JP7344217B2 - アルカリ金属に基づく強誘電体材料の薄層を作製するためのプロセス - Google Patents
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Description
作製するためのプロセスに関する。より詳細には、本発明は最終製品の薄層内の強誘電体材料のシングルドメイン特性を維持または確立することを可能にする、作製プロセスに関する。この作製プロセスは、例えばマイクロエレクトロニクス、マイクロメカニクス、フォトニクスなどの分野の用途に使用される。
本発明の1つの目的は、アルカリ金属に基づきおよびシングルドメインである強誘電体材料の薄層を作製するためのプロセスを提供することである。
この目的を達成するために、本発明の主題は、脆性平面を生成するために原子種をドナー基板に注入することを含む転写技術を使用してドナー基板からキャリア基板に転写された、決定されたキュリー温度を示すアルカリ金属に基づく強誘電体材料からなる薄層を作製するプロセスを提供し、薄層は第1の自由面およびキャリア基板上に配置された第2の面を有する。
-注入される原子種は水素イオンおよび/またはヘリウムイオンである。
-転写技術は、ドナー基板をキャリア基板に接合すること、および脆化平面のレベルで薄層を分離することを含む。
-プロトンの薄層への導入は、プロトン交換によって達成される。
-プロトン交換は、少なくとも薄層を、安息香酸の浴に典型的には200~300℃の温度で10分から30時間浸漬することによって行われる。
-プロトンの薄層への導入は、イオン注入またはプラズマ注入によって達成される。
-第1の熱処理は30分から10時間の期間行われる。
-第1および第2の熱処理は、酸化性または中性雰囲気下で行われる。
-第2の熱処理は、決定されたキュリー温度から100℃低い、好ましくは50℃低いまたは10℃低い温度で、および30分から10時間の期間行われる。
-薄層を作製するプロセスは、薄層の第1の面に適用される研磨ステップを備える。
-第1の熱処理後に研磨が行われる。
-第2の熱処理後に研磨が行われる。
-研磨は化学機械研磨である。
-ドナー基板は、リチウムをベースとするアルカリ金属強誘電体材料でできている。
-ドナー基板は、LiTaO3またはLiNbO3でできている。
-強誘電体材料は、42°RY結晶配向を示す。
-キャリア基板の材料はシリコンである。
以下の説明を簡単にするために、プロセスの様々な提示された実施形態において同一の要素または同じ機能を実行する要素に対して、同一の参照番号が使用される。
Claims (15)
- 脆化面(2)を生成するためのドナー基板(1)への原子種の注入を含む転写技術を使用して前記ドナー基板からキャリア基板(7)に転写された、決定されたキュリー温度を示すアルカリ金属に基づく強誘電体材料で作られた薄層(3)を作製するためのプロセスであって、前記薄層は、第1の自由面(8)および前記キャリア基板上に配置された第2の面(4)を有し、
-決定された前記キュリー温度より高い温度での転写された前記薄層(3)の第1の熱処理であって、前記薄層(3)は、前記第1の熱処理の完了時にマルチドメイン特性を示す、第1の熱処理と、
-前記第1の熱処理の後、プロトンを前記薄層(3)に導入し、次に、内部電場を生成して結果として前記薄層(3)がシングルドメインになるように、決定された前記キュリー温度よりも低い温度で前記薄層(3)の第2の熱処理を適用することと、
を備えることを特徴とする、薄層(3)を作製するためのプロセス。 - 注入された前記原子種が水素および/またはヘリウムイオンである、請求項1に記載のプロセス。
- 前記転写技術が、前記ドナー基板(1)を前記キャリア基板(7)に接合することと、前記脆化面(2)のレベルで前記薄層(3)を分離することとを含む、請求項1から2のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記薄層(3)への前記プロトンの導入が、プロトン交換によって達成される、請求項1から3のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記プロトン交換が、典型的には200から300℃の温度で10分から30時間、安息香酸の浴に少なくとも前記薄層(3)を浸漬することによって行われる、請求項4に記載のプロセス。
- 前記薄層(3)への前記プロトンの導入が、イオン注入によって、またはプラズマ注入によって達成される、請求項1から3のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記第1の熱処理が、30分から10時間の間の期間行われる、請求項1から6のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記第1および前記第2の熱処理が酸化性または中性雰囲気下で行われる、請求項1から7のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記第2の熱処理が、前記決定されたキュリー温度から100℃低い温度で、および30分から10時間の間の期間行われる、請求項1から8のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記薄層(3)を作製するためのプロセスが、前記薄層(3)の第1の面(8)に適用される研磨ステップを備える、請求項1から9のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記研磨が、前記第1の熱処理の後に、または前記第2の熱処理の後に行われる、請求項10に記載のプロセス。
- 前記ドナー基板(1)が、リチウムに基づく強誘電体材料で作られている、請求項1から11のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記ドナー基板(1)が、LiTaO3またはLiNbO3から作られる、請求項12に記載のプロセス。
- 前記強誘電体材料が42°RY結晶配向を示す、請求項1から13のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記キャリア基板(7)の材料がシリコンである、請求項1から14のいずれか一項に記載のプロセス。
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