JPH11150441A - 表面弾性波素子の実装構造および実装方法 - Google Patents

表面弾性波素子の実装構造および実装方法

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JPH11150441A
JPH11150441A JP9314123A JP31412397A JPH11150441A JP H11150441 A JPH11150441 A JP H11150441A JP 9314123 A JP9314123 A JP 9314123A JP 31412397 A JP31412397 A JP 31412397A JP H11150441 A JPH11150441 A JP H11150441A
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surface acoustic
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wave element
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    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 構造全体の大きさを小型なものにすることが
でき、繰り返しの温度変化や落下等の衝撃によっても容
易に前記接触部分が破損することがない、信頼性の高い
実装構造を得る。 【解決手段】 機能面1aに振動伝搬部が形成された表
面弾性波素子1と、実装面6aに接続パッド7が形成さ
れた配線基板6と、接続パッド7と表面弾性波素子1と
を電気的に接続するバンプ5と、配線基板6と表面弾性
波素子1との間の間隙に充填され配線基板6と表面弾性
波素子1とを接着する樹脂8と、配線基板6と表面弾性
波素子1との間の前記振動伝搬部に相当する部位に形成
された振動空間9とからなる表面弾性波素子の実装構造
において、配線基板6と表面弾性波素子1とを同一形状
かつ同一大きさに形成し、表面弾性波素子1の外周部を
配線基板6の外周部に一致させて実装する構造とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、機能面に櫛形電極
と接続パッドが形成された表面弾性波素子を、接着用の
樹脂と金属製のバンプを介して配線基板に実装する表面
弾性波素子の実装構造およびその実装方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】表面弾性波素子等の被実装体を配線基板
等の実装基板に実装した実装構造および実装方法とし
て、特開平4−150405号に開示されているフリッ
プチップ実装構造が知られている。
【0003】図6は上記した従来の実装構造を示す図で
ある。図6で示すように、機能面1aに櫛形電極2と接
続パッド4が形成された表面弾性波素子1は、配線基板
6の実装面6aに機能面1aを対面させた状態で、バン
プ5を介して電気的,機械的に接続されている。表面弾
性波素子1は、図示しないディスペンサ等より供給され
た粘度の高いシリコン樹脂8′によって周囲がコーティ
ングされているとともに、配線基板6に接着して固定さ
れている。
【0004】図7は、図6に示す実装構造を得るための
従来の実装方法を説明する実装工程図である。図示する
ように、この実装方法は、ウェハ上に複数個形成された
表面弾性波素子1の、機能面1aの入出力端子およびグ
ランド端子となる接続パッド4上にバンプ5を形成する
バンプ形成工程31と、ウェハを切断して個々の表面弾
性波素子1に分割するダイシング工程32と、実装する
表面弾性波素子1の個々に応じて接続パッド7が形成さ
れた配線基板6の実装面6aに表面弾性波素子1の機能
面1aを対面させ、表面弾性波素子1のバンプ5と配線
基板6の接続パッド7との位置を合わせ、表面弾性波素
子1を配線基板6上に載置するマウント工程33と、接
着用のシリコン樹脂8′を供給して表面弾性波素子1を
配線基板6に接着して固定するシリコン樹脂供給工程3
4とからなっている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の実装構造およびその実装方法によると、配線基
板6に表面弾性波素子1を実装した後に表面弾性波素子
1の外側からシリコン樹脂8′を供給して配線基板6と
表面弾性波素子1を接着しているため、構造全体の大き
さが表面弾性波素子1よりもかなり大きくなってしまう
という問題がある。また、シリコン樹脂5の大部分が表
面弾性体素子1よりはみ出してしまい、その結果シリコ
ン樹脂の使用量も多くなって製造コストが高くなるとい
う問題もある。
【0006】さらに、実装構造体の全体に温度変化が繰
り返し加わると、表面弾性波素子1と配線基板6の膨張
率の違いによる応力が表面弾性波素子1側のバンプと配
線基板6側の接続パッド7との接続部分に直接付加さ
れ、当該部分で疲労破壊を生じやすいという問題があ
る。また、落下時の衝撃によっても前記接続部分に破損
が生じやすく、信頼性に劣るという問題がある。さら
に、表面弾性波素子1のマウントを個々の実装構造ごと
に行っているため、マウント工程33における作業効率
が低く、製造コストが高くなるという問題もある。
【0007】この場合、シリコン樹脂26に代えてエポ
キシ樹脂等他の樹脂を使用し、表面弾性波素子1と配線
基板6との間の間隙に樹脂を浸透させ、前記接続部分の
周囲に樹脂を充填することも考えられるが、樹脂の粘度
によっては毛管現象により表面弾性波素子1と配線基板
6との間の振動空間9内にまで樹脂が浸透してしまい、
表面弾性波素子1の機能面1aの振動伝搬部に樹脂が付
着して適切な振動空間の形状を得ることが困難になると
いう問題がある。
【0008】本発明は上記の問題点にかんがみてなされ
たものであり、実装構造全体の大きさを小型なものにす
ることができ、かつ、繰り返しの温度変化や落下等の衝
撃によっても容易に前記接続部分が破損することがな
く、長期にわたって安定的な動作を得ることができる信
頼性の高い実装構造を得ること、および、マウント工程
においても作業性を向上させ、製造コストを低減させて
安価な実装構造を得ることができる実装方法を提供する
ことを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1記載の表面弾性波素子の実装構造は、機能
面に振動伝搬部が形成された表面弾性波素子と、前記表
面弾性波素子が実装される実装面に接続パッドが形成さ
れた配線基板と、前記接続パッドと前記表面弾性波素子
とを電気的に接続するバンプと、前記配線基板と前記表
面弾性波素子との間の間隙に充填され前記配線基板と前
記表面弾性波素子とを接着する樹脂と、前記配線基板と
前記表面弾性波素子との間の前記振動伝搬部に相当する
部位に形成された振動空間とからなる表面弾性波素子の
実装構造において、前記配線基板の外形切断面を前記表
面弾性波素子の外周縁に一致させた構成としてある。こ
のような構成にすることにより、表面弾性波素子の実装
構造体を小型のものにすることができる。
【0010】請求項2記載の表面弾性波素子の実装構造
は、請求項1の実装構造において、前記間隙には感光性
樹脂を充填し、露光,現像処理によって前記感光性樹脂
を部分的に除去して前記振動空間を形成した構成として
ある。このような構成にすることにより、バンプ周囲を
樹脂で被覆することが可能になり、温度変化や衝撃等に
よる接続部の損傷を無くすことができ、接続信頼性を高
めることができる。
【0011】請求項3記載の表面弾性波素子の実装構造
は、請求項2に記載の実装構造において、前記表面弾性
波素子の前記機能面と前記配線基板の前記実装面との間
に形成される前記感光性樹脂の充填部は、前記振動空間
を取り囲む連続した枠状に形成した構成としてある。こ
のように構成することにより、樹脂8の使用量も極めて
少なくて済み、経済的であるうえ、振動空間を外気から
密閉して塵埃や水分の侵入を防ぐことができる。
【0012】請求項4記載の表面弾性波素子の実装構造
は、前記感光性樹脂として、所定の温度に加熱すると硬
化する熱硬化性樹脂を用いた構成としてある。このよう
な構成とすることにより、マウント工程において加熱す
ることによって、表面弾性波素子を配線基板に強固に接
着することができる。
【0013】請求項5記載の表面弾性波素子の実装構造
は、前記感光性樹脂として、光を照射すると硬化する光
硬化性樹脂を用いた構成としてある。このような構成と
することにより、光を照射するだけで簡単に表面弾性波
素子の振動空間の周囲の感光性樹脂を硬化し、振動空間
を確保することが可能になる。
【0014】請求項6記載の表面弾性波素子の実装構造
は、前記感光性樹脂の硬化後のガラス転移点温度が摂氏
200〜310度の範囲内にあるようにしてある。この
範囲より温度が低いと、マザーボードへの実装のリフロ
ー温度(半田融点183度)において感光性樹脂の劣化
が激しくなり、かつ、熱膨張が急激に大きくなって接続
部分の信頼性が悪くなる。また、この範囲より温度が高
いと、樹脂自身の吸水率が高くなり、アルミ配線が腐食
を起こしやすくなる。
【0015】請求項7記載の表面弾性波素子の実装構造
は、前記感光性樹脂単体の硬化後の熱膨張係数が、50
〜75[×10-6/度]の範囲内である構成としてあ
る。この範囲より熱膨張係数が大きいと表面弾性波素子
および配線基板との熱膨張係数の差を小さくする場合
に、フィラー混入の必要量が増え、粘度が高くなる。
【0016】請求項8記載の表面弾性波素子の実装構造
は、前記表面弾性波素子と前記配線基板とが、金属製の
バンプにより電気的に接続される構成としてある。この
ような構成とすることにより、導電性樹脂等の材質のも
のでバンプを形成する場合に比してバンプの形成がしや
すく安価で、かつ、高温下においても容易に変形等しな
いので、大量生産に適し、長寿命の実装構造を得ること
ができる。
【0017】請求項9記載の表面弾性波素子の実装構造
は、前記表面弾性波素子の機能面の全面あるいは一部
に、保護膜を有する構成としてある。このような構成と
することにより、外部から侵入した塵埃や水分が接続パ
ッドや櫛形電極に直接付着することがなく、より信頼性
の高い実装構造体を得ることができる。
【0018】請求項10記載の表面弾性波素子の実装構
造は、請求項9記載の表面弾性波素子の実装構造におい
て、前記保護膜がSi,SiO2,SiN等のシリコン
系膜からなる構成としてある。このように構成すること
により、絶縁性や耐水性に優れる保護膜をスパッタリン
グや蒸着等の方法により簡単かつ安価に表面弾性波素子
の機能面に形成することができる。
【0019】請求項11記載の表面弾性波素子の実装構
造は、表面弾性波素子の前記機能面と前記配線基板の前
記実装面との間の間隙に、複数種類の樹脂からなる樹脂
層を形成し、前記樹脂層のうち、前記振動伝搬部に面し
た樹脂を感光性樹脂として、この感光性樹脂を露光,現
像処理にすることにより前記振動空間を形成してある。
このような構成とすることにより、配線基板側の接続パ
ッドを樹脂で被覆して塵埃や水分の付着を防止すること
ができるとともに、高価な感熱性樹脂の使用量を減らし
てより安価に実装構造体を製造することができる。
【0020】請求項12記載の表面弾性波素子の実装構
造は、前記配線基板がガラスエポキシ樹脂基板またはセ
ラミック基板で形成してある。このような構成とするこ
とにより、安価なガラスエポキシ樹脂基板またはセラミ
ック基板を使用して実装構造体をより安価なものとする
ことができる。
【0021】請求項13記載の表面弾性波素子の実装方
法は、振動伝搬部を有する表面弾性波素子の機能面を、
配線基板の実装面に所定間隔離間させて対面させ、前記
機能面の振動伝搬部と前記実装面との間の振動空間を保
持した状態で前記機能面と前記実装面との間の間隙に樹
脂を充填して前記表面弾性波素子を前記配線基板に実装
してなる表面弾性波素子の実装構造体の実装方法におい
て、前記機能面にバンプを形成する工程と、前記機能面
あるいは前記実装面の少なくとも一方に感光性樹脂を供
給する工程と、前記感光性樹脂を露光,現像処理して部
分的に前記感光性樹脂を前記機能面または前記実装面か
ら除去し、前記振動空間を形成する工程と、前記表面弾
性波素子と前記配線基板とを所定間隔離間させて前記機
能面と前記実装面とを対面させ、位置合わせする工程
と、前記表面弾性波素子を前記配線基板の実装面に加圧
しながら押し付け、加圧しながら加熱あるいは光を照射
することにより前記感光性樹脂を硬化させ、前記表面弾
性波素子を前記配線基板に実装する工程と、前記表面弾
性波素子と前記配線基板の外形処理を接着された状態で
同時に行い、前記配線基板の外形切断面を前記表面弾性
波素子の外周縁に一致させる工程とを有する方法として
ある。これにより、実装構造体を小型なものにすること
ができ、実装工程(マウント工程)においても作業効率
が向上して実装構造体の製造コストを安価なものにする
ことができる。また、感熱性樹脂が振動空間の周囲を取
り囲んで塵埃や水分の侵入を防止するので、より信頼性
の高い実装構造体を得ることができる。
【0022】請求項14記載の表面弾性波素子の実装方
法は、前記バンプを形成する工程の前に、前記機能面の
前記バンプを形成する部分を除く全体または一部に保護
膜を形成する工程を設けた方法としてある。これによ
り、外部から侵入した塵埃や水分が接続パッドや櫛形電
極に付着することを防止でき、より信頼性の高い実装構
造体を得ることが出きる。
【0023】請求項15記載の表面弾性波素子の実装方
法は、請求項14または請求項15に記載の表面弾性波
素子の実装構造体の実装方法において、前記表面弾性波
素子および配線基板を、それぞれ複数個づつ有する小片
の状態で前記バンプの形成工程から表面弾性波素子を配
線基板に実装する工程まで処理し、前記表面弾性波素子
を配線基板に実装する工程の後に前記小片を切断して個
々の表面弾性波素子の実装構造体に分割する工程を有す
る方法としてある。これにより、マウント工程における
作業効率をより向上させることができる。
【0024】請求項16に記載の表面弾性波素子の実装
方法は、請求項13または請求項14に記載の表面弾性
波素子の実装構造体の実装方法において、前記表面弾性
波素子および配線基板をウェハ状態のままで前記バンプ
の形成工程から表面弾性波素子を配線基板に実装する工
程まで処理し、前記表面弾性波素子を配線基板に実装す
る工程の後に前記ウェハを切断して個々の表面弾性波素
子の実装構造体に分割する工程を有する方法としてあ
る。この方法によっても、マウント工程における作業効
率を向上させることができる。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、本発明の表面弾性波素子の
実装構造および実装方法の一実施形態について、図面を
参照しつつ説明する。図1は本発明の表面弾性波素子の
実装構造についての第1の実施形態を示す断面図であ
る。
【0026】表面弾性波素子1の機能面1aには、櫛形
電極2および入出力端子およびグランド端子となる接続
パッド4が形成されている。この実施形態においては、
防塵または防水のために、機能面1aに櫛形電極2およ
