JP5907195B2 - 電子部品及び電子部品の製造方法 - Google Patents
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Description
2…電子部品素子
3…パッケージ基板
3a…電極ランド
3b…端子電極
4…バンプ電極
5…アンダーバンプメタル層
6…貫通孔
7…カバー部材
7a…第1のカバー部材
7b…第2のカバー部材
8…支持層
9…中空部分
10…パッド電極
11…電極部
12…素子基板
12a…第1の主面
12b…第2の主面
13…モールド樹脂層
Claims (10)
- 互いに対向する第1の主面と第2の主面とを有する素子基板と、前記第1の主面上に形成された電極部と、前記電極部を内部に臨む開口部を有するように前記第1の主面上に設けられた支持層と、前記支持層の開口部を閉成するように該支持層に接合されたカバー部材とを含み、前記素子基板と前記支持層と前記カバー部材とで形成される中空部分に前記電極部の少なくとも一部が露出されている、電子部品素子と、
前記カバー部材が所定の隙間を介して対向され、前記電子部品素子が実装されるパッケージ基板と、
前記電子部品素子の外周を封止するように前記パッケージ基板上に設けられたモールド樹脂層とを備える電子部品であって、
前記カバー部材が、前記パッケージ基板側に設けられた樹脂材料を含む第1のカバー部材と、
前記素子基板側に配置され、前記第1のカバー部材上に設けられた樹脂材料を含む第2のカバー部材とを有し、
前記第1のカバー部材のガラス転移温度が前記第2のカバー部材のガラス転移温度よりも高く、
前記支持層が樹脂材料からなり、
前記第1のカバー部材のガラス転移温度が、前記支持層のガラス転移温度よりも高く、
前記支持層のガラス転移温度が、前記第2のカバー部材のガラス転移温度よりも高く、
前記第2のカバー部材のガラス転移温度が、前記モールド樹脂層のガラス転移温度よりも高い、電子部品。 - 互いに対向する第1の主面と第2の主面とを有する素子基板と、前記第1の主面上に形成された電極部と、前記電極部を内部に臨む開口部を有するように前記第1の主面上に設けられた支持層と、前記支持層の開口部を閉成するように該支持層に接合されたカバー部材とを含み、前記素子基板と前記支持層と前記カバー部材とで形成される中空部分に前記電極部の少なくとも一部が露出されている、電子部品素子と、
前記カバー部材が所定の隙間を介して対向され、前記電子部品素子が実装されるパッケージ基板と、
前記電子部品素子の外周を封止するように前記パッケージ基板上に設けられたモールド樹脂層とを備える電子部品であって、
前記カバー部材が、前記パッケージ基板側に設けられた樹脂材料を含む第1のカバー部材と、
前記素子基板側に配置され、前記第1のカバー部材上に設けられた樹脂材料を含む第2のカバー部材とを有し、
前記第1のカバー部材のガラス転移温度が前記第2のカバー部材のガラス転移温度よりも高く、
前記支持層が樹脂材料からなり、
前記第1のカバー部材のガラス転移温度が、前記支持層のガラス転移温度よりも高く、
前記支持層のガラス転移温度が、前記第2のカバー部材のガラス転移温度よりも高く、
前記モールド樹脂層のガラス転移温度よりも動作温度の上限値が低い、電子部品。 - 前記素子基板の前記第1の主面に設けられており、かつ前記支持層に覆われているパッド電極と、
前記支持層及び前記カバー部材に設けられており、かつ前記パッド電極に至るように設けられている貫通孔と、
前記貫通孔内に設けられているアンダーバンプメタル層と、
前記アンダーバンプメタル層上に設けられており、かつ前記パッケージ基板と電気的に接続しているバンプ電極とを備える、請求項1または2に記載の電子部品。 - 前記第1のカバー部材のガラス転移温度が180℃以上であり、
前記第2のカバー部材のガラス転移温度が150℃以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子部品。 - 前記モールド樹脂層の弾性率が、前記第1のカバー部材の弾性率よりも大きく、
前記第1のカバー部材の弾性率が、前記第2のカバー部材の弾性率よりも大きい、請求項1〜4のいずれか1項に記載の電子部品。 - 互いに対向する第1の主面と第2の主面とを有する素子基板と、前記第1の主面に設けられている電極部とを有する電子部品素子を用意する工程と、
前記第1の主面に、前記電極部を囲むように、支持層を設ける工程と、
第1のカバー部材と、前記第1のカバー部材上に設けられた第2のカバー部材とを有し、かつ前記第1のカバー部材のガラス転移温度が前記第2のカバー部材のガラス転移温度よりも高いカバー部材を、前記第1の主面と前記第2のカバー部材とが対向するようにして、前記支持層上に設ける工程と、
前記カバー部材を熱硬化させる工程と、
前記第1のカバー部材の、前記第2のカバー部材が設けられている側とは反対側の面にパッケージ基板を設ける工程と、
前記電子部品素子を封止するように前記パッケージ基板上に、モールド樹脂層を設ける工程とを備え、
前記支持層が樹脂材料からなり、
前記第1のカバー部材のガラス転移温度が、前記カバー部材を熱硬化させる温度よりも高く、前記カバー部材を熱硬化させる温度が、前記支持層のガラス転移温度よりも高く、前記支持層のガラス転移温度が、前記第2のカバー部材のガラス転移温度よりも高く、前記第2のカバー部材のガラス転移温度が、前記モールド樹脂層のガラス転移温度よりも高い、電子部品の製造方法。 - 互いに対向する第1の主面と第2の主面とを有する素子基板と、前記第1の主面に設けられている電極部とを有する電子部品素子を用意する工程と、
前記第1の主面に、前記電極部を囲むように、支持層を設ける工程と、
第1のカバー部材と、前記第1のカバー部材上に設けられた第2のカバー部材とを有し、かつ前記第1のカバー部材のガラス転移温度が前記第2のカバー部材のガラス転移温度よりも高いカバー部材を、前記第1の主面と前記第2のカバー部材とが対向するようにして、前記支持層上に設ける工程と、
前記カバー部材を熱硬化させる工程と、
前記第1のカバー部材の、前記第2のカバー部材が設けられている側とは反対側の面にパッケージ基板を設ける工程と、
前記電子部品素子を封止するように前記パッケージ基板上に、モールド樹脂層を設ける工程とを備え、
前記支持層が樹脂材料からなり、
前記第1のカバー部材のガラス転移温度が、前記カバー部材を熱硬化させる温度よりも高く、前記カバー部材を熱硬化させる温度が、前記支持層のガラス転移温度よりも高く、前記支持層のガラス転移温度が、前記第2のカバー部材のガラス転移温度よりも高く、前記モールド樹脂層のガラス転移温度よりも動作温度が低い、電子部品の製造方法。 - 前記電子部品素子の前記第1の主面にパッド電極を設ける工程と、
前記パッド電極を覆うように前記支持層を設ける工程と、
前記支持層及び前記カバー部材に、前記パッド電極に至るように、貫通孔を設ける工程と、
前記貫通孔内にアンダーバンプメタル層を設ける工程と、
前記アンダーバンプメタル層上に、前記パッケージ基板と電気的に接続する、バンプ電極を設ける工程とを備える、請求項6または7に記載の電子部品の製造方法。 - 前記カバー部材を設ける工程において、前記第1及び第2のカバー部材の積層体を支持層上に接合する工程を備える、請求項6〜8のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
- 前記モールド樹脂層の弾性率が、前記第1のカバー部材の弾性率よりも大きく、前記第1のカバー部材の弾性率が、前記第2のカバー部材の弾性率よりも大きい、請求項6〜9のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法。
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