JP2001185976A

JP2001185976A - 弾性表面波装置

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Publication number: JP2001185976A
Application number: JP36601599A
Authority: JP
Inventors: Hirohiko Katsuta; 洋彦勝田; Kazuhiro Otsuka; 一弘大塚
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1999-12-24
Filing date: 1999-12-24
Publication date: 2001-07-06
Anticipated expiration: 2019-12-24
Also published as: JP4377500B2

Abstract

(57)【要約】【課題】外形の占有面積の大きさが内蔵する弾性表面
波素子とほぼ等しいまでに小型化が可能で且つ信頼性や
量産性の高い表面実装可能な弾性表面波装置を提供する
こと。【解決手段】圧電基板１上に弾性表面波を発生させる
励振電極２及びこれに接続される配線電極３を形成し、
励振電極２及び配線電極３を絶縁性保護体６で被覆し、
絶縁性保護体６内に、絶縁性保護体６を貫通し且つ屈曲
部５ｚ，５y を有する導体５を配設するとともに、導体
５を、配線電極３と、絶縁性保護体６の表面に形成され
る外部電極７の双方に接続させた弾性表面波装置Ｓ１と
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機器等
の無線通信回路に用いられる弾性表面波装置に関し、特
に表面実装が可能な弾性表面波装置に関する。

【０００２】

【従来技術とその課題】従来から、電波を利用する電子
機器のフィルタ，遅延線，発振器等の素子として種々の
弾性表面波装置が用いられている。

【０００３】近年、特に小型・軽量でかつフィルタとし
ての急峻遮断性能が高い弾性表面波フィルタが、移動体
通信分野における携帯端末装置のＲＦ段及びＩＦ段のフ
ィルタとして多用されている。

【０００４】この携帯端末装置は、小型・軽量化が進む
とともに、複数の通信システムに対応するマルチバンド
化のために、内蔵する回路が増加してきており、携帯端
末装置に使用される電子部品には、実装密度向上のため
に、表面実装可能な小型部品が強く要望されている。携
帯端末装置のキーパーツである弾性表面波フィルタにお
いても、低損失かつ通過帯域外の遮断特性とともに、表
面実装可能な小型の弾性表面波フィルタが要求されてい
る。

【０００５】現在、弾性表面波装置はキャンパッケージ
型やセラミックパッケージ型が実用化されおり、セラミ
ックパッケージ型は、キャンパッケージ型に比べ、表面
実装可能で小型化が実現可能なものとして広く用いられ
ている。

【０００６】第１世代のセラミックパッケージ型弾性表
面波装置は、パッケージ内に接着固定した弾性表面波素
子とパッケージの内部電極とを、ワイヤ−ボンディング
により電気接続していたが、ワイヤーボンディングを用
いることにより、パッケージ外形が大きくなり、弾性表
面波装置は内蔵する弾性表面波素子の５倍〜６倍の占有
面積となっていた。

【０００７】これを解決し小型化を図るために、第２世
代のセラミックパッケージ型弾性表面波フィルタ装置と
して、例えば図１５に示すように、圧電基板１上に励振
電極である櫛歯状電極２及び配線電極３が形成された弾
性表面波素子をパッケージ内部にフェースダウンボンデ
ィングした弾性表面波装置Ｊ１が実用化されている。

【０００８】このように、弾性表面波素子表面に形成さ
れ配線電極３に接続された金属バンプ１２とパッケージ
基体１５に形成された内部電極１１ａとを接続すること
により電気的接続を行うため、ワイヤーボンディングを
使用する必要がなく、そのため、第１世代のセラミック
パッケージ型弾性表面波装置に比べ、約２分の１の小型
化が図られている。なお、図中、１３はパッケージ蓋
体、１４はパッケージ枠状体、１１はパッケージ基体１
５に形成された電極、１１ｂは側面電極、１１ｃは下面
電極である。

【０００９】しかしながら、上記第２世代のフェースダ
ウン実装方式のセラミックパッケージ型弾性表面波装置
においても、パッケージ外形の大きさは、内蔵する弾性
表面波フィルタ素子の約３倍もあり、十分に小型化され
ていない。

【００１０】さらに、弾性表面波素子のパッケージへの
実装方法は、デバイスチップをウエハから切断した後
に、個別のパッケージを用いて組み立てを行うために、
量産性に欠けるという問題があった。

【００１１】そこで、本発明はこのような課題に対処す
るためになされたものであり、外形の占有面積の大きさ
が内蔵する弾性表面波素子とほぼ等しいまでに小型化が
可能で、かつ、信頼性の高い表面実装可能な弾性表面波
装置を提供すること、及びウエハ状態でパッケージング
まで行うことが可能な量産性に優れた弾性表面波装置を
提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の弾性表面波装置は、圧電基板上に弾性表面
波を発生させる励振電極及び該励振電極に接続される配
線電極を形成し、励振電極及び配線電極を絶縁性保護体
で被覆し、絶縁性保護体内に、該絶縁性保護体を貫通し
且つ屈曲部を有する導体を配設するとともに、この導体
を、配線電極と、絶縁性保護体の表面に形成される外部
電極の双方に接続させたことを特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる弾性表面波
装置の一実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。

【００１４】図１及び図２に本発明に係る弾性表面波装
置Ｓ１，Ｓ２を模式的に示す要部断面図である。

【００１５】弾性表面波装置Ｓ１，Ｓ２は、例えばタン
タル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶、四ホ
ウ酸リチウム単結晶、ランガサイト型結晶構造を有する
単結晶、またはＰＺＴやＺｎＯ等の、圧電セラミックス
その他の材料から成る圧電基板１上に、少なくとも１対
の櫛歯状電極から成り弾性表面波を発生させる励振電極
２と、これに接続される配線電極とが配設され、励振電
極２及び配線電極３を絶縁性保護体６で被覆したもので
ある。

【００１６】ここで、励振電極２はアルミニウムやその
合金等の金属から成り、その両端に反射器電極が配設さ
れたり、これらの複数が直列及び／又は並列に接続され
ていてもよい。また、配線電極３は励振電極２に接続さ
れ、励振電極２と同様な金属材料から構成される。ま
た、絶縁性保護体６は熱硬化性樹脂（エポキシ系、シリ
コーン系、フェノール系、ポリイミド系、ポリウレタン
系等）、熱可塑性樹脂（ポリフェニレンサルファイド
等）、又は低融点ガラス等から成るものとする。

【００１７】絶縁性保護体６内には、絶縁性保護体６を
貫通しかつ複数の屈曲部（５ｚ，５ｙ）を有する金属
（銅，金，ニッケル等の単体や合金）や導電性樹脂等か
ら成る柱状導体５を配設しており、この柱状導体５は、
励振電極２と同様な材質から成る配線電極３と、絶縁性
保護体６の表面に形成した半田バンプ等の金属材料から
成る外部電極７との双方に接続されている。

【００１８】そして、励振電極２の振動空間１１を確保
するために、金属，樹脂，またはガラス等から成るカバ
ー体４を、絶縁性保護体６と励振電極２との間に配設し
ている。

【００１９】柱状導体５は、例えば図１，図３（ａ）に
示すように、２つの柱状部５ａ，５ｂを１つの平板状部
５ｃで接続するのが最も簡単な構造である。また、図３
（ｂ），（ｄ），（ｅ）に示すように、１つの平板状部
５ｃを屈曲させたり、平面外形が円弧状等の自由曲線を
含むように形成することも可能である。なお、図３
（ａ）〜（ｅ）の各図は、柱状導体５の平面図及び側面
図を図示したものである。後記する図４〜図６において
も、導体の平面図及び側面図を図示したものとする。

【００２０】また、図２，図３（ｃ）に示すように、３
つの柱状部５ａ，５ｂ，５ｄと２つの平板状部５ｃ，５
ｅで構成することも可能である。このように屈曲部を増
やすことにより、応力緩和の効果がいっそう大きくな
る。

【００２１】また、図３（ａ），（ｂ），（ｅ）に示す
ように、第１の柱状部５ａの中心軸に対し、第２の柱状
部５ｂの中心軸をずらすようにしてもよく、これによ
り、外部電極７の配置や圧電基板１上の電極配置等に自
由度を持たすことができ、電極パターンの最適位置設計
を行うことができる。

【００２２】また、上記例では柱状部が円柱状のものを
示したが、三角柱状や四角柱状などの多角柱状のものと
してもよい。また、図３（ａ）〜（ｅ）を複数個組合せ
ることにより、すなわち、例えば図４に示すように、屈
曲部を増やした構造も本発明に含まれることはもちろん
である。このように、屈曲部を多数設けることにより、
外部電極７に働く応力が柱状導体に緩和されて伝達され
るため、圧電基板１への影響を極力抑えることができ
る。これにより、弾性表面波装置を回路基板に半田等で
実装して使用する際に、実装時の熱歪みや温度変化によ
る応力が柱状の電極５を介して圧電基板１に伝わり、特
性が著しく劣化したり、場合によっては圧電基板にクラ
ックが発生するという問題を極力防止でき、高信頼性を
有する弾性表面波装置を得ることができる。

【００２３】また、図５（ａ），（ｂ）に示すように、
平板状部５ｃの上下で柱状部の数を異なるようにしても
よく、また、図５（ｃ）に示すように、平板状部５ｃを
狭くし柱状部どうしが重なるようにしてもよい。

【００２４】また、図６に示すように、下側導体５（５
ａ，５ｃ，５ｂ）と上側導体５’（５’ａ，５’ｂ，
５’ｃ）とが分離されるように配設してもよく、これに
より、例えば下側導体を信号用とした場合に、上側導体
を信号用又は接地用にすることができ、また、下側導体
を接地用としたときに上側導体を信号用又は接地用にす
ることができる。

【００２５】いずれにしろ、屈曲部を複数設けることに
より、プリント基板等に半田等で接続された外部電極７
に加わる外部応力が柱状導体を通じて圧電基板１に働く
ことによる緩和効果により、破損を極力防止することが
できる。

【００２６】また、図７（ｂ）に示すように、外部電極
７の位置が弾性表面波装置の端部側にあっても、図７
（ａ）に示すように、圧電基板１上における電極位置，
態様（配線位置，態様）の自由度を拡大させることが可
能である。このように、圧電基板１上では不規則な位置
にある電極（配線）を保護体６の外部に形成される外部
電極７の位置を規則配置とすることも可能であり、圧電
基板１上の電極（配線）位置は、外部回路基板の配線に
より制限される外部電極７の位置，態様に制限されるこ
とがない。

【００２７】次に、上記弾性表面波装置の製造方法の一
例について説明する。

【００２８】最初に、本発明に係わる弾性表面波装置の
カバー体の製造方法を説明する。なお、図９においては
カバー体４を１つ形成する場合について示すが、実際に
は、図８に示すように、ウエハＷ上に多数のカバー体Ａ
が形成されるものとする。このように、まず最初にカバ
ー体ＡをウエハＷ上に多数形成し、その後、別に用意し
た圧電性のウエハ上に弾性表面波素子領域を多数形成
し、二つのウエハを重ねて接合し、ウエハＷを研磨等に
より除去した後に、絶縁性保護体で封止し、さらに、外
部電極を絶縁性保護体上に形成して、最後に個々のチッ
プに分離して弾性表面波装置を完成させる。

【００２９】まず、図９（ａ）に示すように、弾性表面
波素子を形成する圧電性のウエハと同サイズのウエハの
領域１０にメッキ用の電極膜４ａを形成する。このウエ
ハには圧電基板，シリコン基板，またはガラス基板を用
いることができ、後工程で簡便に除去できる材質のもの
を使用する。電極膜４ａは例えば銅等の金属材料を用い
スパッタ成膜により厚さ０．２μｍ〜１μｍ程度に形成
する。

【００３０】次に、図９（ｂ）に示すように、カバー体
４の上部に相当する箇所のメッキ用ガイドをフォトリソ
グラフィーにより形成する。フォトレジスト９ａの厚さ
は５０μｍ〜１００μｍとする。

【００３１】次に、図９（ｃ）に示すように、銅の電解
メッキによりカバー体の上部に相当する部分４ｂを形成
する。この電解液には、硫酸銅０．５〜１．０×１０³
mol／ｍ³と硫酸１．５〜２×１０³mol ／ｍ³を用
い、参照電極には塩化カリウム・塩化銀の標準電極を用
いる。

【００３２】次に、図９（ｄ）に示すように、カバー体
の壁部に相当する部分のメッキ用ガイドをフォトリソグ
ラフィーにより形成する。フォトレジスト９ｂの厚みは
５０μｍ〜１００μｍ、また壁の厚さに相当する溝の幅
は５０μｍ〜１００μｍ程度とする。

【００３３】次に、図９（ｅ）に示すように、銅の電解
メッキによりカバー体の壁部に相当する部分４ｃを形成
し、その後、カバー体４ｃの上にスクリーン印刷により
低融点ガラス８を厚さ５〜１０μｍで形成する。最後
に、フォトレジストを除去しカバー体が配列された基板
が完成する。

【００３４】次に、本発明に係わる弾性表面波装置の製
造方法について説明する。図１０〜図１２は弾性表面波
装置の製造工程を示した図である。なお、これら図にお
いても、図９と同様に圧電基板であるウエハの、ある領
域の断面図のみを模式的に示している。

【００３５】まず、図１０（ａ）に示すように、圧電基
板１上に櫛歯状の励振電極２及び第１の配線電極３ａを
形成する。圧電基板１には、ニオブ酸リチウム結晶基
板，タンタル酸リチウム結晶基板，水晶結晶基板，四ホ
ウ酸リチウム結晶基板，ランガサイト結晶基板，ＰＺＴ
基板等の圧電基板を用いる。励振電極２及び第１の配線
電極３ａはアルミニウムまたは銅等を添加したアルミニ
ウム合金が用いられる。励振電極２は弾性表面波を励振
及び受信を行うためのものであり、この例では単層とし
ているが、電極の耐電力性向上のため多層電極とするこ
ともある。これらの成膜は蒸着又はスパッタで行い、厚
さ０．２μｍ〜１μｍである。

【００３６】次に、図１０（ｂ）に示すように、第２の
配線電極３ｂをフォトリソグラフィーにより選択的に形
成する。第２の配線電極３ｂの電極材料としてニッケ
ル，クロム，チタン等と銅が用いられる。第２の配線電
極３ｂの厚さは０．２μｍ〜０．５μｍである。

【００３７】次に、図１０（ｃ）に示すように、図９で
説明したウエハ上に形成したカバー体を圧電ウエハ上に
位置を合わせ載置させ、不活性ガス雰囲気中で低融点ガ
ラスを接着剤とし接着する。低融点ガラスの接着温度は
３５０℃〜４５０℃である。

【００３８】次に、図１０（ｄ）に示すように、カバー
体形成用に用いた基板（ウエハ）及びメッキ用電極４ａ
の一部を研磨により除去する。研磨は研磨剤のみのメカ
ニカル研磨による粗研磨とメカノケミカル研磨の２段階
で行う。

【００３９】次に、図１０（ｅ）に示すように、柱状部
をメッキで形成するためのメッキ用ガイドをフォトリソ
グラフィーで形成する。フォトレジスト９の厚さは１０
０μｍ〜４００μｍ程度とし、また、柱状導体用の孔の
径は５０μｍ〜２００μｍ程度とする。

【００４０】次に、図１１（ａ）に示すように、銅の電
解メッキにより、第１の柱状部５ａを形成する。電解液
には、硫酸銅０．５〜１．０×１０³mol ／ｍ³と硫酸
１．５〜２×１０³mol ／ｍ³を用い、参照電極には塩
化カリウム・塩化銀の標準電極を用いる。

【００４１】次に、図１１（ｂ）に示すように、フォト
レジスト９を除去する。その後、柱状導体形成用の第２
の配線電極３ｂの一部を、第１の柱状部５ａ及びカバー
体４をマスクにしてエッチングにより除去する。エッチ
ングにはウエットエッチング又はＲＩＥ等のドライエッ
チングが用いられる。

【００４２】次に、図１１（ｃ）に示すように、熱硬化
樹脂のトランスファーモールドにより樹脂層６ａを形成
する。この時、樹脂を上部から押えるダイの面に厚さ約
１００μｍ樹脂フィルムを装着しておくことにより、柱
状導体の上部を樹脂層から露出させることができる。樹
脂層６ａの厚さは１００μｍ〜４００μｍ程度とする。

【００４３】次に、図１１（ｄ）に示すように、フォト
リソグラフィーにより選択的に第１の平板状部５ｆを形
成した後、第２の平板状部５ｇを形成し、その後、第３
の柱状部形成用のメッキガイド用をフォトレジスト９で
形成する。第１の平板状部には金，銅等が用いられ、第
２の平板状部にはニッケル，クロム，チタン等と銅が用
いられる。第１の平板状部の厚さは０．５μｍ〜１０μ
ｍ、第２の平板状部の厚さは０．２μｍ〜０．５μｍで
ある。また、フォトレジスト９の厚さは１０μｍ〜２０
０μｍである。

【００４４】次に、図１２（ａ）に示すように、図１１
（ａ）と同様の方法で銅の電解メッキにより第３の柱状
体５ｄを形成する。

【００４５】次に、図１２（ｂ）に示すようにフォトレ
ジスト９を除去し、その後、第２の平板状部５ｇの一部
を、第３の柱状部５ｄをマスクにしてエッチングにより
除去する。このエッチングにはウエットエッチング又は
ＲＩＥ等のドライエッチングが用いられる。

【００４６】次に、図１２（ｃ）に示すように、熱硬化
樹脂のトランスファーモールドにより樹脂層６ａを形成
する。この時、樹脂を上部から押えるダイの面に厚さ約
１００μｍ樹脂フィルムを装着しておくことにより、柱
状導体の上部を樹脂層から露出させることができる。樹
脂層６ｂの厚さは１０μｍ〜２００μｍである。

【００４７】次に、図１２（ｄ）に示すように、図１２
（ａ）〜（ｄ）の工程を繰り返すことにより、平面状電
極５，第２の柱状導体５ｂ，及び第３の樹脂層６ｃを形
成する。

【００４８】最後に、図２に示すように、クリーム半田
を柱状導体５の上部にスクリーン印刷し、リフロ−する
ことにより半田バンプからなる外部電極７を形成し、弾
性表面波装置が多数個含まれたウエハが完成する。この
ウエハをダイシング等で切断・分離することにより、所
望の弾性表面波装置が得られる。

【００４９】かくして、高信頼性且つチップサイズと同
等な大きさの小型な弾性表面装置を、量産性に富んだ大
幅に工程が簡略化された製造方法で製造することができ
る。

【００５０】なお、図１，図２に示すように、圧電基板
１の裏面に樹脂層６６を形成しておいてもよい。ダイシ
ング工程を経て製造された本発明のウエアレベルパッケ
ージング弾性表面波装置は、回路基板への塔載時に圧電
基板側をマウンター装置のコレット等でつかまれるた
め、基板が損傷することがある。このように、圧電基板
の裏面に樹脂層を設けることにより、この基板損傷を防
止することができる。

【００５１】また、図１３（ａ），（ｂ）及び図１４
（ａ），（ｂ）は、それぞれラダー型フィルタ及び二重
モード共振器型フィルタにおける、本発明のカバー体４
の一例を平面的に説明する図である。各図（ａ）は圧電
基板１上の櫛歯状電極及び配線電極のパターンを示し、
各図（ｂ）は、カバー体４の壁面（凹部）における断面
模式図を示したものである。各図（ｂ）において、励振
電極２の上部に相当する部分のみカバー体４の凹部を設
けることにより、カバー体４の機械的信頼性を大きく向
上させることができる。

【００５２】特に、励振電極２及び配線電極３の占める
面積が大きい場合には、金属からなるカバー体４の凹部
を励振電極２毎に分割することにより、更に機械的信頼
性を向上するのに有効である。カバー体４に形成された
複数個の凹部は、それぞれが独立した凹部であれば有効
であるのはいうまでもないが、機械的強度を損なわない
ように凹部どうしが繋がっていても同様の効果が得られ
る。これにより、更に信頼性の高い小型化可能な弾性表
面波装置を提供することができる。

【００５３】

【実施例】次に、本発明の具体的な実施例について説明
する。

【００５４】まず、図１０（ａ）に示すように、圧電基
板１上に励振電極２と第１の配線電極３ａを形成した。
圧電基板１として厚さ３５０μｍの３６°Ｙカットタン
タル酸リチウム基板を用い、励振電極２及び配線電極３
の第１層目の配線電極３ａにはアルミニウム合金（銅含
有率１％）を用いた。電極厚さは２０００〜４０００Å
とした。第２の配線電極３ｂにはニッケル，銅の２層電
極を用い、それぞれの厚さは１０００Å，２０００Åと
し、フォトリソグラフィーを用いて選択的に形成した。

【００５５】次に、図１０（ｃ）に示すように、シリコ
ン基板１０上に形成されたカバー体４ａを低融点ガラス
８で接着し、その後、研磨機を用いシリコン基板１０及
びカバー体４ａの一部を除去した。このときの研磨液は
水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液にコロイダ
ルシリカを混入させたものを使用して行った。

【００５６】次に、図１０（ｅ），図１１（ａ）に示す
ように、第１の柱状部５ａをメッキにて形成するための
ガイドをフォトレジストで形成し、銅の電解メッキにて
第１の柱状部５ａを形成した。このときの第１の柱状部
５ａの直径は１００μｍ、高さは２００μｍとした。

【００５７】次に、図１１（ｃ），（ｄ）に示すよう
に、メッキガイド用のフォトレジストを除去した後、熱
硬化性のモールド用樹脂を用い、トランスファーモール
ドによる封止を行った。樹脂を上部から押えるダイに１
００μｍ厚の耐熱樹脂フィルムを装着することにより、
第１の柱状部５ａの上部が第１の樹脂層６ａから露出さ
せるようにした。第１の樹脂層６ａの厚みは約２００μ
ｍとした。

【００５８】次に、図１２（ａ）〜（ｄ）に示すよう
に、平板状部５ｃ，第３の柱状部５ｄ，第２の樹脂層６
ｂ，平板状部５ｅ，第２の柱状部５ｂ、及び第３の樹脂
層６ｃを順次形成した。

【００５９】平板状部には銅の単層電極及びニッケル，
銅の２層電極を用い、それぞれの厚さは１μｍ，１００
０Å，２０００Åとした。柱状部には銅メッキを用い、
厚さは１００μｍとした。

【００６０】次に、クリーム半田を１０μｍの厚さで、
柱状導体５の上部にスクリーン印刷した後、リフローを
２７０℃で行い、外部電極７となる半田バンプを形成し
た。

【００６１】最後に、基板をダイシングにより弾性表面
波装置（チップ）を1 個ずつに分離し、弾性表面波装置
を完成した。得られた弾性表面波装置は、櫛歯状電極が
カバー体および絶縁性保護体である封止樹脂により保護
されているとともに、柱状導体に応力緩和用の屈曲部が
設けられていることにより、−４０℃〜８５℃の温度サ
イクル試験においても、圧電基板の損傷は無く、しかも
特性劣化は全く観測されなかった。また、弾性表面波フ
ィルタ素子（１ｍｍ×１．５ｍｍ）とほぼ同じ占有面積
の小型化及び、高さ０．８ｍｍの低背化が実現できた。

【００６２】

【発明の効果】以上、詳細に述べたように、本発明の弾
性表面波装置によれば、弾性表面波素子の配線電極と外
部電極を接続する導体に複数個の屈曲部を設けることに
より、外部電極に加わる応力を十分に緩和できるため、
温度変化等により劣化の生じない高信頼性の弾性表面波
装置を提供できる。

【００６３】また、導体に屈曲部を設けることにより、
弾性表面波素子の配線電極位置と外部電極位置を圧電基
板の平面方向で異ならせることができる。これにより外
部電極や配線パターンの配置態様に自由度を持たすこと
ができ、電極の最適設計を行うことができる。

【００６４】また、圧電基板を下部筐体とし、樹脂モー
ルドにより封止を行いそれを上部筐体とすることがで
き、従来のセラミックパッケージ等が不要となり、大幅
な小型・軽量化が図れ、外形の占有面積の大きさが、内
蔵する弾性表面波素子とほぼ等しい、究極的に小型化さ
れた表面実装可能な弾性表面波装置を提供することがで
きる。

【００６５】また、全ての製造工程をウエハプロセスで
行うことができ、ウエハ単位の加工で弾性表面波装置を
多数個同時に形成できる、すなわち、樹脂封止まで完了
したウエハをダイシング工程で個別の弾性表面波装置に
カッティングすることにより完成品を得ることができる
ため、従来のダイシング工程以降の工程のように個別に
弾性表面波素子を組み立てる必要が無く、しかも処理能
力の小さいダイボンダー，ワイヤーボンダー，シーム溶
接機等の組立装置が不要となり、大幅に工程を簡略化す
るとともに、量産性の高い弾性表面波装置を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる弾性表面波装置の実施形態を説
明する断面模式図である。

【図２】本発明に係わる他の弾性表面波装置の実施形態
を説明する断面模式図である。

【図３】（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ本発明に係わる導
体の構造例を模式的に説明する平面図と側面図である。

【図４】本発明に係わる他の導体の構造例を模式的に説
明する平面図と側面図である。

【図５】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ本発明に係わる他
の導体の構造例を模式的に説明する平面図と側面図であ
る。

【図６】本発明に係わる他の導体の構造例を模式的に説
明する平面図と側面図である。

【図７】本発明に係わる他の導体の構造例を模式的に説
明する平面図と側面図である。

【図８】本発明に係わるカバー体を作製するためのウエ
ハの様子を説明する斜視図である。

【図９】（ａ）〜（ｆ）はそれぞれ本発明に係わる弾性
表面波装置のカバー体の製造工程を模式的に説明する断
面図である。

【図１０】（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ本発明に係わる弾
性表面波素子の製造工程を模式的に説明する断面図であ
る。

【図１１】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ本発明に係わる弾
性表面波素子の製造工程を模式的に説明する断面図であ
る。

【図１２】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ本発明に係わる弾
性表面波素子の製造工程を模式的に説明する断面図であ
る。

【図１３】（ａ）はラダー型弾性表面波フィルタ素子の
電極パターンを示す平面模式図であり、（ｂ）はカバー
体を説明するための断面模式図である。

【図１４】（ａ）は二重モード共振器型弾性表面波フィ
ルタ素子の電極パターンを示す平面模式図であり（ｂ）
はカバー体を説明するための断面模式図である。

【図１５】従来の弾性表面波装置を説明する断面模式図
である。

【符号の説明】

１：圧電基板２：励振電極（１対の櫛歯状電極）３：配線電極３ａ：第１の配線電極３ｂ：第２の配線電極４：カバー体４ａ：カバー体形成用金属膜４ｂ：カバー体上部４ｃ：カバー体壁部５，５’：柱状導体（導体）５ａ：第１の柱状部５ｂ：第２の柱状部５ｃ：平板状部５ｄ：第３の柱状部５ｅ：平板状部５ｆ：第１の平板状部５ｇ：第２の平板状部６：樹脂層（絶縁性保護体）６ａ：第１の樹脂層６ｂ：第２の樹脂層６ｃ：第３の樹脂層７：外部電極８：低融点ガラス９：フォトレジスト９ａ：フォトレジスト９ｂ：フォトレジスト１０：基板６６：樹脂層Ｓ１，Ｓ２：弾性表面波装置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電基板上に弾性表面波を発生させる励
振電極及び該励振電極に接続される配線電極を形成し、
前記励振電極及び前記配線電極を絶縁性保護体で被覆し
た弾性表面波装置であって、前記絶縁性保護体内に、該
絶縁性保護体を貫通し且つ屈曲部を有する導体を配設す
るとともに、前記導体を、前記配線電極と、前記絶縁性
保護体の表面に形成される外部電極の双方に接続させた
ことを特徴とする弾性表面波装置。