び接続パッド4を被覆するように保護膜3が形成されて
いるが、防水や防塵の必要が特にない場合等には保護膜
3は設けなくても、また部分的に設けるものとしてもよ
い。保護膜3としては、絶縁性や耐水性に優れ、製造コ
ストが安価であるSi,SiO2,SiN等のシリコン
(Si)系のものを用いることが好ましい。また、保護
膜3の厚みは櫛形電極2や接続パッド4を被覆できる程
度、通常は0.01μm ないし0.2μm の範囲内であ
れば十分である。
【0027】接続パッド4上の所定位置には、金属製の
バンプ5が形成されている。一方、配線基板6には、実
装面6aに接続パッド7が形成されている。配線基板6
としては、安価なガラスエポキシ基板の他、セラミック
基板、ガラス基板、フレキシブル基板などを使用するこ
とができる。表面弾性波素子1は、配線基板5に対面し
て配置されているとともに、配線基板5に形成された接
続パッド7にバンプ5が当接して電気的に接続されてい
る。
【0028】表面弾性波素子1と配線基板5との間の間
隙には樹脂8が充填され、表面弾性波素子1と配線基板
5とを接着している。表面弾性波素子1と配線基板5は
ほぼ同一大きさおよび形状に形成されていて、接着状態
において各々の外周部が一致している。また、表面弾性
波素子1の櫛形電極2が形成された振動伝搬部と配線基
板5との間は、樹脂8が部分的に取り除かれて振動空間
9が形成されている。
【0029】なお、樹脂8としては、光の照射によって
重合または架橋して不溶化する性質を有し、加熱によっ
て接着性および硬化性を有する感光性樹脂を使用するこ
とにより、本発明の実装構造を形成することが容易にな
る。また、櫛形電極2や接続パッド4は、コストが安価
で表面弾性波素子1の特性を得やすいアルミニウム(A
l)で形成すること望ましいが、これに限られるもので
なく、他の導電材料で形成するものとしてもよい。
【0030】このように構成された表面弾性波素子1の
実装構造によれば、表面弾性波素子1と配線基板5の外
周部が一致していて、かつ、接着用の樹脂8も実装構造
の外側にはみ出さないので、実装構造全体の大きさを表
面弾性波素子1とほぼ同じ大きさまで小型化することが
できる。また、表面弾性波素子1側のバンプ5と配線基
板6側の接続パッド7との接続部分が周囲から樹脂8に
よって被覆されているので、繰り返しの温度変化や落下
時の衝撃等によって容易に接続部分が破損するというこ
とがなく、長期にわたって安定的に動作する信頼性の高
い実装構造を得ることができる。また、保護膜3を形成
したものは、塵埃や水分が接続パッド4や櫛形電極2に
付着することを防止して、実装構造体の信頼性をより向
上させることができる。
【0031】なお、この発明の表面弾性波素子1の実装
構造は上記の実施形態のものに限られない。図2および
図3は、本発明の他の実施形態にかかるもので、その断
面を示したものである。図2に示す実装構造では、樹脂
8をバンプ5と接続パッド7の接続部分の外側近傍に枠
状に被覆している。この実施形態のものは、表面弾性波
素子1と配線基板6との熱膨張係数の差が小さく、温度
変化により前記接続部分に付加される応力が小さい場合
に適している。この実施形態によれば、樹脂8の使用量
が極めて少なくて済むので、製造コストを安価なものに
することができるという効果がある。
【0032】図3に示す実施形態では、配線基板6の実
装面6aには、表面弾性波素子1側から順に第1の樹脂
である感光性樹脂10,第2の樹脂である異方導電性樹
脂11が層状に塗布されて樹脂層を形成している。そし
て、前記と同様、露光,現像処理により感光性樹脂10
の一部を除去して、櫛形電極2を含む振動伝搬部に振動
空間が形成されるようになっている。前記した異方導電
性樹脂11は、導体で挟み込まれた方向、この場合に
は、表面弾性波素子1および配線基板6に直交する方向
には導電性を有するが、配線基板6に平行な方向には導
電性を有しない性質のものである。
【0033】この実施形態によれば、配線基板6側の接
続パッド7も異方導電性樹脂11によって被覆されるの
で、塵埃や水分の侵入による故障を防止することがで
き、より信頼性の高い実装構造を得ることができる。な
お、異方導電性樹脂11から導電性粒子を取り除いた絶
縁樹脂を代わりに用いることとしてもよい。
【0034】図4は、図1ないし図3に示す表面弾性波
素子1の実装構造を得るための実装方法を示すもので、
その工程図である。機能面1aを保護膜3で被覆する場
合は、ウェハ上に複数形成された表面弾性波素子1の機
能面1aのうち、バンプ5を形成する部分を除く全面ま
たは櫛形電極2を有する部分等の部分的に、スパッタリ
ング法や真空蒸着法等により保護膜3を形成する(図4
において11)。保護膜3としてはSi,SiO2,S
iN等の膜であることが好ましく、膜厚も櫛形電極2や
接続パッド4を被覆できる程度の厚み、通常は0.01
μm ないし0.2μm の範囲であればよい。
【0035】次に、表面弾性波素子1の機能面1aに形
成された入出力端子およびグランド端子となる接続パッ
ド4上に、メッキ法やワイヤボンディング法,転写バン
プ法等により、金(Au)等の金属でバンプ5を形成す
る(同12)。この後、スピンコート法や印刷法によ
り、感光性樹脂8をウェハ全面に10〜100μm の厚
さで塗布する(同13)。この場合、塗布する感光性樹
脂8の厚さは、マウント後のバンプ5の高さとほぼ同一
高さでなければならない。また、感光性樹脂8は、光の
照射によって重合または架橋して不溶化する性質を有す
るものであればよい。感光性樹脂の一例としては、フィ
ルム状のもので、硬化後のガラス転移温度が摂氏300
度,フィラーなしの状態での膨張係数が70[×10-6
/度]のものを使用できる。
【0036】この感光性樹脂にSiO2等のフィラーを
混合することにより、熱膨張係数は22〜70[×10
-6/度]の範囲内で調整が可能になり、表面弾性波素子
1や配線基板6の熱膨張係数に応じて選択が可能にな
る。なお、感光性樹脂8は、硬化後のガラス転移点温度
が摂氏200〜310度の範囲内で適宜に選択すること
ができる。この感光性樹脂8に露光,現像処理を施すこ
とにより、櫛形電極2を含む振動伝搬部を覆っている感
光性樹脂8を部分的に除去して振動空間9を形成する
(同14)。
【0037】マウント工程(同15)では、表面弾性波
素子1の個々に応じて接続パッド7が形成されたガラス
エポキシ基板,セラミック基板,ガラス基板,フレキシ
ブル基板等の配線基板上に、表面弾性波素子1の機能面
1aを下向きにして対面させ、バンプ5が配線基板6の
接続パッド7に一致するように表面弾性波素子1の位置
を合わせる。そして、この状態を保持したまま、表面弾
性波素子1を配線基板6上に載置する。このマウント工
程においては、バンプ5と接続パッド7に一バンプ当た
り30〜150gの押圧力を付加した状態で、感光性樹
脂8を摂氏200度以上に加熱して硬化させ、表面弾性
波素子1と配線基板7とを接着する。
【0038】マウント工程では、ウェハ状の表面弾性波
素子1と、実装面6aに表面弾性波素子1の個々に応じ
たピッチで接続パッド7が形成された配線基板6が接着
された状態であるので、ダイシング工程において個々の
実装構造体に切り離す必要がある(同16)。このよう
にして、図1ないし図3に示すような表面弾性波素子1
の実装構造体が得られる。この実装方法によれば、感光
性樹脂8が実装構造体の外側に必要以上にはみだすとい
うことがなく、製造コストを低減することができるほ
か、マウント工程においても複数の実装構造体を一括し
て形成することができるので、作業効率が向上し、製造
コストを低減させることができる。
【0039】なお、この発明の実装方法は上記のものに
限られず、例えば図5に示すようなフローによっても同
様の実装構造が得られる。図5は実装方法の他の実施形
態を示すものである。この実施形態では、保護膜形成
(工程21)、バンプ形成工程(同22)、マウント工
程(25)、ダイシング工程(同16)は同様である
が、工程23,24で示すように、感光性樹脂8を配線
基板6側に塗布し、露光,現像処理を施すことによって
感光性樹脂8を部分的に除去して振動空間9を形成して
いる点で異なる。
【0040】また、上記の説明では、表面弾性波素子を
複数有するウェハ状態で各工程の処理を行うものとして
説明したが、ウェハを適宜のサイズに分割し、複数個の
表面弾性波素子1が含まれる小片にて処理を行うものと
してもよい。例えば、1.5mm四方の表面弾性波素子1
であれば、これを縦横10個分の表面弾性波素子を有す
る小片、つまり100個分の表面弾性波素子を有する1
5mm四方の小片にウェハを分割し、この小片を100個
分の接続パッドが形成された配線基板6に載置して感光
性樹脂の供給やマウント,ダイシング等の各処理を行う
ものとしてもよい。
【0041】
【発明の効果】本発明によれば、実装構造体の大きさを
表面弾性波素子と同等の大きさまで小型化することがで
き、携帯機器等への使用にも適した実装構造体を得るこ
とができる。また、接続バンプの周囲を樹脂によって被
覆することができるので、繰返の温度変化や衝撃等によ
って故障しにくい、信頼性の高い実装構造体を得ること
ができる。さらに、保護膜を機能面の全体または一部に
被覆することによって、塵芥や水分の侵入を防止してよ
り信頼性の高い実装構造体をうることができる。
【0042】また、本発明の実装方法によれば、配線基
板に効率よく表面弾性波素子を実装することができ、表
面弾性波素子の実装構造体を安価に生産することができ
るほか、表面弾性波素子を配線基板に実装する実装工程
においても作業の効率化を図ることができる。さらに、
振動空間を周囲から樹脂が密閉する実装構造体が得られ
るので、塵埃や水分の侵入を防止してより信頼性の高い
実装構造体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の表面弾性波素子の実装構造についての
第1の実施形態を示す断面図である。
【図2】この発明の表面弾性波素子の実装構造体の他の
実施形態を示す断面図である。
【図3】この発明の表面弾性波素子の実装構造体の他の
実施形態を示す断面図である。
【図4】表面弾性波素子1の実装構造を得るための実装
方法を示すもので、その工程図である。
【図5】この発明の表面弾性波素子の実装方法の他の実
施形態を示す工程図である。
【図6】従来の実装構造を示す断面図である。
【図7】従来の実装方法にかかり、その工程図である。
【符号の説明】
1 表面弾性波素子 1a 機能面 2 櫛形電極 3 保護膜 4 接続パッド 5 バンプ 6 配線基板 6a 実装面 7 接続パッド 8,8′樹脂(感光性樹脂) 9 振動空間 10 第1の樹脂層(感光性樹脂) 11 第2の樹脂層(異方導電性樹脂)

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 機能面に振動伝搬部が形成された表面弾
    性波素子と、前記表面弾性波素子が実装される実装面に
    接続パッドが形成された配線基板と、前記接続パッドと
    前記表面弾性波素子とを電気的に接続するバンプと、前
    記配線基板と前記表面弾性波素子との間の間隙に充填さ
    れ前記配線基板と前記表面弾性波素子とを接着する樹脂
    と、前記配線基板と前記表面弾性波素子との間の前記振
    動伝搬部に相当する部位に形成された振動空間とからな
    る表面弾性波素子の実装構造において、 前記配線基板と前記表面弾性波素子とを同一形状かつ同
    一大きさに形成し、前記表面弾性波素子の外周部を前記
    配線基板の外周部に一致させて実装したこと、を特徴と
    する表面弾性波素子の実装構造。
  2. 【請求項2】 前記間隙には感光性樹脂を充填し、露
    光,現像処理によって前記感光性樹脂を部分的に除去し
    て前記振動空間を形成したこと、 を特徴とする請求項1に記載の表面弾性波素子の実装構
    造。
  3. 【請求項3】 前記感光性樹脂は、前記バンプと前記接
    続パッドとの接続部の外側近傍に、連続した枠状に充填
    されていること、 を特徴とする請求項2に記載の表面弾性波素子の実装構
    造。
  4. 【請求項4】 前記感光性樹脂は、所定の温度に加熱す
    ることによって硬化する熱硬化性を有するものであるこ
    と、 を特徴とする請求項2または請求項3に記載の表面弾性
    波素子の実装構造。
  5. 【請求項5】 前記感光性樹脂が、光の照射により硬化
    する光硬化性を有すること、 を特徴とする請求項2ないし請求項4のいずれかに記載
    の表面弾性波素子の実装構造。
  6. 【請求項6】 前記感光性樹脂は、硬化後のガラス転移
    点温度が摂氏200〜310度の範囲内であること、 を特徴とする請求項2ないし請求項5のいずれかに記載
    の表面弾性波素子の実装構造。
  7. 【請求項7】 前記感光性樹脂の硬化後の熱膨張係数
    は、50〜75[×10-6/度]の範囲内のものである
    こと、 を特徴とする請求項2ないし請求項6のいずれかに記載
    の表面弾性波素子の実装構造。
  8. 【請求項8】 前記表面弾性波素子と前記配線基板と
    が、金属製のバンプにより電気的に接続されること、 を特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれかに記載
    の表面弾性波素子の実装構造。
  9. 【請求項9】 前記表面弾性波素子の機能面の前記バン
    プが形成される部分を除く全面あるいは所定の一部に保
    護膜を形成したこと、 を特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれかに記載
    の表面弾性波素子の実装構造。
  10. 【請求項10】 前記保護膜がSi,SiO2,SiN
    等の膜であること、を特徴とする請求項9に記載の表面
    弾性波素子の実装構造。
  11. 【請求項11】 表面弾性波素子の前記機能面と前記配
    線基板の前記実装面との間の間隙に、複数種類の樹脂か
    らなる樹脂層を形成し、前記樹脂層のうち、前記振動伝
    搬部に面した樹脂を感光性樹脂として、この感光性樹脂
    を露光,現像処理にすることにより前記振動空間を形成
    したこと、 を特徴とする請求項2ないし請求項10のいずれかに記
    載の表面弾性波素子の実装構造。
  12. 【請求項12】 前記配線基板はガラスエポキシ樹脂基
    板またはセラミック基板であること、 を特徴とする請求項1ないし請求項11のいずれかに記
    載の表面弾性波素子の実装構造。
  13. 【請求項13】 振動伝搬部を有する表面弾性波素子の
    機能面を、配線基板の実装面に所定間隔離間させて対面
    させ、前記機能面の振動伝搬部と前記実装面との間の振
    動空間を保持した状態で前記機能面と前記実装面との間
    の間隙に樹脂を充填して前記表面弾性波素子を前記配線
    基板に実装してなる表面弾性波素子の実装構造体の実装
    方法において、 前記機能面にバンプを形成する工程と、前記機能面ある
    いは前記実装面の少なくとも一方に感光性樹脂を供給す
    る工程と、前記感光性樹脂を露光,現像処理して部分的
    に前記感光性樹脂を前記機能面または前記実装面から除
    去し、前記振動空間を形成する工程と、前記表面弾性波
    素子と前記配線基板とを所定間隔離間させて前記機能面
    と前記実装面とを対面させ、位置合わせする工程と、前
    記表面弾性波素子を前記配線基板の実装面に加圧しなが
    ら押し付け、加圧しながら加熱あるいは光を照射するこ
    とにより前記感光性樹脂を硬化させ、前記表面弾性波素
    子を前記配線基板に実装する工程と、前記表面弾性波素
    子と前記配線基板の外形処理を接着された状態で同時に
    行い、前記配線基板の外形切断面を前記表面弾性波素子
    の外周縁に一致させる工程とを有すること、 を特徴とする表面弾性波素子の実装構造体の実装方法。
  14. 【請求項14】 前記バンプを形成する工程の前に、前
    記機能面の前記バンプを形成する部分を除く全体または
    一部に保護膜を形成する工程を設けたこと、 を特徴とする請求項13に記載の表面弾性波素子の実装
    構造体の実装方法。
  15. 【請求項15】 請求項13または請求項14に記載の
    表面弾性波素子の実装構造体の実装方法において、 前記表面弾性波素子および配線基板を、それぞれ複数個
    づつ有する小片の状態で前記バンプの形成工程から表面
    弾性波素子を配線基板に実装する工程まで処理し、前記
    表面弾性波素子を配線基板に実装する工程の後に前記小
    片を切断して個々の表面弾性波素子の実装構造体に分割
    する工程を有すること、 を特徴とする表面弾性波素子の実装方法。
  16. 【請求項16】 請求項13または請求項14に記載の
    表面弾性波素子の実装構造体の実装方法において、 前記表面弾性波素子および配線基板をウェハ状態のまま
    で前記バンプの形成工程から表面弾性波素子を配線基板
    に実装する工程まで処理し、前記表面弾性波素子を配線
    基板に実装する工程の後に前記ウェハを切断して個々の
    表面弾性波素子の実装構造体に分割する工程を有するこ
    と、 を特徴とする表面弾性波素子の実装方法。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002261582A (ja) * 2000-10-04 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール
US6498422B1 (en) 1998-09-02 2002-12-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component such as an saw device and method for producing the same
JP2003069103A (ja) * 2001-08-22 2003-03-07 Fuji Xerox Co Ltd 格子状配列構造の圧電/電歪アクチュエータ及びその製造方法
JP2003188669A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sawデバイスの製造方法及びsawデバイス
US7042056B2 (en) 2002-07-31 2006-05-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Chip-size package piezoelectric component
JP2006217226A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波素子およびその製造方法
JP2006217225A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイスの製造方法
US7102272B2 (en) 2002-07-31 2006-09-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric component and method for manufacturing the same
JP2006319679A (ja) * 2005-05-12 2006-11-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 複合圧電基板
JP2009232138A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JP2010245704A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 弾性表面波素子用基板および弾性表面波装置
JP2013141330A (ja) * 2006-08-07 2013-07-18 Kyocera Corp 弾性波装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4585419B2 (ja) 2005-10-04 2010-11-24 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイスおよびその製造方法
JP5113394B2 (ja) 2007-01-23 2013-01-09 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6498422B1 (en) 1998-09-02 2002-12-24 Murata Manufacturing Co., Ltd. Electronic component such as an saw device and method for producing the same
JP2002261582A (ja) * 2000-10-04 2002-09-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイスおよびその製造方法ならびにそれを用いた回路モジュール
JP2003069103A (ja) * 2001-08-22 2003-03-07 Fuji Xerox Co Ltd 格子状配列構造の圧電/電歪アクチュエータ及びその製造方法
JP2003188669A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd Sawデバイスの製造方法及びsawデバイス
US7042056B2 (en) 2002-07-31 2006-05-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Chip-size package piezoelectric component
US7102272B2 (en) 2002-07-31 2006-09-05 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric component and method for manufacturing the same
JP2006217226A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波素子およびその製造方法
JP2006217225A (ja) * 2005-02-03 2006-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波デバイスの製造方法
JP4657002B2 (ja) * 2005-05-12 2011-03-23 信越化学工業株式会社 複合圧電基板
JP2006319679A (ja) * 2005-05-12 2006-11-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 複合圧電基板
JP5258566B2 (ja) * 2006-08-07 2013-08-07 京セラ株式会社 弾性表面波装置の製造方法
JP2013141330A (ja) * 2006-08-07 2013-07-18 Kyocera Corp 弾性波装置
JP2014039338A (ja) * 2006-08-07 2014-02-27 Kyocera Corp 弾性表面波装置の製造方法
JP2014161095A (ja) * 2006-08-07 2014-09-04 Kyocera Corp 弾性波装置の製造方法
US9021669B2 (en) 2006-08-07 2015-05-05 Kyocera Corporation Method for manufacturing surface acoustic wave apparatus
US9882540B2 (en) 2006-08-07 2018-01-30 Kyocera Corporation Method for manufacturing surface acoustic wave apparatus
US7911116B2 (en) 2008-03-24 2011-03-22 Taiyo Yuden Co., Ltd. Surface acoustic wave device and method of fabricating the same
JP4521451B2 (ja) * 2008-03-24 2010-08-11 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JP2009232138A (ja) * 2008-03-24 2009-10-08 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス及びその製造方法
JP2010245704A (ja) * 2009-04-02 2010-10-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 弾性表面波素子用基板および弾性表面波装置

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