JP2003103179A - 二層構造の光触媒酸化チタン膜及びその製造方法 - Google Patents
二層構造の光触媒酸化チタン膜及びその製造方法Info
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Landscapes
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- Catalysts (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 数十ｎｍ（ナノメートル）程度の非常に薄い
厚さで平滑な膜の作製が可能なレーザアブレーション成
膜法により、エピタキシャル成長させたＴｉ2Ｏ3膜とＴ
ｉＯ2膜の二重構造の膜を形成することにより高い光触
媒性をもった二酸化チタン膜を作製することにある。 【解決手段】 サファイア基板上にエピタキシャル成長
したＴｉ2Ｏ3膜が形成され、更にそのＴｉ2Ｏ3膜の上に
エピタキシャル成長したＴｉＯ2膜が形成されたことを
特徴とする、光触媒酸化チタン膜及びその製造方法。
厚さで平滑な膜の作製が可能なレーザアブレーション成
膜法により、エピタキシャル成長させたＴｉ2Ｏ3膜とＴ
ｉＯ2膜の二重構造の膜を形成することにより高い光触
媒性をもった二酸化チタン膜を作製することにある。 【解決手段】 サファイア基板上にエピタキシャル成長
したＴｉ2Ｏ3膜が形成され、更にそのＴｉ2Ｏ3膜の上に
エピタキシャル成長したＴｉＯ2膜が形成されたことを
特徴とする、光触媒酸化チタン膜及びその製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はレーザアブレーシ
ョン成膜法により高い光触媒性をもった二酸化チタンの
作製に関するものであり、Ｔｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二
層構造の膜を形成することによりＴｉＯ2のみの膜に比
べてより高い光触媒性を有した二酸化チタン膜が得られ
ることを見出した。即ち、チタン酸化物であるＴｉ2Ｏ3
膜をＴｉＯ 2膜の下地にすることにより高い光触媒性を
もった二酸化チタン膜が得られ、窒素酸化物等の有害ガ
スの分解、除去への利用への拡大が図れる。
ョン成膜法により高い光触媒性をもった二酸化チタンの
作製に関するものであり、Ｔｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二
層構造の膜を形成することによりＴｉＯ2のみの膜に比
べてより高い光触媒性を有した二酸化チタン膜が得られ
ることを見出した。即ち、チタン酸化物であるＴｉ2Ｏ3
膜をＴｉＯ 2膜の下地にすることにより高い光触媒性を
もった二酸化チタン膜が得られ、窒素酸化物等の有害ガ
スの分解、除去への利用への拡大が図れる。
【０００２】
【従来の技術】真空蒸着法やゾル・ゲル法により二酸化
チタン膜の作製が行われているが、これまでのＴｉＯ2
膜はその結晶構造がルチルおよびアナターゼの多結晶構
造のものしか作製できなかった。また、これらの作製方
法では種々のチタン酸化物であるＴｉ2Ｏ3、ＴｉＯ2等
の膜を多層構造で作製することは困難であった。
チタン膜の作製が行われているが、これまでのＴｉＯ2
膜はその結晶構造がルチルおよびアナターゼの多結晶構
造のものしか作製できなかった。また、これらの作製方
法では種々のチタン酸化物であるＴｉ2Ｏ3、ＴｉＯ2等
の膜を多層構造で作製することは困難であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本件の課題は、数十ｎ
ｍ（ナノメートル）程度の非常に薄い厚さで平滑な膜の
作製が可能なレーザアブレーション成膜法により、エピ
タキシャル成長させたＴｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二層構
造の膜を形成することにより高い光触媒性をもった二酸
化チタン膜を作製することにある。
ｍ（ナノメートル）程度の非常に薄い厚さで平滑な膜の
作製が可能なレーザアブレーション成膜法により、エピ
タキシャル成長させたＴｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二層構
造の膜を形成することにより高い光触媒性をもった二酸
化チタン膜を作製することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明では、レーザアブ
レーション成膜法により、サファイア基板上にＴｉ2Ｏ3
そしてＴｉＯ2の順でエピタキシャル成長膜を積層させ
ることが重要である。このためにサファイア基板上のＴ
ｉ2Ｏ3膜およびＴｉ2Ｏ3膜上のＴｉ2Ｏ3膜のエピタキシ
ャル成長を見出した。作製した膜の結晶構造はＸ線回折
法により評価し、さらに光触媒性をパルス光励起表面正
孔量測定法（特願２０００−２１３７７２号）により評
価した。
レーション成膜法により、サファイア基板上にＴｉ2Ｏ3
そしてＴｉＯ2の順でエピタキシャル成長膜を積層させ
ることが重要である。このためにサファイア基板上のＴ
ｉ2Ｏ3膜およびＴｉ2Ｏ3膜上のＴｉ2Ｏ3膜のエピタキシ
ャル成長を見出した。作製した膜の結晶構造はＸ線回折
法により評価し、さらに光触媒性をパルス光励起表面正
孔量測定法（特願２０００−２１３７７２号）により評
価した。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明においては、レーザアブレ
ーション成膜法によりサファイア基板上にＴｉ2Ｏ3そし
てＴｉＯ2の順でエピタキシャル成長させた膜を積層す
ることにより高い光触媒性をもった二酸化チタンを作製
するものである。この作製条件として、Ｔｉ2Ｏ3及びＴ
ｉＯ2蒸着時の基板温度、酸素ガス圧、蒸発物質が重要
な項目である。
ーション成膜法によりサファイア基板上にＴｉ2Ｏ3そし
てＴｉＯ2の順でエピタキシャル成長させた膜を積層す
ることにより高い光触媒性をもった二酸化チタンを作製
するものである。この作製条件として、Ｔｉ2Ｏ3及びＴ
ｉＯ2蒸着時の基板温度、酸素ガス圧、蒸発物質が重要
な項目である。
【０００６】即ち、本発明では、レーザアブレーション
成膜法によりサファイア基板上にＴｉ2Ｏ3そしてＴｉＯ
2の順でエピタキシャル成長させるものである。サファ
イア基板上にＴｉ2Ｏ3膜をエピタキシャル成長させる基
板温度は、３００℃〜５００℃（好ましくは３５０℃〜
４５０℃、最も好ましくは４００℃）であり、蒸着雰囲
気は真空中（≦１×１０-6Ｔｏｒｒ）、蒸発物質はＴｉ
Ｏ2焼結体である。Ｔｉ2Ｏ3膜上にＴｉＯ2膜をエピタキ
シャル成長させる基板温度は、３５０℃〜５５０℃（好
ましくは４００℃〜５００℃、最も好ましくは４５０
℃）であり、蒸着雰囲気は低圧酸素雰囲気で１０ｍＴｏ
ｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ（好ましくは２０ｍＴｏｒｒ〜
８０ｍＴｏｒｒ、最も好ましくは３０ｍＴｏｒｒ〜４０
ｍＴｏｒｒ）に制御される条件とする。蒸発物質はＴｉ
Ｏ2焼結体または金属チタンである。
成膜法によりサファイア基板上にＴｉ2Ｏ3そしてＴｉＯ
2の順でエピタキシャル成長させるものである。サファ
イア基板上にＴｉ2Ｏ3膜をエピタキシャル成長させる基
板温度は、３００℃〜５００℃（好ましくは３５０℃〜
４５０℃、最も好ましくは４００℃）であり、蒸着雰囲
気は真空中（≦１×１０-6Ｔｏｒｒ）、蒸発物質はＴｉ
Ｏ2焼結体である。Ｔｉ2Ｏ3膜上にＴｉＯ2膜をエピタキ
シャル成長させる基板温度は、３５０℃〜５５０℃（好
ましくは４００℃〜５００℃、最も好ましくは４５０
℃）であり、蒸着雰囲気は低圧酸素雰囲気で１０ｍＴｏ
ｒｒ〜１００ｍＴｏｒｒ（好ましくは２０ｍＴｏｒｒ〜
８０ｍＴｏｒｒ、最も好ましくは３０ｍＴｏｒｒ〜４０
ｍＴｏｒｒ）に制御される条件とする。蒸発物質はＴｉ
Ｏ2焼結体または金属チタンである。
【０００７】レーザアブレーション成膜法において用い
るレーザーは、蒸発物質を蒸発することができるもので
あればいずれでもよいが、好ましくはＹＡＧ（イットリ
ウムアルミニウムガーネット）レーザー（波長５３２ｎ
ｍ）である。本発明に用いることができるサファイア基
板は、(０００１）面方位のサファイア単結晶基板であ
る。以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
るレーザーは、蒸発物質を蒸発することができるもので
あればいずれでもよいが、好ましくはＹＡＧ（イットリ
ウムアルミニウムガーネット）レーザー（波長５３２ｎ
ｍ）である。本発明に用いることができるサファイア基
板は、(０００１）面方位のサファイア単結晶基板であ
る。以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【０００８】
【実施例】（実施例１）１パルス当たり１００ｍＪ、繰
り返し周波数１０ＨｚのＹＡＧ（イットリウムアルミニ
ウムガーネット）レーザー（波長５３２ｎｍ）を真空中
