JP4883512B2 - 可視光応答型酸化チタン薄膜の作製方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光触媒薄膜を作製する方法に関するものであり、TiO2の光応答波長領域を変化させることにより光触媒反応効率を向上させようとするものである。
【0002】
【従来技術】
TiO2の光触媒効果とは、紫外線(波長400nm以下)照射されることによって表面で光化学反応が生じ、表面に接する有機物資や細菌等を分解、除菌する作用である。しかし太陽光の大部分は可視光(波長400nm以上)であるため、紫外線を必要とする酸化チタン光触媒は十分な分解効率が得られないという欠点があり、自然光下もしくは屋内照明下においても高効率な光触媒を形成する方法が望まれている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、TiO2に遷移金属を添加することで、TiO2の光応答領域をより可視光側へ拡張することにより、自然光下及び屋内照明下において高効率な光触媒薄膜を作製する方法を提供するものである。
【0004】
【課題を解決しようとするための手段】
本発明の可視光応答型TiO2薄膜の作製方法は、レーザー蒸着法により製膜した数10nmの遷移金属(Ta,Nb,Cr,Zr,W)層さらに数100nm程度のTiO2薄膜を堆積させ、熱処理により相互拡散させることで可視光応答性をもった混合相を形成させるものである。
【0005】
即ち、本発明は、遷移金属ターゲットをレーザー光により真空中で蒸発させて基板上に遷移金属薄膜を堆積させ、次に二酸化チタン(TiO2)ターゲットをレーザー光により低圧酸素雰囲気中で蒸発させて遷移金属薄膜上に二酸化チタン薄膜を堆積させ、その後これらの堆積膜層を温度500−800℃に加熱して遷移金属を二酸化チタン薄膜中に熱拡散させることにより、可視光応答型酸化チタン薄膜を作製する方法である。本発明で得られた可視光応答型酸化チタン薄膜は、その光応答波長範囲が600〜250nmであった。
【0006】
【発明の実施の形態】
TiO2の光触媒反応の可視光応答性を付与する目的で、種々(V,Cr,Ni,Cu,Zr,Nb,Mo,Ag,Ta,W)の金属元素をTiO2膜中に熱処理により添加することで試料を作成した。
【0007】
まず、レーザー蒸着法で、Al23などの平滑な単結晶基板の上に高真空度(10-6Torr以上)中で数10nmの金属薄膜を堆積させ、さらに低圧酸素雰囲気中(10m〜100mTorr)でTiO2薄膜を数100nm堆積させる。その後500〜800℃程度の熱処理により下部金属層を上部TiO2層に拡散させる。
【0008】
このように種々の金属を拡散させたTiO2薄膜の光伝導特性を測定すると、Ta,Nb,Cr,Zr,Wを添加した試料で可視光応答を示した。以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
【0009】
図1は、TiO2膜にTa,Nb,Cr,Zr,Wを拡散させたとき試料と、TiO2のみの試料に対する光伝導特性の波長依存性である。TiO2のみの試料は波長400nm付近から急激に光伝導度が減少するのに対して、これら金属を拡散させた試料は410〜600nm付近の長波長域においても著しく高い光伝導度を示していることがわかる。
【0010】
【実施例1】
1パルス当たり100mJ、繰り返し周波数10HzのYAGレーザー(波長532nm)を真空中に置いた金属タンタル(Ta)ターゲットに直径1mmに集光させて入射した。金属Taターゲットより5cmの距離に置いたα−AL23(0001)基板(10mm×10mm)を設置した。
【0011】
5分のレーザー照射で厚さ10nm程度のTaを基板上に堆積させ、次にターゲットを酸化チタンターゲットに変更し、1時間のレーザー照射で厚さ200nm程度のTiO2膜をTa膜上に堆積した。さらに800℃ 6時間、大気中で熱処理をしてTiO2膜中にTaを拡散させた。
【0012】
この試料の光伝導度の波長依存性を調査した。その結果、入射光600nm付近まで光応答を示し(図1中“TiO2/Ta”)、この領域は、バンドギャップが30eV以上である”TiO2のみ”では、通常光応答が観測されない領域である。
【0013】
【実施例2】
実施例1と同手法でその他、下部金属層としてCr,Ni,Cu,Zr,Nb,Mo,Ag,Wを用いて試料を作成し、光伝導度の入射光依存性を測定した。金属層を下部に持たないTiO2薄膜(図中“TiO2のみ”)と比較して、そのうちNb,Cr,Zr,Wを拡散させた薄膜において、特に長波長側(410〜600nm)で大幅に光伝導度が上昇した。
【0014】
その結果を図1に示す。光伝導度の増加量は金属を添加しなかったTiO2と比較して、波長50nmにおいてNb(約12万倍)、Cr(約16万倍)、Zr(2500倍)、W(880倍)であった。
【0015】
【発明の効果】
可視光応答型のTiO2は、本来紫外光(波長400nm以下)が必要だった光触媒反応が可視光域(〜600nm)においてもその活性が期待できる。これは、太陽光スペクトラムをその光源として仮定した場合、反応に利用できる光量が飛躍的に増大(数十倍以上)することを意味しており、大幅に触媒効率が上昇することを意味している。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、TiO2膜にTa,Nb,Cr,Zr,Wを拡散させたとき試料と、TiO2のみの試料に対する光伝導特性の波長依存性である。

Claims (2)

  1. レーザー蒸着法により、基板上に遷移金属の薄膜を堆積させ、次に当該遷移金属の薄膜上に二酸化チタン薄膜を堆積させ、その後これらの堆積膜を加熱して該二酸化チタン薄膜に遷移金属を熱拡散させることで、可視光応答型酸化チタン薄膜を作製する方法。
  2. 前記光応答波長が600〜250nmであることを特徴とする請求項1記載の可視光応答型酸化チタン薄膜の作製方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE102004002946A1 (de) * 2004-01-21 2005-08-11 Forschungszentrum Jülich GmbH Schutzschicht für eine aluminiumhaltige Legierung für den Einsatz bei hohen Temperaturen, sowie Verfahren zur Herstellung einer solchen Schutzschicht
JP3944584B2 (ja) * 2004-01-23 2007-07-11 国立大学法人東北大学 コバルトドープ二酸化チタン膜の作製方法、コバルトドープ二酸化チタン膜、及び多層膜構造
US7901660B2 (en) 2005-12-29 2011-03-08 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Quaternary oxides and catalysts containing quaternary oxides
WO2008005055A2 (en) 2005-12-29 2008-01-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Nanoparticles containing titanium oxide
JP5614676B2 (ja) * 2010-02-17 2014-10-29 住友化学株式会社 アナターゼ型酸化チタン分散液およびその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4913158B1 (ja) * 1970-08-13 1974-03-29
JPH01280382A (ja) * 1988-04-30 1989-11-10 Sumitomo Electric Ind Ltd 超電導体層を有する半導体基板
JPH06260131A (ja) * 1992-05-19 1994-09-16 Fujitsu Ltd プラズマドーピング装置及びプラズマドーピング方法
JP3844823B2 (ja) * 1996-01-22 2006-11-15 財団法人石油産業活性化センター 光触媒、光触媒の製造方法および光触媒反応方法
JPH1192176A (ja) * 1997-07-22 1999-04-06 Bridgestone Corp 光触媒膜及びその作製方法
JP3704258B2 (ja) * 1998-09-10 2005-10-12 松下電器産業株式会社 薄膜形成方法

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