JP5882306B2 - 電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）装置等の弾性波装置および該弾性波装置を有する電子部品に関する。

素子基板と、素子基板上に位置する励振電極と、励振電極を覆う樹脂性のカバーと、励振電極と電気的に接続され、カバーの上面等に設けられたはんだバンプとを有する弾性波装置が知られている。このような弾性波装置は、実装基板の実装面に対してカバーの上面を対向させて配置され、はんだバンプを実装基板の実装面上に配置されたパッドに当接させた状態で加熱されることによって実装基板に実装される。また、実装された弾性波装置は、モールド樹脂によって覆われて封止される。

特許文献１において、弾性波装置のカバーには、その下面（素子基板側の面）から上面に貫通する開口部が形成される。開口部には、その全体に、はんだが充填される。充填されたはんだは、弾性波装置の実装基板への実装前に、一旦、溶融され、再度固化されることによって、カバー上面側の一部が、表面張力によって丸まり、球状のバンプとなる。バンプは、球状になる過程において、開口部の内周面から離間し、その一方でカバーの上面から突出する。ただし、バンプが加熱されて弾性波装置が実装基板へ実装されると、バンプは、球状から開口部に充填された形状に戻り、また、カバーの上面は実装基板の実装面に接する。その結果、特許文献１では、蓋体にモールド樹脂の圧力がかかりにくくなり、また、バンプもカバーによって囲まれ、信頼性が高くなるとしている。

特許文献２において、弾性波装置のカバーには、その下面から上面に貫通する開口部が形成される。開口部には、カバーの上面よりも若干低い位置まで金属が充填されることによって、柱状の端子が形成される。はんだバンプは、その端子の上に形成され、開口部の上端を埋めている。

特許文献１および２では、少なくとも弾性波装置が実装基板に実装された段階において、はんだバンプは、カバーの開口部に充填されている。従って、はんだバンプは、カバーの開口部の形状に変化していることになる。その結果、例えば、はんだバンプには、開口部の内周面とカバーの上面との角部に接する位置に、応力集中が生じやすい形状が形成され、はんだバンプにクラックが生じやすくなる。すなわち、カバーの開口部の形状によってバンプの形状の自由度が制限され、種々の不都合が生じている。

従って、バンプの形状の自由度を向上できる弾性波装置および該弾性波装置を有する電子部品が提供されることが望まれる。

特開２００６−２１７２２６号公報 特開２０１０−５６６７１号公報

本発明の一態様に係る電子部品は、実装基板と、該実装基板の実装面上に位置するバンプと、該バンプ上に位置し、該バンプに接続された弾性波装置を有し、前記弾性波装置は、素子基板と、該素子基板の主面上に位置する励振電極と、前記主面上に位置し、前記励振電極に接続されたパッドと、前記励振電極上に位置して前記パッドを露出させる、孔部もしくは切欠き部またはこれらの組合せからなるパッド露出部が形成されたカバーとを有し、該カバーの上面を前記実装面に対向させ、前記パッド露出部内に前記バンプを位置させ、前記パッドを前記バンプに当接させている。

本発明の一態様に係る弾性波装置は、素子基板と、該素子基板の主面上に位置する励振電極と、前記主面上に位置し、前記励振電極に接続されたパッドと、前記励振電極上に位置して前記パッドを露出させる、孔部もしくは切欠き部またはこれらの組合せからなるパッド露出部が形成されたカバーとを有し、前記パッド露出部は、前記カバーの上面側の部分で前記カバーの側面外側に通じている。

本発明の一態様に係る弾性波装置は、素子基板と、該素子基板の主面上に位置する励振電極と、前記主面上に位置し、前記励振電極に接続された複数のパッドと、前記励振電極上に位置して前記複数のパッドを露出させる、孔部もしくは切欠き部またはこれらの組合せからなるパッド露出部が形成されたカバーとを有し、前記複数のパッド露出部の少なくとも一部は、前記カバーの上面側の部分で互いにつながっている。

上記の構成によれば、バンプの形状の自由度を向上できる。

本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置の外観斜視図である。 図１のＳＡＷ装置を一部破断して示す斜視図である。 図１のＳＡＷ装置が実装された電子部品の一部を示す断面図である。 図３の領域ＩＶの拡大図である。 図５（ａ）〜図５（ｄ）は、図２の電子部品の製造方法を説明する断面図である。 図６（ａ）〜図６（ｃ）は、図５（ｄ）の続きを示す断面図である。 第２の実施形態のＳＡＷ装置を示す断面図である。 図８（ａ）〜図８（ｄ）は図７のＳＡＷ装置の製造方法を説明する断面図である。 第３の実施形態のＳＡＷ装置を示す断面図である。 第４の実施形態のＳＡＷ装置を示す断面図である。 第５の実施形態のＳＡＷ装置を示す断面図である。 第６の実施形態のＳＡＷ装置の一部を示す斜視図である。 第７の実施形態のＳＡＷ装置を示す斜視図である。 図１４（ａ）は、第８の実施形態のＳＡＷ装置を示す平面図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）の領域Ｂの拡大図である。

以下、本発明の実施形態に係るＳＡＷ装置について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。

第２の実施形態以降において、既に説明された実施形態と共通または類似する構成について、既に説明された実施形態と共通の符号を用い、また、図示や説明を省略することがある。

＜第１の実施形態＞
（ＳＡＷ装置等の構成）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るＳＡＷ装置１の外観斜視図である。また、図２は、ＳＡＷ装置１の一部を破断して示す斜視図である。

なお、ＳＡＷ装置１は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下の実施形態では、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともに、ｚ方向の正側（図１の紙面上方側）を上方として、カバー９等について上面、下面等の語を用いることがあるものとする。

ＳＡＷ装置１は、いわゆるウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ）形のＳＡＷ装置によって構成されている。ＳＡＷ装置１は、素子基板３と、素子基板３の第１主面３ａ上に設けられた励振電極５（図２）と、第１主面３ａ上に設けられ、励振電極５に接続されたパッド７と、励振電極５を覆うとともにパッド７を露出させるカバー９（図１）と、素子基板３の第２主面３ｂに設けられた裏面部１１とを有している。

ＳＡＷ装置１は、複数のパッド７のいずれかを介して信号の入力がなされる。入力された信号は、励振電極５等によってフィルタリングされる。そして、ＳＡＷ装置１は、フィルタリングした信号を複数のパッド７のいずれかを介して出力する。各部材の具体的構成は以下のとおりである。

素子基板３は、圧電基板によって構成されている。具体的には、例えば、素子基板３は、タンタル酸リチウム単結晶，ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板によって構成されている。素子基板３は、例えば、直方体状に形成されており、矩形状で互いに平行かつ平坦な第１主面３ａおよび第２主面３ｂを有している。素子基板３の大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さ（ｚ方向）は０．２ｍｍ〜０．５ｍｍであり、１辺の長さ（ｘ方向またはｙ方向）は０．５ｍｍ〜３ｍｍである。

励振電極５（図２）は、第１主面３ａ上に層状（平板状）に形成されている。励振電極５は、いわゆるＩＤＴ（Interdigital Transducer）であり、一対の櫛歯状電極１３を有している。各櫛歯状電極１３は、素子基板３における弾性表面波の伝搬方向（本実施形態ではｘ方向）に延びるバスバー１３ａと、バスバー１３ａから上記伝搬方向に直交する方向（本実施形態ではｙ方向）に伸びる複数の電極指１３ｂとを有している。２つの櫛歯状電極１３同士は、それぞれの電極指１３ｂが互いに噛み合う（交差する）ように設けられている。

なお、図２等は模式図であることから、数本の電極指１３ｂを有する２対の櫛歯状電極１３を示している。実際には、これよりも多数の電極指を有する複数対の櫛歯状電極が設けられてよい。また、複数の励振電極５が直列接続や並列接続等の方式で接続されたラダー型ＳＡＷフィルタが構成されてもよいし、複数の励振電極５がｘ方向に配列された２重モードＳＡＷ共振器フィルタが構成されてもよい。

パッド７は、第１主面３ａ上に層状に形成されている。パッド７の平面形状は適宜に設定されてよい。好適には、また、本実施形態では、パッド７の平面形状は円形である。パッド７の数および配置位置は、励振電極５によって構成されるフィルタの構成等に応じて適宜に設定される。本実施形態では、６つのパッド７が第１主面３ａの外周に沿って配列されている場合を例示している。

励振電極５とパッド７とは配線１５（図２）によって接続されている。配線１５は、第１主面３ａ上に層状に形成され、励振電極５のバスバー１３ａとパッド７とを接続している。なお、配線１５は、第１主面３ａ上に形成された部分だけでなく、当該部分に対して絶縁体を介在させた状態で立体交差する部分を有していてもよい。

励振電極５、パッド７および配線１５（の第１主面３ａ上に形成された部分）は、例えば、互いに同一の導電材料によって構成されている。導電材料は、例えばＡｌ−Ｃｕ合金等のＡｌ合金である。また、励振電極５、パッド７および配線１５は、例えば、互いに同一の厚さで形成されており、これらの厚さは、例えば、１００〜５００ｎｍである。また配線１５同士を立体交差させる場合は、第１主面３ａ側の配線１５を例えばＡｌ−Ｃｕ合金で形成し、その上に絶縁体を介して配置される配線１５を例えば下から順にＣｒ／Ｎｉ／Ａｕ、あるいはＣｒ／Ａｌとした多層構造の配線によって形成する。なお、立体配線の上側の配線をＣｒ／Ｎｉ／Ａｕによって形成した場合は、最上層のＡｕと樹脂との密着性が比較的弱いことから、樹脂からなるカバー９がこの立体配線上に積層されないようにするとよい。これによりカバー９の剥がれを抑制することができる。一方、立体配線の上側の配線をＣｒ／Ａｌによって形成した場合は、この立体配線上にカバー９が積層されるようにしてもよい。

なお、パッド７は、励振電極５と同一の材料および厚さの層に加えて、バンプ（図３参照）との接続性を高める等の目的で接続強化層を有していてもよい。例えば、パッド７は、Ａｌ−Ｃｕ合金の層に重ねられたニッケルの層と、ニッケルの層に重ねられた金の層とを有していてもよい。

カバー９（図１）は、例えば、その外側形状が、概略、第１主面３ａの全体を覆う一定の厚さの層状に形成されている。すなわち、本実施形態では、第１主面３ａが矩形であることに対応して、カバー９の外側形状は、概略、薄型の直方体状に形成されている。そして、カバー９は、第１主面３ａに対して概ね平行かつ平坦な上面９ａを有している。

カバー９は、第１主面３ａ上に設けられ、第１主面３ａの平面視において励振電極５を囲む枠部１７（第１層、図１および図２）と、枠部１７に重ねられ、枠部１７の開口を塞ぐ蓋部１９（第２層、図１）とを有している。そして、第１主面３ａ（厳密には後述する保護層２５）、枠部１７および蓋部１９によって囲まれた空間により、励振電極５の振動を容易化する振動空間２１（図２）が形成されている。

振動空間２１の平面形状は、適宜に設定されてよいが、本実施形態では、振動空間２１の４隅側に位置するパッド７を避けつつ振動空間２１の面積を広く確保できるように、概ね８角形に形成されている場合を例示している。なお、カバー９は、振動空間２１を構成する凹部が下面９ｂ側に形成された形状であると捉えてもよい。

枠部１７は、概ね一定の厚さの層に振動空間２１となる開口が１以上（本実施形態では２つ）形成されることによって構成されている。枠部１７の厚さ（振動空間２１の高さ）は、例えば、数μｍ〜３０μｍである。蓋部１９は、概ね一定の厚さの層によって構成されている。蓋部１９の厚さは、例えば、数μｍ〜３０μｍである。

枠部１７および蓋部１９は、同一の材料によって形成されていてもよいし、互いに異なる材料によって形成されていてもよい。本願では、説明の便宜上、枠部１７と蓋部１９との境界線を明示しているが、現実の製品においては、枠部１７と蓋部１９とは、同一材料によって一体的に形成されていてもよい。

カバー９（枠部１７および蓋部１９）は、感光性の樹脂によって形成されている。感光性の樹脂は、例えば、アクリル基やメタクリル基などのラジカル重合により硬化する、ウレタンアクリレート系、ポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系の樹脂である。その他、ポリイミド系の樹脂なども用いることができる。

カバー９にはさらに、パッド７を露出させるためのパッド露出部９ｈ（図１）が形成されている。パッド露出部９ｈは、枠部１７に形成された第１パッド露出部１７ｈと、蓋部１９に形成された第２パッド露出部１９ｈ（図１）とによって構成されている。

本実施形態における第１パッド露出部１７ｈは、枠部１７をその厚さ方向に貫通する孔部であり、カバー９の下面９ｂに開口している。また、第１パッド露出部１７ｈは、パッド７上に位置している。平面視における、第１パッド露出部１７ｈの形状およびパッド７に対する相対的な大きさは適宜に設定されてよい。好適には、また、本実施形態では、平面視において、第１パッド露出部１７ｈは、パッド７よりも径（面積）が広い円形であり、その内周面がパッド７の外縁よりも外側に位置している。また、第１パッド露出部１７ｈはパッド７と同心円状に形成され、パッド７の外縁と第１パッド露出部１７ｈとの距離は第１パッド露出部１７ｈの全周に亘って一定である。

第２パッド露出部１９ｈは、蓋部１９の側面外側に通じている切欠き部である。また、第２パッド露出部１９ｈは、第１パッド露出部１７ｈ上に位置している。第２パッド露出部１９ｈの平面形状および第１パッド露出部１７ｈに対する相対的な大きさは適宜に設定されてよい。好適には、また、本実施形態では、平面視において、第２パッド露出部１９ｈは、第１パッド露出部１７ｈよりも径(面積)が大きい円形乃至扇形を含み、その内面が第１パッド露出部１７ｈの内周面よりも外側に位置している。また、第２パッド露出部１９ｈは第１パッド露出部１７ｈと同心円状に形成され、第１パッド露出部１７ｈの内周面と第２パッド露出部１９ｈとの距離は第２パッド露出部１９ｈの全周に亘って一定である。

なお、第１パッド露出部１７ｈおよび第２パッド露出部１９ｈの径（面積）の説明から理解されるように、好適には、パッド露出部９ｈは、カバー９の上面９ａ側の部分が、カバー９の下面９ｂ側の部分よりも径（面積）が大きく形成されている。

第２パッド露出部１９ｈは、例えば、円形に形成されるとともに、その円形の中心とカバー９の側面との距離が半径よりも短くされたり、カバー９の側面外側に延びるような形状に形成されたりすることによって、カバー９の側面外側へ通じている。なお、第１パッド露出部１７ｈも第２パッド露出部１９ｈと同様に孔部でなく切欠き部によって形成されてよい。

裏面部１１は、特に図示しないが、例えば、素子基板３の第２主面３ｂの概ね全面を覆う裏面電極と、裏面電極を覆う絶縁性の保護層とを有している。裏面電極により、温度変化等によって素子基板３表面にチャージされた電荷が放電される。保護層により、素子基板３の損傷が抑制される。なお、以下では、裏面部１１は、図示や説明が省略されることがある。

図３は、ＳＡＷ装置１が実装された電子部品５１の一部を示す断面図であり、図１のIII−III線に対応している。

電子部品５１は、実装基板５３と、実装基板５３の実装面５３ａ上に設けられたパッド５５と、パッド５５上に配置されたバンプ５７と、バンプ５７を介して実装面５３ａに実装されたＳＡＷ装置１と、ＳＡＷ装置１を封止するモールド樹脂５９とを有している。

なお、電子部品５１は、例えば、この他に、実装基板５３に実装されて実装基板５３を介してＳＡＷ装置１に接続され、モールド樹脂５９によってＳＡＷ装置１とともに封止されたＩＣ等を有し、モジュールを構成している。

実装基板５３は、例えば、パッド５５とともに、もしくはパッド５５およびバンプ５７とともに、プリント配線板により構成されている。プリント配線板は、リジッド基板であってもよいし、フレキシブル基板であってもよい。また、プリント配線板は、１層板であってもよいし、２層板であってもよいし、多層板であってもよい。また、プリント配線板の基材、絶縁材料および導電材料は適宜な材料から選択されてよい。

バンプ５７は、カバー９のパッド露出部９ｈに収容されて、ＳＡＷ装置１のパッド７に当接している。バンプ５７は、加熱によって溶融してパッド７に接着される金属によって形成されている。バンプ５７は、例えば、はんだによって構成されている。はんだは、Ｐｂ−Ｓｎ合金はんだ等の鉛を用いたはんだであってもよいし、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ−Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ−Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。

モールド樹脂５９は、例えば、エポキシ樹脂、硬化材およびフィラーを主成分としている。モールド樹脂５９は、ＳＡＷ装置１を裏面部１１側および側方から覆うだけでなく、ＳＡＷ装置１と実装基板５３との間にも充填されている。具体的には、モールド樹脂５９は、カバー９の上面９ａと実装基板５３の実装面５３ａとの間およびパッド露出部９ｈの内周面とバンプ５７との間に充填されている。

図４は図３の領域ＩＶの拡大図である。

素子基板３の第１主面３ａ上には保護層２５が重ねられており、カバー９は、保護層２５の上に重ねられている。保護層２５は、励振電極５を覆って（図５（ｂ）等参照）励振電極５の酸化防止等に寄与するものである。保護層２５は、例えば、酸化珪素（ＳｉＯ_２など）、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、窒化珪素、または、シリコンによって形成されている。保護層２５の厚さは、例えば、励振電極５の厚さの１／１０程度（１０〜３０ｎｍ）、または励振電極５よりも厚く、２００ｎｍ〜１５００ｎｍである。

パッド７は保護層２５から露出している。なお、図４では、保護層２５のパッド７を露出させるための開口は、パッド７と同一の形状および面積とされているが、当該開口は、パッド７よりも大きくてもよいし、小さくても（保護層２５の開口周囲の部分がパッド７の外周部を覆っていても）よい。

バンプ５７は、概ね、球がパッド７とパッド５５とによって潰された形状である。すなわち、バンプ５７は、パッド７および５５に接する２平面と、２平面を接続する外周面とを有し、その２平面および外周面は平面視において円形であり、外周面は側面視において中央側が外側に突出する曲面状となっている。

バンプ５７のパッド７および５５に接する平面の面積は、好適には、パッド７およびパッド５５の面積と同じかそれ以下である。

パッド露出部９ｈの内面は、その全体に亘って、バンプ５７に接していない。従って、パッド露出部９ｈの内面とバンプ５７との隙間は、カバー９の上面９ａから下面９ｂに亘るまで形成され、モールド樹脂５９が充填されている。

第１パッド露出部１７ｈは、その内周面がカバー９の上面９ａ側ほど第１パッド露出部１７ｈが広くなる方向へ傾斜する傾斜面（テーパ面）によって構成されている。傾斜面の第１主面３ａに対する角度αは、例えば、８０°程度である。第１パッド露出部１７ｈは、好ましくは、カバー９の下面９ｂに開口する部分（換言すれば、最も面積が小さくなる部分）において、パッド７よりも面積が大きい。例えば、パッド７の直径が６０μｍ以上１２５μｍ未満である場合において、第１パッド露出部１７ｈの下面９ｂにおける直径は１００μｍ以上２５０μｍ以下である。

第２パッド露出部１９ｈは、第１パッド露出部１７ｈと同様に、その内面がカバー９の上面９ａ側ほど第２パッド露出部１９ｈが広くなる方向へ傾斜する傾斜面（テーパ面）によって構成されている。傾斜面の第１主面３ａに対する角度βは、第１パッド露出部１７ｈにおける角度αと同一であってもよいし、大きくてもよいし、小さくてもよい。なお、図４では、角度βが角度αよりも大きい場合を例示している。第２パッド露出部１９ｈは、第１パッド露出部１７ｈ側の底面部分（換言すれば、最も面積が小さくなる部分）において、第１パッド露出部１７ｈの第２パッド露出部１９ｈ側に開口する部分（換言すれば、第１パッド露出部１７ｈの最も面積が大きくなる部分）よりも、面積が大きい。例えば、その直径の差は、数μｍ以上数十μｍ以下である。

なお、第１パッド露出部１７ｈおよび第２パッド露出部１９ｈの内面は、図４では側面視において直線状となっているが、実際には、端部において角部が丸まったり、全体として湾曲したりしていてもよい。

（ＳＡＷ装置等の製造方法）
図５（ａ）〜図６（ｃ）は、ＳＡＷ装置１および電子部品５１の製造方法を説明する断面図（図１のIII−III線に対応）である。製造工程は、図５（ａ）から図６（ｃ）まで順に進んでいく。

ＳＡＷ装置１の製造方法に対応する図５（ａ）〜図６（ａ）の工程は、いわゆるウエハプロセスにおいて実現される。すなわち、分割されることによって素子基板３となる母基板を対象に、薄膜形成やフォトリソグラフィー法などが行われ、その後、ダイシングされることにより、多数個分のＳＡＷ装置１が並行して形成される。ただし、図５（ａ）〜図６（ａ）では、１つのＳＡＷ装置１に対応する部分のみを図示する。また、導電層や絶縁層は、プロセスの進行に伴って形状が変化するが、変化の前後で共通の符号を用いることがあるものとする。

図５（ａ）に示すように、まず、素子基板３の第１主面３ａ上には、励振電極５、パッド７および配線１５（図５（ａ）では不図示）が形成される。具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の薄膜形成法により、第１主面３ａ上に金属層が形成される。次に、金属層に対して、縮小投影露光機（ステッパー）とＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置とを用いたフォトリソグラフィー法等によってパターニングが行われる。このパターニングによって、励振電極５、配線１５およびパッド７が形成される。

励振電極５等が形成されると、図５（ｂ）に示すように、保護層２５が形成される。具体的には、まず、適宜な薄膜形成法により保護層２５となる薄膜が形成される。薄膜形成法は、例えば、スパッタリング法もしくはＣＶＤである。次に、パッド７が露出するように、フォトリソグラフィー法等によって薄膜の一部が除去される。これにより、保護層２５が形成される。

保護層２５が形成されると、図５（ｃ）に示すように、枠部１７となる、感光性樹脂からなる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、フィルムが貼り付けられることによって形成される。フィルムは、例えば、ベースフィルム３１と、ベースフィルム３１に重ねられ、枠部１７となる樹脂層とを有しており、樹脂層を保護層２５に密着させた後、矢印ｙ１によって示すように、ベースフィルム３１が剥がされる。なお、枠部１７となる薄膜は、保護層２５と同様の薄膜形成法によって形成されてもよいし、その他、スピンコート法などによって形成してもよい。

枠部１７となる薄膜が形成されると、図５（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー法等により、薄膜の一部が除去され、振動空間２１を構成する開口および第１パッド露出部１７ｈが形成される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても、一定の幅で除去される。このようにして枠部１７が形成される。なお、枠部１７となる薄膜がフィルムの貼り付けによって形成される場合において、ベースフィルム３１を剥がす工程は、フォトリソグラフィーの後に行われてもよい。

枠部１７が形成されると、図６（ａ）に示すように、蓋部１９が形成される。蓋部１９の形成方法は、概ね枠部１７の形成方法と同様である。具体的には、まず、蓋部１９となる、感光性樹脂からなる薄膜が形成される。薄膜は、例えば、枠部１７と同様にフィルムの貼り付けによって形成される。薄膜は、フォトリソグラフィー法等により、第１パッド露出部１７ｈ上の部分が除去され、第２パッド露出部１９ｈが形成される。また、薄膜は、ダイシングライン上においても一定の幅で除去される。蓋部１９が形成されることによって、保護層２５、枠部１７および蓋部１９により囲まれた空間からなる振動空間２１が形成されることとなる。

蓋部１９が形成されると、図６（ｂ）以降に示すように、ＳＡＷ装置１は、ウェハから切り出され、実装基板５３に実装される。図６（ｂ）に示すように、ＳＡＷ装置１の実装前において、実装基板５３の実装面５３ａには、パッド５５およびバンプ５７が設けられている。バンプ５７は、例えば、蒸着法、めっき法もしくは印刷法によって形成され、表面張力の影響等によって概ね球状もしくは半球状に形成されている。

そして、ＳＡＷ装置１は、カバー９の上面９ａを実装面５３ａに対向させて配置される。バンプ５７は、パッド露出部９ｈに収容されてパッド７に当接し、ＳＡＷ装置１を支持する。その後、ＳＡＷ装置１および実装基板５３は、リフロー炉に通されることなどによって一時的に加熱され、バンプ５７の溶融および凝固によってバンプ５７とパッド７とは固定される。

その後、図６（ｃ）に示すように、ＳＡＷ装置１は、モールド樹脂５９によって覆われる。モールド樹脂５９は、例えばトランスファーモールド法もしくは印刷法によってＳＡＷ装置１の周囲に供給される。ＳＡＷ装置１の周囲に供給されたモールド樹脂５９は、付与された圧力によって、矢印ｙ３によって示すように、カバー９の上面９ａと実装面５３ａとの間に流れ込み、さらには、パッド露出部９ｈの内周面とバンプ５７との間に流れ込む。そして、図３に示したように、電子部品５１が製造される。

以上の実施形態によれば、電子部品５１は、実装基板５３と、実装基板５３の実装面５３ａ上に位置するバンプ５７と、バンプ５７上に位置し、バンプ５７に接続されたＳＡＷ装置１と、ＳＡＷ装置１を覆うモールド樹脂と、を有する。ＳＡＷ装置１は、素子基板３と、素子基板３の第１主面３ａ上に位置する励振電極５と、第１主面３ａ上に位置し、励振電極５に接続されたパッド７と、励振電極５上に位置し、パッド７上にパッド露出部９ｈが形成されたカバー９と、を有する。また、ＳＡＷ装置１は、カバー９の上面９ａを実装面５３ａに対向させ、パッド露出部９ｈ内にバンプ５７を位置させ、パッド７をバンプ５７に当接させている。モールド樹脂５９は、カバー９の上面９ａと実装面５３ａとの間およびバンプ５７とパッド露出部９ｈの内面との間に充填されている。

従って、バンプ５７は、少なくとも一部において、カバー９のパッド露出部９ｈの形状の影響を受けない形状となっている。すなわち、バンプ５７の形状の自由度が向上している。その結果、例えば、パッド露出部９ｈの内周面と上面９ａとの角部もしくはパッド露出部９ｈ内の枠部１７と蓋部１９との間の段差によって、バンプ５７に応力集中が生じやすい形状が形成されることが抑制され、バンプ５７のクラックの発生が抑制される。これらの効果は、特に、実施形態のように、モールド樹脂５９が、カバー９の上面９ａから下面９ｂに亘って、バンプ５７とパッド露出部９ｈの内面との間に充填されているときに顕著となる。

パッド露出部９ｈの内面は、カバー９の上面９ａ側ほどパッド露出部９ｈが広がる方向に傾斜した、モールド樹脂５９に接する傾斜面（第１パッド露出部１７ｈの内周面もしくは第２パッド露出部１９ｈの内面）を有する。

従って、例えば、当該傾斜面とバンプ５７との間において、モールド樹脂５９がカバー９の上面９ａ側から下面９ｂ側へ流れ込みやすくなり、モールド樹脂５９に空洞ができることが抑制されることが期待される。空洞の形成が抑制されることによって、空洞の膨張等によるＳＡＷ装置１の変形等が抑制され、ＳＡＷ装置１の信頼性が向上する。また、バンプ５７は、カバー９の厚さよりも直径が大きい概ね球形であることから、図４に例示されるように、パッド７側に比較してカバー９の上面９ａ側において径が大きくなる傾向にある。従って、パッド露出部９ｈの径を全体としては小さくしつつ、パッド露出部９ｈの内面（傾斜面）とバンプ５７との距離を確保することが容易になることが期待される。これらの効果は、特に、実施形態のように、パッド露出部９ｈが、カバーの下面９ｂから上面９ａに亘って、カバー９の上面９ａ側ほど広がっているときに顕著となる。

パッド露出部９ｈは、カバー９の下面９ｂに開口する第１パッド露出部１７ｈと、第１パッド露出部１７ｈに通じ、カバー９の上面９ａに開口する第２パッド露出部１９ｈと、を有する。モールド樹脂５９は、第１パッド露出部１７ｈから第２パッド露出部１９ｈに亘って充填されている。第２パッド露出部１９ｈの最も狭い部分における開口面積（カバー９の上面に平行な断面の面積、切欠き部のうち最も狭く切り欠かれている部分の面積）は、第１パッド露出部１７ｈの最も広い部分の開口面積よりも大きい。

従って、パッド露出部９ｈは、全体として、概ね、上面９ａ側が下面９ｂ側よりも広くなることになり、上述した傾斜面による効果と同様の効果が期待される。すなわち、パッド露出部９ｈの内面とバンプ５７との間において、モールド樹脂５９がカバー９の上面９ａ側から下面９ｂ側へ流れ込みやすくなること、パッド露出部９ｈの径は小さくしつつ、パッド露出部９ｈの内周面とバンプ５７との距離を確保することが容易になること等が期待される。

パッド露出部９ｈは、蓋部１９の側面外側に通じている。従って、図６（ｃ）において矢印ｙ３によって示すように、モールド樹脂５９は、カバー９の上面９ａからパッド露出部９ｈに流れ込むだけでなく、カバー９の側面からパッド露出部９ｈに流れ込む。すなわち、モールド樹脂５９がパッド露出部９ｈに流れ込み易くなる。その結果、モールド樹脂５９に空洞が形成されることが抑制される。また、別の観点では、パッド露出部９ｈは、カバー９の側面外側に食み出さないように内側に形成される必要がなくなるから、パッド７をカバー９の外側に寄せることができる。その結果、振動空間２１を大きく確保することもしくはＳＡＷ装置１を小型化することができる。

＜第２の実施形態＞
図７は、第２の実施形態のＳＡＷ装置２０１を示す、図６（ａ）に相当する断面図である。

ＳＡＷ装置２０１では、第２パッド露出部２１９ｈの内周面は、第１の実施形態の第２パッド露出部１９ｈの内面とは逆に、カバー２０９の上面２０９ａ側ほど第２パッド露出部２１９ｈが狭くなる方向に傾斜した傾斜面によって構成されている。なお、第２パッド露出部２１９ｈの最も狭い部分（本実施形態ではカバー９の上面９ａ側の部分）における開口面積が、第１パッド露出部１７ｈの最も広い部分の開口面積よりも大きいことは、第１の実施形態と同様である。

また、ＳＡＷ装置２０１は、カバー９の上面９ａに重ねられた補強層２４１と、補強層２４１を覆う絶縁層２４３とを有している。

補強層２４１は、カバー２０９（特に蓋部２１９）の強度を補強するためのものである。補強層２４１は、カバー２０９の比較的広い範囲に亘って形成されている。例えば、補強層２４１は、パッド露出部２０９ｈの配置位置を避けて、上面２０９ａの概ね全面に亘って形成されている。従って、補強層２４１は、平面視において、振動空間２１の概ね全体を覆うとともに、振動空間２１の外側に延出し、蓋部２１９とともに枠部１７に支持されている。

補強層２４１は、カバー２０９の材料よりもヤング率が高い材料によって構成されている。例えば、カバー２０９がヤング率０．５〜１ＧＰａの樹脂によって形成されているのに対し、補強層２４１はヤング率１００〜２５０ＧＰａの金属によって形成されている。補強層２４１の厚さは、例えば、１〜５０μｍである。

補強層２４１は、例えば、カバー２０９の上面２０９ａに重なる下地層２４５と、下地層２４５に重なる金属部２４７とを有している。下地層２４５は、例えば、銅、チタン、またはこれらを積層したものにより形成されている。下地層２４５の厚さは、例えば、下地層２４５が銅からなる場合は３００ｎｍ〜１μｍ、下地層２４５がチタンからなる場合は１０ｎｍ〜１００ｎｍである。金属部２４７は、例えば、銅によって形成されている。

絶縁層２４３は、補強層２４１とバンプ５７との接触を抑制するなど、補強層２４１を絶縁するためのものである。絶縁層２４３は、補強層２４１の上面および側面の全体を覆っている。絶縁層２４３は、例えば、樹脂によって形成されている。

図８（ａ）〜図８（ｄ）は、ＳＡＷ装置２０１の製造方法を説明する図７に相当する断面図である。

ＳＡＷ装置２０１の製造方法においても、第１の実施形態と同様に、図５（ａ）〜図６（ａ）の工程が行われる。ただし、蓋部２１９の形成においては、カバー２０９（蓋部２１９）の材料、フォトリソグラフィーの条件（ポジ型・ネガ型、露光量等）、エッチングの条件（エッチングガスの組成比、印加電圧、エッチング時間等）を第１の実施形態と異ならせることによって、カバー２０９の上面２０９ａ側ほど広くなる第２パッド露出部２１９ｈが形成される。

例えば、ネガ型の感光性樹脂によって蓋部２１９を形成した場合には、蓋部２１９の上面側ほど感光性樹脂の架橋反応が進みやすく、下面側ほど感光性樹脂の架橋反応が遅く進行するため、第２パッド露出部２１９ｈは下面側ほど広くなる傾向にある。ただし、他の条件を変更させることによって、ネガ型の感光性樹脂によって孔部を下面側ほど狭くすることも可能である。

カバー２０９が形成されると、図８（ａ）に示すように、下地層２４５となる薄膜が形成され、さらに、その上にレジスト層２４９が形成される。下地層２４５となる薄膜は、素子基板３の第１主面３ａ側の全体に亘って形成される。下地層２４５は、例えば、スパッタリング法によって形成される。

レジスト層２４９は、補強層２４１が配置される予定の範囲において、下地層２４５が露出するように形成される。レジスト層２４９は、例えば、スピンコート等によって感光性樹脂の薄膜が形成され、その薄膜がフォトリソグラフィーによりパターニングされることにより形成される。

レジスト層２４９が形成されると、図８（ｂ）に示すように、電気めっき処理により、下地層２４５の露出部分に金属を析出させる。これによって、カバー９の上面９ａに所望の厚さを有する金属部２４７が形成される。

金属部２４７が析出されると、図８（ｃ）に示すように、下地層２４５のレジスト層２４９に被覆されていた部分およびレジスト層２４９が除去される。これによって、下地層２４５および金属部２４７からなる補強層２４１が形成される。なお、パッド７は、例えば、表面が金によって覆われていることによって、下地層２４５の不要部分を除去する薬液によって荒らされることが抑制される。

補強層２４１が形成されると、図８（ｄ）に示すように、絶縁層２４３となる薄膜が素子基板３の第１主面３ａ側の全面に形成される。絶縁層２４３となる薄膜は、例えば、スピンコート法やスプレー法により形成される。なお、スピンコート法によって絶縁層２４３となる材料を塗布した直後は、金属部２４７の高さまでその材料が充填された状態となる。その後、当該薄膜は、フォトリソグラフィー等によってパターニングされ、図７に示したように絶縁層２４３が形成される。

以上の第２の実施形態によれば、特に図示しないが、第１の実施形態と同様に、ＳＡＷ装置２０１は、カバー２０９の上面２０９ａを実装面５３ａに対向させ、パッド露出部２０９ｈ内にバンプ５７を位置させ、パッド７をバンプ５７に当接させることが可能である。そして、モールド樹脂５９は、カバー２０９の上面２０９ａと実装面５３ａとの間およびバンプ５７とパッド露出部２０９ｈの内周面との間に充填されることが可能である。従って、第１の実施形態と同様に、バンプ５７の形状の自由度が向上する。

パッド露出部２０９ｈの内面は、パッド露出部２０９ｈがカバー２０９の上面２０９ａ側ほど狭くなる方向に傾斜した、モールド樹脂５９に接する傾斜面（第２パッド露出部２１９ｈの内面）を有する。

従って、例えば、当該傾斜面とバンプ５７との間に充填されたモールド樹脂５９は、カバー２０９の実装面５３ａからの離間を阻止する方向にカバー２０９に対して係合可能である。その結果、バンプ５７とパッド７との離間が抑制され、ＳＡＷ装置２０１の信頼性が向上することが期待される。

カバー２０９は、素子基板３の第１主面３ａ上に位置し、励振電極５を囲む枠部１７と、枠部１７に重なって枠部１７の開口を塞ぐ蓋部２１９と、を有する。ＳＡＷ装置２０１は、カバー２０９の上面２０９ａに重なり、平面透視において枠部１７の開口に重なる、カバー２０９よりもヤング率が高い材料からなる補強層２４１を有する。パッド露出部２０９ｈの内面は、蓋部２１９を貫通する部分において、カバー２０９の上面２０９ａ側ほど狭くなる方向に傾斜する傾斜面（第２パッド露出部２１９ｈの内周面）を有する。

従って、パッド露出部２０９ｈを大きくしてバンプ５７のパッド露出部２０９ｈの内面への接触を抑制しつつ、カバー２０９の上面２０９ａの面積を広く確保し、ひいては、補強層２４１の配置スペースを確保することができる。その結果、小型かつ強度の高いＳＡＷ装置２０１が実現される。

＜第３の実施形態＞
図９は、第３の実施形態のＳＡＷ装置３０１を示す、図６（ａ）に相当する断面図である。

ＳＡＷ装置３０１では、第１パッド露出部３１７ｈの内周面は、第１の実施形態の第１パッド露出部１７ｈの内周面とは逆に、カバー３０９の上面３０９ａ側ほど第１パッド露出部３１７ｈ（パッド露出部３０９ｈ）が狭くなる方向に傾斜した傾斜面によって構成されている。なお、ＳＡＷ装置３０１の第２パッド露出部２１７ｈは、第２の実施形態のＳＡＷ装置２０１の第２パッド露出部２１７ｈと同様である。また、第２パッド露出部２１９ｈの最も狭い部分（本実施形態ではカバー３０９の上面３０９ａ側の部分）における開口面積が、第１パッド露出部３１７ｈの最も広い部分（本実施形態ではカバー３０９の下面３０９ｂ側の部分）の開口面積よりも大きいことは、第１および第２の実施形態と同様である
本実施形態によれば、例えば、枠部３１７も蓋部２１９と同様にモールド樹脂５９に係合可能であり、カバー３０９の実装基板５３の実装面５３ａからの離間を一層抑制可能である。

＜第４の実施形態＞
図１０は、第４の実施形態のＳＡＷ装置４０１を示す、図６（ａ）に相当する断面図である。

ＳＡＷ装置４０１のカバー４０９は、第３の実施形態の枠部３１７と第１の実施形態の蓋部１９とを有している。すなわち、パッド露出部４０９ｈは、第３の実施形態の第１パッド露出部３１７ｈと第１の実施形態の第２パッド露出部１９ｈとを有している。なお、第２パッド露出部１９ｈの最も狭い部分（本実施形態では枠部３１７側の部分）における開口面積が、第１パッド露出部３１７ｈの最も広い部分（本実施形態ではカバー３０９の下面３０９ｂ側の部分）の開口面積よりも大きいことは、第１〜第３の実施形態と同様である
本実施形態によれば、例えば、第２パッド露出部１９ｈによってモールド樹脂５９の充填を容易化しつつ、枠部３１７をモールド樹脂５９に係合させることができる。

＜第５の実施形態＞
図１１は、第５の実施形態のＳＡＷ装置５０１を示す、図６（ａ）に相当する断面図である。

ＳＡＷ装置５０１は、第１の実施形態のＳＡＷ装置１と、ＳＡＷ装置１のパッド７上に配置されたバンプ５７とを有している。バンプ５７は、第１の実施形態において実装基板５３のパッド５５上に配置されたものと同様のものであり、パッド露出部９ｈの内周面から離間している。

このように、バンプ５７は、実装基板５３ではなく、ＳＡＷ装置５０１に設けられていてもよい。この場合であっても、ＳＡＷ装置５０１によって第１の実施形態と同様の電子部品５１が構成され、第１の実施形態と同様の効果が奏される。

＜第６の実施形態＞
図１２は、第６の実施形態のＳＡＷ装置６０１の一部を示す斜視図である。

ＳＡＷ装置６０１では、複数のパッド露出部９ｈのうち一部において、パッド露出部９ｈ同士がカバー９の上面側の部分でつながっている。具体的には、パッド露出部９ｈ同士は、蓋部１９に形成された空隙を介してつながっている。換言すれば、第２パッド露出部１９ｈ同士がつながっており、第１パッド露出部１７ｈ同士は独立している。第２パッド露出部１９ｈ同士の連結は、例えば、第２パッド露出部１９ｈの中心間の距離が第２パッド露出部１９ｈの直径よりも短くなるようにパッド露出部９ｈ同士が近接して配置されることによって行われている。

本実施形態によれば、モールド樹脂５９がパッド露出部９ｈ間においても流れることから、例えば、モールド樹脂５９が流れ込みにくい位置にあるパッド露出部９ｈに対して他のパッド露出部９ｈを介してモールド樹脂５９を供給することができる。また、パッド７同士を隣接して配置することが可能となり、ＳＡＷ装置の小型化が図られる。

＜第７の実施形態＞
図１３は、第７の実施形態のＳＡＷ装置７０１を示す斜視図である。

ＳＡＷ装置７０１の蓋部７１９は、振動空間２１（図２参照）を覆う部分のみに設けられている。例えば、蓋部７１９は、振動空間２１と概ね相似形とされ、その外周部において概ね一定の幅で枠部１７と重なっている。そして、カバー７０９のパッド露出部７０９ｈは、第１パッド露出部１７ｈのみによって構成されている。ただし、パッド露出部７０９ｈは、第１パッド露出部１７ｈと、点線で示す第２パッド露出部７１９ｈとによって構成されており、第２パッド露出部７１９ｈ同士は、蓋部７１９に形成された溝部７１９ｒを介して互いに連結されていると捉えることもできる。

本実施形態によれば、モールド樹脂５９がパッド露出部７０９ｈとバンプ５７との間に流れ込み易くなる。また、蓋部７１９が必要最小限の大きさとされることから、バンプ５７と蓋部７１９とが接触する可能性を低減することができ、ひいては、ＳＡＷ装置１の小型化も期待される。

なお、第１の実施形態は、本実施形態に比較して、蓋部１９と枠部１７との接触面積が大きく、蓋部１９の枠部１７からの剥離強度が高い。その結果、例えば、蓋部１９をフィルムの貼り付けによって形成する場合において、そのフィルムのベースフィルム３１（図５（ｃ）参照）を剥がすときに、蓋部１９となる薄膜が枠部１７から剥がれてしまうおそれが低減される。

＜第８の実施形態＞
図１４は、第８の実施形態のＳＡＷ装置８０１を示す平面図である。なお、同図では振動空間２１を破線で示し、枠部１７と蓋部１９とが重なっている部分に斜線を引いている。またＳＡＷ装置８０１は、配線１５の一部（パッド７との接続部分）がカバー９から露出するものであるが、図１４ではカバー９から露出する配線１５を省略している。

上述した実施形態においては、いずれも第１パッド露出部１７ｈが孔部からなる例を示したが、ＳＡＷ装置８０１では第１パッド露出部１７ｈが切欠き部によって形成されている。またＳＡＷ装置８０１では第２パッド露出部１９ｈも切欠き部によって形成されている。すなわちパッド露出部９ｈは切欠き部からなる。このようにパッド露出部９ｈを切欠き部だけで形成すると、カバー９にパッド７の外側まで回り込む部分がなくなり、その分ＳＡＷ装置８０１を小型化することができる。

また、上述した第６の実施形態におけるＳＡＷ装置６０１では、複数のパッド露出部９ｈのうち一部において、第２パッド露出部１９ｈ同士をつなげ、第１パッド露出部１７ｈ同士が独立している例を示したが、ＳＡＷ装置８０１では、複数のパッド露出部９ｈのうち一部において、第２パッド露出部１９ｈ同士だけでなく第１パッド露出部１７ｈ同士もつながっている。

またＳＡＷ装置８０１では、素子基板３の第１主面３ａの４隅のうち３隅にマーカー２３を設けている。このマーカー２３は、ＳＡＷ装置８０１を実装基板５３に実装する際などに位置合わせのために使用されるものである。具体的には、３つのマーカー２３によってＳＡＷ装置８０１のｘｙ方向における位置などを認識し、それに基いて、パッド７がそれと対応する実装基板５３側のパッド５５上に位置するようにＳＡＷ装置８０１の位置が調整される。マーカー２３は、例えば、パッド７と同じ材料を用いてパッド７と同一工程により形成される。

枠部１７は、ＳＡＷ装置の小型化の観点からすればできるだけ小さくした方がよいが、一方で、枠部１７は蓋部１９を形成する際に支えとなる部分であるため、それを小さくしすぎると蓋部１９を形成する際に蓋部１９の形状が歪むなどの不具合が生じやすくなる。そこでＳＡＷ装置８０１では、隣接するパッド７の間にも枠部１７が位置するように凸部１７ｐを設けている。これによって、ＳＡＷ装置を小型化しつつ、枠部１７の面積を確保して蓋部１９を形成する際の不具合を解消することができる。

凸部１７ｐは、蓋部１９よりも外方に突出するようにしている。換言すれば、凸部１７ｐがある部分では、蓋部１９の外周が凸部１７ｐの外周よりも内側に位置するようにしている。枠部１７の凸部１７ｐがある部分において、蓋部１９にも同様の凸部を設け、枠部１７と蓋部１９の外周が同一面内に位置していると、カバー９がその凸部１７ｐがある部分を起点に素子基板３から剥がれやすくなることが本願発明者によって確かめられている。これは樹脂からなる蓋部１９が温度の変化によって収縮する際に、枠部１７のうち凸部１７ｐを形成した部分に蓋部１９の収縮応力が働くことによるものと推測される。

そこで、凸部１７ｐがある部分では、蓋部１９の外周が凸部１７ｐの外周よりも内側に位置するようにして蓋部１９を形成することによって、カバー９の素子基板３からの剥がれを抑制することができる。蓋部１９の外周を基準としたときの凸部１７ｐの突出量ｄは２０μｍ以上が好ましく、より好ましくは３６μｍ以上である。このことからすると、蓋部１９はその外周が枠部１７の凸部１７ｐから遠ざかるように、できる限り小さくした方がよいとも考えられる。しかし蓋部１９を小さくしすぎると、今度は素子基板３の短辺側において枠部１７にクラックが発生しやすくなるという傾向が見られる。

これについての原因は定かではないが、素子基板３の短辺側は素子基板３に反りが生じた場合に大きな応力がかかりやすいため、その部分に蓋部１９の収縮応力が加わることによって、蓋部１９のエッジを起点としてクラックが生じるということが１つの要因として考えられる。このような枠部１７のクラックの発生は、素子基板３の短辺側の枠部１７と蓋部１９との重なり幅ｗを８０μｍ以上にしておくことによって抑制することができる。

また、ＳＡＷ装置８０１において、枠部１７および蓋部１９はそれぞれ丸みを帯びた第１角部１７ｓおよび第２角部１９ｓを有する。図１４（ｂ）の拡大図に示すように、第２角部１９ｓの外周は第１角部１７ｓの外周より内側に位置し、その曲率半径は第１角部１７ｓの曲率半径よりも大きくされている。このような角部においてもカバー９が素子基板３から剥がれやすい傾向があるが、第２角部１９ｓの外周を第１角部１７ｓの外周よりも内側に位置させ、その曲率半径を第１角部１７ｓの曲率半径よりも大きくすることによってこの部分における枠部１７の素子基板３からの剥がれの発生を抑制することができる。

（実施例）
図１４（ａ）に示すＳＡＷ装置８０１を作製し、温度サイクル試験を行うことによって枠部１７におけるクラックの発生の有無について調べた。温度サイクル試験は、−４０℃の中で３０分間放置した後８５℃の中で３０分間放置したものを１サイクルとし、これを１００サイクル行ったものである。素子基板３は、タンタル酸リチウム単結晶からなり、厚みが０．２ｍｍ、平面寸法が１．８２ｍｍ×１．３２ｍｍである。また、カバー９にはエポキシアクリレートを用い、枠部１７、蓋部１９ともに厚みを３０μｍとした。

この条件のもと、枠部１７と蓋部１９との重ね幅ｗを４０μｍとしたもの（実施例１）と８０μｍとしたもの（実施例２）をそれぞれ２２個ずつ作製し、素子基板３の短辺側において枠部１７にクラックが発生するか否か調べた。なおクラックの発生の有無の確認は目視によって行った。

温度サイクル試験後、実施例１のＳＡＷ装置のクラックの発生率と、実施例２のＳＡＷ装置のクラックの発生率とを比較すると、実施例２のＳＡＷ装置のクラックの発生率は、実施例１のＳＡＷ装置のクラックの発生率よりも格段に減少した。なお、実施例２のＳＡＷ装置のクラックの発生率は０であった。このことから素子基板３の短辺側における枠部１７と蓋部１９との重ね幅ｗを８０μｍ以上とすることによって枠部１７にクラックが発生するのを効果的に抑制することができることを確認できた。

本発明は、以上の実施形態に限定されず、種々の態様で実施されてよい。

上述した実施形態は、適宜に組み合わされてよい。例えば、第２の実施形態の補強層２４１（図７）は、他の全ての実施形態においても設けられてよい。第５〜第７の実施形態（図１１〜図１３）において、第１パッド露出部もしくは第２パッド露出部の傾斜面の組合せは、第１の実施形態の傾斜面の組合せに限定されず、第２〜第４の実施形態（図７、図９および図１０）の傾斜面の組合せであってもよい。

弾性波装置は、ＳＡＷ装置に限定されない。例えば、弾性波装置は、圧電薄膜共振器であってもよいし、弾性境界波装置（ただし、広義のＳＡＷ装置に含まれる）であってもよい。なお、弾性境界波装置においては、励振電極上に空隙（振動空間）は不要である。換言すれば、カバーは、互いに平面形状が異なる枠部と蓋部とを有する必要はなく、１層からのみ形成されてよい。また、弾性境界波装置において、保護層とカバーとは兼用されてよい。

また、弾性波装置において、保護層および裏面部は必須の要件ではなく、省略されてもよい。また、弾性波装置に補強層が設けられる場合において、補強層を覆う絶縁層は必須の要件ではなく、省略されてもよい。逆に、弾性波装置は、枠部と蓋部との間に位置する導電層、カバーの上面および側面を覆う絶縁膜など、適宜な層が追加されてもよい。

カバーのパッド露出部（９ｈ等）において、内面は傾斜面を有していなくてもよいし、また、カバーの上面側の開口面積はカバーの下面側の開口面積よりも大きくなっていなくてもよい。例えば、パッド露出部は、カバーの下面から上面に亘って、一定の開口面積の孔部で形成されていてもよいし、一定の開口面積で形成された孔部からなる第１パッド露出部と、一定の開口面積で形成され、第１パッド露出孔部よりも開口面積が大きいもしくは小さい孔部からなる第２パッド露出部とによって構成されてもよい。また、一定の開口面積で形成された孔部からなる第１もしくは第２パッド露出部と、内面が傾斜した第２もしくは第１パッド露出部とによって構成されてもよい。

カバーのパッド露出部がカバー側面外側に通じる切欠き部の形態は、パッド露出部がカバー側面に食み出すような形態に限定されないし、パッド露出部同士の連結は、パッド露出部同士が重なるような連結に限定されない。例えば、パッド露出部とカバー側面とをつなげる溝部がカバーに形成されたり、パッド露出部同士をつなげる溝部がカバーに形成されたりしてもよい。パッド露出部をカバー側面外側につなげる形態、もしくはパッド露出部同士をつなげる形態は、カバーの上面側部分のみ（例えば蓋部のみ）において、もしくはカバーの上面から下面に亘って行われるものに限定されない。例えば、カバーの下面側部分のみ（例えば枠部のみ）においてパッド露出部同士をつなげるなどしてもよい。

カバーのパッド露出部とバンプとの間において、モールド樹脂は、カバーの上面から下面に亘って充填されていることが好ましい。ただし、バンプにクラックが生じやすい位置（例えばパッド露出部とカバーの上面との角部）等の一部においてのみ、パッド露出部の内周面とバンプとが離間して、モールド樹脂が充填されていてもよい。

パッド露出部がカバー側面外側に通じている場合においては、カバーの上面は、実装基板の実装面に当接していてもよい。すなわち、モールド樹脂がカバーの上面と実装面との間に充填されていなくてもよい。カバーの上面が実装面に当接していても、モールド樹脂は、カバー側面外側からパッド露出部へ流入するから、バンプの周囲に空洞が形成されることは抑制される。

バンプは、加熱によって溶融される金属に限定されないし、また、はんだに限定されない。例えば、バンプは、加熱によって凝固される導電性接着剤によって構成されてもよい。また、バンプの形状は、弾性波装置の実装前において半球状でなくてもよい。例えば、バンプがはんだペーストの状態（半球状に整形される前の状態）で、弾性波装置が実装基板に載置されて、リフローが行われてもよい。また、弾性波装置と実装基板とを接合した後のバンプの形状も球状に限定されない。パッドの大きさ、バンプの量、バンプの材料の濡れ性等によっては、バンプの外周面は凹状となる。

弾性波装置の製造方法は、実施形態において例示したものに限定されない。例えば、振動空間が不要なカバーは、枠部と蓋部とを別個に形成する必要はなく、カバー全体が一回のフォトリソグラフィー等によって一体的に形成されてよい。また、例えば、振動空間を要するカバーは、振動空間となる領域に犠牲層を形成して、その後、犠牲層上にカバーとなる樹脂層を形成し、樹脂層内から犠牲層を溶解、流出させることによって形成されてもよい。

１…ＳＡＷ装置（弾性波装置）、３…素子基板、３ａ…第１主面、５…励振電極、７…パッド、９…カバー、９ａ…上面、９ｈ…パッド露出部、５１…電子部品、５３…実装基板、５７…バンプ、５９…モールド樹脂。

Claims (11)

1. 実装基板と、
   該実装基板の実装面上に位置するバンプと、
   該バンプ上に位置した、該バンプに接続された弾性波装置と、
   前記弾性波装置を覆うモールド樹脂と、
   を備え、
   前記弾性波装置は、
   素子基板と、
   該素子基板の主面上に位置する励振電極と、
   前記主面上に位置した、前記励振電極に接続されたパッドと、
   前記励振電極上に位置しており、前記パッドを露出させる、孔部もしくは切欠き部またはこれらの組合せからなるパッド露出部が形成されたカバーと、
   を有し、
   該カバーの上面を前記実装面に対向させ、前記パッド露出部内に前記バンプを位置させ、前記パッドを前記バンプに当接させており、
   前記モールド樹脂は、前記カバーの上面と前記実装面との間および前記バンプと前記パッド露出部の内周面との間に充填されており、
   前記カバーは、
   前記素子基板の前記主面上に位置した、前記励振電極を囲む環状の枠部と、
   該枠部に重なって該枠部を塞ぐ蓋部とを有し、
   前記パッド露出部は、
   前記枠部に形成された、孔部からなる第１パッド露出部と、
   前記蓋部に前記第１パッド露出部に通じるように形成された、前記カバーの側面外側に通じている切欠き部からなる第２パッド露出部とを有している
   電子部品。
2. 前記第１パッド露出部の内面および前記第２パッド露出部の内面の少なくとも一方は、前記カバーの上面側ほど広がる方向に傾斜している
   請求項１に記載の電子部品。
3. 前記第１パッド露出部の内面および前記第２パッド露出部の内面の少なくとも一方は、前記カバーの上面側ほど狭くなる方向に傾斜している
   請求項１に記載の電子部品。
4. 前記第２パッド露出部の内面が、前記カバーの上面側ほど狭くなる方向に傾斜しており、
   前記弾性波装置は、前記カバーの上面に重なっており、平面透視において前記枠部の内側に重なる、前記カバーよりもヤング率が高い材料からなる補強層をさらに有する
   請求項３に記載の電子部品。
5. 前記第１パッド露出部の内面は、前記カバーの上面側ほど広がる方向に傾斜し、
   前記第２パッド露出部の内面は、前記カバーの上面側ほど狭くなる方向に傾斜している
   請求項１に記載の電子部品。
6. 前記モールド樹脂は、前記第１パッド露出部から前記第２パッド露出部に亘って充填されており、
   該第２パッド露出部の最も狭い部分における開口面積は、前記第１パッド露出部の最も広い部分における開口面積よりも大きい
   請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品。
7. 前記パッド露出部は、前記カバーの上面の平面視において複数設けられており、
   該複数のパッド露出部の少なくとも一部は、前記カバーの上面側の部分で互いにつながっている
   請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品。
8. 実装基板と、
   該実装基板の実装面上に位置するバンプと、
   該バンプ上に位置した、該バンプに接続された弾性波装置と、
   前記弾性波装置を覆うモールド樹脂と、
   を備え、
   前記弾性波装置は、
   素子基板と、
   該素子基板の主面上に位置する励振電極と、
   前記主面上に位置した、前記励振電極に接続されたパッドと、
   前記励振電極上に位置しており、前記パッドを露出させる、孔部もしくは切欠き部またはこれらの組合せからなるパッド露出部が形成されたカバーと、
   を備え、
   該カバーの上面を前記実装面に対向させ、前記パッド露出部内に前記バンプを位置させ、前記パッドを前記バンプに当接させており、
   前記モールド樹脂は、前記カバーの上面と前記実装面との間および前記バンプと前記パッド露出部の内周面との間に充填されており、
   前記パッド露出部は、前記カバーの上面側の部分でのみ前記カバーの側面外側に通じている
   電子部品。
9. 実装基板と、
   該実装基板の実装面上に位置するバンプと、
   該バンプ上に位置した、該バンプに接続された弾性波装置と、
   前記弾性波装置を覆うモールド樹脂と、
   を備え、
   前記弾性波装置は、
   素子基板と、
   該素子基板の主面上に位置する励振電極と、
   前記主面上に位置した、前記励振電極に接続された複数のパッドと、
   前記励振電極上に位置しており、前記複数のパッドを露出させる、孔部もしくは切欠き部またはこれらの組合せからなるパッド露出部が形成されたカバーと、
   を備え、
   該カバーの上面を前記実装面に対向させ、前記パッド露出部内に前記バンプを位置させ、前記パッドを前記バンプに当接させており、
   前記モールド樹脂は、前記カバーの上面と前記実装面との間および前記バンプと前記パッド露出部の内周面との間に充填されており、
   前記複数のパッド露出部の少なくとも一部は、前記カバーの上面側の部分でのみ互いにつながっている
   電子部品。
10. 前記カバーは、
    前記素子基板の前記主面上に位置した、前記励振電極を囲む環状の枠部と、
    該枠部に重なって該枠部を塞ぐ蓋部とを有し、
    前記枠部は、平面視において前記蓋部の外周よりも外方に突出する凸部を有する
    請求項８または９に記載の電子部品。
11. 前記カバーは、
    前記素子基板の前記主面上に位置した、前記励振電極を囲む環状の枠部と、
    該枠部に重なって該枠部を塞ぐ蓋部とを有し、
    前記枠部は、丸みを帯びた角部である第１角部を有し、
    前記蓋部は、前記第１角部の斜め上に位置した、丸みを帯びた角部である第２角部を有し、
    該第２角部の外周は前記第１角部の外周よりも内側に位置するとともに前記第２角部の曲率半径は前記第１角部の曲率半径よりも大きい
    請求項８または９に記載の電子部品。

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