（≦１×１０-6Ｔｏｒｒ）に置いたＴｉＯ2焼結体ター
ゲット（ＴｉＯ2：φ５０ｍｍ、厚さ５ｍｍ）に直径１
ｍｍに集光させて入射した。ＴｉＯ2焼結体ターゲット
より５ｃｍmの距離に基板温度４００℃に保持した（０
００１）面方位のサファイア単結晶基板を設置し、３時
間のレーザー照射でＴｉ2Ｏ3膜を作製した。得られたＴ
ｉ2Ｏ3膜は厚さ０．１μｍであった。さらに、同上のレ
ーザー照射条件及び基板温度で低圧酸素雰囲気中（３５
ｍＴｏｒｒ）に置いた金属チタン（Ｔｉ：φ５０ｍｍ、
厚さ５ｍｍ）に照射してＴｉ2Ｏ3膜上にＴｉＯ2膜を作
製した。３時間のレーザー照射で得られたＴｉＯ2膜の
厚さ０．１μｍであった。
り返し周波数１０ＨｚのＹＡＧ（イットリウムアルミニ
ウムガーネット）レーザー（波長５３２ｎｍ）を真空中
（≦１×１０-6Ｔｏｒｒ）に置いたＴｉＯ2焼結体ター
ゲット（ＴｉＯ2：φ５０ｍｍ、厚さ５ｍｍ）に直径１
ｍｍに集光させて入射した。ＴｉＯ2焼結体ターゲット
より５ｃｍmの距離に基板温度４００℃に保持した（０
００１）面方位のサファイア単結晶基板を設置し、３時
間のレーザー照射でＴｉ2Ｏ3膜を作製した。得られたＴ
ｉ2Ｏ3膜は厚さ０．１μｍであった。さらに、同上のレ
ーザー照射条件及び基板温度で低圧酸素雰囲気中（３５
ｍＴｏｒｒ）に置いた金属チタン（Ｔｉ：φ５０ｍｍ、
厚さ５ｍｍ）に照射してＴｉ2Ｏ3膜上にＴｉＯ2膜を作
製した。３時間のレーザー照射で得られたＴｉＯ2膜の
厚さ０．１μｍであった。
【０００９】作製した膜の結晶構造をＸ線回折法により
評価した。その結果を図１に示す。低角度側のピークか
らそれぞれＴｉ2Ｏ3（０００６），ＴｉＯ2（２００）
およびサファイア（０００６）からのピークに対応し、
このＸ線回折測定の結果から（０００１）面のサファイ
ア基板上に（０００１）面のＴｉ2Ｏ3膜が成長し、さら
に、この膜の上に（１００）面のルチル型のＴｉＯ2膜
が成長する結晶方位関係であった。
評価した。その結果を図１に示す。低角度側のピークか
らそれぞれＴｉ2Ｏ3（０００６），ＴｉＯ2（２００）
およびサファイア（０００６）からのピークに対応し、
このＸ線回折測定の結果から（０００１）面のサファイ
ア基板上に（０００１）面のＴｉ2Ｏ3膜が成長し、さら
に、この膜の上に（１００）面のルチル型のＴｉＯ2膜
が成長する結晶方位関係であった。
【００１０】成膜した二酸化チタン膜の光触媒性能を見
積もるため、パルス光励起表面正孔量測定法（特願２０
００−２１３７７２号）により評価を行った。その結果
を図２に示す。横軸は励起光の波長、縦軸は量子効率
（表面励起正孔数／入射光強度）でプロットしている。
この量子効率が高いほど、光の入射に対して多くの正孔
が表面に励起することを意味しているので、高い触媒性
能が期待される。Ｔｉ2Ｏ3膜上にＴｉＯ2を蒸着した本
発明による二層構造の膜と、同一の蒸着条件でサファイ
ア基板上に作製したルチル型ＴｉＯ2膜との自然光下で
の光触媒性能を評価したところ、本発明によるＴｉ2Ｏ3
膜とＴｉＯ2膜の二層膜の方が４倍高い光触媒性能であ
ることが分かった。
積もるため、パルス光励起表面正孔量測定法（特願２０
００−２１３７７２号）により評価を行った。その結果
を図２に示す。横軸は励起光の波長、縦軸は量子効率
（表面励起正孔数／入射光強度）でプロットしている。
この量子効率が高いほど、光の入射に対して多くの正孔
が表面に励起することを意味しているので、高い触媒性
能が期待される。Ｔｉ2Ｏ3膜上にＴｉＯ2を蒸着した本
発明による二層構造の膜と、同一の蒸着条件でサファイ
ア基板上に作製したルチル型ＴｉＯ2膜との自然光下で
の光触媒性能を評価したところ、本発明によるＴｉ2Ｏ3
膜とＴｉＯ2膜の二層膜の方が４倍高い光触媒性能であ
ることが分かった。
【００１１】（比較例１）実施例１と同様の条件でサフ
ァイア基板上にＴｉ2Ｏ3膜のみの膜を作製し、光触媒性
能を評価したところ、光触媒性は見出せなかった。ま
た、サファイア基板上にルチル型ＴｉＯ2膜のみの膜を
作製し、光触媒性能を評価したところ、本発明によるＴ
ｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二層構造の膜と比較して光触媒
性は低かった。
ァイア基板上にＴｉ2Ｏ3膜のみの膜を作製し、光触媒性
能を評価したところ、光触媒性は見出せなかった。ま
た、サファイア基板上にルチル型ＴｉＯ2膜のみの膜を
作製し、光触媒性能を評価したところ、本発明によるＴ
ｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二層構造の膜と比較して光触媒
性は低かった。
【００１２】（比較例２）実施例１と同様の条件で、真
空中（≦１×１０-6Ｔｏｒｒ）に置いたＴｉＯ2焼結体
ターゲットを用いてサファイア基板上に蒸着を行った。
基板温度２５０℃で蒸着した膜ではＴｉ2Ｏ3膜のエピタ
キシャル成長は確認できなかった。また、基板温度５５
０℃で蒸着した膜ではルチル型のＴｉＯ2膜が成長して
いた。サファイア基板上にエピタキシャル成長させたＴ
ｉ2Ｏ3膜上にルチル型のＴｉＯ2膜を成長させる場合、
基板温度を３００℃で蒸着した膜ではＴｉＯ2膜のエピ
タキシャル成長は確認できなかった。さらに基板温度が
５６０℃で蒸着した膜では、下地のＴｉ2Ｏ3膜がルチル
型のＴｉＯ2に変化し、蒸着膜全体がルチル型のＴｉＯ2
膜となってしまった。
空中（≦１×１０-6Ｔｏｒｒ）に置いたＴｉＯ2焼結体
ターゲットを用いてサファイア基板上に蒸着を行った。
基板温度２５０℃で蒸着した膜ではＴｉ2Ｏ3膜のエピタ
キシャル成長は確認できなかった。また、基板温度５５
０℃で蒸着した膜ではルチル型のＴｉＯ2膜が成長して
いた。サファイア基板上にエピタキシャル成長させたＴ
ｉ2Ｏ3膜上にルチル型のＴｉＯ2膜を成長させる場合、
基板温度を３００℃で蒸着した膜ではＴｉＯ2膜のエピ
タキシャル成長は確認できなかった。さらに基板温度が
５６０℃で蒸着した膜では、下地のＴｉ2Ｏ3膜がルチル
型のＴｉＯ2に変化し、蒸着膜全体がルチル型のＴｉＯ2
膜となってしまった。
【００１３】
【発明の効果】レーザアブレーション成膜法を用いてＴ
ｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二層構造の膜を形成することに
より、ＴｉＯ2膜のみのものに比べてより高い光触媒性
をもった二酸化チタン膜が得られることを見出した。即
ち、チタン酸化物であるＴｉ2Ｏ3膜をＴｉＯ2膜の下地
にすることにより二酸化チタン膜の光触媒性が高くな
り、窒素酸化物等の有害ガスの分解、除去への利用が拡
大できる。
ｉ2Ｏ3膜とＴｉＯ2膜の二層構造の膜を形成することに
より、ＴｉＯ2膜のみのものに比べてより高い光触媒性
をもった二酸化チタン膜が得られることを見出した。即
ち、チタン酸化物であるＴｉ2Ｏ3膜をＴｉＯ2膜の下地
にすることにより二酸化チタン膜の光触媒性が高くな
り、窒素酸化物等の有害ガスの分解、除去への利用が拡
大できる。
【図１】 図１は、レーザアブレーション成膜法により
サファイア基板上に成膜したＴｉ2Ｏ3とＴｉＯ2の二層
膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。
サファイア基板上に成膜したＴｉ2Ｏ3とＴｉＯ2の二層
膜のＸ線回折（θ−２θ）図である。
【図２】 図２は、レーザアブレーション成膜法により
サファイア基板上に成膜した本発明によるＴｉ2Ｏ3とＴ
ｉＯ2の二層膜およびＴｉＯ2のみの膜の表面励起正孔量
測定結果を示す図である。
サファイア基板上に成膜した本発明によるＴｉ2Ｏ3とＴ
ｉＯ2の二層膜およびＴｉＯ2のみの膜の表面励起正孔量
測定結果を示す図である。
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フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｂ０１Ｊ 37/02 ３０１ Ｃ２３Ｃ 14/08 Ｅ
Ｃ０１Ｇ 23/04 14/28
Ｃ２３Ｃ 14/08 Ｃ３０Ｂ 29/16
14/28 Ｂ０１Ｄ 53/36 Ｊ
Ｃ３０Ｂ 29/16 １０２Ｄ
Ｆターム(参考） 4D048 AA06 AB03 BA07X BA41X
EA01
4G047 CA02 CB04 CC03 CD02 CD07
4G069 AA03 AA08 BA01A BA01B
BA04A BA04B BA48A BB04A
BB04B BC50A BC50B DA05
EA08 EC22Y EE06 FA01
FA02 FB01
4G077 AA03 BB04 DA03 ED06 EF03
HA20 SA04
4K029 AA04 BA48 BB02 BC07 CA01
DB20
Claims (2)
- 【請求項１】 サファイア基板上にエピタキシャル成長
したＴｉ2Ｏ3膜が形成され、更に前記Ｔｉ2Ｏ3膜の上に
エピタキシャル成長したＴｉＯ2膜が形成されたことを
特徴とする、光触媒酸化チタン膜。 - 【請求項２】 レーザアブレーション成膜法によりサフ
ァイア基板上にエピタキシャル成長させたＴｉ2Ｏ3膜を
形成し、更に前記Ｔｉ2Ｏ3膜の上にエピタキシャル成長
させたＴｉＯ2膜を形成することを特徴とする、光触媒
酸化チタン膜を製造する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001300852A JP4599547B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 二層構造の光触媒酸化チタン膜及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001300852A JP4599547B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | 二層構造の光触媒酸化チタン膜及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003103179A true JP2003103179A (ja) | 2003-04-08 |
| JP4599547B2 JP4599547B2 (ja) | 2010-12-15 |
Family
ID=19121358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| CN1330413C (zh) * | 2004-09-15 | 2007-08-08 | 上海师范大学 | TiO2光催化透明薄膜的制备方法 |
| CN112844348A (zh) * | 2019-11-28 | 2021-05-28 | 桂林理工大学 | 一种具有微纳米结构的TiO2纳米管阵列光阳极的制备方法 |
Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JP2001246265A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-11 | Toto Ltd | 光触媒を含有する層が表面に形成された基材及び、光触媒を含有する層を基材表面に形成する方法 |
| JP2001253007A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-18 | Toto Ltd | 機能性薄膜がコーティングされた製品の製造方法、及び機能性薄膜がコーティングされた製品 |
| JP2002031612A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Japan Atom Energy Res Inst | パルス光励起表面正孔量測定による光触媒性能評価法 |
| JP2003063892A (ja) * | 2001-08-29 | 2003-03-05 | Japan Atom Energy Res Inst | サファイア上に二酸化チタン粒子を周期配列させる方法 |
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2001
- 2001-09-28 JP JP2001300852A patent/JP4599547B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| JP2001246265A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-11 | Toto Ltd | 光触媒を含有する層が表面に形成された基材及び、光触媒を含有する層を基材表面に形成する方法 |
| JP2001253007A (ja) * | 2000-03-08 | 2001-09-18 | Toto Ltd | 機能性薄膜がコーティングされた製品の製造方法、及び機能性薄膜がコーティングされた製品 |
| JP2002031612A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Japan Atom Energy Res Inst | パルス光励起表面正孔量測定による光触媒性能評価法 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1330413C (zh) * | 2004-09-15 | 2007-08-08 | 上海师范大学 | TiO2光催化透明薄膜的制备方法 |
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