JP5880520B2 - 弾性波装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、共振子や帯域フィルタなどに用いられている弾性波装置及びその製造方法に関する。より詳細には、本発明は、圧電基板上において、第１，第２の積層金属膜が形成されている弾性波装置及びその製造方法に関する。

従来、携帯電話機等の小型化に伴って、用いられている帯域フィルタにおいても、小型化が求められている。この種の帯域フィルタとしては、弾性表面波などの弾性波を利用した弾性波装置が広く用いられている。

下記の特許文献１には、弾性波装置の一例が開示されている。特許文献１に記載の弾性波装置では、ＬｉＴａＯ_３基板１００上において、ＩＤＴ電極を含む第１の電極１１１の一部に重なるように第２の電極１２１が積層されている。第１及び第２の電極１１１，１２１は積層金属膜からなる。第１の電極１１１では、ＮｉＣｒ膜１１２上に順にＰｔ膜１１３、Ｔｉ膜１１４、ＡｌＣｕ膜１１５が積層されており、ＡｌＣｕ膜１１５上にＴｉ膜１１６が積層されている。第２の電極１２１を構成している積層金属膜の最下層はＴｉ膜１２２とされている。

特許文献１では、第１の電極のＴｉ膜と、第２の電極のＴｉ膜とが接触するため、コンタクト抵抗を低めることができるとされている。

他方、下記の特許文献２に記載の弾性表面波装置では、電極がＡｌＣｕエピタキシャル膜及びＡｌＣｕエピタキシャル膜上に積層されたＴｉ膜とを有する積層金属膜からなる。ここでは、このような積層金属膜では、高温処理に晒されるとＣｕのヒロックが生じるため、低温で処理する必要がある旨が示されている。

特許第５１３１１１７号公報 ＷＯ０９／１５０７８６

弾性波装置では、小型化に伴って、耐電力性の向上が強く求められている。特許文献１に記載の弾性波装置では、前述したコンタクト抵抗を低減することができるものの、耐電力性は十分ではなかった。

なお、特許文献２には、ＡｌＣｕエピタキシャル膜を有する積層金属膜を用いた弾性表面波装置は開示されているものの、複数の積層金属膜を積層した構造におけるコンタクト抵抗や耐電力性については言及されていない。

本発明の目的は、耐電力性において優れており、さらに第１，第２の電極間のコンタクト抵抗が低い電極積層構造を有する弾性波装置及びその製造方法を提供することにある。

本発明に係る弾性波装置は、主面を有する圧電基板と、前記圧電基板の前記主面上に設けられており、少なくとも３層の金属膜を下層から上層に積層してなる第１の積層金属膜からなり、少なくともＩＤＴ電極を含む第１の電極とを備え、前記第１の積層金属膜が、最上層としてのＴｉ膜を含み、該Ｔｉ膜のＴｉ結晶の（００１）面の法線方向と、前記圧電基板を形成する圧電体の結晶のＺ軸とが一致するように一定方向に配向する結晶方位を有する。

本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記圧電基板の主面上に設けられており、複数の金属膜を下層から上層に積層してなる第２の積層金属膜からなる第２の電極をさらに備え、前記第２の積層金属膜の最下層の金属膜が、前記第１の電極の最上層の金属膜に重なり合っている部分により、第１の電極と第２の電極とが電気的に接続されているコンタクト部が形成されており、前記第１の積層金属膜が、エピタキシャル膜と、前記最上層膜としてのＴｉ膜とを有し、前記第２の積層金属膜が、最下層膜としてＴｉ膜を有する。

本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記第１の積層金属膜の最上層のＴｉ膜がエピタキシャル膜である。

本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、前記第２の積層金属膜の最下層膜としてのＴｉ膜が多結晶膜であり、該最下層膜としてのＴｉ膜上にＡｌ層膜が設けられており、前記第１の積層金属膜の前記最上層膜であり、エピタキシャル膜であるＴｉ膜と、前記第２の積層金属膜の前記最下層である、多結晶膜のＴｉ膜とが、層間Ｔｉ−Ｔｉ接合層を形成する。

本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記エピタキシャル膜が、Ａｌ，ＡｌＣｕ及びＰｔからなる群から選択される１つの材料から形成される。好ましくは、上記エピタキシャル膜は、ＡｌＣｕからなる。

本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記第１の積層金属膜の前記最上層のＴｉ膜の膜厚が、３０Å以上の範囲内とされている。

本発明に係る弾性波装置の製造方法は、圧電基板上に複数の金属膜を積層し第１の積層金属膜からなる第１の電極を形成する工程と、前記第１の積層金属膜に重なる部分を有するように複数の金属膜を積層し、第２の積層金属膜を形成する工程とを備え、前記第１の積層金属膜の形成に際し、エピタキシャル膜を形成し、最上層としてＴｉ膜を形成し、前記第２の積層金属膜の形成に際し、最下層にＴｉ膜を形成する、弾性波装置の製造方法である。

本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、圧電基板上に複数の金属膜を積層し第１の積層金属膜からなる第１の電極を３００℃以下で形成する工程と、前記第１の積層金属膜に重なる部分を有するように複数の金属膜を積層し、第２の積層金属膜を３００℃以下で形成する工程とをさらに備え、前記第１の積層金属膜の形成に際し、ＡｌＣｕからなる前記エピタキシャル膜を形成した後、最上層としてＴｉ膜を形成し、前記第２の積層金属膜の形成に際し、最下層にＴｉ膜を形成する。

本発明に係る弾性波装置及びその製造方法によれば、第１の電極が、ＡｌＣｕエピタキシャルであるため、ＩＤＴ電極を含む第１の電極において、耐電力性を大幅に高めることが可能となる。しかも、コンタクト部においては第１の積層金属膜の最上層としてのＴｉ膜のＴｉ結晶の（００１）面の法線方向と、圧電基板を形成する圧電体の結晶のＺ軸とが一致するように、一定方向に配向する結晶方位を有するため、コンタクト抵抗を効果的に低めることが可能となる。

本発明の一実施形態に係る弾性波装置の要部を示す部分正面断面図である。 本発明の一実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。 本発明の一実施形態において、コンタクト部における最上層のＴｉ膜の厚みと、コンタクト抵抗との関係を示す図である。 本発明の一実施形態の弾性波装置における熱処理温度と、コンタクト抵抗との関係を示す図である。 本発明の他の実施形態に係る弾性波装置において形成されている立体交差配線部分を示す部分切欠き平面図である。 従来の弾性波装置の電極構造を示す略図的断面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

図２は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置としての弾性表面波装置を示す平面図である。

弾性表面波装置１は、圧電基板２を有する。圧電基板２としては、ＬｉＴａＯ_３やＬｉＮｂＯ_３などの圧電単結晶または圧電セラミックスからなる基板を用いることができる。本実施形態では、圧電基板２は、ＬｉＴａＯ_３からなる。

圧電基板２上に、ＩＤＴ電極３が形成されている。ＩＤＴ電極３は、複数本の第１の電極指４と、複数本の第２の電極指５とを有する。第１の電極指４と第２の電極指５とが互いに間挿し合っている。また、複数本の第１の電極指４の先端と、電極指の延びる方向において対向するように複数本の第１のダミー電極６が設けられている。第２の電極指５の先端と電極指の延びる方向において、対向するように第２のダミー電極７が設けられている。

複数本の第１の電極指４及び第２のダミー電極７の基端が一方のバスバーに接続されている。また、第２の電極指５及び第１のダミー電極６の基端が他方のバスバーに接続されている。

本実施形態では、圧電基板２上に、上記ＩＤＴ電極３を含む第１の電極１１が形成されている。この第１の電極１１は、ＩＤＴ電極３に電気的に接続されている配線パターン１６〜１８及び電極パッド１３〜１５に至るように設けられている。さらに、第１の電極１１の一部に重なるように第２の電極１２が積層されている。

上記バスバー上及び配線パターン１６〜１８並びに電極パッド１３〜１５上においては、第２の電極１２が第１の電極１１上に積層されている。

第１の電極１１は第１の積層金属膜からなり、第２の電極１２は第２の積層金属膜からなる。

図１に示すように、本実施形態では、第１の電極１１が下から順に、Ｔｉ膜１１ａ、ＡｌＣｕエピタキシャル膜１１ｂ及びＴｉ膜１１ｃをこの順序で積層した構造を有する。第１の電極１１において、ＡｌＣｕエピタキシャル膜１１ｂは、Ｃｕを０．２重量％以上含んでいる。

Ｔｉ膜１１ｃは、ＡｌＣｕエピタキシャル膜１１ｂ上に積層されており、本実施形態ではエピタキシャル膜である。もっとも、Ｔｉ膜１１ｃは必ずしもエピタキシャル膜でなくともよい。

第２の電極１２は、下から順に、Ｔｉ膜１２ａ及びＡｌＣｕ膜１２ｂを積層した構造を有する。図１から明らかなように、ＩＤＴ電極３の電極指部分では、上記第１の金属膜１１のみによりＩＤＴ電極３の電極指が形成されている。

本実施形態の弾性表面波装置１では、第１の金属膜１１において、ＡｌＣｕエピタキシャル膜１１ｂがエピタキシャル膜であるため、耐電力性を効果的に高めることができる。すなわち、弾性表面波装置１の小型化に伴って、放熱性が悪化する。そのため、耐電力性が低下するおそれがある。

これに対して、本実施形態では、ＡｌＣｕ多結晶膜に比べ、耐電力性を１０^３以上大きくし得るＡｌＣｕエピタキシャル膜１１ｂが用いられている。従って、耐電力性を大幅に高めることが可能となる。加えて、第１の電極１１の最上層のＴｉ膜１１ｃ上に第２の電極１２のＴｉ膜１２ａが積層されて、コンタクト部が構成されている。従って、コンタクト抵抗も効果的に低めることができる。

よって、本実施形態によれば、耐電力性の向上と、コンタクト抵抗の低減とを図ることが可能となる。

好ましくは、ＡｌＣｕエピタキシャル膜１１ｂにおけるＣｕ含有割合は０．２重量％以上であることが望ましい。それによって、耐電力性をより一層高めることができる。なお、Ｃｕ濃度が高すぎるとエピタキシャル膜の形成が難しくなることがある。従って、Ｃｕ濃度は１０重量％以下であることが好ましい。

なお、前述した特許文献１では、圧電基板上に形成されたＮｉＣｒ膜上にＡｌＣｕ膜が積層されている。ＮｉＣｒ膜の構造はアモルファスとなるため、特許文献１におけるＡｌＣｕ膜はエピタキシャル膜とはなり得ない。詳細には、圧電基板上に形成されたアモルファスの膜であるＮｉＣｒ膜上に積層されるＡｌＣｕ膜のＡｌの結晶の（１１１）面の法線方向と、最上層としてのＴｉ膜のＴｉの結晶の（００１）面の法線方向とを圧電体の結晶のＺ軸方向に一致させられない。従って、前述したように特許文献１では、本実施形態のような耐電力性を高めることはできない。

なお、Ｔｉ膜の上限は特に限定されないが、製造方法等を考慮すると、４０ｎｍ程度である。

図３は、上記最上層のＴｉ膜１１ｃの膜厚とコンタクト抵抗との関係を示す図である。このコンタクト抵抗は、コンタクト部の面積が２０μｍ×２０μｍの領域における抵抗値を示す。図３から明らかなように、最上層のＴｉ膜１１ｃの厚みが増加するにつれてコンタクト抵抗が低くなることがわかる。特に、Ｔｉ膜１１ｃの厚みが３０Å以上になると、コンタクト抵抗が低くなりほぼ一定となることがわかる。従って、好ましくは、コンタクト抵抗をより一層低めることができるので、Ｔｉ膜１１ｃの厚みは３０Å以上であることが望ましい。

上記実施形態において、ＬｉＴａＯ_３材料から形成した圧電基板の主面に、圧電基板側からＴｉ／ＡｌＣｕ／Ｔｉの順に、それぞれ厚み１２０Å／１５００Å／５０Åの順でエピタキシャル膜からなる第１の電極を形成した。さらに第１の電極上に順に、Ｔｉ／ＡｌＣｕの順に、それぞれ厚み４００Å／２６０００Åからなる第２の電極を形成した。上記実施形態であるＴｉ膜１１ｃがエピタキシャル膜である場合、コンタクト部のコンタクト抵抗値は２８１ｍΩであった。これに対して、比較例として、最上層としてのＴｉ膜１１ｃを多結晶膜としたことを除いては同様に構成された弾性波装置では、コンタクト部のコンタクト抵抗値は２９４ｍΩであった。従って、Ｔｉ膜１１ｃがエピタキシャル膜であることよってコンタクト抵抗をより一層低めることができる。なお、コンタクト抵抗値としては、コンタクト部の面積が２０μｍ×２０μｍの領域における４端子法によって測定された抵抗値を用いた。

図４の実線は、上記実施形態におけるコンタクト部のコンタクト抵抗と温度との関係を示し、破線は比較のために用意した弾性波装置におけるコンタクト部のコンタクト抵抗と温度との関係を示す。この比較例では、最上層のＴｉ膜１１ｃが設けられておらず、ＡｌＣｕ膜上に直接第２の電極のＴｉ膜が積層されている構造である。

図４の破線では、温度が３００℃以下ではコンタクト抵抗が高いのに対し、上記実施形態のようにＴｉ膜と接触している実施形態では、温度の如何に関わらずコンタクト抵抗が約２５０ｍΩとほぼ一定であり、低いことがわかる。従って、上記比較例では、３００℃以上の高温で処理することによりコンタクト抵抗を低めることができるが、３００℃より低い温度で熱処理しても、コンタクト抵抗を低めることができない。これに対して、上記実施形態では、２００℃程度、すなわち３００℃以下の温度で熱処理したとしても、コンタクト抵抗を十分に低めることができる。

他方、ＡｌＣｕエピタキシャル膜では、３００℃を超える温度の熱処理に晒されると、双晶結晶格子中のＣｕが凝集してＣｕによるヒロックが生じるという問題がある。

従って、本実施形態では、上記のような低温の熱処理でもコンタクト抵抗を低めることができるので、ＡｌＣｕエピタキシャル膜１１ｂにおけるＣｕヒロックの発生を効果的に抑制することができる。特に、図５に示す層間絶縁膜２２を用いた立体交差配線部２１を有する弾性波装置に適用した場合、本発明はより効果的である。図５に示す立体交差配線部２１では、層間絶縁膜２２が、下方の配線パターン２３上に積層されている。そして、層間絶縁膜２２上に上方の配線パターン２４が積層されている。配線パターン２３と配線パターン２４とが、層間絶縁膜２２により絶縁されている。このような層間絶縁膜２２は、熱硬化性樹脂で形成することが望ましい。それによって十分な強度を得ることができる。

上記熱硬化性樹脂からなる層間絶縁膜２２の熱硬化に際し、本実施形態によれば、熱硬
化温度が３００℃以下の場合であっても、第１の電極１１と第２の電極１２とのコンタク
ト抵抗を十分に低くすることができる。これに対して上記比較例では、熱硬化温度が低い
場合には、コンタクト抵抗を十分に低めることができない。さらに、コンタクト抵抗を低
めようとして、別途３００℃以上の熱負荷を与えた場合には、前述したＣｕのヒロックが
生じる。

よって、本発明によれば、層間絶縁膜２２を構成する熱硬化性樹脂として、硬化温度が３００℃以下の熱硬化性樹脂を用いることができる。それによって、Ｃｕヒロックの発生を効果的に抑制することができる。よって、例えば硬化温度が２２０〜２７０℃程度の熱硬化性ポリイミドの熱硬化性樹脂を好適に用いることができる。

なお、図５では立体交差配線部２１につき説明したが、立体交差配線部２１ではなく、熱硬化性樹脂を用い、熱硬化させる他の部分を有する弾性波装置においても、同様に、本発明を効果的に利用することができる。すなわち、熱硬化性樹脂の硬化温度を３００℃以下としても、第１の電極１１と第２の電極１２とのコンタクト抵抗を十分に低めることができると共に、Ｃｕヒロックの発生を効果的に抑制することができる。

また、圧電基板２が焦電性の低い圧電材料からなる場合、３００℃を超える高温に晒されると焦電性が回復するおそれがある。本発明の弾性波装置では、上記の３００℃を超える高温で熱処理する必要がないため、このような焦電性の回復も防止することができる。

次に上記実施形態の弾性表面波装置１の製造方法の一例を説明する。

まず、圧電基板２を用意する。圧電基板２上に、ＩＤＴ電極３、電極パッド１３〜１５及び配線パターン１６〜１８の平面形状となるように第１の電極１１を形成する。より具体的には、スパッタ法または蒸着法などにより、Ｔｉ膜１１ａ、ＡｌＣｕエピタキシャル膜１１ｂ及びＴｉ膜１１ｃについて、ＡｌＣｕ膜はＡｌ結晶の（１１１）面の法線方向及びＴｉ膜１１ａ及びＴｉ膜１１ｃのＴｉ結晶の（００１）面の法線方向と圧電基板２の結晶のＺ軸とを一致させるように、一定方向に配向する結晶方位を有するように成膜し、パターニングする。これにより、エピタキシャル膜であるＴｉ膜１１ａ、ＡｌＣｕエピタキシャル膜１１ｂ及びＴｉ膜１１ｃが得られる。なお、Ｔｉ膜１１ａの厚みは本実施形態では１２ｎｍ、ＡｌＣｕエピタキシャル膜１１ｂの厚みは１５０ｎｍ、Ｔｉ膜１１ｃの厚みは４ｎｍとした。もっとも、厚みはこの特定の厚みに限定されるものではない。ここで、圧電体の結晶のＺ軸は、圧電材料の結晶についてオイラー角の初期値として与えるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の内の１つの結晶軸であるＺ軸である。

また、ＡｌＣｕエピタキシャル膜１１ｂは、ＸＲＤ極点図において、６回対称スポットが現れる双晶構造のエピタキシャル膜として成長させた。Ｃｕ濃度は０．２重量％以上とした。

上記Ｔｉ膜１１ａ，１１ｃ及びＡｌＣｕエピタキシャル膜１１ｂは、マスクを圧電基板２上に積層し、真空蒸着法により金属膜形成した。もっとも、スパッタ法などの適宜の金属膜形成方法を用いることができる。金属膜のパターニングを実施する方法としては、フォトリソグラフィー法などを用いることができる。

次に、第１の電極１１上に、第２の電極１２を形成する。第２の電極１２の形成に際しては、Ｔｉ膜１２ａ及びＡｌＣｕ膜１２ｂをこの順序で成膜した。本実施形態では、Ｔｉ膜１２ａの膜厚を１０ｎｍ、ＡｌＣｕ膜１２ｂの膜厚を４００ｎｍとした。

なお、Ｔｉ膜１２ａ及びＡｌＣｕ膜１２ｂの膜厚はこれに限定されるものではない。上記Ｔｉ膜１２ａ及びＡｌＣｕ膜１２ｂの成膜方法は特に限定されず、スパッタ法や真空蒸着法などを適宜用いることができる。

次に、第１の電極１１と第２の電極１２のコンタクト部のコンタクト抵抗を低減するために、弾性表面波装置１全体を２７０℃程度の温度で２時間加熱した。このようにしてコンタクト抵抗を低減させる。すなわちコンタクト部のコンタクト抵抗は上記熱処理により低めることができる。

本実施形態の製造方法では、上記各工程は、全て３００℃以下の温度で実施することができる。従って、Ｃｕヒロックの発生を抑制することができる。

なお、実際に弾性表面波装置１を製造するに際しては、バンプなどの外部接続端子を形成したり、絶縁膜による保護膜を形成したりするが、これらの他の工程についても３００℃以下の温度で実施することが望ましい。それによって、圧電基板として焦電性が低い圧電材料を用い、焦電性の高温下における回復を抑制することができる。また、Ｃｕヒロックの発生を抑制することができる。

上記実施形態では、第１の電極１１は、Ｔｉ膜１１ａ／ＡｌＣｕエピタキシャル膜１１ｂ／Ｔｉ膜１１ｃの積層構造とされていた。ＡｌＣｕエピタキシャル膜１１ｂに代えて別の金属膜によるエピタキシャル膜であってもよい。具体的には、ＡｌＣｕエピタキシャル膜１１ｂに代えて、Ａｌエピタキシャル膜、あるいはＰｔエピタキシャル膜を用いることができる。さらに最上層がＴｉ膜１１ｃである限り、第１の電極１１の積層構造は特に限定されない。すなわち、下方のＴｉ膜１１ａは設けられずともよい。さらに、ＡｌＣｕエピタキシャル膜１１ｂとＴｉ膜１１ｃとの間の他のエピタキシャル膜である金属膜が積層されていてもよい。

第２の電極１２については、最下層がＴｉ膜１２ａである限り特に限定されない。すなわち、第２の電極１２の最下層としてのＴｉ膜上にＡｌＣｕ膜１２ｂ以外の金属膜を積層してもよく、またＡｌＣｕ膜１２ｂ上にさらに他の金属膜を積層してもよい。また、ＡｌＣｕ膜１２ｂはエピタキシャル膜である必要はない。

なお、本発明は、上記のように、圧電基板上に第１，第２の電極を積層した構造に特徴を有するものであり、ＩＤＴ電極を含む弾性波装置の機能部分は特に限定されない。従って、様々なフィルタや共振子などを本発明に従って構成することができる。

１…弾性表面波装置
２…圧電基板
３…ＩＤＴ電極
４，５…第１，第２の電極指
６，７…第１，第２のダミー電極
１１…第１の電極
１１ａ，１１ｃ…Ｔｉ膜
１１ｂ…ＡｌＣｕエピタキシャル膜
１２…第２の電極
１２ａ…Ｔｉ膜
１２ｂ…ＡｌＣｕ膜
１３〜１５…電極パッド
１６〜１８…配線パターン
２１…立体交差配線部
２２…層間絶縁膜
２３，２４…配線パターン

Claims (11)

1. 主面を有する圧電基板と、
   前記圧電基板の前記主面上に設けられており、少なくとも３層の金属膜を下層から上層に積層してなる第１の積層金属膜からなり、少なくともＩＤＴ電極を含む第１の電極とを備え、
   前記第１の積層金属膜が、最上層膜としてのＴｉ膜を含み、該Ｔｉ膜のＴｉ結晶の（００１）面の法線方向と前記圧電基板を形成する圧電体の結晶のＺ軸とが一致するように一定方向に配向する結晶方位を有し、
   前記圧電基板の主面上に設けられており、複数の金属膜を下層から上層に積層してなる第２の積層金属膜からなる第２の電極をさらに備え、
   前記第２の積層金属膜の最下層の金属膜が、前記第１の電極の最上層の金属膜に重なり合っている部分により、第１の電極と第２の電極とが電気的に接続されているコンタクト部が形成されており、前記第１の積層金属膜が、ＡｌＣｕからなるエピタキシャル膜と、前記最上層膜としてのエピタキシャル膜であるＴｉ膜とを有し、前記第２の積層金属膜が、最下層膜としてＴｉ膜を有する、弾性波装置。
2. 前記第２の積層金属膜の前記最下層膜としてのＴｉ膜上にＡｌ層膜が設けられており、
   前記第１の積層金属膜の前記最上層膜であり、エピタキシャル膜であるＴｉ膜と、前記第２の積層金属膜の前記最下層である、多結晶膜のＴｉ膜とが、層間Ｔｉ−Ｔｉ接合層を形成する、請求項１に記載の弾性波装置。
3. 前記ＡｌＣｕからなるエピタキシャル膜におけるＣｕ濃度が、０．２重量％以上である、請求項１または２に記載の弾性波装置。
4. 前記Ｃｕ濃度が、１０重量％以下である、請求項３に記載の弾性波装置。
5. 前記最上層膜としてのエピタキシャル膜であるＴｉ膜の膜厚が、３０Å以上である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
6. 前記最上層膜としてのエピタキシャル膜であるＴｉ膜の膜厚が、４０ｎｍ以下である、請求項５に記載の弾性波装置。
7. 圧電基板上に複数の金属膜を積層し第１の積層金属膜からなる第１の電極を形成する工程と、
   前記第１の積層金属膜に重なる部分を有するように複数の金属膜を積層し、第２の積層金属膜を形成する工程とを備え、
   前記第１の積層金属膜の形成に際し、エピタキシャル膜を形成し、最上層膜としてＴｉ膜を形成し、
   前記第２の積層金属膜の形成に際し、最下層にＴｉ膜を形成し、
   圧電基板上に複数の金属膜を積層し第１の積層金属膜からなる第１の電極を３００℃以下で形成する工程と、
   前記第１の積層金属膜に重なる部分を有するように複数の金属膜を積層し、第２の積層金属膜を３００℃以下で形成する工程とをさらに備え、
   前記第１の積層金属膜の形成に際し、ＡｌＣｕからなる前記エピタキシャル膜を形成した後、前記最上層膜としてエピタキシャル膜であるＴｉ膜を形成し、
   ３００℃以下の硬化温度である熱硬化性樹脂の層間絶縁膜が、下方の配線パターン上に積層され、前記層間絶縁膜上に上方の配線パターンが積層される工程を備える、弾性波装置の製造方法。
8. 前記ＡｌＣｕからなるエピタキシャル膜におけるＣｕ濃度が、０．２重量％以上である、請求項７に記載の弾性波装置の製造方法。
9. 前記Ｃｕ濃度が、１０重量％以下である、請求項８に記載の弾性波装置の製造方法。
10. 前記最上層膜としてのエピタキシャル膜であるＴｉ膜の膜厚が、３０Å以上である、請求項７〜９のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
11. 前記最上層膜としてのエピタキシャル膜であるＴｉ膜の膜厚が、４０ｎｍ以下である、請求項１０に記載の弾性波装置の製造方法。

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