WO2014077239A1 - 弾性波装置 - Google Patents
弾性波装置 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2014077239A1 WO2014077239A1 PCT/JP2013/080524 JP2013080524W WO2014077239A1 WO 2014077239 A1 WO2014077239 A1 WO 2014077239A1 JP 2013080524 W JP2013080524 W JP 2013080524W WO 2014077239 A1 WO2014077239 A1 WO 2014077239A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- cover member
- wave device
- glass transition
- elastic wave
- transition point
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims abstract description 34
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 34
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 34
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 12
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 LiTaO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1085—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02992—Details of bus bars, contact pads or other electrical connections for finger electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/80—Constructional details
- H10N30/88—Mounts; Supports; Enclosures; Casings
- H10N30/883—Additional insulation means preventing electrical, physical or chemical damage, e.g. protective coatings
Definitions
- the present invention relates to an elastic wave device and an elastic wave module device.
- Patent Document 1 describes a surface acoustic wave device including a piezoelectric substrate having an IDT electrode provided on a surface thereof, and a cover member provided so as to cover the IDT electrode above the piezoelectric substrate.
- the elastic modulus is smaller than that of the mold resin on the cover member. It is described that a protective body is provided.
- the main object of the present invention is to provide an elastic wave device and an elastic wave module device excellent in pressure resistance.
- the elastic wave device includes a piezoelectric substrate, an IDT electrode, and a cover member.
- the IDT electrode is provided on the piezoelectric substrate.
- the cover member is provided above the piezoelectric substrate and separated from the IDT electrode.
- the cover member has a first cover member and a second cover member.
- the second cover member is laminated on the opposite side of the first cover member from the piezoelectric substrate.
- the glass transition point of the first cover member is higher than the glass transition point of the second cover member.
- the difference between the glass transition point of the first cover member and the glass transition point of the second cover member is 80 ° C. or more.
- the glass transition point of the first cover member is 180 ° C. or higher.
- the glass transition point of the second cover member is 100 ° C. or lower.
- the first cover member includes a polyimide resin.
- the second cover member includes an epoxy resin.
- An elastic wave module device includes a wiring substrate, an elastic wave device configured according to the present invention mounted on the wiring substrate, and a mold resin layer provided on the wiring substrate so as to cover the elastic wave device.
- the glass transition point of the mold resin layer is characterized by being lower than any of the glass transition points of the first cover member and the second cover member.
- the linear expansion coefficient of the mold resin layer is smaller than the linear expansion coefficient of either the first cover member or the second cover member, and the linear expansion coefficient of the wiring board is obtained. Greater than the coefficient.
- the circuit board is provided on the wiring substrate so as to cover the wiring substrate, the elastic wave device configured according to the present invention mounted on the wiring substrate, and the elastic wave device.
- a mold resin layer A mold resin layer.
- the linear expansion coefficient of the mold resin layer is smaller than the linear expansion coefficient of both the first cover member and the second cover member, and larger than the linear expansion coefficient of the wiring board.
- an elastic wave device and an elastic wave module device excellent in pressure resistance can be provided.
- FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave module device according to an embodiment of the present invention.
- FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device according to this embodiment.
- the surface acoustic wave device 1 shown in FIG. 1 is specifically a surface acoustic wave device using surface acoustic waves.
- the acoustic wave device 1 includes a piezoelectric substrate 10.
- the piezoelectric substrate 10 can be made of, for example, a piezoelectric material such as LiNbO 3 , LiTaO 3 , quartz, or zinc oxide.
- the piezoelectric substrate 10 may be constituted by a carrier made of a non-piezoelectric material and a piezoelectric layer disposed on the carrier.
- the IDT electrode 11 can be composed of, for example, at least one of Al, Pt, Au, Ag, Cu, Ni, Ti, Cr, and Pd.
- a cover member 15 is provided above the main surface 10a of the piezoelectric substrate 10 via a support layer.
- the cover member 15 is provided so as to cover the IDT electrode 11.
- the cover member 15 is provided away from the IDT electrode 11. In other words, a gap is provided between the cover member 15 and the IDT electrode 11.
- the periphery of the cover member 15 and the piezoelectric substrate 10 are connected. Thereby, the area
- the cover member 15 is configured by a laminated body of a plurality of cover members including a first cover member 15a and a second cover member 15b.
- the second cover member 15b is stacked on the opposite side of the first cover member 15a from the piezoelectric substrate 10. That is, the first cover member 15 a is positioned relatively on the piezoelectric substrate 10 side, and the second cover member 15 b is positioned relatively on the opposite side of the piezoelectric substrate 10.
- the first cover member 15a and the second cover member 15b are each made of a resin having a glass transition point. The glass transition point of the first cover member 15a is higher than the glass transition point of the second cover member 15b.
- the cover member 15 is provided with a via hole 15A facing the pad electrode 12.
- Under bump metal 13 is provided in via hole 15A.
- a bump electrode 14 is provided on the under bump metal 13.
- the elastic wave device 1 is used, for example, in an elastic wave module device 2 shown in FIG.
- the elastic wave module device 2 includes a wiring board 16.
- the elastic wave device 1 is flip-chip mounted on the wiring board 16.
- a mold resin layer 17 is provided on the wiring substrate 16.
- the mold resin layer 17 can be composed of, for example, a silicone resin.
- the elastic wave module device 2 When manufacturing the elastic wave module device 2, first, a process of mounting the elastic wave device 1 on the wiring board 16 is performed. Thereafter, the wiring substrate 16 on which the acoustic wave device 1 is mounted is held in a mold, and a molded resin layer 17 is formed by performing a resin molding process such as injection of the heated resin material into the mold. By performing these steps, the elastic wave module device 2 can be completed.
- the temperature of the heated resin material at the time of molding is preferably 120 ° C. to 200 ° C., for example, and more preferably 150 ° C. to 180 ° C.
- the molding temperature is preferably equal to or higher than the glass transition point or melting point of the resin material forming the mold resin layer 17.
- the glass transition point of the first cover member 15a is higher than the glass transition point of the second cover member 15b. Even when pressure and temperature are applied to the acoustic wave device 1 during molding, the glass transition point of the first cover member 15a located on the IDT electrode side among the first and second cover members 15a and 15b is the IDT electrode. Is higher than the glass transition point of the second cover member 15b located on the opposite side. For this reason, the deformation amount of the first cover member 15a is smaller than the deformation amount of the second cover member 15b when the temperature of the elastic wave device 1 rises. Therefore, it is difficult for the first cover member 15a and the IDT electrode to contact each other.
- the second cover member 15b located on the side opposite to the IDT electrode and in contact with the mold resin layer 17 is closer to the glass transition point earlier than the first cover member 15a by the heat received from the mold resin layer 17. Reach temperature. As a result, the second cover member 15b is deformed more than the first cover member 15a due to the temperature and pressure received during molding. By deforming the second cover member 15b, the pressure that the cover member 15 receives during molding can be dispersed. Therefore, it is difficult for the IDT electrode 11 and the like to be damaged due to contact with the first cover member 15a. Therefore, the elastic wave device 1 is excellent in pressure resistance.
- the glass transition point of the first cover member 15a is preferably higher by 80 ° C. or more than the glass transition point of the second cover member 15b. This is because the deformation amount of the first cover member 15a when the temperature rises can be made relatively smaller than the deformation amount of the second cover member 15b. It is preferable that the glass transition point of the 1st cover member 15a is 180 degreeC or more, and the glass transition point of the 2nd cover member 15b is 100 degrees C or less.
- the first cover member 15a can be made of, for example, a resin in which a silicone rubber is added to a polyimide resin having a glass transition point of 200 ° C.
- the second cover member 15b can be made of, for example, a resin in which a filler is added to an epoxy resin having a glass transition point of 100 ° C. that is equal to or lower than a molding temperature.
- the support layer can be composed of a polyimide resin.
- the first cover member 15a and the second cover member 15b may be in direct contact with each other, or another layer is interposed between the first cover member 15a and the second cover member 15b. It may be.
- the elastic wave device 1 is mounted on the wiring board 16. Then, the mold resin layer 17 is formed by performing a resin mold process while heating. Thereby, the elastic wave module device 2 can be completed. At this time, it is preferable to make the glass transition point of the mold resin layer 17 lower than any of the glass transition points of the first cover member 15a and the second cover member 15b. Thereby, the temperature at the time of molding can be set low. Therefore, softening due to the temperature rise of the first cover member 15a and the second cover member 15b is suppressed. Therefore, since the first cover member 15a and the second cover member 15b can reduce the deformation amount, the first cover member 15a and the second cover member 15b of the acoustic wave device 1 are deformed and interfere with the IDT. Can be suppressed.
- the linear expansion coefficient of the mold resin layer is smaller than the linear expansion coefficient of any of the first cover member and the second cover member, and the linear expansion coefficient of the mold resin layer 17 is wired.
- the linear expansion coefficient of the substrate 16 is set larger.
- electronic components such as a chip inductor, a chip capacitor, and a control IC may be mounted on the wiring board 16 of the acoustic wave module device 2. Furthermore, these electronic components may be sealed with a mold resin layer.
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
耐圧性に優れた弾性波装置を提供する。 弾性波装置１は、圧電基板１０と、ＩＤＴ電極１１と、カバー部材１５とを備える。ＩＤＴ電極１１は、圧電基板１０の上に設けられている。カバー部材１５は、圧電基板１０の上方に、ＩＤＴ電極１１とは離間して設けられている。カバー部材１５は、第１のカバー部材１５ａと、第２のカバー部材１５ｂとを有する。第２のカバー部材１５ｂは、第１のカバー部材１５ａの圧電基板１０とは反対側に積層されている。第１のカバー部材１５ａのガラス転移点が第２のカバー部材１５ｂのガラス転移点よりも高い。
Description
本発明は、弾性波装置および弾性波モジュール装置に関する。
従来、例えばフィルタ等に弾性表面波装置などの弾性波装置が広く用いられている。特許文献１には、表面にＩＤＴ電極が設けられた圧電基板と、圧電基板の上方に、ＩＤＴ電極を覆うように設けられたカバー部材とを備える弾性表面波装置が記載されている。特許文献１には、弾性波モジュール装置に用いる弾性表面波装置のモールド時に弾性表面波装置に加わる圧力衝撃に対する耐久性を向上するために、カバー部材の上に、モールド樹脂よりも弾性率が小さい保護体を設けることが記載されている。
特許文献１に記載の弾性表面波装置においても、モールド時に加わる圧力によってカバー部材が変形し、ＩＤＴ電極等と接触することにより、ＩＤＴ電極が損傷するなどといった不具合が生じる場合がある。
本発明の主な目的は、耐圧性に優れた弾性波装置及び弾性波モジュール装置を提供することにある。
本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、ＩＤＴ電極と、カバー部材とを備える。ＩＤＴ電極は、圧電基板の上に設けられている。カバー部材は、圧電基板の上方に、ＩＤＴ電極とは離間して設けられている。カバー部材は、第１のカバー部材と、第２のカバー部材とを有する。第２のカバー部材は、第１のカバー部材の圧電基板とは反対側に積層されている。第１のカバー部材のガラス転移点が第２のカバー部材のガラス転移点よりも高い。
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、第１のカバー部材のガラス転移点と第２のカバー部材のガラス転移点との差が８０℃以上である。
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、第１のカバー部材のガラス転移点が１８０℃以上である。第２のカバー部材のガラス転移点が１００℃以下である。
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、第１のカバー部材がポリイミド樹脂を含む。第２のカバー部材がエポキシ樹脂を含む。
本発明に係る弾性波モジュール装置は、配線基板と、配線基板上に実装された本発明に従って構成された弾性波装置と、弾性波装置を覆うように配線基板上に設けられるモールド樹脂層とを備える。モールド樹脂層のガラス転移点は、第１のカバー部材及び第２のカバー部材のいずれのガラス転移点より低いことを特徴とする。
本発明に係る弾性波モジュール装置のある特定の局面では、モールド樹脂層の線膨張係数が、第１のカバー部材及び第２のカバー部材のいずれの線膨張係数よりも小さく、配線基板の線膨張係数より大きい。
本発明に係る弾性波モジュール装置の別の広い局面では、配線基板と、配線基板上に実装された本発明に従って構成された弾性波装置と、弾性波装置を覆うように配線基板上に設けられるモールド樹脂層とを備える。モールド樹脂層の線膨張係数が、第１のカバー部材及び第２のカバー部材のいずれの線膨張係数よりも小さく、かつ配線基板の線膨張係数より大きい。
本発明によれば、耐圧性に優れた弾性波装置及び弾性波モジュール装置を提供することができる。
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
図１は、本実施形態に係る弾性波装置の略図的断面図である。図１に示される弾性波装置１は、具体的には、弾性表面波を利用した弾性表面波装置である。弾性波装置１は、圧電基板１０を備えている。圧電基板１０は、例えば、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３、水晶、酸化亜鉛等の圧電性材料により構成することができる。また、圧電基板１０は、非圧電性材料の担体と、前記担体上に配された圧電層とにより構成されていてもよい。
圧電基板１０の主面１０ａの上には、少なくとも一つのＩＤＴ電極１１と、ＩＤＴ電極１１が電気的に接続されたパッド電極１２とが設けられている。ＩＤＴ電極１１は、例えば、Ａｌ，Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｒ及びＰｄの少なくとも一種により構成することができる。
圧電基板１０の主面１０ａの上方には、支持層を介してカバー部材１５が設けられている。カバー部材１５は、ＩＤＴ電極１１を覆うように設けられている。カバー部材１５は、ＩＤＴ電極１１から離間して設けられている。換言すれば、カバー部材１５とＩＤＴ電極１１との間には隙間が設けられている。カバー部材１５の周囲と圧電基板１０とは、接続されている。これにより、ＩＤＴ電極１１が設けられた圧電基板１０上の領域が封止されている。
カバー部材１５は、第１のカバー部材１５ａと、第２のカバー部材１５ｂとを含む複数のカバー部材の積層体により構成されている。第２のカバー部材１５ｂは、第１のカバー部材１５ａの圧電基板１０とは反対側に積層されている。すなわち、第１のカバー部材１５ａが相対的に圧電基板１０側に位置し、第２のカバー部材１５ｂが相対的に圧電基板１０とは反対側に位置している。第１のカバー部材１５ａと第２のカバー部材１５ｂとは、それぞれ、ガラス転移点を有する樹脂により構成されている。第１のカバー部材１５ａのガラス転移点は、第２のカバー部材１５ｂのガラス転移点よりも高い。
カバー部材１５には、パッド電極１２に臨むビアホール１５Ａが設けられている。このビアホール１５Ａ内に、アンダーバンプメタル１３が設けられている。アンダーバンプメタル１３の上にバンプ電極１４が設けられている。
弾性波装置１は、例えば、図２に示される弾性波モジュール装置２に用いられる。弾性波モジュール装置２は、配線基板１６を備えている。配線基板１６の上に弾性波装置１がフリップチップ実装されている。配線基板１６の上には、モールド樹脂層１７が設けられている。モールド樹脂層１７は、例えば、シリコーン系樹脂により構成することができる。
弾性波モジュール装置２を製造するに際しては、まず、弾性波装置１を配線基板１６の上に実装する工程を実施する。その後、弾性波装置１が実装された配線基板１６を金型内に保持し、加熱した樹脂材料を金型内に射出などの樹脂モールド工程を実施することによりモールド樹脂層１７を形成する。これらの工程を実施することにより、弾性波モジュール装置２を完成させることができる。なお、モールド時の加熱した樹脂材料の温度は、例えば、１２０℃～２００℃であることが好ましく、１５０℃～１８０℃であることがより好ましい。なお、モールド時の温度は、モールド樹脂層１７を形成する樹脂材料のガラス転移点または融点以上であることが好ましい。
樹脂モールド工程によりモールド樹脂層を形成する際には、弾性波装置に圧力が加わる。このため、カバー部材が変形し、カバー部材がＩＤＴ電極等と接触するおそれがある。カバー部材がＩＤＴ電極等と接触すると、ＩＤＴ電極等が損傷するおそれがある。
ここで、弾性波装置１では、第１のカバー部材１５ａのガラス転移点が、第２のカバー部材１５ｂのガラス転移点よりも高い。弾性波装置１にモールド時に圧力と温度が加わっても、第１及び第２のカバー部材１５ａ、１５ｂのうち、ＩＤＴ電極側に位置する第１のカバー部材１５ａのガラス転移点が、ＩＤＴ電極とは反対側に位置する第２のカバー部材１５ｂのガラス転移点よりも高い。このため、弾性波装置１の温度が上昇した際における第２のカバー部材１５ｂの変形量より第１のカバー部材１５ａの変形量が小さくなる。よって、第１のカバー部材１５ａとＩＤＴ電極とが接触しにくい。また、ＩＤＴ電極とは反対側に位置し、モールド樹脂層１７と接している第２のカバー部材１５ｂは、モールド樹脂層１７から受ける熱によって、第1のカバー部材１５ａより早くガラス転移点近くの温度に到達する。その結果、第２のカバー部材１５ｂは、モールド時に受ける温度と圧力によって第１のカバー部材１５ａより大きく変形する。第２のカバー部材１５ｂが変形することで、カバー部材１５がモールド時に受ける圧力を分散できる。従って、第１のカバー部材１５ａとの接触によるＩＤＴ電極１１等の損傷が発生しにくい。よって、弾性波装置１は、耐圧性に優れている。
より優れた耐圧性を実現する観点からは、第１のカバー部材１５ａのガラス転移点が第２のカバー部材１５ｂのガラス転移点よりも８０℃以上高いことが好ましい。温度上昇した際の第１のカバー部材１５ａの変形量を、第２のカバー部材１５ｂの変形量に対して相対的により小さくできるためである。第１のカバー部材１５ａのガラス転移点が１８０℃以上であり、第２のカバー部材１５ｂのガラス転移点が１００℃以下であることが好ましい。
第１のカバー部材１５ａは、例えば、ガラス転移点が２００℃のポリイミド樹脂にシリコーン系ゴムが添加された樹脂により構成することができる。第２のカバー部材１５ｂは、例えば、モールド時の温度以下であるガラス転移点が１００℃のエポキシ樹脂にフィラーが添加された樹脂により構成することができる。支持層はポリイミド樹脂により構成することができる。
なお、第１のカバー部材１５ａと第２のカバー部材１５ｂとは、直接接触していてもよいし、第１のカバー部材１５ａと第２のカバー部材１５ｂとの間に他の層が介在していてもよい。
図２に示すよう弾性波モジュール装置２では、弾性波装置１を配線基板１６の上に実装する。その後、加熱しながら樹脂モールド工程を実施することによりモールド樹脂層１７を形成する。それによって、弾性波モジュール装置２を完成させることができる。このとき、モールド樹脂層１７のガラス転移点を第１のカバー部材１５ａ及び第２のカバー部材１５ｂのいずれのガラス転移点より低くすることが好ましい。それによって、モールド時の温度を低く設定することができる。そのため、第１のカバー部材１５ａ及び第２のカバー部材１５ｂの温度上昇による軟化が抑制される。従って、第１のカバー部材１５ａ及び第２のカバー部材１５ｂが変形量を小さくできるため、弾性波装置１の第１のカバー部材１５ａ及び第２のカバー部材１５ｂが変形してＩＤＴと干渉することを抑制できる。
弾性波モジュール装置２において、モールド樹脂層の線膨張係数を、前記第１のカバー部材及び前記第２のカバー部材のいずれの線膨張係数よりも小さく、かつモールド樹脂層１７の線膨張係数が配線基板１６の線膨張係数より大きくする。この構成により、モールド樹脂層１７で封止された弾性波モジュール装置２の温度が変動した場合、温度変化による配線基板１６の変形量を、配線基板１６の変形量と第１のカバー部材１５ａ及び第２のカバー部材１５ｂの変形量の中間にすることができる。従って、熱収縮差による応力を緩和することができる。
なお、弾性波モジュール装置２の配線基板１６上に、チップインダクタ、チップキャパシタ、制御ＩＣなどの電子部品が実装されてもよい。さらに、これらの電子部品がモールド樹脂層により封止されてもよい。
１…弾性波装置
２…弾性波モジュール装置
１０…圧電基板
１０ａ…主面
１１…ＩＤＴ電極
１２…パッド電極
１３…アンダーバンプメタル
１４…バンプ電極
１５…カバー部材
１５Ａ…ビアホール
１５ａ…第１のカバー部材
１５ｂ…第２のカバー部材
１６…配線基板
１７…モールド樹脂層
２…弾性波モジュール装置
１０…圧電基板
１０ａ…主面
１１…ＩＤＴ電極
１２…パッド電極
１３…アンダーバンプメタル
１４…バンプ電極
１５…カバー部材
１５Ａ…ビアホール
１５ａ…第１のカバー部材
１５ｂ…第２のカバー部材
１６…配線基板
１７…モールド樹脂層
Claims (7)
- 圧電基板と、
前記圧電基板の上に設けられたＩＤＴ電極と、
前記圧電基板の上方に、前記ＩＤＴ電極とは離間して設けられたカバー部材と、
を備え、
前記カバー部材は、
第１のカバー部材と、
前記第１のカバー部材の前記圧電基板とは反対側に積層された第２のカバー部材と、
を有し、
前記第１のカバー部材のガラス転移点が前記第２のカバー部材のガラス転移点よりも高い、弾性波装置。 - 前記第１のカバー部材のガラス転移点と前記第２のカバー部材のガラス転移点との差が８０℃以上である、請求項１に記載の弾性波装置。
- 前記第１のカバー部材のガラス転移点が１８０℃以上であり、
前記第２のカバー部材のガラス転移点が１００℃以下である、請求項１に記載の弾性波装置。 - 前記第１のカバー部材がポリイミド樹脂を含み、
前記第２のカバー部材がエポキシ樹脂を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の弾性波装置。 - 配線基板と、
前記配線基板上に実装された請求項１から４のいずれか1項に記載の弾性波装置と、
前記弾性波装置を覆うように前記配線基板上に設けられるモールド樹脂層とを備え、
前記モールド樹脂層のガラス転移点は、前記第１のカバー部材及び前記第２のカバー部材のいずれのガラス転移点より低い、弾性波モジュール装置。 - 前記モールド樹脂層の線膨張係数が、前記第１のカバー部材及び前記第２のカバー部材のいずれの線膨張係数よりも小さく、前記配線基板の線膨張係数より大きいことを特徴とする請求項５に記載の弾性波モジュール装置。
- 配線基板と、
前記配線基板上に実装された請求項１から４のいずれか1項に記載の弾性波装置と、
前記弾性波装置を覆うように前記配線基板上に設けられるモールド樹脂層とを備え、
前記モールド樹脂層の線膨張係数が、前記第１のカバー部材及び前記第２のカバー部材のいずれの線膨張係数よりも小さく、前記配線基板の線膨張係数より大きい、弾性波モジュール装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14/699,007 US9748919B2 (en) | 2012-11-13 | 2015-04-29 | Elastic wave device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012-249157 | 2012-11-13 | ||
| JP2012249157 | 2012-11-13 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| US14/699,007 Continuation US9748919B2 (en) | 2012-11-13 | 2015-04-29 | Elastic wave device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2014077239A1 true WO2014077239A1 (ja) | 2014-05-22 |
Family
ID=50731150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2013/080524 WO2014077239A1 (ja) | 2012-11-13 | 2013-11-12 | 弾性波装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9748919B2 (ja) |
| WO (1) | WO2014077239A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015199132A1 (ja) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5880520B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2016-03-09 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| JP5907195B2 (ja) * | 2014-02-27 | 2016-04-26 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
| JP6521059B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2019-05-29 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、通信モジュール機器及び弾性波装置の製造方法 |
| WO2018235875A1 (ja) * | 2017-06-23 | 2018-12-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、フロントエンド回路及び通信装置 |
| US10804875B2 (en) * | 2017-09-29 | 2020-10-13 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Polymer lid wafer-level package with an electrically and thermally conductive pillar |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10163796A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JPH11251866A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Tdk Corp | チップ素子及びチップ素子の製造方法 |
| JP2000049247A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-02-18 | Nec Kansai Ltd | 電子素子封止用パッケージ及び電子素子封止構体、並びに電子素子封止構体の製造方法 |
| JP2002217673A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｓａｗデバイスとその製造方法及びこのｓａｗデバイスを用いた電子部品 |
| JP2003152453A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Kyocera Corp | 水晶デバイス |
| JP2005129855A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Kyocera Corp | 高周波モジュール |
| JP2007258776A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Kyocera Corp | 高周波モジュール |
| JP2007266865A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JP2008187451A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Kyocera Corp | 音響波装置及びフィルタ装置並びに通信装置 |
| JP2009200996A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Panasonic Corp | 弾性表面波デバイス |
| JP2009213174A (ja) * | 2009-06-22 | 2009-09-17 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置、および実装構造体 |
| JP2010193487A (ja) * | 2010-03-29 | 2010-09-02 | Panasonic Corp | 集積回路装置 |
| JP2010278972A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波装置 |
| WO2012120968A1 (ja) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200520201A (en) | 2003-10-08 | 2005-06-16 | Kyocera Corp | High-frequency module and communication apparatus |
| JP4811232B2 (ja) | 2005-11-02 | 2011-11-09 | パナソニック株式会社 | 電子部品パッケージ |
| JP5424973B2 (ja) * | 2009-05-26 | 2014-02-26 | 日本電波工業株式会社 | 圧電部品及びその製造方法 |
| US8471433B2 (en) * | 2009-10-14 | 2013-06-25 | Panasonic Corporation | Elastic wave device and electronic device using the same |
| JP2011188255A (ja) * | 2010-03-09 | 2011-09-22 | Panasonic Corp | 弾性波素子 |
| JP2012084954A (ja) * | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Panasonic Corp | 弾性波素子とこれを用いた電子機器 |
| JP2012182604A (ja) * | 2011-03-01 | 2012-09-20 | Panasonic Corp | 弾性波フィルタ部品 |
| JP5907195B2 (ja) * | 2014-02-27 | 2016-04-26 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及び電子部品の製造方法 |
-
2013
- 2013-11-12 WO PCT/JP2013/080524 patent/WO2014077239A1/ja active Application Filing
-
2015
- 2015-04-29 US US14/699,007 patent/US9748919B2/en active Active
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10163796A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JPH11251866A (ja) * | 1998-02-27 | 1999-09-17 | Tdk Corp | チップ素子及びチップ素子の製造方法 |
| JP2000049247A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-02-18 | Nec Kansai Ltd | 電子素子封止用パッケージ及び電子素子封止構体、並びに電子素子封止構体の製造方法 |
| JP2002217673A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｓａｗデバイスとその製造方法及びこのｓａｗデバイスを用いた電子部品 |
| JP2003152453A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Kyocera Corp | 水晶デバイス |
| JP2005129855A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-05-19 | Kyocera Corp | 高周波モジュール |
| JP2007258776A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Kyocera Corp | 高周波モジュール |
| JP2007266865A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JP2008187451A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Kyocera Corp | 音響波装置及びフィルタ装置並びに通信装置 |
| JP2009200996A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Panasonic Corp | 弾性表面波デバイス |
| JP2010278972A (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性波装置 |
| JP2009213174A (ja) * | 2009-06-22 | 2009-09-17 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置、および実装構造体 |
| JP2010193487A (ja) * | 2010-03-29 | 2010-09-02 | Panasonic Corp | 集積回路装置 |
| WO2012120968A1 (ja) * | 2011-03-09 | 2012-09-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015199132A1 (ja) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| CN106464232A (zh) * | 2014-06-27 | 2017-02-22 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及其制造方法 |
| JPWO2015199132A1 (ja) * | 2014-06-27 | 2017-04-20 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
| US10707830B2 (en) | 2014-06-27 | 2020-07-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20150249438A1 (en) | 2015-09-03 |
| US9748919B2 (en) | 2017-08-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2014077239A1 (ja) | 弾性波装置 | |
| JP5907195B2 (ja) | 電子部品及び電子部品の製造方法 | |
| JP4645233B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP4509038B2 (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法 | |
| JP5565544B2 (ja) | 電子部品及び電子部品モジュール | |
| WO2011138877A1 (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 | |
| JP5797356B2 (ja) | 弾性波装置および弾性波モジュール | |
| JP5472557B1 (ja) | 複合電子部品及びそれを備える電子装置 | |
| US20150334846A1 (en) | Electronic component module | |
| US9941461B2 (en) | Electronic component element and composite module including the same | |
| CN111052607B (zh) | 弹性波装置以及具备该弹性波装置的弹性波模块 | |
| JP2006245994A (ja) | 弾性表面波デバイスのパッケージ構造及び弾性表面波デバイス | |
| JP2006245994A5 (ja) | ||
| JPH04363032A (ja) | 半導体装置 | |
| JP5886989B1 (ja) | 圧電素子デバイス | |
| US10804196B2 (en) | Electronic component device | |
| JP5340983B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP5467375B2 (ja) | 弾性表面波デバイス | |
| JP4910953B2 (ja) | 電子部品パッケージ構造 | |
| JP2006237324A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2022184454A (ja) | 積層体、弾性波デバイスの製造方法 | |
| JP6163886B2 (ja) | モールドパッケージ | |
| JP2017092710A (ja) | 弾性波デバイスおよびその製造方法 | |
| KR20150044259A (ko) | 전자부품의 실장 기판 및 전자부품 실장용 페이스트 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 13854469 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 13854469 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: JP |