JP7049886B2

JP7049886B2 - 結晶の製造方法

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Publication number: JP7049886B2
Application number: JP2018063573A
Authority: JP
Inventors: 真司井上; 修三岩下; 浩之山路; 久雄近藤
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2018-03-29
Filing date: 2018-03-29
Publication date: 2022-04-07
Anticipated expiration: 2038-03-29
Also published as: JP2019172518A

Description

本開示は、結晶の製造方法に関する。

結晶として、リチウム（Ｌｉ）を含む金属化合物の結晶が知られている。リチウムを含む金属化合物の結晶として、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ₃：以下、「ＬＴ」ということがある。）結晶またはニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ₃）結晶等が知られており、これらは各種の電子デバイス用の圧電基板として広く利用されている。電子デバイスとしては、例えば、弾性表面波（ＳｕｒｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉｃＷａｖｅ：以下、「ＳＡＷ」ということがある。）の電気特性を利用して信号処理を行うＳＡＷデバイス等が挙げられる。ＳＡＷデバイスは、例えば、ＬＴ結晶等からなる圧電基板の上にフォトリソグラフ法により形成された金属パターンからなる電極が設けられた構造となっている。

ところで、ＬＴ結晶等からなる圧電基板は、焦電係数が大きく、抵抗が高いという特性を有しており、わずかな温度変化でも表面に電荷が発生し易く、しかも、一旦発生した電荷は蓄積されて外部から除電処理を施さない限り帯電状態が続いてしまう。そのため、ＬＴ結晶等から基板（ウエハー）を作製する過程では、静電気放電（スパーク）により基板の表面やエッジに欠けやチッピングが生じ易く、生産性が低くなるという問題があった。

また、ＳＡＷデバイスの製造工程では、電極薄膜の形成や、フォトリソグラフィでのプリベイクおよびポストベイク等のいくつかの温度変化をともなう工程がある。そのため、ＬＴ結晶等を圧電基板として用いる場合には、ＳＡＷデバイスの製造過程において、圧電基板における静電気の発生が問題となる。圧電基板が帯電すると、圧電基板内で静電気放電が生じ、クラックや割れの原因となる。また、形成された電極が、静電気によりショートするおそれもある。

上述した圧電基板の放電による問題を解決する方法として、圧電基板の表面の導電率を高くする方法が種々提案されている。圧電基板の表面の導電率を高くすると、圧電基板の表面に生じた電荷が基板の表面や内部を移動するようになるため、基板の表面や内部における電位差を緩和して局所的な電荷の蓄積による放電現象を抑制することができる。

従来からＬＴ結晶等からなる圧電基板の表面の導電率を高くする方法として、熱処理により圧電基板に還元処理を行う方法が提案されている（例えば、特許文献１～５を参照）。通常、ＬＴ結晶等の導電率は、結晶内に存在する酸素空孔濃度によって変化する。ＬＴ結晶等の内部に酸素空孔ができると、一部のタンタル（Ｔａ）イオンの価数が５＋から４＋に変化し、電気伝導性を生じる。そのため、従来法（特許文献１～５等）では、還元雰囲気下で熱処理を行うことにより酸素空孔濃度を増加させ、ＬＴ結晶等からなる圧電基板の導電率を向上させる試みがなされている。

特開平１１－９２１４７号公報特許第３８１６９０３号公報特開２０１０－１７３８６４号公報特許第４９３７１７８号公報特許第４７８９２８１号公報

本開示の結晶の製造方法は、酸化ケイ素と金属とを、リチウムを含む金属化合物の結晶と同じ空間に配置し、前記結晶を熱処理する。

図１は、本開示の第１実施形態に係る結晶の製造方法を示す概略図である。図２は、本開示の第２実施形態に係る結晶の製造方法を示す概略図である。

（第１実施形態）
以下、本開示の第１実施形態に係る結晶の製造方法を詳細に説明する。以下の説明では、リチウムを含む金属化合物の結晶として、金属化合物がＬＴであるＬＴ結晶を代表させて説明する。

本実施形態の結晶の製造方法は、図１に示すように、酸化ケイ素３（拡散物質）と金属４（拡散物質）とを、未処理（熱処理前）のＬＴ結晶１と同じ空間Ｓに配置し、ＬＴ結晶１を熱処理する。このような状態でＬＴ結晶１を熱処理すれば、還元された酸化ケイ素３の還元力と金属４の還元力との相乗効果によって、導電率を短時間で向上させることができる。また、ＬＴ結晶１を複数熱処理するときは、導電率を均一に制御することもできる。したがって、本実施形態によれば、簡便に焦電荷を中和するための導電率を短時間で均一に制御することができる。得られる熱処理後のＬＴ結晶２によれば、焦電効果によって発生した焦電荷を中和してスパーク等による破損やデバイスの不良を抑制することができ、圧電基板の作製やＳＡＷデバイスの製造工程等における歩留りの低下を低減することができる。また、ＬＴ結晶２からなる圧電基板は、基板間での導電率のばらつきが小さく、それゆえ、ＳＡＷデバイス（ＳＡＷフィルタ）を形成したときのＳＡＷ速度のばらつきを抑制でき、その結果、特性均一性の高いＳＡＷデバイスを提供することもできる。

熱処理後のＬＴ結晶２の導電率は、例えば、１×１０^-13Ｓ／ｃｍ以上１×１０^-9Ｓ／ｃｍ以下である。導電率は、例えば、ＴＯＡ製のＤＳＭ－８１０３を用いて印加電圧５００Ｖ、温度２５℃、湿度５０％、３端子法で測定して得られる値である。

酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）３としては、特に限定されるものではなく、所望のものを使用することができる。酸化ケイ素３の形態は、例えば、粉状等であってもよい。

金属４は、タンタル（Ｔａ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、ケイ素（Ｓｉ）、カリウム（Ｋ）および亜鉛（Ｚｎ）から選ばれる少なくとも１種であってもよい。金属４の形態は、例えば、粉状等であってもよい。

酸化ケイ素３および金属４は、混合物の状態で配置してもよいし、混合せずに別々の状態で配置してもよい。本実施形態では、酸化ケイ素３および金属４を混合物の状態で配置している。酸化ケイ素３および金属４を混合物の状態で配置すると、同時処理で得られる熱処理後のＬＴ結晶２の導電率を結晶内および結晶間でより均一で、且つ、再現良く処理できる。

酸化ケイ素３および金属４は、ＬＴ結晶１の近傍に配置してもよい。具体的には、酸化ケイ素３および金属４は、ＬＴ結晶１との距離が、２０ｍｍ以下となるように配置してもよい。また、酸化ケイ素３および金属４は、ＬＴ結晶１と接するように配置してもよい。

ＬＴ結晶１は、単結晶であってもよい。すなわち、リチウムを含む金属化合物の結晶は、リチウムを含む金属化合物の単結晶であってもよい。

ＬＴ結晶１の形態は、例えば、基板状等であってもよい。本実施形態では、ＬＴ結晶１の形態が基板状であり、基板状のＬＴ結晶１を複数積層した状態で熱処理する。基板状のＬＴ結晶１（圧電基板）は、例えば、チョクラルスキー法でＬＴの単結晶棒を育成し、これをスライスすることで得ることができる。基板状のＬＴ結晶１の厚さは、例えば、０．２ｍｍ以上１ｍｍ以下程度であるが、これに限定されない。なお、上述のようにＬＴ結晶１を複数熱処理するとき、その数は、例えば、２以上２００以下であってもよい。

空間Ｓは、例えば、容器の内部であってもよい。言い換えれば、酸化ケイ素３と金属４とを、ＬＴ結晶１とともに容器の内部に収容して密封し、ＬＴ結晶１を熱処理してもよい。本実施形態の空間Ｓは、密封可能な容器１２の内部である。容器１２の材質としては、例えば、ステンレス（ＳＵＳ３１６）または石英等が挙げられる。なお、空間Ｓは、例えば、炉の内部であってもよい。言い換えれば、酸化ケイ素３と金属４とを、ＬＴ結晶１とともに炉の内部に配置し、ＬＴ結晶１を熱処理してもよい。本実施形態の炉は、外周にヒータ１１を備える炉心管１０である。

熱処理の条件は、例えば、次のように設定してもよい。雰囲気は、窒素、アルゴンおよび水素から選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。処理温度は、キュリー温度以下であってもよい。また、処理温度は、５００℃以上であってもよい。保持時間は、１０分以上であってもよい。また、保持時間は、１０時間以下であってもよい。昇温速度は、３０℃／時間以上４００℃／時間以下であってもよい。降温速度は、３０℃／時間以上４００℃／時間以下であってもよい。圧力は、大気圧であってもよい。

熱処理後のＬＴ結晶２は、例えば、ＳＡＷデバイス用の圧電基板として使用することができる。ＳＡＷデバイスは、例えば、ＬＴ結晶２からなり表面を鏡面研磨した圧電基板と、この圧電基板の表面に形成された電極とを備え、特定周波数の電気信号を選択的に取り出すフィルタとして使用される。電極は、通常、微細な櫛形電極であり、圧電基板の表面にアルミニウム等からなる電極薄膜を形成し、この電極薄膜をフォトリソグラフィにより所定形状の電極とすることで製造される。具体的には、まず、ＬＴ結晶２からなる圧電基板の表面を鏡面研磨する。次に、この表面にスパッタリング法等により電極薄膜を形成する。次に、フォトレジストである有機樹脂を塗布して高温下でプリベイクし、ステッパー等により露光して電極膜のパターンニングを行う。そして、高温下でのポストベイクの後に現像してフォトレジストを溶解し、最後にウエットまたはドライエッチングを施して所定形状の電極を形成する。得られるＳＡＷデバイスは、携帯電話に代表される移動体通信や映像メディア機器において、高周波フィルタ等に好適に使用される。

本実施形態では、リチウムを含む金属化合物の結晶として、ＬＴ結晶を代表させて説明したが、ＬＴ結晶に代えて、金属化合物がニオブ酸リチウム（以下、「ＬＮ」ということがある。）であるＬＮ結晶を、ＬＴ結晶と同様にして熱処理してもよい。また、ＬＴ結晶およびＬＮ結晶以外の他のリチウムを含む金属化合物の結晶を、ＬＴ結晶と同様にして熱処理してもよい。

（第２実施形態）
次に、本開示の第２実施形態に係る結晶の製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下の説明では、第１実施形態と相違する部分を中心として説明する。そのため、第１実施形態と同様の部分については第１実施形態における説明を援用し、説明を省略する。

本実施形態では、図２に示すように、容器１２（埋没容器）の内部に、基板状のＬＴ結晶１を複数積層した状態で収容するとともに、酸化ケイ素３および金属４をそれぞれ粉状（埋没粉）の形態であって混合物の状態で収容して密封する。このとき、隣り合うＬＴ結晶１の間に酸化ケイ素３および金属４の混合物が充填されるように、各ＬＴ結晶１を混合物に埋没させる。そして、この状態でＬＴ結晶１を熱処理する。このような状態でＬＴ結晶１を熱処理しても、第１実施形態と同様のＬＴ結晶２を得ることができる。なお、本実施形態の空間Ｓは、密封可能な容器１２の内部である。

以下、実施例を挙げて本開示の実施形態の１つを具体的に説明するが、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
まず、チョクラルスキー法で直径約１００ｍｍのＬＴの単結晶棒を育成した。次に、得られたＬＴの単結晶棒に外周研削、スライスを行い、厚さ２２０μｍの基板状のＬＴ結晶を得た。次に、粉状の酸化ケイ素とマグネシウムを等量混合して混合物を得、この混合物をＬＴ結晶とともにステンレス（ＳＵＳ３１６）製の容器に挿入し、蓋をして密封し、石英製の炉心管の内部に配置した（図１参照）。このとき、混合物は、ＬＴ結晶の近傍に配置した。具体的には、混合物は、ＬＴ結晶との距離が５ｍｍとなるように配置した。

そして、以下の条件でＬＴ結晶を熱処理した。
雰囲気：水素１％含有窒素ガス雰囲気
処理温度：５８０℃
保持時間：５時間
昇温速度：１５０℃／時間
降温速度：１５０℃／時間
圧力：大気圧

（実施例２）
上述した実施例１と同様にして基板状のＬＴ結晶を得た。次に、粉状の酸化ケイ素と亜鉛を等量混合して混合物を得、２０枚の基板状のＬＴ結晶と混合物をステンレス（ＳＵＳ３１６）製の容器に挿入し、蓋をして密封し、石英製の炉心管の内部に配置した（図２参照）。このとき、隣り合うＬＴ結晶の間に混合物が充填されるように各ＬＴ結晶を混合物に埋没させた。そして、上述した実施例１と同様にしてＬＴ結晶を熱処理した。

（実施例３）
導電率の度合いを調べるために、実施例１と同様にしてＬＴ結晶のみを熱処理した。

実施例１～３で得た熱処理後のＬＴ結晶の導電率を測定した。導電率は、ＴＯＡ製のＤＳＭ－８１０３を用いて印加電圧５００Ｖ、温度２５℃、湿度５０％、３端子法で測定した。測定結果は、以下のとおりである。なお、実施例２の測定結果は、平均値である。
実施例１：４．９×１０^-12Ｓ／ｃｍ
実施例２：２．７×１０^-11Ｓ／ｃｍ
実施例３：１．３×１０^-14Ｓ／ｃｍ

１・・・未処理のタンタル酸リチウム結晶
２・・・熱処理後のタンタル酸リチウム結晶
３・・・酸化ケイ素
４・・・金属
１０・・・炉心管
１１・・・ヒータ
１２・・・容器
Ｓ・・・空間

Claims

リチウムを含む金属化合物の結晶に対して還元力を有する金属と酸化ケイ素とを混合物の状態で、前記結晶と同じ空間に配置し、前記結晶を、窒素、アルゴンおよび水素から選ばれる少なくとも１種を含む雰囲気で５００℃以上キュリー温度以下の処理温度で熱処理することを特徴とする結晶の製造方法。
リチウムを含む金属化合物の結晶に対して還元力を有する金属と粉状の酸化ケイ素とを、前記結晶と同じ空間に配置し、前記結晶を、窒素、アルゴンおよび水素から選ばれる少なくとも１種を含む雰囲気で５００℃以上キュリー温度以下の処理温度で熱処理することを特徴とする結晶の製造方法。
前記金属が、タンタル、鉄、タングステン、モリブデン、コバルト、ニッケル、マグネシウム、チタン、ケイ素、カリウムおよび亜鉛から選ばれる少なくとも１種である請求項１または２に記載の結晶の製造方法。
前記結晶が、リチウムを含む金属化合物の単結晶である請求項１～３のいずれかに記載の結晶の製造方法。
前記金属化合物が、タンタル酸リチウムである請求項１～４のいずれかに記載の結晶の製造方法。
前記金属化合物が、ニオブ酸リチウムである請求項１～４のいずれかに記載の結晶の製造方法。
前記結晶を複数熱処理する請求項１～６のいずれかに記載の結晶の製造方法。
前記金属が、マグネシウムまたは亜鉛である請求項１～７のいずれかに記載の結晶の製造方法。