JP3994163B2 - Ｎｂｔ強誘電体薄膜の製造方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 19
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 17
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 230000005068 transpiration Effects 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K bismuth chloride Chemical compound Cl[Bi](Cl)Cl JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002611 lead compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003852 thin film production method Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は、酸化物強誘電体薄膜の製造方法に関し、メモリ素子、圧電素子、光デバイス等に好適に使用することのできる、鉛を含まないＮＢＴ強誘電体薄膜の製造方法、より詳しくは、電極が形成された基板上に、Ｎａ、Ｂｉ、及びＴｉからなる金属又は酸化物をターゲットとしてスパッタリングにより薄膜を形成するＮＢＴ強誘電体薄膜の製造方法に関する。
酸化物強誘電体、圧電体薄膜素子としては、Pb、Zr、Ti、及びOからなる（通称PZT、PbZrO3-PbTiO3）酸化物薄膜素子が多く利用されてきた。しかし、環境問題への関心が高まる中、廃棄物中の鉛化合物の環境への漏洩・蓄積が問題視され、各種誘電体・圧電体・光デバイス素子として利用されてきた鉛系酸化物強誘電体・圧電体素子の利用制限・使用禁止が実施されつつある。
鉛系酸化物強誘電体・圧電体材料の代替材料として、各種の酸化物材料が開発されつつある。その中でもＮａ、Ｂｉ、Ｔｉ、及びＯからなる酸化物（一般式（Ｎａ１／２，Ｂｉ１／２）ＴｉＯ３、以下ＮＢＴ）は各種酸化物強誘電体、圧電体材料中でも高い残留分極値（３８μＣ／ｃｍ２）を示し、キュリー温度３２０℃とあいまって、高密度メモリ素子として有望な材料と考えられている。しかし、従来技術ではバルクでの強誘電性は発現できた（例えば、非特許文献１）ものの、薄膜での残留分極は３μＣ／ｃｍ２以下であり、高い残留分極は実現されていない（例えば、非特許文献２）。
Ｊ．Ｅｕｒｏｐ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．，２１（２００１）１２９９ 日本セラミックス協会、「第１５回秋季シンポジウム講演要旨集」、ｐ．２６０、２００２
Ｊ．Ｅｕｒｏｐ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．，２１（２００１）１２９９ 日本セラミックス協会、「第１５回秋季シンポジウム講演要旨集」、ｐ．２６０、２００２
以上のようにNBT酸化物は薄膜の形状では、高い残留分極を実現できなかった。
本発明者らは、NBT酸化物強誘電体薄膜の製造について、鋭意研究を重ねた結果、従来のNBT酸化物強誘電体薄膜の製造方法では、薄膜作成中あるいは加熱処 理中にBi成分が蒸散し、所望のBi組成比を制御できないためにリーク電流が大きくなり高い残留分極を発現できなかったことを見出し、また、Bi成分の蒸散がビスマスを含む酸化雰囲気中での加熱処理により抑制できることを見出した。これらの知見に基づき本発明を完成した。
すなわち、本発明のＮＢＴ強誘電体薄膜の製造方法は、０．４＜Ｂｉ／Ｔｉ＜０．８、０．２＜Ｎａ／Ｔｉ＜０．８である組成比の材料をターゲットとして、スパッタリング時に基板を加熱しないか、又は７００℃以下で加熱して形成した薄膜を、ビスマス分圧が１００Ｐａ以下で０．０００１Ｐａより大きく、かつ酸素分圧が１ｋＰａ以上であるビスマスを含む酸化雰囲気中で、２００℃以上、８００℃以下で加熱することを特徴とする。
本発明は、薄膜でのリーク電流の増加・残留分極の低下の原因が、薄膜中のBi成分の減量によることを明らかにし、その結果に従って、Bi成分の組成制御・安定化をもたらすことにより高い残留分極（20μC／ｃｍ2以上）を有するNa、Bi、Ti、及びOからなる酸化物強誘電体薄膜の製造方法を提供することができた。
本発明の製造方法において使用することのできる基板は、スパッタ時の製膜温度及び加熱処理の温度に耐えうる材料であれば良く、シリコン、ゲルマニウム、GaAs等の半導体、白金、タンタル等の金属、アルミナ、マグネシア、ガラス等の絶縁体が挙げられる。デバイス応用の面から、通常シリコンが用いられる。
基板上に形成される電極は、スパッタ時の製膜温度及び加熱処理の温度に耐え得る導電性材料であれば良く、例えば、白金、イリジウム、ルテニウム等が挙げられる。電極は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、電子線ビーム蒸着法等の種々の方法により形成することができる。また、電極と基板の間にはひずみ緩和・反応抑制等のために中間層を形成しても良い。
スパッタリングターゲットは、Na、Bi、及びTiからなる金属又は酸化物のターゲットとする。また単一ターゲットあるいはマルチターゲットであってもよいが、全体の組成は0.4＜Bi/Ti＜0.8、0.2＜Na/Ti＜0.8に調整する。Bi/Ti比が0.4以下ではリーク電流が大きくなり、後述する加熱処理を施しても強誘電体材料としての応用は困難である。Bi/Ti比が0.8以上では酸化ビスマスの単独相が出現し、後述する加熱処理を施しても残留分極を20μC／ｃｍ2以上にすることはできない。Na/Ti比の調整により、薄膜の配向性を制御できることは既に報告している（非特許文献１）が、本発明でもこの手段を採用する。Na/Ti比がこの規定範囲以外ではNBT強誘電相を作成できない。
上記電極付基板及びターゲットを備えた通常のスパッタリング装置により薄膜を作成する。スパッタガスには通常アルゴンを用いるがこれに限定するものではない。特に金属をターゲットとしてを用いた場合は酸素を混合したガスを用いることが望ましい。
スパッタリング時に基板加熱は必要ない。後述の加熱処理時間の短縮のために基板加熱を行っても良いが、その時の基板温度は700℃以下とする。700℃を超えるとスパッタリング時のBiの蒸散が激しく、ターゲット組成の制御及び加熱処理によってもリーク電流を抑制することができない。
作成された薄膜はビスマスを含む酸化雰囲気中で、200℃以上、800℃以下の温度で加熱処理をする。800℃を超える温度では薄膜の部分溶融が起き、薄膜の形状を保つことができない。200℃未満では強誘電相の結晶成長が起こらず、強誘電特性を示さない。この加熱処理により、ビスマス成分の蒸散を防ぎ、かつ強誘電相が結晶成長することにより、強誘電特性を示すことになる。
ビスマスを含む酸化雰囲気は、ビスマス分圧が100Pa以下で、かつ酸素分圧が１ｋPa以上であることが必要である。ビスマス分圧が100Paを超えると薄膜表面に酸化ビスマス層が付着し、残留分極が低下する。酸素分圧が１ｋPa未満では薄膜の十分な酸化が実現できず、リーク電流が大きくなる。ビスマス分圧は0.0001Pa以下では薄膜からのビスマスの蒸散の方が大きく、それを補うことができない。酸素分圧は高い方が望ましいが、1MPa以上は法令上の制約により実用的には困難である。
ビスマスを含む酸化雰囲気は、加熱により十分なビスマス蒸気圧を発生する物質（例えば、金属Bi、塩化ビスマス等）を蒸発装置に設置し、その蒸気を上述の酸素を含む気体で輸送し、薄膜を設置した加熱炉に供給する事によって実現できる。また、簡便には酸化ビスマス粉末により薄膜を囲い、これを上述の酸素を含む気体が流通する加熱炉内に設置することによっても実現できる。このときビスマス分圧と加熱温度を個別に制御することはできない。
ターゲットとしてBi：Na：Ti＝1.1：1.0：2.0の組成比をもつ、空気中1000℃焼成により作成した多結晶酸化物の単一ターゲットを用い、シリコン単結晶基板上に中間層としてMgO層を介して白金電極を形成した基板を用い、RFマグネトロンスパッタリング法によりNBT薄膜を形成した。スパッタガスには１Paのアルゴンを用い、基板温度は400℃とした。
得られた薄膜を酸化ビスマスで囲い(ビスマス分圧は0.1Pa)、乾燥空気中で600℃で１時間、加熱処理することによりNBT強誘電体を作成した。白金電極を下部電極とし、上部電極として金電極を真空蒸着により作成した試料のヒステリシス特性を図１に示す。残留分極22μC／ｃｍ2を達成した。
（比較例１）
ターゲットとしてBi：Na：Ti＝1.1：1.0：2.0の組成比をもつ、空気中1000℃焼成により作成した多結晶酸化物の単一ターゲットを用い、シリコン単結晶基板上に中間層としてMgO層を介して白金電極を形成した基板を用い、RFマグネトロンスパッタリング法によりNBT薄膜を形成した。スパッタガスには１Paのアルゴンを用い、基板温度は400℃とした。得られた薄膜を乾燥空気中で600℃で１時間、加熱処理し、上部電極として金電極を真空蒸着により作成した試料のヒステリシス特性を図２に示す。このビスマス蒸気中での加熱処理をしなかった薄膜はリーク電流が大きすぎ、残留分極値を評価できなかった。
（比較例１）
ターゲットとしてBi：Na：Ti＝1.1：1.0：2.0の組成比をもつ、空気中1000℃焼成により作成した多結晶酸化物の単一ターゲットを用い、シリコン単結晶基板上に中間層としてMgO層を介して白金電極を形成した基板を用い、RFマグネトロンスパッタリング法によりNBT薄膜を形成した。スパッタガスには１Paのアルゴンを用い、基板温度は400℃とした。得られた薄膜を乾燥空気中で600℃で１時間、加熱処理し、上部電極として金電極を真空蒸着により作成した試料のヒステリシス特性を図２に示す。このビスマス蒸気中での加熱処理をしなかった薄膜はリーク電流が大きすぎ、残留分極値を評価できなかった。
本発明の製造方法で得られるNBT強誘電体薄膜は、高い残留分極値（20μC／ｃｍ2）と、キュリー温度320℃とあいまって、従来の鉛系酸化物強誘電体不揮発性メモリの代替材料として有用である。
Claims (1)
- 電極が形成された基板上に、Ｎａ、Ｂｉ、及びＴｉからなる金属又は酸化物をターゲットとしてスパッタリングにより薄膜を形成するＮＢＴ強誘電体薄膜の製造方法であって、０．４＜Ｂｉ／Ｔｉ＜０．８、０．２＜Ｎａ／Ｔｉ＜０．８である組成比の材料をターゲットとして、スパッタリング時に基板を加熱しないか、又は７００℃以下で加熱して形成した薄膜を、ビスマス分圧が１００Ｐａ以下で０．０００１Ｐａより大きく、かつ酸素分圧が１ｋＰａ以上であるビスマスを含む酸化雰囲気中で、２００℃以上、８００℃以下で加熱することを特徴とするＮＢＴ強誘電体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003336420A JP3994163B2 (ja) | 2003-09-26 | 2003-09-26 | Ｎｂｔ強誘電体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003336420A JP3994163B2 (ja) | 2003-09-26 | 2003-09-26 | Ｎｂｔ強誘電体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005105295A JP2005105295A (ja) | 2005-04-21 |
| JP3994163B2 true JP3994163B2 (ja) | 2007-10-17 |
Family
ID=34532563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003336420A Expired - Lifetime JP3994163B2 (ja) | 2003-09-26 | 2003-09-26 | Ｎｂｔ強誘電体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3994163B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006046979B8 (de) * | 2006-10-04 | 2008-08-28 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen einer ferroelektrischen Dünnschicht des Wismut-Natrium-Titanat-Systems auf einem Substrat-, und Verwendung der ferroelektrischen Dünnschicht |
| JP2011201741A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Ngk Insulators Ltd | 圧電／電歪セラミックス、圧電／電歪セラミックスの製造方法、圧電／電歪素子及び圧電／電歪素子の製造方法 |
| JP5585767B2 (ja) | 2010-04-14 | 2014-09-10 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置および圧電素子 |
| JP5585768B2 (ja) | 2010-04-14 | 2014-09-10 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置および圧電素子 |
| CN106000278B (zh) * | 2016-06-23 | 2020-05-29 | 陕西师范大学 | 一种铁磁性半导体吸附材料Na2Fe2Ti6O16的制备方法与应用 |
| FR3078822B1 (fr) * | 2018-03-12 | 2020-02-28 | Soitec | Procede de preparation d’une couche mince de materiau ferroelectrique a base d’alcalin |
| CN112341191B (zh) * | 2020-10-26 | 2022-02-22 | 同济大学 | 一种无铅高储能密度和高储能效率的陶瓷电介质及其制备方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4510966B2 (ja) * | 1999-11-19 | 2010-07-28 | 日本特殊陶業株式会社 | 圧電体セラミックス |
| JP4070967B2 (ja) * | 2001-03-01 | 2008-04-02 | Ｔｄｋ株式会社 | 圧電磁器 |
-
2003
- 2003-09-26 JP JP2003336420A patent/JP3994163B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005105295A (ja) | 2005-04-21 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070410 |
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| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070419 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070528 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070703 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |