JP2676304B2 - 強誘電体薄膜作製方法 - Google Patents
強誘電体薄膜作製方法Info
- Publication number
- JP2676304B2 JP2676304B2 JP5078588A JP7858893A JP2676304B2 JP 2676304 B2 JP2676304 B2 JP 2676304B2 JP 5078588 A JP5078588 A JP 5078588A JP 7858893 A JP7858893 A JP 7858893A JP 2676304 B2 JP2676304 B2 JP 2676304B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- thin film
- pressure
- target
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は強誘電体薄膜をスパッタ
リング法で作製する方法に関し、特に一般式
リング法で作製する方法に関し、特に一般式
【数３】 Ｐｂ１（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏ３ （０≦ｙ＜１） で表わされる強誘電体の薄膜作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体メモリー用のキャパシタとしては
ＳｉＯ２が一般に用いられているが、近年のデバイスの
高集積化にともない高誘電率を有する誘電体の研究が盛
んになってきている。特に不揮発性メモリー用のキャパ
シタとして、一般式
ＳｉＯ２が一般に用いられているが、近年のデバイスの
高集積化にともない高誘電率を有する誘電体の研究が盛
んになってきている。特に不揮発性メモリー用のキャパ
シタとして、一般式
【数４】 Ｐｂ１（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏ３ （０≦ｙ＜１） で表わされる強誘電体が注目されている。この強誘電体
の薄膜作製方法においては、量産性に優れて操作性の容
易な平板マグネトロンスパッタリング法が主に用いられ
ている。
の薄膜作製方法においては、量産性に優れて操作性の容
易な平板マグネトロンスパッタリング法が主に用いられ
ている。
【０００３】一般式
【数５】 Ｐｂ１（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏ３ （０≦ｙ＜１） で表わされる物質が強誘電体であるためには、ペロブス
カイト構造の結晶でなければならず、したがってその化
学組成比が所定の値になっていなければならない。
カイト構造の結晶でなければならず、したがってその化
学組成比が所定の値になっていなければならない。
【０００４】スパッタリング法を用いてこの結晶構造の
強誘電体薄膜を作製する方法としては、低基板温度で成
膜して、その後、熱処理を行なう方法と、基板を上述の
結晶構造の結晶化温度（６００℃程度）以上に加熱して
成膜する方法とがある。前者の方法は、熱処理後に膜が
ポーラスになり良好な電気特性が得られなくなるといっ
た問題がある。したがって、後者の方法のように基板を
加熱することによって成膜時に結晶成長させる方法が一
般に用いられる。
強誘電体薄膜を作製する方法としては、低基板温度で成
膜して、その後、熱処理を行なう方法と、基板を上述の
結晶構造の結晶化温度（６００℃程度）以上に加熱して
成膜する方法とがある。前者の方法は、熱処理後に膜が
ポーラスになり良好な電気特性が得られなくなるといっ
た問題がある。したがって、後者の方法のように基板を
加熱することによって成膜時に結晶成長させる方法が一
般に用いられる。
【０００５】図５は従来方法で作製した薄膜の組成を示
すグラフである。このグラフは、ターゲットとして直径
４インチのＰｂ１Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５Ｏｚ（すなわち
ｘ＝１，ｙ＝０．５）を用い、基板温度を６５０℃、ス
パッタリングガスをＡｒ＋２０％Ｏ２、高周波電力を１
５０Ｗとした場合の、スパッタリング圧力に対する膜組
成の変化を示している。膜組成は（Ｚｒ＋Ｔｉ）の量で
規格化してあり、Ｐｂ，５−Ｚｒの組成を、それぞれＰ
ｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）とＺｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）とで示して
ある。図中の点線はターゲットにおける組成を示し、上
の点線がＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）、下の点線がＺｒ／（Ｚ
ｒ＋Ｔｉ）である。このグラフからわかるように、膜中
のＺｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）は、スパッタリング圧力を変化
させても、ターゲット組成にほぼ等しく一定（すなわち
膜中におけるＺｒとＴｉの比率は一定）である。これに
対して、膜中のＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）は、スパッタリン
グ圧力の上昇とともに単調に増加している。
すグラフである。このグラフは、ターゲットとして直径
４インチのＰｂ１Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５Ｏｚ（すなわち
ｘ＝１，ｙ＝０．５）を用い、基板温度を６５０℃、ス
パッタリングガスをＡｒ＋２０％Ｏ２、高周波電力を１
５０Ｗとした場合の、スパッタリング圧力に対する膜組
成の変化を示している。膜組成は（Ｚｒ＋Ｔｉ）の量で
規格化してあり、Ｐｂ，５−Ｚｒの組成を、それぞれＰ
ｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）とＺｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）とで示して
ある。図中の点線はターゲットにおける組成を示し、上
の点線がＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）、下の点線がＺｒ／（Ｚ
ｒ＋Ｔｉ）である。このグラフからわかるように、膜中
のＺｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）は、スパッタリング圧力を変化
させても、ターゲット組成にほぼ等しく一定（すなわち
膜中におけるＺｒとＴｉの比率は一定）である。これに
