JP4482761B2 - タンタル酸リチウム結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
LTウェハ作製を次の通り行った。表面法線に対してy方向に36゜回転して配向された直径100mm、長さ50mmのタンタル酸リチウム結晶を、チョクラルスキー法及び常用の二次加工法を使用することにより得た(以後、LT結晶と記す)。このLT結晶を切断し、ラップ加工を行い、厚さ0.4mmの両面ラップウェハを得た(以後、このウェハをLTラップウェハと記す)。LTラップウェハの片面を研磨し、厚さ0.35mmのウェハを得た(以後、このウェハをLTポリッシュウェハと記す)。このウェハは、無色で半透明であった。
上記LTラップウェハを、表1の各ガスが毎分約10リットルの速度で流通する封止された炉中に置いた。炉の概要を図1に示す。
ρ=(πd2/4t)・R
ρ:体積抵抗率(Ω・cm)
π:円周率
d:中心電極直径(cm)
t:LTウェハ厚さ(cm)
R:抵抗値(Ω)
抵抗値は、試料に500ボルトの電圧を印加し、電圧を印加してから1分後の抵抗値を測定した。
12 ガス供給口
13 ガス排出口
14 キャップ
15 アルミナ担体
16 LTラップウェハ
17 容器
18 マグネシウム、カルシウム、アルミニウム、リチウム、水素化マグネシウム、水素化アルミニウム又は水素化リチウム
Claims (5)
- タンタル酸リチウム結晶をマグネシウム、リチウム、水素化マグネシウム、水素化アルミニウム、水素化リチウムから選ばれる1種又は2種以上の物質と共に400〜600℃の範囲の温度Tで非酸化雰囲気中にさらすことを特徴とする導電率が増加したタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 水素、一酸化炭素、一酸化二窒素、希ガス、窒素、二酸化炭素から選ばれる1種又は2種以上の混合ガスを含む非酸化性ガス中で行うことを特徴とする請求項1記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 処理すべきタンタル酸リチウム結晶として、単一分極化された結晶を用いることを特徴とする請求項1又は2記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 前記単一分極化された結晶として、スライス処理及び/又はラップ処理が行われたウェハを用いることを特徴とする請求項3記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
- 前記単一分極化された結晶として、スライス前段階の結晶を用いることを特徴とする請求項3記載のタンタル酸リチウム結晶の製造方法。
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