JP6999498B2 - 結晶の製造方法および導電率の制御方法 - Google Patents
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Description
(第1実施形態)
以下、本開示の第1実施形態に係る結晶の製造方法を詳細に説明する。以下の説明では、リチウムを含む金属化合物の結晶として、金属化合物がLTであるLT結晶を代表させて説明する。
次に、本開示の第2実施形態に係る結晶の製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下の説明では、第1実施形態と相違する部分を中心として説明する。そのため、第1実施形態と同様の部分については第1実施形態における説明を援用し、説明を省略する。この点は、後述する導電率の制御方法においても同様である。
以下、本開示の実施形態に係る導電率の制御方法を詳細に説明する。以下の説明では、リチウムを含む金属化合物の結晶として、金属化合物がLTであるLT結晶を代表させて説明する。
その他の構成は、上述した結晶の製造方法と同様である。
雰囲気:窒素ガス雰囲気(非酸化雰囲気)
処理温度:550℃
保持時間:1時間
昇温速度:150℃/時間
降温速度:150℃/時間
圧力:大気圧
2・・・熱処理後のタンタル酸リチウム結晶
3・・・炭酸水素カリウム
4・・・チタン
5・・・鉄
10・・・炉心管
11・・・ヒータ
12・・・容器
S・・・空間
Claims (12)
- 炭酸水素カリウムと、チタンおよび鉄のうち少なくとも一方とを、リチウムを含む金属酸化物の結晶と同じ空間に配置し、前記結晶を非酸化雰囲気下で還元熱処理することを特徴とする結晶の製造方法。
- 前記チタンおよび前記鉄の比率が、質量比[チタン/(チタン+鉄)]で0.45よりも大きく1.00以下である請求項1に記載の結晶の製造方法。
- 前記還元熱処理後の結晶の導電率が、1×10-13S/cm以上1×10-9S/cm以下である請求項2に記載の結晶の製造方法。
- 前記非酸化雰囲気が、窒素、アルゴンおよび水素から選ばれる少なくとも1種を含む請求項1~3のいずれかに記載の結晶の製造方法。
- 前記還元熱処理における温度が、キュリー温度以下である請求項1~4のいずれかに記載の結晶の製造方法。
- 前記還元熱処理における温度が、500℃以上である請求項5に記載の結晶の製造方法。
- 前記結晶が、リチウムを含む金属酸化物の単結晶である請求項1~6のいずれかに記載の結晶の製造方法。
- 前記金属酸化物は焦電性を有する請求項1~7のいずれかに記載の結晶の製造方法。
- 前記金属酸化物が、タンタル酸リチウムである請求項8に記載の結晶の製造方法。
- 前記金属酸化物が、ニオブ酸リチウムである請求項8に記載の結晶の製造方法。
- 前記結晶を複数回、還元熱処理する請求項1~10のいずれかに記載の結晶の製造方法。
- 炭酸水素カリウムと、チタンおよび鉄のうち少なくとも一方とを、リチウムを含む金属酸化物の結晶と同じ空間に配置し、前記結晶を非酸化雰囲気下で還元熱処理する工程を備え、
前記チタンおよび前記鉄の比率を変化させて前記還元熱処理後の結晶の導電率を制御する導電率の制御方法。
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