径１ｍｍに集光させて入射した。ＴｉＯ2焼結体ターゲットより５ｃｍmの距離に基板温度４００℃に保持した（０００１）面方位のサファイア単結晶基板を設置し、３時間のレーザー照射でＴｉ2Ｏ3膜を作製した。得られたＴｉ2Ｏ3膜は厚さ０．１μｍであった。さらに、同上のレーザー照射条件及び基板温度で低圧酸素雰囲気中（３５ｍＴｏｒｒ）に置いた金属チタン（Ｔｉ：φ５０ｍｍ、厚さ５ｍｍ）に照射してＴｉ2Ｏ3膜上にＴｉＯ2膜を作製した。３時間のレーザー照射で得られたＴｉＯ2膜の厚さ０．１μｍであった。
【０００９】
作製した膜の結晶構造をＸ線回折法により評価した。その結果を図１に示す。低角度側のピークからそれぞれＴｉ2Ｏ3（０００６），ＴｉＯ2（２００）およびサファイア（０００６）からのピークに対応し、このＸ線回折測定の結果から（０００１）面のサファイア基板上に（０００１）面のＴｉ2Ｏ3膜が成長し、さらに、この膜の上に（１００）面のルチル型のＴｉＯ2膜が成長する結晶方位関係であった。
【００１０】
成膜した二酸化チタン膜の光触媒性能を見積もるため、パルス光励起表面正孔量測定法（特願２０００−２１３７７２号）により評価を行った。その結果を図２に示す。横軸は励起光の波長、縦軸は量子効率（表面励起正孔数／入射光強度）でプロットしている。この量子効率が高いほど、光の入射に対して多くの正孔が表面に励起することを意味しているので、高い触媒性能が期待される。Ｔｉ2Ｏ3膜上にＴｉＯ2を蒸着した本発明による二層構造の膜と、同一の蒸着条件でサファイア基板上に作製したルチル型ＴｉＯ2膜との自然光下での光触媒性能を評価したところ、本発明によるＴｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二層膜の方が４倍高い光触媒性能であることが分かった。
【００１１】
（比較例１）
実施例１と同様の条件でサファイア基板上にＴｉ2Ｏ3膜のみの膜を作製し、光触媒性能を評価したところ、光触媒性は見出せなかった。また、サファイア基板上にルチル型ＴｉＯ2膜のみの膜を作製し、光触媒性能を評価したところ、本発明によるＴｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二層構造の膜と比較して光触媒性は低かった。
【００１２】
（比較例２）
実施例１と同様の条件で、真空中（≦１×１０-6Ｔｏｒｒ）に置いたＴｉＯ2焼結体ターゲットを用いてサファイア基板上に蒸着を行った。基板温度２５０℃で蒸着した膜ではＴｉ2Ｏ3膜のエピタキシャル成長は確認できなかった。また、基板温度５５０℃で蒸着した膜ではルチル型のＴｉＯ2膜が成長していた。サファイア基板上にエピタキシャル成長させたＴｉ2Ｏ3膜上にルチル型のＴｉＯ2膜を成長させる場合、基板温度を３００℃で蒸着した膜ではＴｉＯ2膜のエピタキシャル成長は確認できなかった。さらに基板温度が５６０℃で蒸着した膜では、下地のＴｉ2Ｏ3膜がルチル型のＴｉＯ2に変化し、蒸着膜全体がルチル型のＴｉＯ2膜となってしまった。
【００１３】
【発明の効果】
レーザアブレーション成膜法を用いてＴｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二層構造の膜を形成することにより、ＴｉＯ2膜のみのものに比べてより高い光触媒性をもった二酸化チタン膜が得られることを見出した。即ち、チタン酸化物であるＴｉ2Ｏ3膜をＴｉＯ2膜の下地にすることにより二酸化チタン膜の光触媒性が高くなり、窒素酸化物等の有害ガスの分解、除去への利用が拡大できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 図１は、レーザアブレーション成膜法によりサファイア基板上に成膜したＴｉ2Ｏ3とＴｉＯ2の二層膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。
【図２】 図２は、レーザアブレーション成膜法によりサファイア基板上に成膜した本発明によるＴｉ2Ｏ3とＴｉＯ2の二層膜およびＴｉＯ2のみの膜の表面励起正孔量測定結果を示す図である。
Claims (2)
- サファイア基板上にエピタキシャル成長したＴｉ2Ｏ3膜が形成され、更に前記Ｔｉ2Ｏ3膜の上にエピタキシャル成長したＴｉＯ2膜が形成されたことを特徴とする、光触媒酸化チタン膜。
- レーザアブレーション成膜法によりサファイア基板上にエピタキシャル成長させたＴｉ2Ｏ3膜を形成し、更に前記Ｔｉ2Ｏ3膜の上にエピタキシャル成長させたＴｉＯ2膜を形成することを特徴とする、光触媒酸化チタン膜を製造する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001300852A JP4599547B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 二層構造の光触媒酸化チタン膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001300852A JP4599547B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 二層構造の光触媒酸化チタン膜及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003103179A JP2003103179A (ja) | 2003-04-08 |
| JP4599547B2 true JP4599547B2 (ja) | 2010-12-15 |
Family
ID=19121358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001300852A Expired - Fee Related JP4599547B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 二層構造の光触媒酸化チタン膜及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4599547B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1330413C (zh) * | 2004-09-15 | 2007-08-08 | 上海师范大学 | TiO2光催化透明薄膜的制备方法 |
| CN112844348A (zh) * | 2019-11-28 | 2021-05-28 | 桂林理工大学 | 一种具有微纳米结构的TiO2纳米管阵列光阳极的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001246265A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-11 | Toto Ltd | 光触媒を含有する層が表面に形成された基材及び、光触媒を含有する層を基材表面に形成する方法 |
| JP2001253007A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-18 | Toto Ltd | 機能性薄膜がコーティングされた製品の製造方法、及び機能性薄膜がコーティングされた製品 |
| JP2002031612A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Japan Atom Energy Res Inst | パルス光励起表面正孔量測定による光触媒性能評価法 |
| JP2003063892A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-05 | Japan Atom Energy Res Inst | サファイア上に二酸化チタン粒子を周期配列させる方法 |
-
2001
- 2001-09-28 JP JP2001300852A patent/JP4599547B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001246265A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-11 | Toto Ltd | 光触媒を含有する層が表面に形成された基材及び、光触媒を含有する層を基材表面に形成する方法 |
| JP2001253007A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-18 | Toto Ltd | 機能性薄膜がコーティングされた製品の製造方法、及び機能性薄膜がコーティングされた製品 |
| JP2002031612A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Japan Atom Energy Res Inst | パルス光励起表面正孔量測定による光触媒性能評価法 |
| JP2003063892A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-05 | Japan Atom Energy Res Inst | サファイア上に二酸化チタン粒子を周期配列させる方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003103179A (ja) | 2003-04-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Kim et al. | The effect of target density and its morphology on TiO2 thin films grown on Si (100) by PLD | |
| JP6255647B2 (ja) | 結晶膜、結晶膜の製造方法、蒸着装置及びマルチチャンバー装置 | |
| US20070220713A1 (en) | Method for Forming Zno Nano-Array and Zno Nanowall for Uv Laser On Silicon Substrate | |
| JP4599547B2 (ja) | 二層構造の光触媒酸化チタン膜及びその製造方法 | |
| US10115887B2 (en) | Ferroelectric ceramics and method for manufacturing the same | |
| US7851412B2 (en) | Wide band gap semiconductor templates | |
| JP4565170B2 (ja) | アナターゼ型ＴｉＯ２単結晶薄膜の作製方法 | |
| JP4701447B2 (ja) | アナターゼ型結晶構造の酸化チタン単結晶薄膜の作製法 | |
| JP3785614B2 (ja) | 可視光下で光触媒性を示す酸化チタン膜及びその製造方法 | |
| JP4590603B2 (ja) | 結晶性の低い基板の表面に結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製する方法 | |
| KR20010062817A (ko) | 박막 다층체, 강유전체 박막 소자 및 이들의 제조방법 | |
| JP4761013B2 (ja) | シリコン単結晶基板上にアナターゼ型の二酸化チタン結晶配向膜を作製する方法 | |
| JP4590580B2 (ja) | チタン酸化物混在型高活性光触媒薄膜及びその製造方法 | |
| JP3550658B2 (ja) | 結晶構造の制御された二酸化チタン系薄膜の製造方法 | |
| JP4224850B2 (ja) | 光触媒アナターゼ型二酸化チタン薄膜の製造方法 | |
| JP2002020199A (ja) | ルチル型酸化チタン単結晶薄膜の作製法 | |
| JP3633304B2 (ja) | 強誘電体薄膜素子の製造方法 | |
| RU2739564C1 (ru) | Способ изготовления гетерогенных катализаторов низкотемпературного окисления моноксида углерода | |
| JP4576619B2 (ja) | 結晶配向した微結晶から成る二酸化チタン膜の作製方法 | |
| TW202307251A (zh) | 化合物層之形成方法 | |
| JP2003063892A (ja) | サファイア上に二酸化チタン粒子を周期配列させる方法 | |
| TW202349484A (zh) | 作為磊晶模板之單晶晶圓表面之製法、磊晶模板及裝置 | |
| TW202316689A (zh) | 製備固態元件的方法、固態元件、量子元件及用於製備固態元件的設備 | |
| Seredin et al. | Growth features and spectroscopic structure investigations of nanoprofiled AlN films formed on misoriented GaAs substrates | |
| JP3845721B2 (ja) | レーザーアブレーションによる複合酸化物ナノ微結晶薄膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20060223 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080501 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100714 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100804 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100902 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |