JP6001261B2 - 圧電基板の製造方法 - Google Patents
圧電基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6001261B2 JP6001261B2 JP2011269655A JP2011269655A JP6001261B2 JP 6001261 B2 JP6001261 B2 JP 6001261B2 JP 2011269655 A JP2011269655 A JP 2011269655A JP 2011269655 A JP2011269655 A JP 2011269655A JP 6001261 B2 JP6001261 B2 JP 6001261B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxygen
- piezoelectric substrate
- heat treatment
- processing chamber
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
・熱処理温度:590℃
・昇温速度:10℃/min
・熱処理時間:15時間
・圧力:大気圧
・降温速度:10℃/min
・キャリアガス:窒素
・ガス流量:200sccm
・酸素分圧:1atm(低酸素雰囲気処理なし)、1.0×10−6atm、1.0×10−16atm、2.0×10−22atm、1.0×10−23atm、1.0×10−25atm、7.0×10−26atm
101 酸素ポンプ
102 循環機器
103 制御部
104、105 酸素センサ
Claims (6)
- 圧電基板の導電率を向上させる熱処理工程を有する圧電基板の製造方法であって、
前記熱処理工程は、酸素分圧が1×10−22atm以下の不活性ガスを供給し、且つ10kPa〜常圧の雰囲気下の処理室内で前記圧電基板のキュリー温度未満の温度で前記圧電基板に熱処理を行う工程であり、前記不活性ガスを、酸素を除去する酸素ポンプを介して前記処理室内に供給するとともに、前記処理室から排出される前記不活性ガス中の酸素濃度を酸素センサで測定し、前記圧電基板から放出される酸素濃度が所定値以下となった場合に、前記熱処理工程を終了するように制御することを特徴とする圧電基板の製造方法。 - 前記圧電基板が、タンタル酸リチウム基板であり、前記熱処理の温度が550℃〜590℃で行うことを特徴とする請求項1に記載の圧電基板の製造方法。
- 前記熱処理工程が常圧で行われることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の圧電基板の製造方法。
- 前記不活性ガスが、窒素ガス又はアルゴンガスであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の圧電基板の製造方法。
- 前記処理室に供給される不活性ガスと前記処理室から排出される不活性ガスが、前記酸素ポンプを介して循環し、前記処理室内に供給する前記不活性ガス中の酸素濃度を第1の酸素センサで測定し、前記処理室から排出される前記不活性ガス中の酸素濃度を第2の酸素センサで測定し、前記第1の酸素センサと前記第2の酸素センサの測定結果に基づき、前記酸素ポンプを制御することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の圧電基板の製造方法。
- 前記圧電基板に対して単一分極化するポーリング処理工程をさらに有し、前記ポーリング処理工程の後に前記熱処理工程を行うことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の圧電基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011269655A JP6001261B2 (ja) | 2011-12-09 | 2011-12-09 | 圧電基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011269655A JP6001261B2 (ja) | 2011-12-09 | 2011-12-09 | 圧電基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013120917A JP2013120917A (ja) | 2013-06-17 |
JP6001261B2 true JP6001261B2 (ja) | 2016-10-05 |
Family
ID=48773407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011269655A Active JP6001261B2 (ja) | 2011-12-09 | 2011-12-09 | 圧電基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6001261B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7049886B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2022-04-07 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4492291B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2010-06-30 | 住友金属鉱山株式会社 | ニオブ酸リチウム基板の製造方法 |
CN1765050A (zh) * | 2004-03-18 | 2006-04-26 | 株式会社村田制作所 | 声表面波器件 |
JP4482761B2 (ja) * | 2005-05-19 | 2010-06-16 | 信越化学工業株式会社 | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 |
JP4765423B2 (ja) * | 2005-06-14 | 2011-09-07 | エプソントヨコム株式会社 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
JP4924818B2 (ja) * | 2007-02-22 | 2012-04-25 | 住友金属鉱山株式会社 | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
KR101374303B1 (ko) * | 2009-11-26 | 2014-03-14 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 압전 디바이스 및 압전 디바이스의 제조방법 |
JP2011178627A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Canon Machinery Inc | 酸素分圧制御装置 |
-
2011
- 2011-12-09 JP JP2011269655A patent/JP6001261B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013120917A (ja) | 2013-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3938147B2 (ja) | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 | |
KR101701629B1 (ko) | 에피택셜 웨이퍼를 제조하기 위한 리액터의 재가동 준비 방법 | |
TW201230178A (en) | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and apparatus for manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
JP4776575B2 (ja) | 表面処理方法、エッチング処理方法および電子デバイスの製造方法 | |
CN113519040A (zh) | 单晶硅的电阻率测定方法 | |
GB2214468A (en) | Plasma etching process for mos circuit pregate etching utilizing a multi-step power reduction recipe | |
JP6001261B2 (ja) | 圧電基板の製造方法 | |
JP6238478B2 (ja) | タンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法 | |
CN109477242B (zh) | 压电基板以及表面声波器件 | |
JP2011071361A (ja) | プラズマエッチング装置用シリコン製部品の再生方法及びプラズマエッチング装置用シリコン製部品 | |
WO2012144161A1 (ja) | シリコン芯線の製造方法 | |
JPH06188163A (ja) | 半導体装置作製用SiC単結晶基板とその製造方法 | |
JP6256955B2 (ja) | タンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法 | |
JP2019112267A (ja) | タンタル酸リチウム基板の製造方法 | |
JP7087765B2 (ja) | タンタル酸リチウム基板の製造方法 | |
JP6926022B2 (ja) | 結晶の製造方法 | |
KR20160003007A (ko) | 플루오린화수소산과 질산의 혼합물을 정제하기 위한 역삼투 | |
JP7254437B2 (ja) | シリコン部品を調整するための方法 | |
JP6959886B2 (ja) | 結晶の製造方法 | |
JP2004328712A (ja) | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 | |
JP2009188348A5 (ja) | ||
JP4482761B2 (ja) | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 | |
CN111267246A (zh) | 一种晶棒切片装置和方法 | |
JP4596149B2 (ja) | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 | |
JP2005328499A (ja) | 表面弾性波素子用タンタル酸リチウム基板の製造方法とその基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141023 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150806 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150818 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151015 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160802 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160901 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6001261 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |