JP2013120917A - 圧電基板の製造方法 - Google Patents
圧電基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013120917A JP2013120917A JP2011269655A JP2011269655A JP2013120917A JP 2013120917 A JP2013120917 A JP 2013120917A JP 2011269655 A JP2011269655 A JP 2011269655A JP 2011269655 A JP2011269655 A JP 2011269655A JP 2013120917 A JP2013120917 A JP 2013120917A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piezoelectric substrate
- heat treatment
- oxygen
- substrate
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
【解決手段】圧電基板の導電率を向上させる熱処理工程を有する圧電基板の製造方法において、熱処理工程として、酸素分圧が1×10−22atm以下の不活性ガスを供給し、且つ10kPa〜常圧の雰囲気下の処理室内で、圧電基板のキュリー温度未満の温度で圧電基板に熱処理を行う。また、圧電基板として、タンタル酸リチウム基板を適用し、熱処理の温度を550℃〜590℃で行うことができる。
【選択図】図1
Description
・熱処理温度:590℃
・昇温速度:10℃/min
・熱処理時間:15時間
・圧力:大気圧
・降温速度:10℃/min
・キャリアガス:窒素
・ガス流量:200sccm
・酸素分圧:1atm(低酸素雰囲気処理なし)、1.0×10−6atm、1.0×10−16atm、2.0×10−22atm、1.0×10−23atm、1.0×10−25atm、7.0×10−26atm
101 酸素ポンプ
102 循環機器
103 制御部
104、105 酸素センサ
Claims (6)
- 圧電基板の導電率を向上させる熱処理工程を有する圧電基板の製造方法であって、
前記熱処理工程は、酸素分圧が1×10−22atm以下の不活性ガスを供給し、且つ10kPa〜常圧の雰囲気下の処理室内で前記圧電基板のキュリー温度未満の温度で前記圧電基板に熱処理を行うことを特徴とする圧電基板の製造方法。 - 前記圧電基板が、タンタル酸リチウム基板であり、前記熱処理の温度が550℃〜590℃で行うことを特徴とする請求項1に記載の圧電基板の製造方法。
- 前記熱処理工程が常圧で行われることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の圧電基板の製造方法。
- 前記不活性ガスが、窒素ガス又はアルゴンガスであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の圧電基板の製造方法。
- 前記処理室に供給される不活性ガスと前記処理室から排出される不活性ガスが、酸素を除去する酸素ポンプを介して循環することを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の圧電基板の製造方法。
- 前記圧電基板に対して単一分極化するポーリング処理工程をさらに有し、前記ポーリング処理工程の後に前記熱処理工程を行うことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の圧電基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011269655A JP6001261B2 (ja) | 2011-12-09 | 2011-12-09 | 圧電基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011269655A JP6001261B2 (ja) | 2011-12-09 | 2011-12-09 | 圧電基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013120917A true JP2013120917A (ja) | 2013-06-17 |
JP6001261B2 JP6001261B2 (ja) | 2016-10-05 |
Family
ID=48773407
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011269655A Active JP6001261B2 (ja) | 2011-12-09 | 2011-12-09 | 圧電基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6001261B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019172518A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005179177A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-07-07 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ニオブ酸リチウム基板およびその製造方法 |
WO2005091500A1 (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
JP2006321683A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 |
JP2006352377A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
JP2008201641A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
WO2011065317A1 (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-03 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
JP2011178627A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Canon Machinery Inc | 酸素分圧制御装置 |
-
2011
- 2011-12-09 JP JP2011269655A patent/JP6001261B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005179177A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-07-07 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ニオブ酸リチウム基板およびその製造方法 |
WO2005091500A1 (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性表面波装置 |
JP2006321683A (ja) * | 2005-05-19 | 2006-11-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 |
JP2006352377A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Epson Toyocom Corp | 弾性表面波デバイスとその製造方法 |
JP2008201641A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-09-04 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 |
WO2011065317A1 (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-03 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
JP2011178627A (ja) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Canon Machinery Inc | 酸素分圧制御装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019172518A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
JP7049886B2 (ja) | 2018-03-29 | 2022-04-07 | 京セラ株式会社 | 結晶の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6001261B2 (ja) | 2016-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3938147B2 (ja) | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 | |
WO2005014898A1 (ja) | ウエーハの製造方法 | |
JP6238478B2 (ja) | タンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法 | |
JP6001261B2 (ja) | 圧電基板の製造方法 | |
JP2019112267A (ja) | タンタル酸リチウム基板の製造方法 | |
JP7087765B2 (ja) | タンタル酸リチウム基板の製造方法 | |
JP7205694B2 (ja) | ニオブ酸リチウム基板の製造方法 | |
US20150064925A1 (en) | Deposit removing method and gas processing apparatus | |
JP2012224499A (ja) | シリコン芯線の製造方法 | |
JP6926022B2 (ja) | 結晶の製造方法 | |
JP4482761B2 (ja) | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 | |
JP5820917B2 (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
JP2003007686A (ja) | シリコン製ヒータおよびこれを用いた半導体製造装置 | |
JP4596149B2 (ja) | タンタル酸リチウム結晶の製造方法 | |
JP6959886B2 (ja) | 結晶の製造方法 | |
CN107546109A (zh) | 一种利用氢等离子体去除在硅衬底上制备的金刚石窗口的表面碳化硅的方法 | |
KR20160003007A (ko) | 플루오린화수소산과 질산의 혼합물을 정제하기 위한 역삼투 | |
JP2018080088A (ja) | タンタル酸リチウム単結晶基板の製造方法及びそのタンタル酸リチウム単結晶基板 | |
JP2004328712A (ja) | タンタル酸リチウム基板およびその製造方法 | |
JP2005328499A (ja) | 表面弾性波素子用タンタル酸リチウム基板の製造方法とその基板 | |
JP2009188348A5 (ja) | ||
JP4195884B2 (ja) | 酸化物強誘電体結晶の処理方法 | |
JP2007176715A (ja) | タンタル酸リチウム基板の製造方法 | |
JP7254437B2 (ja) | シリコン部品を調整するための方法 | |
JP7049886B2 (ja) | 結晶の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141023 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150806 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150818 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151015 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160802 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160901 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6001261 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |