JP2003188669A - Ｓａｗデバイスの製造方法及びｓａｗデバイス - Google Patents
Ｓａｗデバイスの製造方法及びｓａｗデバイスInfo
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- JP2003188669A JP2003188669A JP2001384345A JP2001384345A JP2003188669A JP 2003188669 A JP2003188669 A JP 2003188669A JP 2001384345 A JP2001384345 A JP 2001384345A JP 2001384345 A JP2001384345 A JP 2001384345A JP 2003188669 A JP2003188669 A JP 2003188669A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 メッキ法を用いても精度良く電極を形成する
ことのできるＳＡＷデバイスの製造方法を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 圧電基板２０のＩＤＴ２１と第１接続電
極２２の非形成部を第１絶縁体２３で被覆し、次に、第
１絶縁体２３上に第１接続電極２２と接続する第２接続
電極２４及び第２接続電極２４と接続すると共にＩＤＴ
２１、第１及び第２接続電極２２，２４を囲む金属パタ
ーン３０を形成し、金属パターン３０は、第１接続電極
２２よりも電気抵抗が小さいものであり、次いでＩＤＴ
２１と第２接続電極２４の非形成部に第２絶縁体２５を
設け、第２絶縁体２５の上とＩＤＴ２１、反射器電極２
１ａの上方空間を覆うように第３絶縁体２６を作製し、
次に、金属パターン３０を用いてメッキ法により第２絶
縁体２５上に第３接続電極２８を設け、最後に圧電基板
２０を金属パターン３０の上から切断する方法である。
ことのできるＳＡＷデバイスの製造方法を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 圧電基板２０のＩＤＴ２１と第１接続電
極２２の非形成部を第１絶縁体２３で被覆し、次に、第
１絶縁体２３上に第１接続電極２２と接続する第２接続
電極２４及び第２接続電極２４と接続すると共にＩＤＴ
２１、第１及び第２接続電極２２，２４を囲む金属パタ
ーン３０を形成し、金属パターン３０は、第１接続電極
２２よりも電気抵抗が小さいものであり、次いでＩＤＴ
２１と第２接続電極２４の非形成部に第２絶縁体２５を
設け、第２絶縁体２５の上とＩＤＴ２１、反射器電極２
１ａの上方空間を覆うように第３絶縁体２６を作製し、
次に、金属パターン３０を用いてメッキ法により第２絶
縁体２５上に第３接続電極２８を設け、最後に圧電基板
２０を金属パターン３０の上から切断する方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＳＡＷデバイスの製
造方法及びＳＡＷデバイスに関するものである。
造方法及びＳＡＷデバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在ＳＡＷデバイスにおいても半導体デ
バイスと同様にチップサイズパッケージ（以下ＣＳＰと
する）化が求められるとともに、ＳＡＷデバイスの実装
性を向上させるために回路基板に接続する外部電極を所
望の位置に形成できるものが望まれており、特開２００
１−１８５９７６号公報に示される構造が知られてい
る。
バイスと同様にチップサイズパッケージ（以下ＣＳＰと
する）化が求められるとともに、ＳＡＷデバイスの実装
性を向上させるために回路基板に接続する外部電極を所
望の位置に形成できるものが望まれており、特開２００
１−１８５９７６号公報に示される構造が知られてい
る。
【０００３】従来のＳＡＷデバイスの製造方法について
図面を参照しながら説明する。
図面を参照しながら説明する。
【０００４】まず図８に示すように圧電基板１上にアル
ミニウムあるいはアルミニウム合金を用いてインターデ
ィジタルトランスデューサ２（以下ＩＤＴとする）、こ
のＩＤＴ２に接続した第１接続電極３、第１接続電極３
に接続すると共にＩＤＴ２と第１接続電極３を囲むよう
に金属パターン（図示せず）を形成する。
ミニウムあるいはアルミニウム合金を用いてインターデ
ィジタルトランスデューサ２（以下ＩＤＴとする）、こ
のＩＤＴ２に接続した第１接続電極３、第１接続電極３
に接続すると共にＩＤＴ２と第１接続電極３を囲むよう
に金属パターン（図示せず）を形成する。
【０００５】次に、図８に示すようにＩＤＴ２の外周及
び上方空間を覆うように金属製のカバー４を第１接続電
極３上に固定し、第１接続電極３上に第２接続電極５を
形成するためにメッキ用ガイド６を作製する。
