JP5487199B2 - プロトン交換による薄層を転写させる方法 - Google Patents
プロトン交換による薄層を転写させる方法 Download PDFInfo
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Description
10%から80%の割合でリチウムイオンをプロトンと交換するために、前記基板の遊離面を通り深さe1に至る、前記基板と酸である第1の電解質との間でのプロトン交換段階、
第1の深さe1より浅い第2の深さe2に至り、少なくともほぼすべてのプロトンをリチウムイオンと交換し、深さe1と深さe2との間に中間層を残すために、前記遊離面を通る、前記基板と第2の電解質との間での逆プロトン交換段階であって、この中間層には、プロトン交換段階の間に組み込まれたプロトンが依然として存在し、この深さe2が前記遊離面と中間層との間の薄層を規定する段階、
中間層の脆弱化を生じさせるのに好適な条件下で行われる熱処理段階、および
中間層のレベルにて、基板の残存部分に対して薄層を分離するための分離段階
を含む。
LiD3(SeO3)2:亜セレン酸三水素リチウム
LiTiC4H4O6−4H2O:酒石酸リチウムタリウム
Li(N2H5)SO4:硫酸リチウムヒドラジニウム
を挙げることができる。
中間層は、少なくとも1マクロメートルの厚さを有し、有利なことには深さe1は少なくとも5マイクロメートルに等しく、第2の深さe2は少なくとも3マイクロメートルに等しく、中間層は少なくとも2マイクロメートルの厚さを有する;これは、中間層および薄層の厚さを選択するための大きな自由度を与える、
出発基板は、ミクロ構造の配向が適切に選択されるならばプロトンの浸透を促進する単結晶である、
第1の電解質は、安息香酸またはハイドロスルファートを含む酸浴であり、そこで基板は220℃から350℃の温度にて1時間から30時間含浸される;こうした処理は特に酸化リチウムの場合に既に好適であることが証明されている、
第2の電解質は、リチウム、ナトリウムおよびカリウムの塩の混合物を含有する浴であり、そこで基板は、300℃から350℃の温度にて0.5時間から5時間含浸される;こうした処理もリチウム化合物の場合に既によく試験されている、
逆プロトン交換段階の前に任意のアニーリング段階を、300℃から380℃の温度で0.5時間から30時間行う;これが、温度上昇を避けるまたは迅速な進行を望むかどうかに応じて、大きな選択肢を提供する、
結合段階は、前記基板が前記薄層によって第2の基板に結合される過程において提供される(それでもなお、こうした段階は薄層がキャリア基板を用いずに操作可能にするために十分な厚さ(通常数マイクロメートル)を有する場合には必ずしも必要でないことを理解すべきである。);有利なことには、この第2の基板への結合段階は、出発基板とこの第2の基板との間の分子結合を含み、これはマイクロエレクトロニクスの分野における多種多様の材料に関して既に十分研究されている結合技術である;有利なことには、前記分子結合は、基板の一方または他方での少なくとも1つのキーイング層の堆積段階によって進行する、
熱による脆弱化処理段階(例えば任意の結合段階中またはこの段階後に行われる。)は、100℃から500℃(通常200℃から350℃)の温度にて1分から100時間(通常0.5時間から2時間)行われ、これは特に高温を必要とせずに妥当な程度に迅速であることが判明している;第1の場合によれば、次いで分離は、熱による脆弱化処理を継続する熱処理によって得られる;好ましくは、熱による脆弱化処理および分離段階は、所望の分離が得られるまで、0.1℃/分から5℃/分(好ましくは1℃/分から5℃/分)の速度での段階的な温度上昇によって得られる;変形例として、分離段階は、脆弱化された中間層のレベルでのブレードの挿入によって得られる、
非常に一般的には、分離は、熱処理の適用および/または剥離の機械的応力の適用によって、引くおよび/または曲げるおよび/または剪断によって、および/またはブレードの挿入によって、および/または超音波もしくはマイクロ波の適用によって得られ、これは従来の転写技術にて既に使いこなされている技術を用いることを意味する。
10%から80%の割合で、基板に存在するリチウムイオンをプロトンで交換するために、前記基板の遊離面11を通り深さe1に至る、前記基板10と酸である第1の電解質(図示せず)との間のプロトン交換段階;プロトンH+のプロファイルまたは水素イオンのプロファイルは、遊離面11から出発した平坦域と、基板10の残存部分内において最小値に至る段階的減少域を有する−図1を参照のこと、
イオンの再配置を促進するための任意のアニーリング段階であって、それによって厚さe1まで拡散したプロトンが基板の材料構成成分と再結合し、初期元素(リチウム)の欠損をもたらす段階;故に表面層12は、遊離面11に沿って得られ、基板10の残存部分(10Aと標識される。)と初期には同一であったこの微細構造が変更されている(濃度プロファイルはこの段階では感知できる程度には変わらない。)、
第1の深さe1より浅い第2の深さe2に至る、少なくともほぼすべてのプロトンを前記元素(リチウム)イオンで交換し、深さe2とe1との間にある例えば少なくとも1マイクロメートルの中間層12Aを残すための、遊離面11を通る前記基板と第2の電解質(図示せず)との間の逆プロトン交換段階であって、中間層にはプロトン交換段階中に材料に組み込まれた高割合のプロトンが依然として存在し、深さe2は、前記遊離面11と中間層12Aとの間の薄層12Bを規定する−右側にはH+イオン濃度のベル型プロファイルを示す図2を参照のこと、
任意の結合段階であって、この間に前記基板を前記薄層によって第2の基板13に接合させる段階(図示しないが(実際には厚さe1およびe2よりもかなり薄い)キーイング層を、問題の面に予め形成できる。)、
中間層12Aの脆弱化を生じるのに好適な条件下にて(行われる場合には)結合段階中または結合段階後に行われる熱処理段階;および
図3における構成に基づいて基板の残存部分に対して、薄層(任意の結合段階が行われる場合には基板13に接合している。)を分離するための分離段階−図4を参照のこと;実際分離は、熱処理(例えば図3において脆弱化処理を行うことによって)および/または機械的応力の適用によって(引く、曲げるなど)、例えば図3でのブレードMによって(変形例として、これは特に、例えば空気式の流体ジェットなどであることができる。)得ることができる。
1.プロトン交換およびアニーリングによる、表面から深さe1へのHxLi1−xTaO3またはHxLi1−xNbO3(10%<x<80%)層の形成、
2.逆プロトン交換による表面から深さe2<e1へのLiTaO3またはLiNbO3層の形成、
3.補強材(例えば第2の基板)との材料の緊密な接触、
4.熱処理の適用および/または剥離力の適用による、e1とe2との間に埋め込まれたHxLi1−xTaO3またはHxLi1−xNbO3層のレベルでの破砕(例えば、2つの基板間へのブレードの挿入、および/または引くおよび/または曲げるおよび/または剪断応力、および/または注意深く選択された出力および周波数の超音波もしくはマイクロ波の適用)、
5.HxLi1−xTaO3またはHxLi1−xNbO3層の除去。
転写されるべき薄膜の厚さe2を制御するため、
必要な厚さの中間層を形成するため:例えばこの厚さをより微細にして、分離後のラフネスを低下させる、
変動可能な分離容易性を得るために導入されるプロトンの濃度を制御するため;例えば濃度が高い場合、分離はより低い熱量で得ることができる。
直接プロトン交換および逆プロトン交換の組み合わせは、微結晶摂動が後の脆弱化層にて集中し、特に後の薄層に関して出発基板の微細構造および組成に大きな変更をもたらさずにSi−H錯体またはH2沈殿物またはプレートレットなどが形成される衝撃によるイオン注入とは対照的に、2つの微細構造および組成の変化を含む、
直接プロトン交換、および次いで逆プロトン交換の2つの処理の条件に応じて、脆弱化層の厚さは、容易に制御でき、衝撃による注入の場合よりも厚くできる、
後の薄層内における組成および微細構造の2つの連続的な変更は、分子結合を、衝撃による注入よりも困難にし得るのは事実であるが、分子結合に関連する当業者の知識では、それでもなお、良好な品質の分子結合を得ることはできることを理解する。
Claims (17)
- リチウムに基づく出発基板から薄層を転写させる方法であって:
前記出発基板の遊離面を通り深さe1に至る、前記出発基板と酸である第1の電解質との間でのプロトン交換段階であって、前記出発基板中の、前記出発基板の前記遊離面から深さe1に至るまでの間の層に在るリチウムイオンのうちの10%から80%を、前記遊離面から深さe1までの間の層に在るプロトンで交換する段階、
第1の深さe1より浅い第2の深さe2に至り、プロトンをリチウムイオンと交換し、深さe1と深さe2との間に中間層を残すために、前記遊離面を通る、前記出発基板と第2の電解質との間での逆プロトン交換段階であって、この中間層には、プロトン交換段階の間に組み込まれたプロトンが依然として存在し、この深さe2が前記遊離面と中間層との間の薄層を規定する段階、
前記逆プロトン交換段階の後に、100℃から500℃の範囲の温度で1分から100時間の期間にわたって中間層を脆弱化するために行われる熱脆弱化処理段階、および
中間層の高さにて、前記出発基板の残存部分に関して薄層を分離するための分離段階
を含む、方法。 - 中間層が少なくとも1マイクロメートルの厚さを有することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 深さe1が5マイクロメートル以上であり、第2の深さe2が3マイクロメートル以上であり、中間層が少なくとも2マイクロメートルの厚さを有することを特徴とする、請求項2に記載の方法。
- 前記出発基板が単結晶であることを特徴とする、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記出発基板が、少なくともこの遊離面付近において、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムで構成されることを特徴とする、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 第1の電解質が安息香酸またはハイドロスルファートを含む酸浴であり、ここで前記出発基板が220℃から350℃の温度にて1時間から30時間含浸されることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 第2の電解質が、リチウム、ナトリウムおよびカリウムの塩の混合物を含有する浴であり、ここで前記出発基板が300℃から350℃の温度にて0.5時間から5時間含浸されることを特徴とする、請求項5または6に記載の方法。
- アニーリング段階が、逆プロトン交換段階の前に、300℃から380℃の温度で0.5時間から30時間行われることを特徴とする、請求項1から7のいずれか一項に記載の方法。
- 結合段階をさらに含み、この過程で前記出発基板が第2の基板に前記薄層により結合されることを特徴とする、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 第2の基板への結合段階が、前記出発基板とこの第2の基板との間の分子結合を含むことを特徴とする、請求項9に記載の方法。
- 分子結合が、一方または他方の基板上への少なくとも1つの結合層の堆積段階により進行することを特徴とする、請求項10に記載の方法。
- 熱脆弱化処理の段階が、0.5時間から2時間の時間、200℃から350℃にて行われることを特徴とする、請求項1から11のいずれか一項に記載の方法。
- 分離が、熱脆弱化処理の間または熱脆弱化処理を継続させる熱処理によって得られることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
- 熱脆弱化処理および分離段階が、0.1℃/分から5℃/分の割合での段階的温度上昇によって得られることを特徴とする、請求項13に記載の方法。
- 分離段階が、脆弱化中間層の高さでのブレードの挿入によって得られることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
- 分離段階が、剥離の機械的応力の適用として、引く、曲げる、剪断、ブレードの挿入、超音波、およびマイクロ波の少なくともひとつの適用により得られる段階であることを特徴とする、請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。
- 熱脆弱化処理および分離段階が、1℃/分から5℃/分の割合での段階的温度上昇によって得られることを特徴とする、請求項14に記載の方法。
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