対して、膜中のＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）は、スパッタリン
グ圧力の上昇とともに単調に増加している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のように基板を加
熱して成膜を行なうと、一般に用いられるスパッタリン
グ圧力（１０ｍＴｏｒｒ前後）では、膜中のＰｂの濃度
がターゲット中の濃度に比べて減少してしまうことがわ
かる。図５からわかるように、基板温度が６５０℃の場
合、所定の組成比の強誘電体薄膜を作製するためには１
００ｍＴｏｒｒ程度のスパッタリング圧力で成膜しなけ
ればならない。基板温度をさらに高温にして成膜すると
膜中のＰｂの濃度はさらに減少してしまい、所定の組成
比の薄膜を作製するには、より高い数百ｍＴｏｒｒとい
った高圧力領域で成膜しなければならない。
熱して成膜を行なうと、一般に用いられるスパッタリン
グ圧力（１０ｍＴｏｒｒ前後）では、膜中のＰｂの濃度
がターゲット中の濃度に比べて減少してしまうことがわ
かる。図５からわかるように、基板温度が６５０℃の場
合、所定の組成比の強誘電体薄膜を作製するためには１
００ｍＴｏｒｒ程度のスパッタリング圧力で成膜しなけ
ればならない。基板温度をさらに高温にして成膜すると
膜中のＰｂの濃度はさらに減少してしまい、所定の組成
比の薄膜を作製するには、より高い数百ｍＴｏｒｒとい
った高圧力領域で成膜しなければならない。
【０００７】このような高い圧力領域で成膜を行なう
と、成膜速度が低下してしまい、生産効率が悪くなって
しまうといった問題点がある。また一般に高いスパッタ
リング圧力で成膜すると、膜の緻密性は低下してしま
う。
と、成膜速度が低下してしまい、生産効率が悪くなって
しまうといった問題点がある。また一般に高いスパッタ
リング圧力で成膜すると、膜の緻密性は低下してしま
う。
【０００８】膜中におけるＰｂの欠乏を補償するため
に、Ｐｂ１（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏ３（０≦ｙ＜１）
にＰｂＯを２０ｍｏｌ％添加したターゲット（すなわち
Ｐｂ１．２（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏｚ）を用いた報告
（Ｋ．Ｉｉｊｉｍａ，Ｉ．Ｕｅｄａ，ａｎｄ Ｋ．Ｋｕ
ｇｉｙａｍａ，Ｊａｐ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３
０，１９９１，ｐｐ２１４９−２１５１）がある。しか
し、発明者が同様の組成のターゲットを用いて成膜を行
ったところ、報告されているスパッタリング条件では所
定の組成比の膜は得られず、ペロブスカイト単一相の結
晶も得られなかった。発明者が行った成膜においては、
所定の組成比の薄膜を得るためには７０ｍＴｏｒｒ前後
のスパッタリング圧力で成膜しなければならず、やはり
成膜速度は数ｎｍ／ｍｉｎ程度と遅かった。
に、Ｐｂ１（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏ３（０≦ｙ＜１）
にＰｂＯを２０ｍｏｌ％添加したターゲット（すなわち
Ｐｂ１．２（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏｚ）を用いた報告
（Ｋ．Ｉｉｊｉｍａ，Ｉ．Ｕｅｄａ，ａｎｄ Ｋ．Ｋｕ
ｇｉｙａｍａ，Ｊａｐ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，３
０，１９９１，ｐｐ２１４９−２１５１）がある。しか
し、発明者が同様の組成のターゲットを用いて成膜を行
ったところ、報告されているスパッタリング条件では所
定の組成比の膜は得られず、ペロブスカイト単一相の結
晶も得られなかった。発明者が行った成膜においては、
所定の組成比の薄膜を得るためには７０ｍＴｏｒｒ前後
のスパッタリング圧力で成膜しなければならず、やはり
成膜速度は数ｎｍ／ｍｉｎ程度と遅かった。
【０００９】本発明の目的は、成膜時に、高速に、緻密
なＰｂ１（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏ３（０≦ｙ＜１）の
強誘電体薄膜を作製できる方法を提供することにある。
なＰｂ１（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏ３（０≦ｙ＜１）の
強誘電体薄膜を作製できる方法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、一般式
【数６】 Ｐｂ１（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏ３（０≦ｙ＜１） で表わされる強誘電体の薄膜をスパッタリング法によっ
て前記強誘電体の結晶化温度以上に加熱した基板上に作
製する方法において、組成が
て前記強誘電体の結晶化温度以上に加熱した基板上に作
製する方法において、組成が
【数７】 Ｐｂｘ（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏｚ（２≦ｘ≦１０，０≦ｙ＜１，ｚは任意） のターゲットを用い、 前記ｘの数値に応じてスパッタリ
ング圧力を選択することを特徴としている。
ング圧力を選択することを特徴としている。
【００１１】本発明の対象となる強誘電体は上述の数６
に記載した通りであり、ＺｒとＴｉの和と、Ｐｂとの比
率が１対１である。ＺｒとＴｉとの比率は任意である。
数６においてｙ＝０すなわちＰｂ１Ｔｉ１Ｏ３は本発明
の対象となるが、ｙ＝１すなわちＰｂ１Ｚｒ１Ｏ３は本
発明の対象外である。というのは、Ｐｂ１Ｔｉ１Ｏ３は
強誘電体であるが、Ｐｂ１Ｚｒ１Ｏ３は反強誘電体であ
るからである。Ｐｂ１（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏ３は、
ＴｉとＺｒとの比率によって強誘電特性が変化するもの
であり、また、誘電率の最も高くなるＴｉ：Ｚｒ比と、
残留分極の最も高くなるＴｉ：Ｚｒ比とは異なってい
る。したがって、どのような特性の膜を得るかによって
Ｔｉ：Ｚｒ比を選択することになる。
に記載した通りであり、ＺｒとＴｉの和と、Ｐｂとの比
率が１対１である。ＺｒとＴｉとの比率は任意である。
数６においてｙ＝０すなわちＰｂ１Ｔｉ１Ｏ３は本発明
の対象となるが、ｙ＝１すなわちＰｂ１Ｚｒ１Ｏ３は本
発明の対象外である。というのは、Ｐｂ１Ｔｉ１Ｏ３は
強誘電体であるが、Ｐｂ１Ｚｒ１Ｏ３は反強誘電体であ
るからである。Ｐｂ１（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏ３は、
ＴｉとＺｒとの比率によって強誘電特性が変化するもの
であり、また、誘電率の最も高くなるＴｉ：Ｚｒ比と、
残留分極の最も高くなるＴｉ：Ｚｒ比とは異なってい
る。したがって、どのような特性の膜を得るかによって
Ｔｉ：Ｚｒ比を選択することになる。
【００１２】使用するターゲットは上述の数７に記載し
た通りであり、ＺｒとＴｉの和に対して、Ｐｂが２倍か
ら１０倍となっている。すなわち、作製すべき薄膜の組
成比と比べてターゲットにおけるＰｂの濃度が２倍から
１０倍になっている。このようにした理由は、作製すべ
き膜の結晶化温度以上に基板を加熱した場合に、膜中の
Ｐｂ濃度がターゲット中のＦｂ濃度よりも減少するから
であり、この減少を補償するためである。上述の数７に
おいてｘ＝２未満にすると、所定の化学組成比の膜を作
製するためにスパッタリング圧力をかなり高くしなけれ
ばならず、その場合は成膜速度が非常に低下し、また膜
も緻密でなくなり、好ましくない。また、ｘ＝１０を超
えると、所定の化学組成比の膜を作製するためにスパッ
タリング圧力をかなり低くしなければならず、その場合
は放電を維持できない恐れがある。したがって、ｘ＝２
〜１０が適している。ターゲット中の酸素の比率すなわ
ち上述の数７のｚは任意である。数７に記載したターゲ
ットは、ＰｂＯ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２等の金属酸化物を
混合し焼結して作製することが一般的である。この場
合、ターゲット中の酸素の量は、金属酸化物の混合比や
焼結温度等の条件により変化する。ターゲット中の酸素
の比率がいろいろに変化しても、スパッタリングガスの
一部として導入する酸素ガスの濃度を制御することによ
り、膜中の酸素比率を制御することが可能である。ター
ゲット中に酸素がほとんどないような極端な場合を考え
ても、スパッタリングガス中の酸素濃度を極めて高くす
ることにより所望の酸素比率の膜を作製することが可能
である。
た通りであり、ＺｒとＴｉの和に対して、Ｐｂが２倍か
ら１０倍となっている。すなわち、作製すべき薄膜の組
成比と比べてターゲットにおけるＰｂの濃度が２倍から
１０倍になっている。このようにした理由は、作製すべ
き膜の結晶化温度以上に基板を加熱した場合に、膜中の
Ｐｂ濃度がターゲット中のＦｂ濃度よりも減少するから
であり、この減少を補償するためである。上述の数７に
おいてｘ＝２未満にすると、所定の化学組成比の膜を作
製するためにスパッタリング圧力をかなり高くしなけれ
ばならず、その場合は成膜速度が非常に低下し、また膜
も緻密でなくなり、好ましくない。また、ｘ＝１０を超
えると、所定の化学組成比の膜を作製するためにスパッ
タリング圧力をかなり低くしなければならず、その場合
は放電を維持できない恐れがある。したがって、ｘ＝２
〜１０が適している。ターゲット中の酸素の比率すなわ
ち上述の数７のｚは任意である。数７に記載したターゲ
ットは、ＰｂＯ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２等の金属酸化物を
混合し焼結して作製することが一般的である。この場
合、ターゲット中の酸素の量は、金属酸化物の混合比や
焼結温度等の条件により変化する。ターゲット中の酸素
の比率がいろいろに変化しても、スパッタリングガスの
一部として導入する酸素ガスの濃度を制御することによ
り、膜中の酸素比率を制御することが可能である。ター
ゲット中に酸素がほとんどないような極端な場合を考え
ても、スパッタリングガス中の酸素濃度を極めて高くす
ることにより所望の酸素比率の膜を作製することが可能
である。
【００１３】ところで、ｘ＝２〜１０のターゲット組成
を用いた場合、任意の圧力範囲で最適な作製条件となる
わけではなく、ｘの数値に応じて最適な圧力範囲が存在
する。すなわち、ｘが比較的小さい場合には、低い圧力
から高い圧力まで自己制御機能により所定の化学量論組
成の膜が得られる。したがって、圧力選択の幅が広い。
ｘが比較的大きい場合には、高い圧力までは自己制御機
能が働かず、比較的低い圧力範囲でのみ所定の化学量論
組成の膜が得られる。
を用いた場合、任意の圧力範囲で最適な作製条件となる
わけではなく、ｘの数値に応じて最適な圧力範囲が存在
する。すなわち、ｘが比較的小さい場合には、低い圧力
から高い圧力まで自己制御機能により所定の化学量論組
成の膜が得られる。したがって、圧力選択の幅が広い。
ｘが比較的大きい場合には、高い圧力までは自己制御機
能が働かず、比較的低い圧力範囲でのみ所定の化学量論
組成の膜が得られる。
【００１４】第２の発明は、スパッタリング圧力を１〜
１００ｍＴｏｒｒの範囲内にして成膜することを特徴と
したものである。この圧力範囲は、上述のｘの数値範囲
のターゲットを用いた場合に、所定の化学量論組成のＰ
ＺＴ薄膜を作製できる可能性のある最大の圧力範囲であ
る。従来技術の項で述べたように、圧力が１００ｍＴｏ
ｒｒ付近まで高くなると成膜速度が遅くなるという欠点
があるが、ｘ＝２〜１０のターゲットを用いることを特
徴とする第１の発明に対しては、この圧力範囲で所定の
化学量論組成のＰＺＴ薄膜が作製できたので、このよう
な圧力範囲を主張するものである。
１００ｍＴｏｒｒの範囲内にして成膜することを特徴と
したものである。この圧力範囲は、上述のｘの数値範囲
のターゲットを用いた場合に、所定の化学量論組成のＰ
ＺＴ薄膜を作製できる可能性のある最大の圧力範囲であ
る。従来技術の項で述べたように、圧力が１００ｍＴｏ
ｒｒ付近まで高くなると成膜速度が遅くなるという欠点
があるが、ｘ＝２〜１０のターゲットを用いることを特
徴とする第１の発明に対しては、この圧力範囲で所定の
化学量論組成のＰＺＴ薄膜が作製できたので、このよう
な圧力範囲を主張するものである。
【００１５】本願発明では、スパッタリング圧力を１〜
３０ｍＴｏｒｒの範囲内にして成膜することが好まし
い。従来技術のターゲットを用いた場合には、この圧力
範囲で所定の化学量論組成のＰＺＴ薄膜を作製できなか
ったものである。すなわち、ｘ＝２〜１０のターゲット
を用いることによって初めて適用可能となった圧力範囲
であり、この圧力条件では成膜速度が速くなり、また、
緻密な膜が得られる。
３０ｍＴｏｒｒの範囲内にして成膜することが好まし
い。従来技術のターゲットを用いた場合には、この圧力
範囲で所定の化学量論組成のＰＺＴ薄膜を作製できなか
ったものである。すなわち、ｘ＝２〜１０のターゲット
を用いることによって初めて適用可能となった圧力範囲
であり、この圧力条件では成膜速度が速くなり、また、
緻密な膜が得られる。
【００１６】本願発明では、基板の温度を実質的に６０
０〜７００℃の範囲内にして成膜することが好ましい。
ＰＺＴ薄膜の結晶化温度が約６００℃であるので、これ
より高い基板温度として、成膜時に結晶化を可能にする
ものである。７００℃以上にすると、得られた膜のＰｂ
組成が所定の化学量論組成よりも小さくなる傾向があ
る。
０〜７００℃の範囲内にして成膜することが好ましい。
ＰＺＴ薄膜の結晶化温度が約６００℃であるので、これ
より高い基板温度として、成膜時に結晶化を可能にする
ものである。７００℃以上にすると、得られた膜のＰｂ
組成が所定の化学量論組成よりも小さくなる傾向があ
る。
【００１７】本願発明では、ｘの数値を３〜５の範囲
内、スパッタリング圧力を５〜１００ｍＴｏｒｒの範囲
内、基板温度を６００〜７００℃の範囲内にして成膜し
てもよい。
内、スパッタリング圧力を５〜１００ｍＴｏｒｒの範囲
内、基板温度を６００〜７００℃の範囲内にして成膜し
てもよい。
【００１８】本願発明では、ｘの数値を１０の近傍と
し、スパッタリング圧力を１ｍＴｏｒｒの近傍とし、基
板温度を６００〜７００℃の範囲内にして成膜すること
もできる。
し、スパッタリング圧力を１ｍＴｏｒｒの近傍とし、基
板温度を６００〜７００℃の範囲内にして成膜すること
もできる。
【００１９】
【作用】本発明の強誘電体薄膜作製方法では、１０≧ｘ
≧２のＰｂ過剰なターゲットを使用することにより、基
板温度を結晶化温度以上の任意の温度に設定して、しか
も一般に用いられるような低いスパッタリング圧力領域
で成膜した場合でも、膜中におけるＰｂの組成を化学量
論組成に補償することができ、ペロブスカイト構造のＰ
ｂ１（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏ３の強誘電体薄膜が作製
できるようになる。そして、このターゲット組成に対し
ては、成膜圧力を１〜１００ｍＴｏｒｒ、基板温度を６
００〜７００℃の範囲に設定するのが適している。そし
て、この発明では低い圧力でも化学量論組成のＺＴ薄膜
が成膜時に作製できるので、従来よりも速い成膜速度で
緻密な強誘電体薄膜を作製できるようになる。
≧２のＰｂ過剰なターゲットを使用することにより、基
板温度を結晶化温度以上の任意の温度に設定して、しか
も一般に用いられるような低いスパッタリング圧力領域
で成膜した場合でも、膜中におけるＰｂの組成を化学量
論組成に補償することができ、ペロブスカイト構造のＰ
ｂ１（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏ３の強誘電体薄膜が作製
できるようになる。そして、このターゲット組成に対し
ては、成膜圧力を１〜１００ｍＴｏｒｒ、基板温度を６
００〜７００℃の範囲に設定するのが適している。そし
て、この発明では低い圧力でも化学量論組成のＺＴ薄膜
が成膜時に作製できるので、従来よりも速い成膜速度で
緻密な強誘電体薄膜を作製できるようになる。
【００２０】
【実施例】図１は、本発明の実施例の方法によって作製
した薄膜の、スパッタリング圧力に対する膜組成の依存
性を示すグラフである。作製条件は、基板温度が６５０
℃、スパッタリングガスがＡｒ＋２０％Ｏ２であり、タ
ーゲットは、組成の異なる直径４インチの３種類のター
ゲット、Ｐｂ３Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５Ｏｚ（すなわち、
ｘ＝３，ｙ＝０．５）、Ｐｂ５Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５Ｏ
ｚ（すなわち、ｘ＝５，ｙ＝０．５）、Ｐｂ１０Ｚｒ
０．５Ｔｉ０．５ＯＺ（すなわち、ｘ＝１０，ｙ＝０．
５）を使用した。高周波電力は１５０Ｗであり、平板マ
グネトロンスパッタリング法によりＰＺＴ薄膜を作製し
た。図１の膜組成は（Ｚｒ＋Ｔｉ）の量で規格化してあ
り、ＰｂとＺｒの組成を、それぞれＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔ
ｉ）とＺｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）とで示してある。図中の点
線はＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１を示し、これは、作製す
べき薄膜の所定の化学量論組成である。
した薄膜の、スパッタリング圧力に対する膜組成の依存
性を示すグラフである。作製条件は、基板温度が６５０
℃、スパッタリングガスがＡｒ＋２０％Ｏ２であり、タ
ーゲットは、組成の異なる直径４インチの３種類のター
ゲット、Ｐｂ３Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５Ｏｚ（すなわち、
ｘ＝３，ｙ＝０．５）、Ｐｂ５Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５Ｏ
ｚ（すなわち、ｘ＝５，ｙ＝０．５）、Ｐｂ１０Ｚｒ
０．５Ｔｉ０．５ＯＺ（すなわち、ｘ＝１０，ｙ＝０．
５）を使用した。高周波電力は１５０Ｗであり、平板マ
グネトロンスパッタリング法によりＰＺＴ薄膜を作製し
た。図１の膜組成は（Ｚｒ＋Ｔｉ）の量で規格化してあ
り、ＰｂとＺｒの組成を、それぞれＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔ
ｉ）とＺｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）とで示してある。図中の点
線はＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１を示し、これは、作製す
べき薄膜の所定の化学量論組成である。
【００２１】Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）の値は、スパッタリ
ング圧力が変化しても変わらずに、ターゲット組成にほ
ぼ等しく一定で、０．５である。これに対して、Ｐｂ／
（Ｚｒ＋Ｔｉ）の値は、ｘ＝３のターゲットを用いたと
きに１〜１００ｍＴｏｒｒ、ｘ＝５のターゲットを用い
たときに１〜５０ｍＴｏｒｒ、ｘ＝１０のターゲットを
用いたときに１ｍＴｏｒｒのスパッタリング圧力で、Ｐ
ｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１になる。強誘電体の蒸着法でよ
く言われる自己制御機能が働くことによって、上述の圧
力範囲で、強誘電体の化学量論組成であるＰｂ／（Ｚｒ
＋Ｔｉ）＝１が得られている。自己制御機能が有効に働
く圧力範囲はターゲットのＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）に依存