び上方空間を覆うように金属製のカバー４を第１接続電
極３上に固定し、第１接続電極３上に第２接続電極５を
形成するためにメッキ用ガイド６を作製する。
【０００６】その後、圧電基板１をメッキ液に浸漬し、
金属パターンに電圧を印加し、第１接続電極３上にメッ
キを行い、メッキ用ガイド６を除去することにより、図
９に示すような柱状の第２接続電極５を形成する。
金属パターンに電圧を印加し、第１接続電極３上にメッ
キを行い、メッキ用ガイド６を除去することにより、図
９に示すような柱状の第２接続電極５を形成する。
【０００７】次に、図１０に示すように圧電基板１の表
面及び第２接続電極５の側面を覆うように第１樹脂層７
を設け、第１樹脂層７の表面に第２接続電極５に接続す
る第３接続電極８をフォトリソグラフィー法により形成
する。
面及び第２接続電極５の側面を覆うように第１樹脂層７
を設け、第１樹脂層７の表面に第２接続電極５に接続す
る第３接続電極８をフォトリソグラフィー法により形成
する。
【０００８】その後、図１１に示すように第２接続電極
５を形成した方法を用いて、第３接続電極８上に第４接
続電極９を形成し、第３接続電極８及び第４接続電極９
の側面を覆うように第２樹脂層１０を形成する。
５を形成した方法を用いて、第３接続電極８上に第４接
続電極９を形成し、第３接続電極８及び第４接続電極９
の側面を覆うように第２樹脂層１０を形成する。
【０００９】次に第２樹脂層１０の表面に第４接続電極
９の上端を覆うように外部電極１１を作製する。最後に
圧電基板１を金属パターン上から切断することによりＳ
ＡＷデバイスを得る。
９の上端を覆うように外部電極１１を作製する。最後に
圧電基板１を金属パターン上から切断することによりＳ
ＡＷデバイスを得る。
【００１０】このＳＡＷデバイスは外部電極１１を用い
て回路基板に実装されることとなる。
て回路基板に実装されることとなる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】この方法によると第２
及び第４接続電極５，９をメッキ法により形成するため
に金属パターンを用いて第１及び第３接続電極３，８に
電圧を印加することとなる。
及び第４接続電極５，９をメッキ法により形成するため
に金属パターンを用いて第１及び第３接続電極３，８に
電圧を印加することとなる。
【００１２】しかしながら金属パターンは、ＩＤＴ２と
同じアルミニウムあるいはアルミニウム合金を用いて形
成しているため、電気抵抗が大きい。また、高周波化が
進んでいるため、金属パターンは厚みが薄くなる。また
生産性を向上するため、切断前の圧電基板１は大型化の
傾向にあり、ダイシングラインとしての役割を果たす金
属パターンの幅は広くすることができない。
同じアルミニウムあるいはアルミニウム合金を用いて形
成しているため、電気抵抗が大きい。また、高周波化が
進んでいるため、金属パターンは厚みが薄くなる。また
生産性を向上するため、切断前の圧電基板１は大型化の
傾向にあり、ダイシングラインとしての役割を果たす金
属パターンの幅は広くすることができない。
【００１３】従って、メッキ時、圧電基板１上において
は第１、第３接続電極３，８に印加される電圧にばらつ
きが発生する。つまり第２、第４接続電極５，９の高さ
にばらつきが生じ、所望の形状の第２、第４接続電極
５，９を得ることが困難であるという問題点を有してい
た。
は第１、第３接続電極３，８に印加される電圧にばらつ
きが発生する。つまり第２、第４接続電極５，９の高さ
にばらつきが生じ、所望の形状の第２、第４接続電極
５，９を得ることが困難であるという問題点を有してい
た。
【００１４】そこで、本発明はメッキ法を用いても精度
良く電極を形成することのできるＳＡＷデバイスの製造
方法及びＳＡＷデバイスを提供することを目的とするも
のである。
良く電極を形成することのできるＳＡＷデバイスの製造
方法及びＳＡＷデバイスを提供することを目的とするも
のである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、以下の構成を有するものである。
に、以下の構成を有するものである。
【００１６】本発明の請求項１に記載の発明は、特に、
ＩＤＴ及び接続電極よりも電気抵抗の小さい金属を用い
てメッキにより金属パターンを形成するものであり、均
一な厚みの電極を形成することができる。
ＩＤＴ及び接続電極よりも電気抵抗の小さい金属を用い
てメッキにより金属パターンを形成するものであり、均
一な厚みの電極を形成することができる。
【００１７】本発明の請求項２に記載の発明は、特に、
金属パターンを銅を用いて形成するものであり、電気抵
抗が小さいので、均一な厚みの電極を形成することがで
きる。
金属パターンを銅を用いて形成するものであり、電気抵
抗が小さいので、均一な厚みの電極を形成することがで
きる。
【００１８】本発明の請求項３に記載の発明は、特に、
第１絶縁体は誘電率が５以下のものを用いる方法であ
り、浮遊容量の発生を抑制できる。
第１絶縁体は誘電率が５以下のものを用いる方法であ
り、浮遊容量の発生を抑制できる。
【００１９】本発明の請求項４に記載の発明は、特に、
第１絶縁体をベンゾシクロブテンあるいはポリイミドを
用いるものであり、低誘電率であるので浮遊容量の発生
を抑制できるものである。
第１絶縁体をベンゾシクロブテンあるいはポリイミドを
用いるものであり、低誘電率であるので浮遊容量の発生
を抑制できるものである。
【００２０】本発明の請求項５に記載の発明は、特に、
ＩＤＴを覆うカバーの側壁となる第２絶縁体形成前に、
圧電基板の表面の凹凸を軽減するように第４絶縁体を設
けるものであり、精度良く第２絶縁体を形成することが
できる。
ＩＤＴを覆うカバーの側壁となる第２絶縁体形成前に、
圧電基板の表面の凹凸を軽減するように第４絶縁体を設
けるものであり、精度良く第２絶縁体を形成することが
できる。
【００２１】本発明の請求項６に記載の発明は、特に、
ＩＤＴ及び金属パターンで囲まれた第１接続電極を有す
る圧電基板の表面のＩＤＴ及び第１接続電極非形成部に
第１絶縁体を設け、この第１絶縁体上に前記第１接続電
極に接続する第２接続電極を形成し、ＩＤＴ及び第２接
続電極の非形成部にさらに第２絶縁体を設け、そして第
２接続電極上にはメッキ法により第３接続電極を、この
非形成部に第３絶縁体を設けたものであり、所望の位置
に第３接続電極を精度良く形成できるものである。
ＩＤＴ及び金属パターンで囲まれた第１接続電極を有す
る圧電基板の表面のＩＤＴ及び第１接続電極非形成部に
第１絶縁体を設け、この第１絶縁体上に前記第１接続電
極に接続する第２接続電極を形成し、ＩＤＴ及び第２接
続電極の非形成部にさらに第２絶縁体を設け、そして第
２接続電極上にはメッキ法により第３接続電極を、この
非形成部に第３絶縁体を設けたものであり、所望の位置
に第３接続電極を精度良く形成できるものである。
【００２２】本発明の請求項７に記載の発明は、特に、
第２接続電極の途中にインダクタンスあるいはコンデン
サを設けたものであり、所望の特性を有するＳＡＷデバ
イスを容易に得ることができる。
第２接続電極の途中にインダクタンスあるいはコンデン
サを設けたものであり、所望の特性を有するＳＡＷデバ
イスを容易に得ることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）以下、実施の形
態１を用いて、本発明の特に請求項１〜８に記載の発明
について説明する。
態１を用いて、本発明の特に請求項１〜８に記載の発明
について説明する。
【００２４】図１は本発明の実施の形態１におけるＳＡ
Ｗデバイスの縦断面図、図２は同横断面図、図３〜図５
は図１、図２に示すＳＡＷデバイスの製造工程を説明す
るための上面図である。
Ｗデバイスの縦断面図、図２は同横断面図、図３〜図５
は図１、図２に示すＳＡＷデバイスの製造工程を説明す
るための上面図である。
【００２５】図において２０はタンタル酸リチウム、ニ
オブ酸リチウムなどの単結晶の圧電基板、２１は圧電基
板２０の上に設けたＩＤＴ、２１ａはＩＤＴ２１の両側
に設けた反射器電極、２２はＩＤＴ２１に接続した第１
接続電極である。またＩＤＴ２１どうし、反射器電極２
１ａどうしを金属パターン２２ａで接続している。ＩＤ
Ｔ２１、反射器電極２１ａ、第１接続電極２２、金属パ
ターン２２ａはアルミニウムあるいはアルミニウム合金
を用いて作製したものである。また、２３はＩＤＴ２１
の非形成部及び第１接続電極２２の非形成部を覆う第１
絶縁体で、ベンゾシクロブテン（以下ＢＣＢとする）で
構成している。
オブ酸リチウムなどの単結晶の圧電基板、２１は圧電基
板２０の上に設けたＩＤＴ、２１ａはＩＤＴ２１の両側
に設けた反射器電極、２２はＩＤＴ２１に接続した第１
接続電極である。またＩＤＴ２１どうし、反射器電極２
１ａどうしを金属パターン２２ａで接続している。ＩＤ
Ｔ２１、反射器電極２１ａ、第１接続電極２２、金属パ
ターン２２ａはアルミニウムあるいはアルミニウム合金
を用いて作製したものである。また、２３はＩＤＴ２１
の非形成部及び第１接続電極２２の非形成部を覆う第１
絶縁体で、ベンゾシクロブテン（以下ＢＣＢとする）で
構成している。
【００２６】２４は第１接続電極２２に接続すると共に
第１絶縁体２３上に設けた第２接続電極である。この第
２接続電極２４は、二層構造で下層をＣｒ又はＴｉ、上
層をＣｕを用いて形成したものであり、上層がほとんど
の厚みを占めている。下層は、上層と第１絶縁体２３と
の密着性を向上させるために設けるものであり、上層の
Ｃｕよりも電気抵抗が大きく、メッキ時の厚みバラツキ
に寄与するので、密着性を確保できるだけの厚みででき
るだけ薄くすることが望ましい。
第１絶縁体２３上に設けた第２接続電極である。この第
２接続電極２４は、二層構造で下層をＣｒ又はＴｉ、上
層をＣｕを用いて形成したものであり、上層がほとんど
の厚みを占めている。下層は、上層と第１絶縁体２３と
の密着性を向上させるために設けるものであり、上層の
Ｃｕよりも電気抵抗が大きく、メッキ時の厚みバラツキ
に寄与するので、密着性を確保できるだけの厚みででき
るだけ薄くすることが望ましい。
【００２７】２５，２６は第２、第３絶縁体である。第
２絶縁体２５は第２接続電極２４を被覆すると共にＩＤ
Ｔ２１の外周部を覆うカバーの側壁となる。また第３絶
縁体２６はＩＤＴ２１の上方空間を覆うカバーの天井と
なる。従って、第２、第３絶縁体２５，２６はＩＤＴ２
１の上方空間を維持するだけの強度及びＩＤＴ２１の変
質を防止するために耐湿性を有するアクリル系モノマー
などの樹脂で構成する。２７は第２接続電極２４の上に
設けた第３接続電極であり、銅を用いて形成したもので
ある。２８はＳＡＷデバイスを回路基板に実装するため
に用いる外部電極であり、ハンダを用いて形成したもの
である。
２絶縁体２５は第２接続電極２４を被覆すると共にＩＤ
Ｔ２１の外周部を覆うカバーの側壁となる。また第３絶
縁体２６はＩＤＴ２１の上方空間を覆うカバーの天井と
なる。従って、第２、第３絶縁体２５，２６はＩＤＴ２
１の上方空間を維持するだけの強度及びＩＤＴ２１の変
質を防止するために耐湿性を有するアクリル系モノマー
などの樹脂で構成する。２７は第２接続電極２４の上に
設けた第３接続電極であり、銅を用いて形成したもので
ある。２８はＳＡＷデバイスを回路基板に実装するため
に用いる外部電極であり、ハンダを用いて形成したもの
である。
【００２８】３０は第３接続電極２７を形成する時、電
圧供給源となると共に圧電基板２０を個々のＳＡＷデバ
イスに分割する際のダイシングラインとなる金属パター
ンであり、第２接続電極２４と同様に二層構造で下層を
Ｃｒ又はＴｉで、上層をＣｕを用いて形成したものであ
る。下層は、上層と第１絶縁体２３との密着性を向上さ
せるために設けるものであり、上層のＣｕよりも電気抵
抗が大きく、メッキ時の厚みバラツキに寄与するので、
密着性を確保できるだけの厚みでできるだけ薄くするこ
とが望ましい。３１は金属パターン３０に接続したメッ
キ用電極で、第２接続電極２４と同様に二層構造であ
る。
圧供給源となると共に圧電基板２０を個々のＳＡＷデバ
イスに分割する際のダイシングラインとなる金属パター
ンであり、第２接続電極２４と同様に二層構造で下層を
Ｃｒ又はＴｉで、上層をＣｕを用いて形成したものであ
る。下層は、上層と第１絶縁体２３との密着性を向上さ
せるために設けるものであり、上層のＣｕよりも電気抵
抗が大きく、メッキ時の厚みバラツキに寄与するので、
密着性を確保できるだけの厚みでできるだけ薄くするこ
とが望ましい。３１は金属パターン３０に接続したメッ
キ用電極で、第２接続電極２４と同様に二層構造であ
る。
【００２９】次にこのＳＡＷデバイスの製造方法につい
て説明する。
て説明する。
【００３０】まず、図３、図４に示すように、大板状の
圧電基板２０の表面にアルミニウムあるいはアルミニウ
ム合金を用いて、フォトリソグラフィー法によりＩＤＴ
２１、反射器電極２１ａ、第１接続電極２２、金属パタ
ーン２２ａを形成する。
圧電基板２０の表面にアルミニウムあるいはアルミニウ
ム合金を用いて、フォトリソグラフィー法によりＩＤＴ
２１、反射器電極２１ａ、第１接続電極２２、金属パタ
ーン２２ａを形成する。
【００３１】次に圧電基板２０の表面全体に感光性のＢ
ＣＢを塗布して、所定のパターンで露光、現像すること
によりＩＤＴ２１、反射器電極２１ａ及び第１接続電極
２２の形成部を除いた圧電基板２０の表面に第１絶縁体
２３を形成する。この第１絶縁体２３の厚みは１〜８μ
ｍ程度である。
ＣＢを塗布して、所定のパターンで露光、現像すること
によりＩＤＴ２１、反射器電極２１ａ及び第１接続電極
２２の形成部を除いた圧電基板２０の表面に第１絶縁体
２３を形成する。この第１絶縁体２３の厚みは１〜８μ
ｍ程度である。
【００３２】次いで図５に示すように、第１接続電極２
２及び第１絶縁体２３の上にスパッタ、ＥＢ蒸着などに
より二層構造の第２接続電極２４、第２接続電極２４に
接続すると共に、ＩＤＴ２１、反射器電極２１ａ、第２
接続電極２４を囲む金属パターン３０及びメッキ用電極
３１を形成する。第２接続電極２４、金属パターン３
０、メッキ用電極３１の下層の厚みは０．０５〜０．３
μｍ、上層の厚みは０．３〜１．５μｍである。また金
属パターン３０の幅は、細すぎるとインダクタンス成分
が寄生し、広すぎると容量成分が寄生してくるので、こ
れらの影響が小さくなるような幅とする。図５におい
て、点線は、第１絶縁体２３の下層に存在するＩＤＴ２
１、反射器電極２１ａ、第１接続電極２２、金属パター
ン２２ａで、第２接続電極２４、金属パターン３０との
位置関係が明確になるように記載したものである。
２及び第１絶縁体２３の上にスパッタ、ＥＢ蒸着などに
より二層構造の第２接続電極２４、第２接続電極２４に
接続すると共に、ＩＤＴ２１、反射器電極２１ａ、第２
接続電極２４を囲む金属パターン３０及びメッキ用電極
３１を形成する。第２接続電極２４、金属パターン３
０、メッキ用電極３１の下層の厚みは０．０５〜０．３
μｍ、上層の厚みは０．３〜１．５μｍである。また金
属パターン３０の幅は、細すぎるとインダクタンス成分
が寄生し、広すぎると容量成分が寄生してくるので、こ
れらの影響が小さくなるような幅とする。図５におい
て、点線は、第１絶縁体２３の下層に存在するＩＤＴ２
１、反射器電極２１ａ、第１接続電極２２、金属パター
ン２２ａで、第２接続電極２４、金属パターン３０との
位置関係が明確になるように記載したものである。
【００３３】その後、圧電基板２０上にアクリル系モノ
マーの感光性樹脂シートを貼り付ける。所定のパターン
で露光、現像することにより、ＩＤＴ２１、反射器電極
２１ａ及び第２接続電極２４の形成部を除いて、圧電基
板２０の上に第２絶縁体２５を形成する。この第２絶縁
体２５は、ＩＤＴ２１、反射器電極２１ａの外周部を囲
む壁となると共に、ＩＤＴ２１、反射器電極２１ａの上
方空間の高さを決定するものである。従ってその厚みは
１０〜３０μｍである。
マーの感光性樹脂シートを貼り付ける。所定のパターン
で露光、現像することにより、ＩＤＴ２１、反射器電極
２１ａ及び第２接続電極２４の形成部を除いて、圧電基
板２０の上に第２絶縁体２５を形成する。この第２絶縁
体２５は、ＩＤＴ２１、反射器電極２１ａの外周部を囲
む壁となると共に、ＩＤＴ２１、反射器電極２１ａの上
方空間の高さを決定するものである。従ってその厚みは
１０〜３０μｍである。
【００３４】次いで、第２接続電極２４の形成部を除い
て圧電基板２０上に第２絶縁体２５と同様の樹脂シート
を貼り付けて硬化させることにより第３絶縁体２６を形
成する。第３絶縁体２６は、ＩＤＴ２１、反射器電極２
１ａの上方空間にも設け、第２絶縁体２５、第３絶縁体
２６でＩＤＴ２１、反射器電極２１ａの外周部及び上方
空間を覆うカバーとなるものである。
て圧電基板２０上に第２絶縁体２５と同様の樹脂シート
を貼り付けて硬化させることにより第３絶縁体２６を形
成する。第３絶縁体２６は、ＩＤＴ２１、反射器電極２
１ａの上方空間にも設け、第２絶縁体２５、第３絶縁体
２６でＩＤＴ２１、反射器電極２１ａの外周部及び上方
空間を覆うカバーとなるものである。
【００３５】次に、図６に示す圧電基板２０を銅メッキ
液に浸漬して、メッキ用電極３１に電圧を印加すること
により、第２接続電極２４上にメッキを行い柱状の第３
接続電極２７を形成する。この時、メッキ用電極３１、
金属パターン３０は、電気抵抗の小さい銅を主成分とし
て構成されているため、圧電基板２０内においては電圧
のばらつきが小さく、且つ均一な厚みにメッキを行うこ
とができる。またメッキ条件は、第３接続電極２７が第
３絶縁体２６の上方より突出するようにコントロールす
る。
液に浸漬して、メッキ用電極３１に電圧を印加すること
により、第２接続電極２４上にメッキを行い柱状の第３
接続電極２７を形成する。この時、メッキ用電極３１、
金属パターン３０は、電気抵抗の小さい銅を主成分とし
て構成されているため、圧電基板２０内においては電圧
のばらつきが小さく、且つ均一な厚みにメッキを行うこ
とができる。またメッキ条件は、第３接続電極２７が第
３絶縁体２６の上方より突出するようにコントロールす
る。
【００３６】次いで、圧電基板２０をハンダメッキ液に
浸漬し、メッキ用電極３１に電圧を印加することによ
り、第３接続電極２７上端を覆う外部電極２８を形成す
る。
浸漬し、メッキ用電極３１に電圧を印加することによ
り、第３接続電極２７上端を覆う外部電極２８を形成す
る。
【００３７】その後、圧電基板２０を洗浄、乾燥し、金
属パターン３０の上から切断することにより、図１、図
２に示すＳＡＷデバイスを得る。
属パターン３０の上から切断することにより、図１、図
２に示すＳＡＷデバイスを得る。
【００３８】（実施の形態２）以下、実施の形態２を用
いて、本発明の特に請求項５に記載の発明について説明
する。
いて、本発明の特に請求項５に記載の発明について説明
する。
【００３９】図７は本発明の実施の形態２におけるＳＡ
Ｗデバイスの断面図であり、図１と同様の構成要素につ
いては同番号を付して説明を省略する。図７におい４０
は第４絶縁体であり、第１絶縁体２３と同様にＢＣＢを
用いて形成したものである。そしてＩＤＴ２１、反射器
電極２１ａ、第１接続電極２２の形成部以外の圧電基板
２０の表面を覆うものである。
Ｗデバイスの断面図であり、図１と同様の構成要素につ
いては同番号を付して説明を省略する。図７におい４０
は第４絶縁体であり、第１絶縁体２３と同様にＢＣＢを
用いて形成したものである。そしてＩＤＴ２１、反射器
電極２１ａ、第１接続電極２２の形成部以外の圧電基板
２０の表面を覆うものである。
【００４０】次に、このＳＡＷデバイスの製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【００４１】実施の形態１と同様にして、図３、図４に
示すように圧電基板２０の上にＩＤＴ２１、反射器電極
２１ａ、第１接続電極２２、金属パターン２２ａ、第１
絶縁体２３、第２接続電極２４を形成する。
示すように圧電基板２０の上にＩＤＴ２１、反射器電極
２１ａ、第１接続電極２２、金属パターン２２ａ、第１
絶縁体２３、第２接続電極２４を形成する。
【００４２】次に第１絶縁体２３を形成した時と同様
に、圧電基板２０の表面全体に感光性のＢＣＢを塗布し
て所定のパターンで露光、現像し、ＩＤＴ２１、反射器
電極２１ａ、及び第１接続電極２２の形成部を除いた圧
電基板２０の表面に第４絶縁体４０を形成する。
に、圧電基板２０の表面全体に感光性のＢＣＢを塗布し
て所定のパターンで露光、現像し、ＩＤＴ２１、反射器
電極２１ａ、及び第１接続電極２２の形成部を除いた圧
電基板２０の表面に第４絶縁体４０を形成する。
【００４３】この第４絶縁体４０は、ＩＤＴ２１、反射
器電極２１ａ、第１接続電極２２の形成部以外の圧電基
板２０の表面の凹凸を軽減するものである。
器電極２１ａ、第１接続電極２２の形成部以外の圧電基
板２０の表面の凹凸を軽減するものである。
【００４４】次いで実施の形態１と同様に第２絶縁体２
５、第３絶縁体２６、第３接続電極２７、外部電極２８
を形成し、切断して図７に示すＳＡＷデバイスを得る。
５、第３絶縁体２６、第３接続電極２７、外部電極２８
を形成し、切断して図７に示すＳＡＷデバイスを得る。
【００４５】本実施の形態２においては、第４絶縁体４
０を設けて圧電基板２０の表面の凹凸を軽減してから、
第２絶縁体２５を形成した。第２絶縁体２５は、ＩＤＴ
２１、反射器電極２１ａを覆うカバーの側壁となると共
に、天井となる第３絶縁体２６を支持できる強度が要求
されるものである。またＩＤＴ２１、反射器電極２１ａ
へのメッキ液の浸入を防ぐため、カバーには耐湿性も要
求される。
０を設けて圧電基板２０の表面の凹凸を軽減してから、
第２絶縁体２５を形成した。第２絶縁体２５は、ＩＤＴ
２１、反射器電極２１ａを覆うカバーの側壁となると共
に、天井となる第３絶縁体２６を支持できる強度が要求
されるものである。またＩＤＴ２１、反射器電極２１ａ
へのメッキ液の浸入を防ぐため、カバーには耐湿性も要
求される。
【００４６】従って第２絶縁体２５を構成する感光性樹
脂シートは、隙間のないように圧電基板２０の表面に貼
り付ける必要がある。
脂シートは、隙間のないように圧電基板２０の表面に貼
り付ける必要がある。
【００４７】しかしながら、強度、耐湿性を満足するア
クリル系モノマーなどの感光性樹脂シートは、圧電基板
２０表面の凹凸が大きいと、その凹凸に追従させること
が困難となり所望の特性を有するカバーを形成すること
ができなくなる。
クリル系モノマーなどの感光性樹脂シートは、圧電基板
２０表面の凹凸が大きいと、その凹凸に追従させること
が困難となり所望の特性を有するカバーを形成すること
ができなくなる。
【００４８】従って、圧電基板２０表面の凹凸が大きい
場合、第４絶縁体４０を設けて圧電基板２０の凹凸を低
減してから第２絶縁体２５を形成することが望ましい。
場合、第４絶縁体４０を設けて圧電基板２０の凹凸を低
減してから第２絶縁体２５を形成することが望ましい。
【００４９】なお、実施の形態１、２においては、第
１、第４絶縁体２３，４０としてＢＣＢを用いたが、こ
れ以外にもポリイミドなど誘電率が５以下の材料を用い
て形成することが望ましい。なぜならば、第１、第４絶
縁体２３，４０の誘電率が大きいと、第１接続電極２２
と第２接続電極２４間に浮遊容量が発生し、ＳＡＷデバ
イスの特性に悪影響を及ぼす恐れがあるからである。ま
たＢＣＢが特に好ましい理由としては、誘電率が２．６
５と小さく、かつその熱処理温度が２００〜２５０℃と
低く、焦電破壊を抑制することができるからである。
１、第４絶縁体２３，４０としてＢＣＢを用いたが、こ
れ以外にもポリイミドなど誘電率が５以下の材料を用い
て形成することが望ましい。なぜならば、第１、第４絶
縁体２３，４０の誘電率が大きいと、第１接続電極２２
と第２接続電極２４間に浮遊容量が発生し、ＳＡＷデバ
イスの特性に悪影響を及ぼす恐れがあるからである。ま
たＢＣＢが特に好ましい理由としては、誘電率が２．６
５と小さく、かつその熱処理温度が２００〜２５０℃と
低く、焦電破壊を抑制することができるからである。
【００５０】さらに、第２接続電極２４、金属パターン
３０、メッキ用電極３１はアルミニウムあるいはアルミ
ニウム合金よりも電気抵抗の低い銅を主成分として構成
している。従って、圧電基板２０の全体に印加される電
圧のばらつきは小さくなり、メッキ厚み、すなわち第３
接続電極２７の高さのバラツキも小さくなるのである。
従って銅に変えてアルミニウムあるいはアルミニウム合
金よりも電気抵抗の小さい金属であるＡｇ，Ａｕを用い
ても構わない。
３０、メッキ用電極３１はアルミニウムあるいはアルミ
ニウム合金よりも電気抵抗の低い銅を主成分として構成
している。従って、圧電基板２０の全体に印加される電
圧のばらつきは小さくなり、メッキ厚み、すなわち第３
接続電極２７の高さのバラツキも小さくなるのである。
従って銅に変えてアルミニウムあるいはアルミニウム合
金よりも電気抵抗の小さい金属であるＡｇ，Ａｕを用い
ても構わない。
【００５１】メッキ用電極３１は、下層がＣｒまたはＴ
ｉ、上層がＣｕと二層構造である。ＣｒもＴｉも電気抵
抗はＣｕと比較すると大きいが、第１絶縁体２４との密
着強度を大きくするためには必要である。従って、その
厚みは必要最小限とし、できるだけ薄く形成し、電気抵
抗の低い金属が大部分を占めるようにする必要がある。
また本実施の形態２では第２接続電極２４、金属パター
ン３０をスパッタあるいはＥＢ蒸着により形成している
が、Ｃｕの厚みを厚くした場合は、この上にメッキを行
うことにより厚くすることができる。
ｉ、上層がＣｕと二層構造である。ＣｒもＴｉも電気抵
抗はＣｕと比較すると大きいが、第１絶縁体２４との密
着強度を大きくするためには必要である。従って、その
厚みは必要最小限とし、できるだけ薄く形成し、電気抵
抗の低い金属が大部分を占めるようにする必要がある。
また本実施の形態２では第２接続電極２４、金属パター
ン３０をスパッタあるいはＥＢ蒸着により形成している
が、Ｃｕの厚みを厚くした場合は、この上にメッキを行
うことにより厚くすることができる。
【００５２】また、図４に示すように、ＩＤＴ２１間及
び反射器電極２１ａ間を金属パターン２２ｂで接続して
いるため、ＩＤＴ２１に接続した第１接続電極２２の一
方は、周囲を金属で取り囲まれている。このような電極
パターンを有するＳＡＷデバイスにおいては、従来の製
造方法を用いた場合、中央部の第１接続電極２２にメッ
キを行うことは不可能である。しかしながら、本発明に
おいては第２接続電極２４を用いてメッキを行うため、
どのような電極パターンを有するＳＡＷデバイスにも適
用することができるのである。
び反射器電極２１ａ間を金属パターン２２ｂで接続して
いるため、ＩＤＴ２１に接続した第１接続電極２２の一
方は、周囲を金属で取り囲まれている。このような電極
パターンを有するＳＡＷデバイスにおいては、従来の製
造方法を用いた場合、中央部の第１接続電極２２にメッ
キを行うことは不可能である。しかしながら、本発明に
おいては第２接続電極２４を用いてメッキを行うため、
どのような電極パターンを有するＳＡＷデバイスにも適
用することができるのである。
【００５３】また、第２接続電極２４を形成する際、第
２接続電極２４の途中にインダクタやコンデンサを設け
ることにより、所望の特性を有するＳＡＷデバイスを容
易に得ることができる。
２接続電極２４の途中にインダクタやコンデンサを設け
ることにより、所望の特性を有するＳＡＷデバイスを容
易に得ることができる。
【００５４】さらに、従来グランド電極間の距離が長
く、寄生のインダクタンス成分を発生してしまう構造の
ＳＡＷデバイスにおいても、本発明のようにインダクタ
ンス成分の発生を抑制できる第２接続電極２４を形成す
ることにより、優れた特性のＳＡＷデバイスを得ること
ができる。
く、寄生のインダクタンス成分を発生してしまう構造の
ＳＡＷデバイスにおいても、本発明のようにインダクタ
ンス成分の発生を抑制できる第２接続電極２４を形成す
ることにより、優れた特性のＳＡＷデバイスを得ること
ができる。
【００５５】
【発明の効果】以上本発明によると、メッキ法により形
成する第３接続電極を精度良く作製することができる。
成する第３接続電極を精度良く作製することができる。
【図１】本発明の実施の形態１におけるＳＡＷデバイス
の縦断面図
の縦断面図
【図２】同横断面図
【図３】本発明の実施の形態１、２におけるＳＡＷデバ
イスの製造工程を説明するための上面図
イスの製造工程を説明するための上面図
【図４】図３の要部拡大上面図
【図５】本発明の実施の形態１、２におけるＳＡＷデバ
イスの製造工程を説明するための上面図
イスの製造工程を説明するための上面図
【図６】同上面図
【図７】本発明の実施の形態２におけるＳＡＷデバイス
の縦断面図
の縦断面図
【図８】従来のＳＡＷデバイスの製造工程を説明するた
めの断面図
めの断面図
【図９】同断面図
【図１０】同断面図
【図１１】同断面図
２０ 圧電基板
２１ ＩＤＴ
２１ａ 反射器電極
２２ 第１接続電極
２２ａ 金属パターン
２３ 第１絶縁体
２４ 第２接続電極
２５ 第２絶縁体
２６ 第３絶縁体
２７ 第３接続電極
２８ 外部電極
３０ 金属パターン
３１ メッキ用電極
４０ 第４絶縁体
Claims (7)
- 【請求項１】 表面にインターディジタルトランスデュ
ーサ及びこのインターディジタルトランスデューサに接
続した第１接続電極を有する圧電基板の前記インターデ
ィジタルトランスデューサの非形成部及び前記第１接続
電極の非形成部を第１絶縁体で被覆する第１の工程と、
次に、前記第１絶縁体上に前記第１接続電極と電気的に
接続する第２接続電極及び前記第２接続電極と接続する
と共に前記インターディジタルトランスデューサ、前記
第１及び前記第２接続電極を囲む金属パターンを形成す
る第２の工程と、次いで前記第２接続電極の非形成部及
び前記インターディジタルトランスデューサの非形成部
に第２絶縁体を設ける第３の工程と、その後前記第２絶
縁体の上及び前記インターディジタルトランスデューサ
の上方空間を覆うように第３絶縁体を作製する第４の工
程と、次に前記金属パターンを用いてメッキ法により前
記第２絶縁体上に第３接続電極を設ける第５の工程と、
前記圧電基板を前記金属パターンの上から切断する第６
の工程とを備え、前記金属パターンを構成する金属は前
記第１接続電極を構成する金属よりも電気抵抗が小さい
ものを用いるＳＡＷデバイスの製造方法。 - 【請求項２】 金属パターンは少なくとも銅を用いて形
成する請求項１に記載のＳＡＷデバイスの製造方法。 - 【請求項３】 第１絶縁体は誘電率が５以下のものを用
いる請求項１に記載のＳＡＷデバイスの製造方法。 - 【請求項４】 第１絶縁体はベンゾシクロブテンあるい
はポリイミドを用いた請求項１に記載のＳＡＷデバイス
の製造方法。 - 【請求項５】 第２の工程後で第３の工程前に、圧電基
板の表面のインターディジタルトランスデューサの非形
成部及び第１接続電極の非形成部の凹凸を軽減するよう
に第４絶縁体を設ける請求項１に記載のＳＡＷデバイス
の製造方法。 - 【請求項６】 圧電基板と、この圧電基板の表面に設け
たインターディジタルトランスデューサ及びこのインタ
ーディジタルトランスデューサに接続した複数の第１接
続電極と、前記圧電基板の表面の前記インターディジタ
ルトランスデューサ及び前記第１接続電極の非形成部に
設けた第１絶縁体と、前記第１接続電極に接続すると共
に前記第１絶縁体上に設けた第２接続電極と、前記圧電
基板の表面の前記インターディジタルトランスデューサ
及び前記第２接続電極の非形成部に設けた第２絶縁体
と、前記圧電基板の表面の前記第２接続電極の非形成部
に設けた第３絶縁体と、前記第３絶縁体から突出するよ
うに前記第２接続電極上にメッキ法により設けた第３接
続電極とを備え、前記第１接続電極の少なくともひとつ
は外周部が金属で囲まれているＳＡＷデバイス。 - 【請求項７】 第２接続電極の中間にインダクタンスあ
るいはコンデンサを設けた請求項６に記載のＳＡＷデバ
イス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001384345A JP3818147B2 (ja) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | Ｓａｗデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001384345A JP3818147B2 (ja) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | Ｓａｗデバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003188669A true JP2003188669A (ja) | 2003-07-04 |
| JP3818147B2 JP3818147B2 (ja) | 2006-09-06 |
Family
ID=27594097
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001384345A Expired - Lifetime JP3818147B2 (ja) | 2001-12-18 | 2001-12-18 | Ｓａｗデバイスの製造方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3818147B2 (ja) |
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-
2001
- 2001-12-18 JP JP2001384345A patent/JP3818147B2/ja not_active Expired - Lifetime
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