JP2019519154A - 注入後の基板からの分離により得られる層中の欠陥の修復方法 - Google Patents
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Abstract
Description
一方では、弾性表面波(SAW)フィルター;
もう一方では、弾性バルク波(BAW)フィルターおよび共振器。
従って、本発明の1つの目的は、ABO3タイプの基板における、Smart Cut(商標)方法の実施に関連する欠陥をより効率的に修復することを可能にする方法を考え出すことである。
組成ABO3のドナー基板を提供する工程、
該層を画定するように、そのドナー基板へのイオン種の注入により弱化ゾーンを形成する工程、
そのドナー基板の残りの部分から分離された、欠陥を含んでなる層を得るように、そのドナー基板から弱化ゾーンに沿って分離する工程、
上記の層欠陥修復方法を実施する工程。
図1A〜1Dを参照すると、Smart Cut(商標)方法を実施する組成ABO3の層を製造するために方法が考えられ、その方法は以下の工程を含んでなる:
組成ABO3のドナー基板を提供する工程、
転写する層10を画定するように、ドナー基板100へのイオン種(例えば、水素および/またはヘリウム)の注入により弱化ゾーン101を形成する工程(図1A参照)、
ドナー基板100上へレシーバ基板110を適用する工程であって、転写する層10が界面にある、工程(図1B参照)、
ドナー基板100を弱化ゾーン101に沿って分離して、レシーバ基板110上へ層10を転写する工程(図1C参照)。
Claims (22)
- 組成ABO3の層(10)中の欠陥を修復するための方法であって、構成元素Aのイオンを含有する媒体(M)に該層(10)を曝露して、前記イオンを前記被転写層に浸透させる工程を含んでなり、ここで、Aが、Li、Na、K、H、Ca、Mg、Ba、Sr、Pb、La、Bi、Y、Dy、Gd、Tb、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Ho、Zr、Sc、Ag、Tlから選択される少なくとも1つの元素からなり、かつBが、Nb、Ta、Sb、Ti、Zr、Sn、Ru、Fe、V、Sc、C、Ga、Al、Si、Mn、Zr、Tlから選択される少なくとも1つの元素からなり、該層(10)は、該層を画定する弱化ゾーンを形成するために組成ABO3の基板(100)にイオン種を注入し、その後、ドナー基板の残りの部分から分離された層(10)を得るためにその基板を弱化ゾーンに沿って分離する層転写法によって得られる、方法。
- 前記イオンがイオン交換機構によって前記層(10)に浸透する、請求項1に記載の方法。
- 前記イオンを含有する前記媒体(M)が液体であり、かつ前記層(10)が前記液体の溶液槽に浸漬される、請求項1または2に記載の方法。
- 組成ABO3の前記層(10)が、前記構成元素Aを含んでなる塩の酸溶液を含んでなる溶液槽に浸漬される、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記イオンを含有する前記媒体(M)が気相にあり、かつ前記層(10)が前記ガスに曝露される、請求項1または2に記載の方法。
- 前記イオンを含有する前記媒体(M)が固相にあり、前記媒体(M)の層が前記層(10)上に堆積される、請求項1または2に記載の方法。
- 前記媒体(M)から前記層(10)への前記構成元素Aの拡散を促進するために、少なくとも1つのアニーリング工程を含んでなる、請求項6に記載の方法。
- Aがリチウムである、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記リチウムイオンが逆プロトン交換機構によって前記層(10)に浸透する、請求項8に記載の方法。
- 前記層(10)が、リチウム塩の酸溶液を含んでなる溶液槽に浸漬される、請求項8または9に記載の方法。
- 前記層(10)が単結晶である、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- Aが、Li、Na、K、H、Ca、Mg、Ba、Sr、Pb、La、Bi、Y、Dy、Gd、Tb、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Ho、Zr、Sc、Ag、Tlから選択される少なくとも1つの元素からなり、かつBが、Nb、Ta、Sb、Ti、Zr、Sn、Ru、Fe、V、Sc、C、Ga、Al、Si、Mn、Zr、Tlから選択される少なくとも1つの元素からなる組成ABO3の層(10)を製造するための方法であって、下記工程を含んでなる方法:
組成ABO3のドナー基板(100)を提供する工程、
該層(10)を画定するように、そのドナー基板(100)へのイオン種の注入により弱化ゾーン(101)を形成する工程、
そのドナー基板(100)の残りの部分から分離された、欠陥を含んでなる層(10)を得るためにそのドナー基板(100)を弱化ゾーン(101)に沿って分離する工程、
請求項1〜11のいずれか一項に記載の層(10)の欠陥修復方法を実施する工程。 - 前記注入される種が水素および/またはヘリウムを含んでなる、請求項12に記載の方法。
- 前記修復工程の前に、前記層(10)の厚さの一部が除去される、請求項12または13に記載の方法。
- 前記層(10)の厚さが2μmより大きく、好ましくは、20μmより大きく、前記ドナー基板(100)からの分離の最後に前記層が自立する、請求項12〜14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記弱化ゾーンの形成工程と、その弱化ゾーンに沿った前記ドナー基板からの分離工程との間に、前記ドナー基板(100)上へのレシーバ基板(110)の適用を含んでなり、前記層(10)が前記基板(100、110)の間の界面にあり、前記ドナー基板(100)からの分離の最後に前記層(10)が前記レシーバ基板(110)上に転写される、請求項12〜14のいずれか一項に記載の方法。
- 前記レシーバ基板の適用が前記基板(110)の前記ドナー基板(100)上への堆積を含んでなる、請求項16に記載の方法。
- 前記レシーバ基板の適用が前記基板(110)の前記ドナー基板(100)上への接着を含んでなる、請求項16に記載の方法。
- 前記層(10)の厚さが20μm未満である、請求項16〜18のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも1つの電気絶縁層および/または少なくとも1つの導電層が前記レシーバ基板(110)と、転写する前記層(10)との間の界面に形成される、請求項16〜19のいずれか一項に記載の方法。
- 圧電層(10)の2つの対向する主面上への電極(12、13)の形成を含んでなる、弾性バルク波デバイスの製造方法であって、請求項12〜20のいずれか一項に記載の方法による圧電層(10)の製造を含んでなる、方法。
- 圧電層(10)の表面上への2つの交互嵌合型電極(12、13)の形成を含んでなる、弾性表面波デバイスの製造方法であって、請求項12〜20のいずれか一項に記載の方法による圧電層の製造を含んでなる、方法。
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