し、Ｐｂ／（２ｒ＋Ｔｉ）比が大きいときは低いスパッ
タリング圧力のみで自己制御機能が働き、Ｐｂ／（Ｚｒ
＋Ｔｉ）比が小さくなるにつれてスパッタリング圧力が
高い方まで自己制御機能が働く。自己制御機能が働く前
述の圧力領域より高い圧力領域では、スパッタリング圧
力の上昇に伴って化学量論組成から離れていってしま
う。
ング圧力が変化しても変わらずに、ターゲット組成にほ
ぼ等しく一定で、０．５である。これに対して、Ｐｂ／
（Ｚｒ＋Ｔｉ）の値は、ｘ＝３のターゲットを用いたと
きに１〜１００ｍＴｏｒｒ、ｘ＝５のターゲットを用い
たときに１〜５０ｍＴｏｒｒ、ｘ＝１０のターゲットを
用いたときに１ｍＴｏｒｒのスパッタリング圧力で、Ｐ
ｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１になる。強誘電体の蒸着法でよ
く言われる自己制御機能が働くことによって、上述の圧
力範囲で、強誘電体の化学量論組成であるＰｂ／（Ｚｒ
＋Ｔｉ）＝１が得られている。自己制御機能が有効に働
く圧力範囲はターゲットのＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）に依存
し、Ｐｂ／（２ｒ＋Ｔｉ）比が大きいときは低いスパッ
タリング圧力のみで自己制御機能が働き、Ｐｂ／（Ｚｒ
＋Ｔｉ）比が小さくなるにつれてスパッタリング圧力が
高い方まで自己制御機能が働く。自己制御機能が働く前
述の圧力領域より高い圧力領域では、スパッタリング圧
力の上昇に伴って化学量論組成から離れていってしま
う。
【００２２】ところで、ｘの数値の上限については次の
ように考えられる。一般に、スパッタリング装置によっ
て放電を維持できる圧力は異なっているが、ほとんどの
装置においては１ｍＴｏｒｒ以下では放電を維持しにく
い。そのため、ターゲットの組成比ｘを１０以上にして
１ｍＴｏｒｒ以下のスパッタリング圧力で成膜しようと
しても放電の維持に問題がある。したがって、ターゲッ
トの組成比ｘを１０以上にする必要はない。
ように考えられる。一般に、スパッタリング装置によっ
て放電を維持できる圧力は異なっているが、ほとんどの
装置においては１ｍＴｏｒｒ以下では放電を維持しにく
い。そのため、ターゲットの組成比ｘを１０以上にして
１ｍＴｏｒｒ以下のスパッタリング圧力で成膜しようと
しても放電の維持に問題がある。したがって、ターゲッ
トの組成比ｘを１０以上にする必要はない。
【００２３】図２は本発明の実施例の方法によって作製
した薄膜の膜中のＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）の基板温度依存
性を示すグラフである。作製条件は、スパッタリング圧
力が１０ｍＴｏｒｒ、スパッタリングガスがＡｒ＋２０
％Ｏ２、高周波電力が１５０Ｗであり、平板マグネトロ
ンスパッタリング法により作製した。この例では、組成
の異なる直径４インチの２種類のターゲット、Ｐｂ３Ｚ
ｒ０．５Ｔｉ０．５Ｏｚ（すなわち、ｘ＝３，ｙ＝０．
５）と、Ｐｂ５Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５ＯＺ（すなわち、
ｘ＝５，ｙ＝０．５）を使用した結果を示す。２種類の
ターゲットのいずれも、Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）の値は、
基板温度６００〜７００℃の範囲内において、前記自己
制御機能が働き、強誘電体の化学量論組成の１になっ
た。
した薄膜の膜中のＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）の基板温度依存
性を示すグラフである。作製条件は、スパッタリング圧
力が１０ｍＴｏｒｒ、スパッタリングガスがＡｒ＋２０
％Ｏ２、高周波電力が１５０Ｗであり、平板マグネトロ
ンスパッタリング法により作製した。この例では、組成
の異なる直径４インチの２種類のターゲット、Ｐｂ３Ｚ
ｒ０．５Ｔｉ０．５Ｏｚ（すなわち、ｘ＝３，ｙ＝０．
５）と、Ｐｂ５Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５ＯＺ（すなわち、
ｘ＝５，ｙ＝０．５）を使用した結果を示す。２種類の
ターゲットのいずれも、Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）の値は、
基板温度６００〜７００℃の範囲内において、前記自己
制御機能が働き、強誘電体の化学量論組成の１になっ
た。
【００２４】図３は、図１のａ点の条件で作製した薄膜
のＸ線回折パターンである。すなわち、ターゲットとし
てＰｂ３Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５Ｏｚを用い、スパッタリ
ング圧力を１０ｍＴｏｒｒに設定して作製した薄膜のＸ
線回折パターンである。この成膜に用いた基板は、Ｓｉ
ウエハー上に順にＳｉＯ２、Ｔｉ、Ｐｔを各々２００ｎ
ｍ、３０ｎｍ、２００ｎｍだけ形成したものである。そ
の上にＰｂ１（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏ３薄膜を作製し
た。図３において、＊印はペロブスカイト構造の結晶か
らの回折ピークであり、△印は基板のＳｉの回折ピー
ク、▲印は基板のＰｔの回折ピークである。したがっ
て、図１のａ点の条件で作製した薄膜は完全なペロブス
カイト構造の強誘電体薄膜となっていることがわかる。
また、ターゲットとしてＰｂ２Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５Ｏ
ｚ（すなわちｘ＝２）を用いてスパッタリング圧力３０
ｍＴｏｒｒで作製した薄膜についても、これと同じＸ線
回折パターンが観測された。このほか、図１において膜
組成が化学量論組成となるような他の条件で作製した薄
膜についても同様な回折パターンが得られている。
のＸ線回折パターンである。すなわち、ターゲットとし
てＰｂ３Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５Ｏｚを用い、スパッタリ
ング圧力を１０ｍＴｏｒｒに設定して作製した薄膜のＸ
線回折パターンである。この成膜に用いた基板は、Ｓｉ
ウエハー上に順にＳｉＯ２、Ｔｉ、Ｐｔを各々２００ｎ
ｍ、３０ｎｍ、２００ｎｍだけ形成したものである。そ
の上にＰｂ１（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏ３薄膜を作製し
た。図３において、＊印はペロブスカイト構造の結晶か
らの回折ピークであり、△印は基板のＳｉの回折ピー
ク、▲印は基板のＰｔの回折ピークである。したがっ
て、図１のａ点の条件で作製した薄膜は完全なペロブス
カイト構造の強誘電体薄膜となっていることがわかる。
また、ターゲットとしてＰｂ２Ｚｒ０．５Ｔｉ０．５Ｏ
ｚ（すなわちｘ＝２）を用いてスパッタリング圧力３０
ｍＴｏｒｒで作製した薄膜についても、これと同じＸ線
回折パターンが観測された。このほか、図１において膜
組成が化学量論組成となるような他の条件で作製した薄
膜についても同様な回折パターンが得られている。
【００２５】図１において、ｘ＝３のターゲットを使用
したときのａ点の条件での成膜速度は１２ｎｍ／ｍｉｎ
であった。これに対して、従来の方法における図５のｂ
点の条件（スパッタリング圧力が１００ｍＴｏｒｒ）で
の成膜速度は４ｎｍ／ｍｉｎである。したがって、本実
施例の成膜方法を行った場合、従来方法に比べて、その
成膜速度を４倍にすることができた。
したときのａ点の条件での成膜速度は１２ｎｍ／ｍｉｎ
であった。これに対して、従来の方法における図５のｂ
点の条件（スパッタリング圧力が１００ｍＴｏｒｒ）で
の成膜速度は４ｎｍ／ｍｉｎである。したがって、本実
施例の成膜方法を行った場合、従来方法に比べて、その
成膜速度を４倍にすることができた。
【００２６】また、上記ａ点の条件で作製した膜厚１０
００ｎｍのＰＺＴ薄膜の電気的特性の測定結果を図４に
示す。横軸はＰＺＴ薄膜に印加する電界、縦軸は膜の蓄
積電荷量である。ＰＺＴ薄膜の上部電極と下部電極には
ｐｔを使用し、これら電極に電界±１０ｋＶ／ｃｍを印
加すると、図のように強誘電性を示すヒステリシス曲線
が観測された。このとき、誘電率は７４１、自発分極は
７５μＣ／ｃｍ２、残留分極は２８μＣ／ｃｍ２、抗電
界は６６ｋＶ／ｃｍ、リーク電流は２．９×１０−７Ａ
／ｃｍ２、と良好な結果が得られた。
００ｎｍのＰＺＴ薄膜の電気的特性の測定結果を図４に
示す。横軸はＰＺＴ薄膜に印加する電界、縦軸は膜の蓄
積電荷量である。ＰＺＴ薄膜の上部電極と下部電極には
ｐｔを使用し、これら電極に電界±１０ｋＶ／ｃｍを印
加すると、図のように強誘電性を示すヒステリシス曲線
が観測された。このとき、誘電率は７４１、自発分極は
７５μＣ／ｃｍ２、残留分極は２８μＣ／ｃｍ２、抗電
界は６６ｋＶ／ｃｍ、リーク電流は２．９×１０−７Ａ
／ｃｍ２、と良好な結果が得られた。
【００２７】以上の実施例では、直径４インチのターゲ
ットを用い、スパッタリングガスをＡｒ＋２０％Ｏ２、
高周波電力を１５０Ｗとした場合について示したが、タ
ーゲット寸法、高周波電力、ガス組成の条件が変わって
も、膜組成のスパッタリング圧力依存性、基板温度依存
性の基本的な傾向は同じである。すなわち、膜中のＺｒ
とＴｉの比率はほぼ一定でターゲット組成にほぼ等しい
が、膜中のＰｂの組成比は、ターゲットのＰｂの組成比
とスパッタリング圧力と基板温度とに依存する。すなわ
ち、概略的に言えば、ターゲットのＰｂの組成比ｘが２
〜１０の範囲内で、スパッタリング圧力が１〜１００ｍ
Ｔｏｒｒの範囲内で、かつ基板温度が６００〜７００℃
の範囲内のときに、強誘電体の化学量論組成であるＰｂ
／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１が得られる可能性がある。そし
て、ターゲットのＰｂの組成比ｘ＝２〜１０の範囲のう
ち、ｘが比較的大きいときには、スパッタリング圧力が
低い範囲でのみ自己制御機能が働いて化学量論組成が得
られ、ｘが比較的小さいときには、スパッタリング圧力
が高い範囲まで自己制御機能が働いて化学量論組成が得
られる。化学量論組成が得られない圧力範囲では、スパ
ッタリング圧力の上昇に伴って膜中のＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔ
ｉ）は単調に増加する。また、上記基板温度範囲以外の
温度領域では、基板温度の下降に伴ってＰｂ／（Ｚｒ＋
Ｔｉ）が単調に増加する。
ットを用い、スパッタリングガスをＡｒ＋２０％Ｏ２、
高周波電力を１５０Ｗとした場合について示したが、タ
ーゲット寸法、高周波電力、ガス組成の条件が変わって
も、膜組成のスパッタリング圧力依存性、基板温度依存
性の基本的な傾向は同じである。すなわち、膜中のＺｒ
とＴｉの比率はほぼ一定でターゲット組成にほぼ等しい
が、膜中のＰｂの組成比は、ターゲットのＰｂの組成比
とスパッタリング圧力と基板温度とに依存する。すなわ
ち、概略的に言えば、ターゲットのＰｂの組成比ｘが２
〜１０の範囲内で、スパッタリング圧力が１〜１００ｍ
Ｔｏｒｒの範囲内で、かつ基板温度が６００〜７００℃
の範囲内のときに、強誘電体の化学量論組成であるＰｂ
／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＝１が得られる可能性がある。そし
て、ターゲットのＰｂの組成比ｘ＝２〜１０の範囲のう
ち、ｘが比較的大きいときには、スパッタリング圧力が
低い範囲でのみ自己制御機能が働いて化学量論組成が得
られ、ｘが比較的小さいときには、スパッタリング圧力
が高い範囲まで自己制御機能が働いて化学量論組成が得
られる。化学量論組成が得られない圧力範囲では、スパ
ッタリング圧力の上昇に伴って膜中のＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔ
ｉ）は単調に増加する。また、上記基板温度範囲以外の
温度領域では、基板温度の下降に伴ってＰｂ／（Ｚｒ＋
Ｔｉ）が単調に増加する。
【００２８】
【発明の効果】本発明の強誘電体薄膜作製方法では、１
０≧ｘ≧２のＰｂ過剰なターゲットを使用することによ
り、基板温度を結晶化温度以上の任意の温度に設定し
て、しかも一般に用いられるような低いスパッタリング
圧力領域で成膜した場合でも、膜中におけるＰｂの組成
を化学量論組成に補償することができ、ペロブスカイト
構造のＰｂ１（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏ３の強誘電体薄
膜が作製できるようになる。そして、ｘの数値に応じて
圧力範囲を選択することにより、圧力条件を最適化でき
る。特に、成膜圧力を１〜１００ｍＴｏｒｒ、基板温度
を６００〜７００℃の範囲に設定した場合、膜中におけ
るＰｂの組成比が化学量論組成となることが確認され
た。この発明によれば、低い成膜圧力でも化学量論組成
のＰＺＴ薄膜を成膜時に作製できるので、従来よりも速
い成膜速度で緻密な強誘電体薄膜を作製できるようにな
る。したがって生産効率も良くなり、薄膜の高誘電特性
も向上する。
０≧ｘ≧２のＰｂ過剰なターゲットを使用することによ
り、基板温度を結晶化温度以上の任意の温度に設定し
て、しかも一般に用いられるような低いスパッタリング
圧力領域で成膜した場合でも、膜中におけるＰｂの組成
を化学量論組成に補償することができ、ペロブスカイト
構造のＰｂ１（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏ３の強誘電体薄
膜が作製できるようになる。そして、ｘの数値に応じて
圧力範囲を選択することにより、圧力条件を最適化でき
る。特に、成膜圧力を１〜１００ｍＴｏｒｒ、基板温度
を６００〜７００℃の範囲に設定した場合、膜中におけ
るＰｂの組成比が化学量論組成となることが確認され
た。この発明によれば、低い成膜圧力でも化学量論組成
のＰＺＴ薄膜を成膜時に作製できるので、従来よりも速
い成膜速度で緻密な強誘電体薄膜を作製できるようにな
る。したがって生産効率も良くなり、薄膜の高誘電特性
も向上する。
【図１】本発明の実施例の方法で作製した薄膜のスパッ
タリング圧力に対する膜組成の依存性を示すグラフであ
る。
タリング圧力に対する膜組成の依存性を示すグラフであ
る。
【図２】本発明の実施例の方法で作製した薄膜の基板温
度に対する膜組成の依存性を示すグラフである。
度に対する膜組成の依存性を示すグラフである。
【図３】図１のａ点の条件で作製した薄膜のＸ線回折パ
タ−ンである。
タ−ンである。
【図４】図１のａ点の条件で作製した薄膜の電気的特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図５】図５は従来の方法で作製した薄膜のスパッタリ
ング圧力に対する膜組成の依存性を示すグラフである。
ング圧力に対する膜組成の依存性を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 細川 直吉 東京都府中市四谷５丁目８番１号 日電 アネルバ株式会社内 (72)発明者 石原 数也 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャー プ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式 【数１】 Ｐｂ１（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏ３ （０≦ｙ＜１） で表わされる強誘電体の薄膜をスパッタリング法によっ
て前記強誘電体の結晶化温度以上に加熱した基板上に作
製する方法において、組成が 【数２】Ｐｂｘ（ＺｒｙＴｉ１−ｙ）１Ｏｚ （２≦ｘ
≦１０，０≦ｙ＜１，ｚは任意）のターゲットを用い、
前記ｘの数値に応じてスパッタリング圧力を選択するこ
とを特徴とする強誘電体薄膜作製方法。 - 【請求項２】 スパッタリング圧力を１〜１００ｍＴｏ
ｒｒの範囲内にして成膜することを特徴とする請求項１
記載の強誘電体薄膜作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5078588A JP2676304B2 (ja) | 1992-06-03 | 1993-03-15 | 強誘電体薄膜作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16678492 | 1992-06-03 | ||
| JP4-166784 | 1992-06-03 | ||
| JP5078588A JP2676304B2 (ja) | 1992-06-03 | 1993-03-15 | 強誘電体薄膜作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0649638A JPH0649638A (ja) | 1994-02-22 |
| JP2676304B2 true JP2676304B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=26419647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5078588A Expired - Fee Related JP2676304B2 (ja) | 1992-06-03 | 1993-03-15 | 強誘電体薄膜作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2676304B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004014933A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 圧電素子およびその製造方法 |
| US7102274B2 (en) | 2003-05-20 | 2006-09-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Piezoelectric device and its manufacturing method |
| JP4142705B2 (ja) | 2006-09-28 | 2008-09-03 | 富士フイルム株式会社 | 成膜方法、圧電膜、圧電素子、及び液体吐出装置 |
| EP1905867A1 (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-02 | Fujifilm Corporation | Process for forming a film, piezoelectric film, and piezoelectric device |
| JP4317888B2 (ja) | 2007-08-31 | 2009-08-19 | 富士フイルム株式会社 | スパッタ方法およびスパッタ装置 |
| JP2008179894A (ja) * | 2008-01-21 | 2008-08-07 | Fujifilm Corp | 成膜装置、成膜方法、絶縁膜、誘電体膜、圧電膜、強誘電体膜、圧電素子および液体吐出装置 |
| JP5314963B2 (ja) * | 2008-08-12 | 2013-10-16 | 富士フイルム株式会社 | 積層体、圧電素子、および液体吐出装置 |
| JP5444662B2 (ja) * | 2008-08-25 | 2014-03-19 | ソニー株式会社 | 圧電デバイスの製造方法 |
| JP5371329B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-12-18 | 富士フイルム株式会社 | 圧電素子、および液体吐出装置 |
| JP5568913B2 (ja) * | 2009-07-24 | 2014-08-13 | 株式会社ユーテック | Ｐｚｔ膜の製造方法及び水蒸気加熱装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59121119A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体薄膜の製造方法 |
| JPH03166368A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-18 | Mitsubishi Materials Corp | Ｐｂ―Ｚｒ―Ｔｉ酸化物系ターゲット材の製造方法 |
-
1993
- 1993-03-15 JP JP5078588A patent/JP2676304B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59121119A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電体薄膜の製造方法 |
| JPH03166368A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-18 | Mitsubishi Materials Corp | Ｐｂ―Ｚｒ―Ｔｉ酸化物系ターゲット材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0649638A (ja) | 1994-02-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6309895B1 (en) | Method for fabricating capacitor containing amorphous and polycrystalline ferroelectric films and method for forming amorphous ferroelectric film | |
| US6897513B2 (en) | Perovskite-type material forming methods, capacitor dielectric forming methods, and capacitor constructions | |
| JP3188179B2 (ja) | 強誘電体薄膜素子の製造方法及び強誘電体メモリ素子の製造方法 | |
| US5757061A (en) | Ferroelectric thin film coated substrate, producing method thereof and capacitor structure element using thereof | |
| US5821005A (en) | Ferroelectrics thin-film coated substrate and manufacture method thereof and nonvolatile memory comprising a ferroelectrics thinfilm coated substrate | |
| JP2877618B2 (ja) | 強誘電体膜の形成方法 | |
| US6162293A (en) | Method for manufacturing ferroelectric thin film, substrate covered with ferroelectric thin film, and capacitor | |
| JPH09504500A (ja) | 超格子物質を作成するための化学蒸着プロセス | |
| KR20010031913A (ko) | 유전체 소자와 그 제조 방법 | |
| JP2001007299A (ja) | 多層状電極の鉛ゲルマネート強誘電体構造およびその堆積方法 | |
| JP2676304B2 (ja) | 強誘電体薄膜作製方法 | |
| JP2001107238A (ja) | プラチナ電極上の単相ペロブスカイト強誘電体膜およびその形成方法 | |
| JP3022328B2 (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JP3500787B2 (ja) | ビスマス化合物の製造方法とビスマス化合物の誘電体物質 | |
| JPH09282943A (ja) | 強誘電体結晶薄膜の製造方法及び強誘電体キャパシタ | |
| JPH0665715A (ja) | 誘電体薄膜形成用下地電極の形成方法 | |
| JPH07172984A (ja) | 誘電体薄膜の製造方法及びその製造装置 | |
| JPH088403A (ja) | 強誘電体結晶薄膜被覆基板及び該基板を含む強誘電体薄膜素子及び該強誘電体薄膜素子の製造方法 | |
| JPH09321234A (ja) | 強誘電体薄膜素子の製造方法、強誘電体薄膜素子、及び強誘電体メモリ素子 | |
| JP2003301262A (ja) | 強誘電体薄膜、及び強誘電体薄膜作成用スパッタリングターゲット材料 | |
| JP2000188377A (ja) | 強誘電体薄膜素子およびその製造方法 | |
| KR100219834B1 (ko) | 우선 배향성 강유전 박막의 제조방법 | |
| KR100288501B1 (ko) | 비스무쓰 층상 산화물 강유전체 박막의 제조방법 | |
| JPH0696985A (ja) | 薄膜コンデンサ | |
| JPH10324598A (ja) | 誘電体薄膜の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 11 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 11 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080725 Year of fee payment: 11 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090725 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100725 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100725 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725 Year of fee payment: 14 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |