JP5765598B2 - 電子部品 - Google Patents
電子部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5765598B2 JP5765598B2 JP2013551748A JP2013551748A JP5765598B2 JP 5765598 B2 JP5765598 B2 JP 5765598B2 JP 2013551748 A JP2013551748 A JP 2013551748A JP 2013551748 A JP2013551748 A JP 2013551748A JP 5765598 B2 JP5765598 B2 JP 5765598B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- edge
- wiring
- functional body
- element substrate
- resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 148
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 148
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 87
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 25
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 112
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020836 Sn-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020988 Sn—Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1085—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
- H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/87—Electrodes or interconnections, e.g. leads or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
- H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
- H03H9/0033—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only
- H03H9/0038—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only the balanced terminals being on the same side of the track
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/1009—Electromotor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10196—Variable component, e.g. variable resistor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係る電子部品1の外観を示す上面1a側から見た斜視図であり、図1(b)は、電子部品1の外観を示す下面1b側から見た斜視図である。
図7は、第2の実施形態に係る電子部品の図4に相当する平面図である。
図8は、第3の実施形態に係る電子部品の図4に相当する平面図である。
図9は、第4の実施形態に係る電子部品の図4に相当する平面図である。
図10は、第5の実施形態に係る電子部品の図4に相当する平面図である。
図11は、第6の実施形態に係る堰部材543を示す平面図である。
図12は、第7の実施形態に係る堰部材643を示す平面図である。
図13は、第8の実施形態に係る電子部品を示す図5(c)に相当する断面図である。
図14は、第9の実施形態に係る電子部品を示す図4に相当する平面図である。
Claims (14)
- 支持部材と、
該支持部材上に、空間を介して実装された、前記支持部材との対向面を有する電子素子と、
該電子素子を覆っており、かつ、前記空間を封止するように設けられた封止樹脂と、
を有し、
前記電子素子は、
素子基板と、
該素子基板の対向面に設けられた機能体と、
前記素子基板の対向面に設けられ、前記機能体から前記素子基板の外周側に延びる第1配線と、
前記第1配線の縁部及び前記機能体の縁部並びにこれら縁部の隣接位置の少なくともいずれかに位置する部分を含み、且つ、前記機能体を囲む周方向に関して局所的に設けられた、液状樹脂に対する流れ抑制部と、
を有しており、
前記流れ抑制部は、前記第1配線の縁部及び前記機能体の縁部の少なくともいずれかに隣接する、または、少なくともいずれかの縁部から突出している堰部材であり、
前記堰部材は、前記第1配線上において前記第1配線を横切り、その上に導電層が重ねられない絶縁性の横断部を含んでいる
電子部品。 - 支持部材と、
該支持部材上に、空間を介して実装された、前記支持部材との対向面を有する電子素子と、
該電子素子を覆っており、かつ、前記空間を封止するように設けられた封止樹脂と、
を有し、
前記電子素子は、
素子基板と、
該素子基板の対向面に設けられた機能体と、
前記素子基板の対向面に設けられ、前記機能体から前記素子基板の外周側に延びる第1配線と、
前記第1配線上に配置される絶縁体と、
前記絶縁体上に配置されて前記第1配線と立体交差する第2配線と、
前記第1配線の縁部及び前記機能体の縁部並びにこれら縁部の隣接位置の少なくともいずれかに位置する部分を含み、且つ、前記機能体を囲む周方向に関して局所的に設けられた、液状樹脂に対する流れ抑制部と、
を有しており、
前記流れ抑制部は、前記第1配線の縁部及び前記機能体の縁部の少なくともいずれかに隣接する、または、少なくともいずれかの縁部から突出している堰部材であり、
前記堰部材は、前記絶縁体と同一材料により構成されている
電子部品。 - 支持部材と、
該支持部材上に、空間を介して実装された、前記支持部材との対向面を有する電子素子と、
該電子素子を覆っており、かつ、前記空間を封止するように設けられた封止樹脂と、
を有し、
前記電子素子は、
素子基板と、
該素子基板の対向面に設けられた機能体と、
前記素子基板の対向面に設けられ、前記機能体から前記素子基板の外周側に延びる第1配線と、
前記第1配線の縁部及び前記機能体の縁部並びにこれら縁部の隣接位置の少なくともいずれかに位置する部分を含み、且つ、前記機能体を囲む周方向に関して局所的に設けられた、液状樹脂に対する流れ抑制部と、
を有しており、
前記流れ抑制部は、前記第1配線の縁部及び前記機能体の縁部の少なくともいずれかに隣接する、または、少なくともいずれかの縁部から突出している堰部材であり、
前記堰部材は、隣接する縁部による段差の壁面に当接しており、前記堰部材の前記段差とは反対側の側面と前記素子基板の対向面とが成す、当該2面が形成する溝内の角度は、前記段差の壁面と前記素子基板の対向面とが成す、当該2面が形成する溝内の角度よりも大きい
電子部品。 - 支持部材と、
該支持部材上に、空間を介して実装された、前記支持部材との対向面を有する電子素子と、
該電子素子を覆っており、かつ、前記空間を封止するように設けられた封止樹脂と、
を有し、
前記電子素子は、
素子基板と、
該素子基板の対向面に設けられた機能体と、
前記素子基板の対向面に設けられ、前記機能体から前記素子基板の外周側に延びる第1配線と、
前記第1配線の縁部及び前記機能体の縁部並びにこれら縁部の隣接位置の少なくともいずれかに位置する部分を含み、且つ、前記機能体を囲む周方向に関して局所的に設けられた、液状樹脂に対する流れ抑制部と、
を有しており、
前記流れ抑制部は、前記第1配線の縁部及び前記機能体の縁部の少なくともいずれかに隣接する、または、少なくともいずれかの縁部から突出している堰部材であり、
前記堰部材は、隣接する縁部による段差の壁面に当接しており、その当接位置から前記段差を構成する縁部に沿う方向の前記素子基板の外周側へ、前記段差を構成する縁部から離間するように前記段差を構成する縁部に対して傾斜して延びる縁部を有する
電子部品。 - 支持部材と、
該支持部材上に、空間を介して実装された、前記支持部材との対向面を有する電子素子と、
該電子素子を覆っており、かつ、前記空間を封止するように設けられた封止樹脂と、
を有し、
前記電子素子は、
素子基板と、
該素子基板の対向面に設けられた機能体と、
前記素子基板の対向面に設けられ、前記機能体から前記素子基板の外周側に延びる第1配線と、
前記第1配線の縁部及び前記機能体の縁部並びにこれら縁部の隣接位置の少なくともいずれかに位置する部分を含み、且つ、前記機能体を囲む周方向に関して局所的に設けられた、液状樹脂に対する流れ抑制部と、
を有しており、
前記流れ抑制部は、前記第1配線の縁部及び前記機能体の縁部の少なくともいずれかに隣接する、または、少なくともいずれかの縁部から突出している堰部材であり、
前記堰部材は、隣接する縁部による段差の壁面と隙間を介して隣接しており、
前記隙間は、前記段差を構成する縁部に沿う方向の前記機能体側ほど広がる部分を有する
電子部品。 - 前記素子基板は、圧電基板であり、
前記機能体は、前記第1配線が接続されたバスバーと、該バスバーから前記第1配線とは反対側へ延びる複数の電極指とを有する第1交差電極であり、
前記堰部材は、前記第1配線の側方縁部、前記バスバーの前記第1配線が接続される縁部及び当該縁部に交差する縁部の少なくともいずれかに隣接する、または、少なくともいずれかの縁部から突出している
請求項1〜5のいずれか1項に記載の電子部品。 - 前記電子素子は、前記圧電基板の下面に設けられ、前記第1交差電極に対して前記複数の電極指に直交する方向において隙間を介して隣接する第2交差電極を更に有し、
前記堰部材は、前記隙間の前記第1配線側を塞いでいる
請求項6に記載の電子部品。 - 前記堰部材は、前記複数の電極指に対して前記複数の電極指の配列方向に位置する領域の外側領域にのみ設けられている
請求項6又は7に記載の電子部品。 - 前記堰部材は、前記第1配線を横切らない
請求項2〜5のいずれか1項に記載の電子部品 - 支持部材と、
該支持部材上に、空間を介して実装された、前記支持部材との対向面を有する電子素子と、
該電子素子を覆っており、かつ、前記空間を封止するように設けられた封止樹脂と、
を有し、
前記電子素子は、
素子基板と、
該素子基板の対向面に設けられた機能体と、
前記素子基板の対向面に設けられ、前記機能体から前記素子基板の外周側に延びる第1配線と、
前記第1配線の縁部及び前記機能体の縁部並びにこれら縁部の隣接位置の少なくともいずれかに位置する部分を含み、且つ、前記機能体を囲む周方向に関して局所的に設けられた、液状樹脂に対する流れ抑制部と、
を有しており、
前記流れ抑制部は、前記第1配線の縁部に形成された、平面視における凹部及び凸部の少なくとも一方であり、
前記凹部および前記凸部の少なくとも一方は、第1縁部と該第1縁部と90°未満の角度で交差する第2縁部とからなる凹部を含む
電子部品。 - 前記第1配線の縁部は、前記素子基板の外周側から前記凹部および前記凸部の少なくとも一方に到達するとそれまでの進行方向に対して90°以上の角度で方向転換するように延びている
請求項10に記載の電子部品。 - 前記第1配線は、前記凹部によって幅が狭く又は前記凸部によって幅が広くなっている
請求項10又は11に記載の電子部品。 - 支持部材と、
該支持部材上に、空間を介して実装された、前記支持部材との対向面を有する電子素子と、
該電子素子を覆っており、かつ、前記空間を封止するように設けられた封止樹脂と、
を有し、
前記電子素子は、
素子基板と、
該素子基板の対向面に設けられた機能体と、
前記素子基板の対向面に設けられ、前記機能体から前記素子基板の外周側に延びる第1配線と、
前記第1配線の縁部及び前記機能体の縁部並びにこれら縁部の隣接位置の少なくともいずれかに位置する部分を含み、且つ、前記機能体を囲む周方向に関して局所的に設けられた、液状樹脂に対する流れ抑制部と、
を有しており、
前記流れ抑制部は、前記第1配線の縁部に形成された、平面視における凹部及び凸部の少なくとも一方であり、
前記第1配線は、前記凹部によって幅が狭く又は前記凸部によって幅が広くなっており、
前記凹部および前記凸部の少なくとも一方は、前記配線の側方両側に、前記配線の延びる方向の位置が互いに異なるように複数設けられている
電子部品。 - 前記配線の側方両側に、前記配線の延びる方向において互いに同一の位置において設けられた1対の前記凹部、1対の前記凸部、および1対の前記凹部と前記凸部のいずれかを有する
請求項10又は11に記載の電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013551748A JP5765598B2 (ja) | 2011-12-27 | 2012-12-26 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011286052 | 2011-12-27 | ||
JP2011286052 | 2011-12-27 | ||
JP2012010173 | 2012-01-20 | ||
JP2012010173 | 2012-01-20 | ||
PCT/JP2012/083685 WO2013099963A1 (ja) | 2011-12-27 | 2012-12-26 | 電子部品 |
JP2013551748A JP5765598B2 (ja) | 2011-12-27 | 2012-12-26 | 電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013099963A1 JPWO2013099963A1 (ja) | 2015-05-11 |
JP5765598B2 true JP5765598B2 (ja) | 2015-08-19 |
Family
ID=48697444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013551748A Expired - Fee Related JP5765598B2 (ja) | 2011-12-27 | 2012-12-26 | 電子部品 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9773964B2 (ja) |
JP (1) | JP5765598B2 (ja) |
CN (1) | CN103999365B (ja) |
WO (1) | WO2013099963A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5880520B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2016-03-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
JP6421432B2 (ja) * | 2014-03-31 | 2018-11-14 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US10356911B2 (en) * | 2014-07-04 | 2019-07-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Electronic device module and method of manufacturing the same |
KR101931506B1 (ko) * | 2015-07-17 | 2018-12-21 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 및 그 제조방법 |
KR101983955B1 (ko) * | 2015-07-28 | 2019-05-29 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 장치 |
US10439580B2 (en) * | 2017-03-24 | 2019-10-08 | Zhuhai Crystal Resonance Technologies Co., Ltd. | Method for fabricating RF resonators and filters |
US10439581B2 (en) * | 2017-03-24 | 2019-10-08 | Zhuhai Crystal Resonance Technologies Co., Ltd. | Method for fabricating RF resonators and filters |
CN110010755B (zh) * | 2019-03-13 | 2021-06-01 | 电子科技大学 | 具有缓冲层的单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器 |
WO2020188866A1 (ja) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 株式会社村田製作所 | 圧電デバイス |
JP6908068B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2021-07-21 | 株式会社大真空 | 圧電振動デバイス |
JP7008377B1 (ja) * | 2021-05-24 | 2022-02-14 | 三安ジャパンテクノロジー株式会社 | 弾性波デバイスおよびその弾性波デバイスを備えるモジュール |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3207222B2 (ja) | 1991-08-29 | 2001-09-10 | 株式会社東芝 | 電子部品装置 |
US6856075B1 (en) * | 2001-06-22 | 2005-02-15 | Hutchinson Technology Incorporated | Enhancements for adhesive attachment of piezoelectric motor elements to a disk drive suspension |
JP2003168942A (ja) | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Toshiba Corp | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
JP4179038B2 (ja) | 2002-06-03 | 2008-11-12 | 株式会社村田製作所 | 表面弾性波装置 |
JP2004056295A (ja) | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及び弾性表面波装置 |
JP4178860B2 (ja) | 2002-07-17 | 2008-11-12 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び弾性表面波装置 |
JP2004080221A (ja) * | 2002-08-13 | 2004-03-11 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
JP2004166213A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-06-10 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置、通信装置 |
JP2004135092A (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-30 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 表面実装型sawデバイス |
JP4333322B2 (ja) * | 2003-10-27 | 2009-09-16 | 株式会社村田製作所 | 弾性表面波装置の製造方法 |
JP2006279484A (ja) | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Epson Toyocom Corp | Sawチップ、及び樹脂封止csp型sawデバイス |
JP5261112B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2013-08-14 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波素子、弾性表面波装置及び通信装置 |
JP4663821B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2011-04-06 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置及びその製造方法 |
JP5596491B2 (ja) * | 2010-10-14 | 2014-09-24 | 日本発條株式会社 | 圧電素子の取付構造及びヘッド・サスペンション |
JP2012151698A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
CN103460600B (zh) * | 2011-04-19 | 2016-01-13 | 京瓷株式会社 | 电子部件和弹性波装置 |
WO2013018700A1 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置を有する電子部品 |
-
2012
- 2012-12-26 JP JP2013551748A patent/JP5765598B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-12-26 CN CN201280061351.2A patent/CN103999365B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-12-26 US US14/369,677 patent/US9773964B2/en active Active
- 2012-12-26 WO PCT/JP2012/083685 patent/WO2013099963A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103999365A (zh) | 2014-08-20 |
US9773964B2 (en) | 2017-09-26 |
WO2013099963A1 (ja) | 2013-07-04 |
CN103999365B (zh) | 2016-05-18 |
JPWO2013099963A1 (ja) | 2015-05-11 |
US20140361663A1 (en) | 2014-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5765598B2 (ja) | 電子部品 | |
JP6603377B2 (ja) | 弾性波装置および電子部品 | |
JP6823711B2 (ja) | 弾性波装置、分波器および通信装置 | |
JP5910690B2 (ja) | 表面実装型の電子部品用パッケージと回路基板との接続構造、表面実装型の電子部品用パッケージのベース、および表面実装型の電子部品用パッケージ | |
JPWO2006001125A1 (ja) | 圧電デバイス | |
JP5688149B2 (ja) | 弾性波装置を有する電子部品 | |
JP5837845B2 (ja) | 電子部品の製造方法及び電子部品 | |
JP2013225749A (ja) | 圧電デバイス及びモジュール部品 | |
JP2013074411A (ja) | 弾性波装置、電子部品および弾性波装置の製造方法 | |
JP5782129B2 (ja) | 電子装置 | |
JP2019103127A (ja) | 弾性波装置 | |
JP5694080B2 (ja) | 弾性波装置を有する電子部品 | |
JP2013197921A (ja) | 電子部品の製造方法及び電子部品 | |
JP5805497B2 (ja) | 電子部品の実装構造体 | |
JP5732360B2 (ja) | 圧電デバイス | |
JP6793009B2 (ja) | 弾性波デバイス及び多面取り基板 | |
JP2024082872A (ja) | 弾性波デバイス | |
JP2013157720A (ja) | 電子部品 | |
JP6352844B2 (ja) | 多数個取り回路配線基板および弾性表面波装置 | |
WO2016039038A1 (ja) | 圧電デバイス、圧電デバイス製造方法、及び電子部品 | |
JP2004304722A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
JP2015092765A (ja) | 弾性波装置、電子部品および弾性波装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150421 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150526 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150603 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5765598 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |