JP4952781B2 - 分波器及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップが内蔵された分波器に関し、より詳細には、弾性波素子チップを用いて構成された送信側フィルタチップと受信側フィルタチップとを有する分波器及びその製造方法に関する。

従来、携帯電話機等の移動体通信機器では、受信側帯域フィルタと送信側帯域フィルタとを備えた分波器が種々提案されている。例えば、下記の特許文献１には、受信側帯域フィルタ及び送信側フィルタが、それぞれ、弾性表面波フィルタからなる分波器が開示されている。特許文献１では、上記受信側帯域フィルタ及び送信側帯域フィルタを構成している各弾性表面波フィルタは、共通の圧電基板上に形成されている。共通の圧電基板上に受信側帯域フィルタ及び送信側帯域フィルタを構成することにより、分波機の小型化を図ることができる。

しかしながら、受信側帯域フィルタと送信側帯域フィルタとでは、通過帯域が異なり、要求特性も異なる。従って、特許文献１には、送信側帯域フィルタを構成する弾性表面波フィルタと、受信側帯域フィルタを構成する弾性表面波フィルタとが、異なる圧電基板上に形成されている構造も開示されている。

他方、下記の特許文献２には、送信側帯域フィルタ用の第１の弾性表面波フィルタチップと、受信側帯域フィルタ用の第２の弾性表面波フィルタチップとが実装基板にフェイスダウン工法により実装された構造が開示されている。図１１に略図的正面断面図で示すように、特許文献２に記載の分波器５０１は実装基板５０２を有する。実装基板５０２上に、第１の弾性表面波フィルタチップ５０３及び第２の弾性表面波フィルタチップ５０４が、それぞれ、複数の金属バンプ５０５及び複数の金属バンプ５０６によりフェイスダウン工法により実装されている。なお、第１の弾性表面波フィルタチップ５０３上には、放熱部材５０７が積層されており、金属からなるシールド部材５０８に放熱部材５０７の上面が接触されている。

上記分波器５０１では、第１の弾性表面波フィルタチップ５０３と、第２の弾性表面波フィルタチップ５０４とが異なるチップとして形成されている。従って、弾性表面波フィルタチップ５０３に用いる圧電基板と、弾性表面波フィルタチップ５０４に用いる圧電基板とを、要求特性に応じて選択することができる。

なお、分波器５０１では、弾性表面波フィルタチップ５０３，５０４を構成している圧電基板の下面にＩＤＴを含む電極が形成されており、該ＩＤＴを含む電極が、金属バンプ５０５，５０６の厚みにより規定される空隙に臨んでいる。従って、弾性表面波の励振が妨げられない。

他方、分波器ではないが、弾性表面波の励振を妨げないための空間を有する弾性表面波装置の一例が特許文献３に開示されている。特許文献３に開示されている弾性表面波装置を図１２に正面断面図で示す。弾性表面波装置５２１は、圧電基板５２２の下面にＩＤＴ５２３を含む電極が形成された弾性表面波素子５２４を有する。この弾性表面波素子５２４が、ＩＤＴ５２３が形成されている側の面を下面として、樹脂基板５２５に熱硬化性及び光硬化性を有する樹脂の硬化物５２６ａ，５２６ｂにより接合されている。すなわち、弾性表面波素子５２４の下面に硬化前の熱硬化性及び光硬化性を有する樹脂組成物を塗布し、他方、樹脂基板５２５の上面にも、同様に、熱硬化性及び光硬化性を有する樹脂組成物を塗布しておき、両者を図示のように貼り合わせた後、熱及び光を加えることにより硬化させる。それによって、熱硬化性及び光硬化性を有する樹脂の硬化物５２６ａ，５２６ｂにより、弾性表面波素子５２４と樹脂基板５２５とが接合されている。ここでは、上記樹脂の硬化物５２６ａ，５２６ｂの厚みにより、空隙Ａが形成されている。
特表２００３−５１７２３９ 特開平１１−２６６２３号公報 特開２００３−３７４７１号公報

上記のように、特許文献１には、受信側帯域フィルタと、送信側帯域フィルタとを個別に形成してなる分波器が開示されている。もっとも、送信側帯域フィルタと受信側帯域フィルタとを、別々の弾性表面波フィルタ素子チップで構成した場合、分波器が大型になるという問題があった。

これに対して、特許文献２に記載の分波器５０１では、第１，第２の弾性表面波フィルタチップ５０３，５０４が、フェイスダウン工法により実装基板５０２に実装されている。従って、分波器５０１の小型化を一応進めることができる。

しかしながら、分波器５０１では、異なる圧電基板を用いて形成された第１，第２の弾性表面波フィルタチップ５０３，５０４が、図示のように、所定の間隙を隔てて並設されている。そして、第１，第２の弾性表面波フィルタチップ５０３，５０４が、金属バンプ５０５，５０６を用いて実装基板５０２上に実装されているので、弾性表面波フィルタチップ５０３，５０４を構成している圧電基板の面積が大きくならざるを得なかった。よって、分波器５０１の平面積が大きくならざるを得なかった。

加えて、上記金属バンプ５０５，５０６の高さにより空隙を形成することができるので低背化を一応進めることは可能であるが、金属バンプ５０５，５０６の高さ寸法が比較的大きいので、低背化には限界があった。

なお、特許文献３に記載の弾性表面波装置５２１では、熱硬化性及び光硬化性を有する樹脂の硬化物５２６ａ，５２６ｂを用いて、弾性表面波素子５２４を樹脂基板５２５に接合し、該樹脂の硬化物５２６ａ，５２６ｂの厚みにより、空隙Ａが形成されているため、低背化を進めることができる。しかしながら、弾性表面波装置５２１では、１つの圧電基板上にＩＤＴ５２３を形成してなる弾性表面波素子５２４が形成されているにすぎない。従って、弾性表面波装置５２１により、送信側帯域フィルタを構成し、受信側帯域フィルタとしては、異なる圧電基板を用いて、さらに類似した構造の弾性表面波装置を形成した場合、分波器全体が大型にならざるを得ない。

近年、圧電体と絶縁体との界面にＩＤＴを形成してなる弾性境界波フィルタ装置が種々提案されている。弾性境界波フィルタ装置では、振動を妨げないための空隙を形成する必要がないため、小型化を進めることができる。しかしながら、弾性表面波フィルタ装置に比べ、弾性境界波フィルタ装置では耐電力性が低いという欠点があった。そのため、分波器の受信側帯域フィルタに弾性境界波フィルタを用いることは可能であったとしても、送信側帯域フィルタには依然として、弾性表面波フィルタ装置を用いなければならなかった。よって、分波器を構成しているフィルタ素子チップの一部に、弾性境界波フィルタ装置を用いたとしても、低背化には限界があった。

本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、受信側帯域フィルタ及び送信側帯域フィルタが、それぞれ、異なる弾性波フィルタチップからなる分波器であって、より一層の小型化、特に低背化を進めることが可能な分波器及びその製造方法を提供することにある。

本発明によれば、受信側フィルタチップと送信側フィルタチップとを有する分波器であって、前記送信側フィルタチップが弾性波フィルタチップであり、前記受信側フィルタチップが弾性波フィルタチップであり、前記送信側フィルタチップが第１の圧電基板と、第１の圧電基板の上面に形成された少なくとも１つのＩＤＴと、弾性境界波を励振させるために少なくとも１つのＩＤＴを覆うように、または弾性表面波の振動を妨げないための空間を形成するために少なくとも１つのＩＤＴの上方に配置された第１の絶縁体層とを有し、前記受信側フィルタチップが、第２の圧電基板と、第２の圧電基板の上面に形成された少なくとも１つのＩＤＴと、少なくとも１つのＩＤＴを覆うように、または少なくとも１つのＩＤＴの上方に配置された第１の絶縁体層とを有し、前記送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップが、それぞれ、第１，第２の圧電基板の上面が上方に位置する向きに並べられており、前記送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップが、それぞれ、前記第１の絶縁体層上に設けられた第２の絶縁体層と、前記第２の絶縁体層の上面に設けられた少なくとも１層の第３の絶縁体層と、前記第３の絶縁体層の上面に設けられており、外部と電気的に接続するための外部端子と、前記外部端子に一端が接続されており、かつ前記第１，第２の絶縁体層内に至っており、他端が前記ＩＤＴに電気的に接続されている導電体とをさらに備え、前記導電体の内、前記第１，第２の絶縁体層内に位置している部分がメッキ膜主体の金属からなり、前記送信側フィルタチップの前記第２の絶縁体層及び／または第３の絶縁体層と、前記受信側フィルタチップの前記第２の絶縁体層及び／または第３の絶縁体層とが連ねられており、それによって、送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップが一体化されていることを特徴とする、分波器が提供される。

本発明に係る分波器では、好ましくは、前記送信側フィルタチップの前記第２の絶縁体層と前記受信側フィルタチップの前記第２の絶縁体層とが連ねられており、それによって、送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップが一体化されている。従って、第２の絶縁体層により送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップが一体化されているので、分波器の小型化を図ることが可能となる。

本発明の分波器では、好ましくは、前記第２の絶縁体層が、前記送信側フィルタチップ及び前記受信側フィルタチップの側面に至っており、かつ前記第２の絶縁体層の下面が、前記送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップを構成している前記第１，第２の圧電基板の下面と面一とされている。従って、製造に際して、送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップ並びに第２の絶縁体層を形成した後に、下面側から研磨することにより、このような構造を容易に得ることができる。しかも、送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップでは、弾性表面波及び／または弾性境界波を、第１，第２の圧電基板の上面近傍に集中して伝搬する。よって、上記研磨を行ったとしても、特性が劣化し難く、よって、所望の特性を有し、かつより薄い分波器を提供することができる。

本発明に係る分波器では、好ましくは、前記第２の絶縁体層と、前記第３の絶縁体層との間が積層されている部分の一部に、インダクタンス成分を構成するためのインダクタ導体が設けられている。それによって、内蔵されたインダクタ導体のインダクタンス成分を利用することにより、インダクタ部品を外付けした場合に比べて、特性のばらつきを小さくすることができる。

本発明に係る分波器では、好ましくは、前記受信側フィルタチップまたは前記送信側フィルタチップが、弾性表面波フィルタチップであり、該弾性表面波フィルタチップにおける前記第１の圧電基板または第２の圧電基板上に、前記少なくとも１個のＩＤＴが形成されている領域の周囲に設けられた支持層をさらに備え、振動を妨げないための空間が形成されるように前記第１の絶縁体層が前記支持層の上面に設けられている。従って、受信側フィルタチップにおいて、ＩＤＴを励振した際に、上記空間により、振動が妨げられない。

本発明に係る分波器では、好ましくは、前記受信側フィルタチップまたは前記送信側フィルタチップが弾性境界波フィルタチップであり、該弾性境界波フィルタチップにおける前記第２の圧電基板または第１の圧電基板において、少なくとも１つの前記ＩＤＴを覆うように前記第１の絶縁体層が形成されている。この場合には、受信側フィルタチップを小型化することができ、かつ受信側フィルタチップの耐衝撃性を高められる。

本発明に係る分波器では、メッキ膜を構成する材料は、金属メッキ膜を形成し得る限り特に限定されないが、ＣｕもしくはＮｉまたはこれらを主体とする合金の内の１種の金属からなる金属メッキ膜が用いられる。それによって、上記メッキ膜と、該メッキ膜が電気的に接続される導体部分との接合強度を高めることが可能となる。

本発明に係る分波器では、好ましくは前記第１，第２の圧電基板の下面を少なくとも覆う保護層がさらに備えられている。それによって、実装に際しての機械的な衝撃を緩和したり、保護層表面にレーザー等のマーキング層を形成したりすることが可能となる。

本発明に係る分波器では、好ましくは、前記保護層が、前記第２の絶縁体層の下面をも被覆している。その場合は、実装時の衝撃をより一層緩和でき、かつ下面側にレーザー等によりマーキングを容易に形成することが可能となる。

本発明に係る分波器の製造方法は、第１の圧電基板と、該第１の圧電基板の上面に形成された少なくとも１つのＩＤＴと、少なくとも１つのＩＤＴを覆うように、または少なくとも１つのＩＤＴの上方に配置された第１の絶縁体層を有する送信側フィルタチップと、第２の圧電基板と、第２の圧電基板の上面に形成された少なくとも１つのＩＤＴと、少なくとも１つのＩＤＴを覆うように、または少なくとも１つのＩＤＴの上方に配置された第１の絶縁体層とを有する受信側フィルタチップとを用意する工程と、キャリア基板を用意する工程と、前記キャリア基板上に、前記送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップを一対としたとき、複数対の送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップを、第１，第２の圧電基板の下面から当接させ、かつ複数対の送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップを格子状に配置する工程と、前記複数対の送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップの少なくとも上面を覆うように第２の絶縁体層を形成する工程と、前記第２の絶縁体層に複数の貫通孔を形成する工程と、前記複数の貫通孔内に金属を電解メッキにより形成し、金属メッキ膜を形成する工程と、前記第２の絶縁体層の上面に、メッキ膜を主体とした配線パターンを電解メッキにより形成する工程と、前記第２の絶縁体層の上面に、第３の絶縁体層を形成する工程と、前記第３の絶縁体層に複数の貫通孔を形成する工程と、前記第３の絶縁体層に設けられた複数の貫通孔に電解メッキによりメッキ膜を形成してビアホール導体を形成する工程と、前記第３の絶縁体層上に前記ビアホール導体に接続される外部端子を形成する工程と、前記分波器単位の各対の送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップに分割する工程とを備え、前記キャリア基板から各対の送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップを剥離する工程とを備え、前記第２及び／または第３の絶縁体層の形成に際し、送信側フィルタチップと受信側フィルタチップの第２の絶縁体層及び／または第３の絶縁体層が連ねられるように第２及び／または第３の絶縁体層を形成する。

本発明に係る分波器では、受信側フィルタチップと送信側フィルタチップとが別々のチップで構成されているので、送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップを構成する第１，第２の圧電基板として、それぞれの要求特性に応じた圧電基板を用いることができる。しかも、送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップにおいては、上方部分に第１〜第３の絶縁体層がそれぞれ設けられており、第３の絶縁体層の上面に設けられた外部端子と、送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップのＩＤＴとを電気的に接続している導電体の第１，第２の絶縁体層内に位置している部分が強固なメッキ膜からなる。メッキ膜の導電体は破断しにくいので径や高さを小さくできる。従って、送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップと外部端子との間の高さ方向寸法を小さくすることができ、分波器の小型、特に低背化を進めることが可能となる。

また、本発明の分波器の製造方法によれば、送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップを一対としたときに、キャリア基板上に複数対の送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップを格子状に配置した後、上記第２の絶縁体層を形成して、各対の送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップを一体化した後に、金属メッキ膜により第１，第２の絶縁体層内に位置している導電体部分を形成し、さらに、分波器単位の各対の送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップに分割する各工程を備えるので、本発明の分波器を容易にかつ効率良く製造することが可能となる。

図１（ａ）〜（ｇ）は、本発明の第１の実施形態の分波器の製造方法を説明するための各模式的正面断面図である。 図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態の製造方法の各工程を示す模式的正面断面図である。 図３（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態の製造方法の各工程を示す模式的正面断面図である。 図４（ａ），（ｂ）は、本発明の第１の実施形態の分波器の製造方法の各工程を示す模式的正面断面図である。 図５は、第１の実施形態で得られた分波器を示す正面断面図である。 図６は、第１の実施形態の変形例に係る分波器を説明するための模式的正面断面図である。 図７は、本発明の第２の実施形態で用意する送信側フィルタチップの模式的正面断面図である。 図８（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態の分波器の製造方法の各工程を示す模式的正面断面図である。 図９（ａ）は、第２の実施形態で得られた分波器を説明するための模式的正面断面図であり、（ｂ）は、その変形例を説明するための模式的正面断面図である。 図１０は、第２の実施形態において、第２の絶縁体層上にインダクタンス配線パターンを含む電極パターンを形成した状態を説明する模式的平面図である。 図１１は、従来のデュプレクサの一例を示す正面断面図である。 図１２は、従来の弾性表面波装置の一例を示す正面断面図である。

符号の説明

１…第１の圧電基板
２…ＩＤＴ
３…第２の圧電基板
４…ＩＤＴ
５，７…空隙形成用支持層
６…電極パッド
８…電極パッド
９…第１の絶縁体層
９ａ…開口部
１０…第１の絶縁体層
１０ａ…開口部
１１…送信側フィルタチップ
１２…受信側フィルタチップ
１３…キャリア基板
１４…第２の絶縁体層
１４ａ…開口部
１４ｂ…開口部
１５，１６…導電体
１７〜１９…電極
２０…第３の絶縁体層
２０ａ…開口部
２１…アンダーバンプメタル層
２２…半田ボール（外部端子）
３２…受信側フィルタチップ
３３…第２の圧電基板
３４…ＩＤＴ
３５…第１の絶縁体層
３６…電極パッド
３７…接続配線
４１…送信側フィルタチップ
４２，４３…インダクタンス形成用配線パターン
４４…受信側フィルタチップ
４５〜４７…インダクタンス形成用配線パターン
４８…第２の絶縁体層
４８ａ，４８ｂ…開口部
４９，５０…導電体
５１〜５３…インダクタンス形成用配線パターン
５４…第３の絶縁体層
５５…アンダーバンプメタル層

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

図１（ａ）〜（ｇ）〜図４を参照して、本発明の一実施形態の分波器の製造方法及び分波器の詳細を説明する。

まず、図１（ａ）に示すように、送信側フィルタチップを形成するために、第１の圧電基板１上に、ＩＤＴ２及び電極パッド６を含む電極パターンを形成する。圧電基板１としては、本実施形態では、ＬｉＴａＯ_３基板が用いられている。もっとも、圧電基板１は、他の圧電単結晶基板、あるいは圧電セラミックス基板により形成されてもよい。

他方、別途、図１（ｂ）に示すように、受信側フィルタチップを構成するために、第２の圧電基板３上に、ＩＤＴ４及び電極パッド８を含む電極パターンを形成する。第２の圧電基板３は、本実施形態では、ＬｉＮｂＯ_３基板からなる。もっとも、第２の圧電基板３は、他の圧電単結晶または圧電セラミックスにより形成されてもよい。

上記ＩＤＴ２，４を含む各電極パターンの形成は、フォトリソグラフィ法等の適宜の方法により行い得る。このＩＤＴ２，４を含む電極パターンを形成する金属材料については特に限定されず、Ａｌ、Ｃｕ、またはこれらを主体とする合金などの適宜の金属材料を用いることができる。また、各電極パターンは、複数の金属膜を積層した形態であってもよい。

次に、図１（ｃ）に示すように、空隙形成用支持層を、第１の圧電基板１の上面に形成する。この空隙形成用支持層５は、本実施形態では、感光性エポキシ樹脂を用い、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより形成されている。すなわち、感光性エポキシ樹脂組成物を塗布し、露光、現像・硬化することにより、パターニングする。それによって、上記空隙形成用支持層５が、ＩＤＴ２が形成されている弾性表面波励振部と、電極パッド６の少なくとも一部を露出するように設けられる。なお電極パッド６は、上記ＩＤＴ２と同時に形成される電極パターンの一部であり、ＩＤＴ２に電気的に接続されている。

本実施形態では、上記空隙形成用支持層５は、感光性エポキシ樹脂組成物を用いてフォトリソグラフィによりパターニングすることにより形成されていたが、他の樹脂材料を用いて形成されてもよい。

他方、図１（ｄ）に示すように、第２の圧電基板３の上面にも、同様にして、空隙形成用支持層７を形成する。ここでも、空隙形成用支持層７は、ＩＤＴ４を露出させ、かつＩＤＴ４に接続されている電極パッド８の少なくとも一部を露出させるようにパターニングされている。

必要に応じて、上記ＩＤＴ２，４を含む電極パターンの表面には、スパッタリング等により数十ｎｍの厚みの保護絶縁膜を形成してもよい。このような保護絶縁膜材料としては、ＳｉＯ_２、ＳｉＮまたはダイアモンドライクカーボンなどを挙げることができる。上記保護絶縁膜を形成する場合には、保護絶縁膜を形成した後に、ドライエッチングにより、電極パッド６，８の上面を開口しておくことが必要である。それによって、電極パッド６，８上に空隙形成用支持層５，７が形成された際に、電極パッド６，８の露出している部分を外部と電気的に接続することが可能とされる。

次に、図１（ｅ）に示すように、第１の絶縁体層９を形成する。第１の絶縁体層９は、本実施形態では、感光性エポキシ樹脂組成物シートを上記空隙形成用支持層５の上面に当接するようにロールラミネート法により積層し、露光、現像、硬化の各処理を行うことにより形成されている。そして、図１（ｅ）に示すように、第１の絶縁体層９は、上記電極パッド６の上面の少なくとも一部を露出するようにパターニングされる。言い換えれば、第１の絶縁体層９は、電極パッド６の少なくとも一部を露出させるように開口部９ａを有する。

なお、上記感光性エポキシ樹脂組成物からなるシートに代えて、他の感光性樹脂組成物シートを用いてもよい。また、パターニングを行い得る限り、上記のように、感光性樹脂組成物シートをロールラミネート法により積層し、露光、現像及び硬化処理を行う方法に限らず、様々なパターニング方法を用いて、第１の絶縁体層９を形成してもよい。

図１（ｆ）に示すように、第２の圧電基板３上においても、同様にして、第１の絶縁体層１０を形成する。第１の絶縁体層１０もまた開口部１０ａを有し、開口部１０ａにおいて、下方の電極パッド８が露出されている。

このようにして、図１（ｅ）に示す送信側フィルタチップ１１と、図１（ｆ）に示す受信側フィルタチップ１２とを用意する。なお、送信側フィルタチップ１１及び受信側フィルタチップ１２は、後述するように、さらに第２，第３の絶縁体層を形成されて完成されるが、ここでは、説明を容易とするために、第２，第３の絶縁体層形成前の構造も、同様に、送信側フィルタチップ１１及び受信側フィルタチップ１２と称することとする。

なお、図１（ａ）〜（ｆ）は、個々の送信側フィルタチップ１１及び受信側フィルタチップ１２の製造方法を示したが、実際には、第１，第２の圧電基板となる大面積の圧電ウェハ上において上記各工程を実施し、しかる後ダイシングにより多数の受信側フィルタチップ１２及び送信側フィルタチップ１１を形成すればよい。

次に、図１（ｇ）に示すように、送信側フィルタチップ１１と受信側フィルタチップ１２とを一対としたときに、複数対の送信側フィルタチップ１１及び受信側フィルタチップ１２を、キャリア基板１３上にマトリックス状に仮着する。

キャリア基板１３としては、ガラスエポキシ樹脂やエポキシ樹脂などの適宜の樹脂からなる基板、あるいはアルミナなどのセラミックスからなる基板を用いることができる。上記キャリア基板１３上に、仮着性接合剤層を形成した後に、上記送信側フィルタチップ１１及び受信側フィルタチップ１２を当接し、仮着する。この仮着性接合剤としては、特に限定されないが、本実施形態では、アルコール溶解性ワックス層を形成する。

なお、アルコール溶解性ワックス層に代えて、剥離性に優れた粘着剤層を形成してもよい。さらに、仮着性接合剤は、キャリア基板１３から無理なく最終的に剥離し得る限り、送信側フィルタチップ１１及び受信側フィルタチップ１２の下面に接着されて保護層を形成する材料であってもよい。その場合には、仮着性接合剤層により、上記保護層を形成することができる。

次に、図２（ａ）に示すように、送信側フィルタチップ１１及び受信側フィルタチップ１２の少なくとも上面を覆うように、第２の絶縁体層１４を形成する。第２の絶縁体層１４は、本実施形態では、キャリア基板１３の上面においてメタルマスクを用いて感光性エポキシ樹脂組成物を印刷することにより形成する。すなわち、送信側フィルタチップ１１と、受信側フィルタチップ１２とからなる一対のフィルタチップ構成を被覆するように第２の絶縁体層１４を形成する。ここでは、第２の絶縁体層１４は未だ感光されておらず、送信側フィルタチップ１１及び受信側フィルタチップ１２の上面だけでなく、側面をも覆うように形成されている。

もっとも、本発明においては、第２の絶縁体層１４は、送信側フィルタチップ１１及び受信側フィルタチップ１２の少なくとも上面を覆うように被覆されればよい。すなわち、送信側フィルタチップ１１及び受信側フィルタチップ１２を一体化するように形成されている必要は必ずしもない。また、第２の絶縁体層１４は、送信側フィルタチップ１１の側面及び受信側フィルタチップ１２の側面に至らずともよい。

また、送信側フィルタチップ１１の側面及び受信側フィルタチップ１２の側面を覆うように樹脂を形成した後上面に第２の絶縁層を形成してもよい。

もっとも、好ましくは、本実施形態のように第２の絶縁体層１４は、送信側フィルタチップ１１及び受信側フィルタチップ１２の上面だけでなく、全側面を覆うように形成され、それによって、耐湿性及び耐機械衝撃性を高めることができる。

次に、感光性エポキシ樹脂組成物からなる第２の絶縁体層１４を露光・現像し、図２（ｂ）に示す複数の開口部１４ａ，１４ｂを形成する。複数の開口部１４ａは、送信側フィルタチップ１１側に形成されており、複数の開口部１４ｂは、受信側フィルタチップ１２側に形成されている。

上記複数の開口部１４ａは、下方の開口９ａに重なり合うように形成されている。同様に、複数の開口部１４ｂは、下方に位置している第１の絶縁体層１０に設けられた開口部１０ａに重なり合うように形成されている。従って、開口部１４ａ，１４ｂには、下方の電極パッド６，８の上面の少なくとも一部が図示のように露出されている。

このようにして、第２の絶縁体層１４のパターニング及び硬化が行われる。

次に、第２の絶縁体層１４の上面の全面に、Ｃｕ膜及びＴｉ膜をスパッタリングにより成膜する。このＣｕ膜及びＴｉ膜の厚みは、Ｃｕ膜については０．３μｍ程度、Ｔｉ膜については０．０５μｍ程度とすればよい。

次に、上記Ｃｕ／Ｔｉ積層膜を給電膜として、電解メッキを行うことにより、上記開口部１４ａ，１４ｂに導電体１５，１６を充填する。すなわち、各開口部１４ａ内に、電極パッド６の上面に電気的に接続されるビアホール導電体１５が形成される。同様に、開口部１４ｂ内には、上記電極パッド８の上面に電気的に接続されるビアホール導電体１６が形成される。このビアフィリング電解メッキに際しての金属材料としては、Ｃｕが用いられ、それによって、Ｃｕメッキ膜、すなわち金属メッキ膜からなるビアホール導電体１５，１６が形成される。

なお、図２（ｃ）では、上記導電体１５，１６の形成に先立ち形成されたＣｕ／Ｔｉ膜の図示を省略していることを指摘しておく。

次に、図２（ｄ）に示すように、第２の絶縁体層１４上に、ビアホール導電体１５に接続される複数の外部端子１７と、ビアホール導電体１６に電気的に接続される外部端子１８と、ビアホール導電体１５，１６の双方に電気的に接続される外部端子１９とを形成する。この外部端子１７〜１９とともに、第２の絶縁体層１４上に図示されていない配線層も同一工程で形成する。このような外部端子１７〜１９及び配線層は、適宜の金属材料を成膜し、パターニングすることにより形成することができる。あるいは、適宜の金属材料をマスク等を用いて印刷することにより形成してもよい。本実施形態では、電極１７〜１９及び配線層が形成される部分が開口しているレジストパターンを形成した後に、蒸着法により金属膜を成膜し、しかる後、電解メッキにより、蒸着膜上に、Ｃｕ膜を蒸着することにより、上記電極１７〜１９及び配線層が形成される。

次に、上記レジストパターンを剥離することにより、図２（ｄ）に示す構造が得られる。

なお、上記配線層及び電極１７〜１９以外に、後述するインダクタ導体をこの工程において形成してもよい。

次に、エポキシ樹脂系ソルダーレジストを、上記第２の絶縁体層１４上に、上記電極１７〜１９及び配線層を被覆するように形成する。しかる後、レジストを開口する部分を遮光するように露光し、現像し、硬化することにより、図３（ａ）に示すように、開口部２０ａを有する第３の絶縁体層２０を形成する。第３の絶縁体層２０は、上記のように、エポキシ樹脂系ソルダーレジスト樹脂組成物を硬化することにより形成されている。もっとも、他のパターニング可能な感光性樹脂組成物により、第３の絶縁体層２０を形成してもよい。

上記開口部２０ａは、前述した外部端子１７〜１９の少なくとも一部を露出させるように設けられている。

しかる後、電解メッキにより、開口部２０ａに、金属膜を形成し、開口部２０ａを充填する。このようにして、図３（ｂ）に示すアンダーバンプメタル層２１が形成される。アンダーバンプメタル層２１は、上記開口部２０ａを充填するように形成されている。

上記アンダーバンプメタル層２１を構成する材料は特に限定されないが、本実施形態では、Ｎｉ層及びＡｕ層をこの順序で電解メッキすることにより形成されている。

しかる後、図３（ｃ）に示すように、半田ボール２２を、半田ペーストをメタルマスクを用いて印刷し、リフロー加熱及びフラックス洗浄することにより形成する。この半田ボール２２が、本実施形態の分波器を実装基板上に実装する際の最終的な外部端子を構成している。

次に、キャリア基板１３から上記送信側フィルタチップ１１及び受信側フィルタチップ１２からなる一対のフィルタチップを有する各分波器を剥離する。しかる後、下面側から、第１，第２の圧電基板１，３及び第２の絶縁体層１４の送信側フィルタチップ１１及び受信側フィルタチップ１２の側面に至っている部分の下端を研磨する。その結果、図４（ａ）に示すように、第１，第２の圧電基板１，２の下面と、第２の絶縁体層１４の下面とが面一とされる。この研磨により、第１，第２の圧電基板１，２の厚みを所望の厚みとすることができ、それによって、分波器の低背化をさらに進めることができる。

なお、第１，第２の圧電基板１，２の下面に弾性波を散乱する構造を設けてもよい。

しかる後、図４（ｂ）に示すように、耐衝撃性を高めるために、保護膜２３を分波器２４の下面に形成する。保護膜２３を構成する材料については、エポキシ樹脂系材料などの適宜の合成樹脂材料を用いることができる。また、上記保護膜の表面に、レーザーによるマーキング等を施して、製品種別を区別するためのマーキングを行ってもよい。

なお、上記保護膜２４については、前述したように、キャリア基板１３に送信側フィルタチップ１１及び受信側フィルタチップ１２を仮着するための仮着接合剤を兼ねるものであってもよい。

その場合には、キャリア基板１３から剥離した後に、光または熱を加えることにより硬化する光硬化性及び／または熱硬化性の樹脂組成物により仮着接合剤を形成し、最終的に硬化することにより保護膜２４とすればよい。

次に、第２の絶縁体層１４を個々の分波器単位に一点鎖線Ｂに沿ってダイシングすることにより、図５に示す個々の分波器２４を得ることができる。

上記のように、本実施形態の分波器２４では、弾性表面波フィルタ素子チップからなる送信側フィルタチップ１１及び受信側フィルタチップ１２の双方が、振動を妨げないための空隙Ｂ，Ｂを内部に有するが、ＩＤＴ２，４を外部と電気的に接続するための導電体が第１，第２の絶縁体層を貫通している金属メッキ膜からなるビアホール導電体を用いて形成されている。すなわち、第１，第２の絶縁体層を積層した構造中に、上記ビアホール導電体が配置されて、最終的な外部端子となる半田ボール２２に電気的に接続されているので、デュプレクサにおける内部電気的配線部分の厚みを薄くすることができ、デュプレクサの小型化、特に低背化を進めることができる。加えて、前述したように、第１，第２の圧電基板１，３をキャリア基板から剥離した後に研磨することにより、その厚みを薄くすることができるので、それによっても低背化を進めることができる。弾性表面波フィルタチップでは、弾性表面波を圧電基板の表面近傍にエネルギーを集中させて伝搬する。従って、圧電基板１，３の厚みはさほど厚くする必要はない。もっとも、製造に際してはある程度の厚みを有する圧電基板を用いなければ、取り扱いが難しく、圧電基板が破損するおそれがある。

これに対して、本実施形態では、キャリア基板１３に裏打ちさせた状態で組立工程を実施した後、第２の絶縁体層１４により一体化し、かえって強度を高めた段階で、キャリア基板１３が剥離され、上記研磨が行われる。従って、機械的強度が高められた状態で研磨を行うことにより、圧電基板１，３の厚みを薄くすることができ、それによって低背化をより一層進めることが可能とされている。

上記導電体の内、第１，第２の絶縁体層９，１０，１４を貫通して導電体部分、すなわち導電体１５，１６が、金属メッキ膜を用いて形成されているため、下方の電極パッド６，８や上方に形成される配線パターンとの接続強度が効果的に高められる。すなわち、電解メッキにより形成された金属メッキ膜では、給電している下地の金属、例えば電極パッド６などと、電極パッド６などの表面に析出するメッキ金属とが電荷交換を行いながら該メッキ金属膜が成長する。従って、金属メッキ膜では、内部の結晶構造と、電極パッド６などと接合される界面との差がほとんどなく、一体化しているため、界面における接合強度が高い。

また、ＡｕバンプやＡｌバンプは、超音波を併用した固相拡散接合により接合される。超音波を併用して、強制的に酸化膜を破り固相拡散接合をしているため、界面における結晶構造が破壊されがちであり、また接合に寄与するバンプ構成金属原子と電極パッド等の相互拡散領域が狭いため、接合強度すなわち界面における強度が十分にならないという問題がある。

これに対して、上記金属メッキ膜では、給電している電極パッドなどの下地金属及び該金属表面に析出する金属が電荷交換を行いながら成長するので、金属メッキ膜中の結晶構造と界面における結晶構造の差がほとんどなく一体化しているため、従って、接合強度が効果的に高められる。

上記金属メッキ膜を構成する金属は特に限定されず、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｌ等の任意の金属もしくは合金を用い得るが、好ましくは、硬質金属メッキ膜が用いられる。

しかも、硬質金属メッキ膜として用いられるＮｉや、Ｃｕは、低融点である半田に比べると硬く、従って、機械的強度も高い。加えて、Ｎｉ、Ｃｕなどは半田に比べて融点が高いため、後の工程において加えられる熱によっても軟化し難いので、耐熱性も高められる。

上記硬質金属メッキ膜とは、半田などに比べて硬く、ブリネル硬度２８ｋｇｆ／ｍｍ^２以上の硬さを有するものをいうものとする。このような金属メッキ膜を形成する金属としては、ＣｕまたはＮｉ、あるいはこれらを主体とする合金を挙げることができる。

ＳｎやＩｎを用いた低融点材料である半田は柔く、応力が加わると容易に破壊する。半田接合部の径や高さを大きくして応力を緩和する必要がある。従って、小型化や低背化が難しい。これに対して、上記硬質金属メッキ膜は、半田に比べて硬く、応力が加わったとしても、破壊され難い。従って、それによって、下方の電極パッド６や上方の配線パターンとの接合部分の破壊も生じ難い。

なお、上記実施形態では、分波器２４は、送信側フィルタチップ１２についても、弾性表面波フィルタ素子により形成されていたが、本発明においては、分波器の受信側帯域フィルタ及び送信側帯域フィルタの一方または双方が弾性境界波フィルタ素子チップにより構成されてもよい。図６は、このような変形例の分波器を示す模式的正面断面図である。本変形例の分波器３１では、送信側フィルタチップ１１は、上記実施形態の送信側フィルタチップ１１と同様に構成されている。異なるところは、受信側フィルタチップ３２が、弾性境界波フィルタ素子チップにより形成されていることにある。受信側フィルタチップ３２は、第２の圧電基板３３と第２の圧電基板３３の上面に形成されたＩＤＴ３４を含む電極パターンと、ＩＤＴ３４を覆うように形成された第１の絶縁体層３５とを有する。この第１の絶縁体層３５と圧電基板３３との界面を伝搬する弾性境界波が利用される。ここでは、弾性境界波を利用しているので、振動を妨げないための空隙を形成する必要はなく、低背化を進めることができる。
なお、送信側フィルタチップ１１も弾性境界波フィルタチップで形成されてもよい。その場合には、送信側フィルタチップの第１の絶縁体層は、第１の絶縁体層３５と同様にＩＤＴを覆うように形成される。よって、より一層の低背化を進めることができる。

なお、上記ＩＤＴ３４と同時に、電極パッド３６も形成されている。電極パッド３６は、第１の絶縁体層３５の上面に至る配線電極３７に接続されている。

本変形例では、上記絶縁体層３５が、弾性境界波装置の圧電体と絶縁体との界面を形成するための絶縁体と、ＩＤＴ３４の上部に配置された第１の絶縁体層とを兼ねている。そして、第２の絶縁体層１４は、上記第１の絶縁体層としての絶縁体層３５を覆うように形成され、かつ送信側フィルタチップ側に至っている。

よって、本実施形態では、第２の絶縁体層１４は、受信側フィルタチップにおいて、送信側フィルタチップよりもかなり厚く形成されることになる。

なお、第２の絶縁体層１４の形成に際しては、本変形例では、第２の絶縁体層１４を構成する材料と同じ材料を予め受信側フィルタチップ３２上に、送信側フィルタチップ１１の高さと同じ高さとなるように成膜した後に、第２の絶縁体層１４を、送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップにまたがるように成膜すればよい。

また、本実施形態では、上記接続配線３７の上面の少なくとも一部が露出され、導電体３８により、電極１９に電極パッド３６が接続配線３７を介して電気的に接続されている。

電極パッド３６は、電極パッド８（図１（ｄ））と同様に、ＩＤＴ３４に接続されている。

本変形例のデュプレクサ３１においても、上記実施形態のデュプレクサ２４と同様に、小型化及び低背化を進めることが可能となる。また、保護膜２３の形成に先立ち本変形例においても、第１の圧電基板１及び第２の圧電基板３３の下面を研磨することにより、低背化をより一層進めることができる。また、本変形例でも、上記研磨を行っているので、第１の圧電基板１の下面、第２の圧電基板３３の下面及び第２の絶縁体層１４の下面が面一とされている。

上記弾性境界波フィルタ素子チップで受信側フィルタチップを形成する場合、上記第１の絶縁体層３５を構成する絶縁材料については特に限定されないが、本変形例では、ＳｉＯ_２膜を成膜し、パターニングすることにより形成されている。

次に、図７〜図１０を参照して本発明の第２の実施形態の製造方法を説明する。

図７は、第２の実施形態で用意される送信側フィルタチップを模式的に示す正面断面図である。第２の実施形態では、用意される送信側フィルタチップ４１は、第１の絶縁体層９上に形成されたインダクタンス形成用配線パターン４２，４３を有する。すなわち、第１の圧電基板１上にＩＤＴ電極２及び電極パッド６を含む電極パターンを形成した後に、支持層７が形成される。しかる後、支持層７に貫通孔を形成した後、第１の絶縁体層９が形成される。そして、第１の絶縁体層９に、支持層に設けられた貫通孔に連なる開口部が形成される。この開口部に、金属メッキ膜を形成することにより、導電体１５Ａが形成されている。導電体１５Ａは、下端において電極パッド６に電気的に接続されており、第１の絶縁体層９の上面に至っている。

次に、送信側フィルタチップ側において、上記インダクタンス形成用配線パターン４２，４３が形成される。

受信側フィルタチップにおいても、同様に、導電体１６Ａ及びインダクタンス形成用配線パターン４５〜４７が、図８（ａ）に示すように形成される。

図８（ａ）に示すように、インダクタンス形成用配線パターン４２，４３が形成された送信側フィルタチップ４１はキャリア基板１３上に仮着される。同様に、受信側フィルタチップ４４においても、インダクタンス形成用配線パターン４５〜４７が形成されている。インダクタンス形成用配線パターン４２，４３，４５〜４７は、例えばＣｕ、Ａｌ、Ｎｉまたはこれらの合金等の適宜の金属をコイル状にパターニングすることにより形成される。もっとも、求められるインダクタンス分の大きさによっては、コイル状以外のパターン形状であってもよい。このような形状としては、ミアンダ状、直線状等の適宜の形状を採用することができる。

インダクタンス形成用配線パターン４２，４３は、電極パッド６に電気的に接続されており、すなわちＩＤＴ２に電気的に接続されている。同様に、インダクタンス形成用配線パターン４５〜４７は、電極パッド８及びＩＤＴ４に電気的に接続されている。

次に、図８（ｂ）に示すように、第１の実施形態と同様にして、第２の絶縁体層４８を形成する。第２の絶縁体層４８は、第１の実施形態の第２の絶縁体層１４と同様にして形成することができる。ただし、開口部４８ａは、上記インダクタンス配線パターン４２，４３，４５〜４７を露出させるように形成されている。

次に、図８（ｃ）に示すように、開口部内に、電解メッキにより、メッキ膜を形成し、それによってビアホール導電体４９，５０を形成する。しかる後、図８（ｃ）に示すインダクタンス形成用配線パターン５１〜５３を形成する。インダクタンス形成用配線パターン５１〜５３は、上記ビアホール導電体４９，５０に電気的に接続されるように形成されており、かつ下方に位置されているインダクタンス形成用配線パターン４２，４３またはインダクタンス形成用配線パターン４５〜４７とともに、インダクタンス導体を形成する。

図１０は、図８（ｃ）に示すインダクタンス配線用パターン４９，５０を含む第２の絶縁体層４８上の配線パターンを模式的に示す平面図である。なお、図１０の破線Ｃ，Ｄは、下方の送信側フィルタチップ４１及び受信側フィルタチップ４４が位置する部分を模式的に示す。

次に、上記第２の絶縁体層４８上に、図９（ａ）に示すように、第３の絶縁体層５４を形成し、第３の絶縁体層５４の開口部に、アンダーバンプメタル層を形成する。しかる後、第１の実施形態と同様に半田ボール２２を形成する。以後の工程は、第１の実施形態と同様であり、それによって、本実施形態においても小型、特に低背化が進められた分波器を得ることができる。

第２の実施形態では、上記外部端子としての半田ボール２２が、電極パッド６または電極パッド８に対し、導電体１５Ａ−インダクタンス形成用配線パターン４２−導電体４９−インダクタンス形成用配線パターン５１−アンダーバンプメタル層５５からなる導電体を介して電気的に接続されている。この場合、上記導電体１５Ａ、インダクタンス形成用配線パターン４２及び導電体４９が、第１，第２の絶縁体層９，４８内に位置している導電体部分となる。同様に、受信側フィルタチップ４４においても、導電体１６Ａ、インダクタンス形成用配線パターン４７、導電体５０が、第１，第２の絶縁体層１０，４８内に位置している導電体部分となる。

なお、上記第２の実施形態では、送信側フィルタチップ４１及び受信側フィルタチップ４４の双方において、インダクタンスが内蔵されていたが、図９（ｂ）に示すように、送信側フィルタチップ４１側においてのみ上記と同様にしてインダクタンス形成用配線パターンを形成し、受信側フィルタチップ６１においては、第１の実施形態と同様に、インダクタンスを構成しない構造としてもよい。

すなわち、受信側フィルタチップ及び送信側フィルタチップの内、一方にのみインダクタ導体を内蔵させてもよい。

なお、第１の実施形態及び第２の実施形態並びに上記変形例では、送信側フィルタチップを構成している第１の圧電基板１と受信側フィルタチップに用いられている第２の圧電基板３は、異なる圧電単結晶で形成されていたが、同じ圧電単結晶であって異なるカット角の圧電単結晶により、第１，第２の圧電基板が形成されてもよい。

Claims (10)

1. 受信側フィルタチップと送信側フィルタチップとを有する分波器であって、
   前記送信側フィルタチップが弾性波フィルタチップであり、前記受信側フィルタチップが弾性波フィルタチップであり、
   前記送信側フィルタチップが第１の圧電基板と、第１の圧電基板の上面に形成された少なくとも１つのＩＤＴと、弾性境界波を励振させるために少なくとも１つのＩＤＴを覆うように、または弾性表面波の振動を妨げないための空間を形成するために少なくとも１つのＩＤＴの上方に配置された第１の絶縁体層とを有し、
   前記受信側フィルタチップが、第２の圧電基板と、第２の圧電基板の上面に形成された少なくとも１つのＩＤＴと、少なくとも１つのＩＤＴを覆うように、または少なくとも１つのＩＤＴの上方に配置された第１の絶縁体層とを有し、
   前記送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップが、それぞれ、第１，第２の圧電基板の上面が上方に位置する向きに並べられており、
   前記送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップが、それぞれ、前記第１の絶縁体層上に設けられた第２の絶縁体層と、
   前記第２の絶縁体層の上面に設けられた少なくとも１層の第３の絶縁体層と、
   前記第３の絶縁体層の上面に設けられており、外部と電気的に接続するための外部端子と、
   前記外部端子に一端が接続されており、かつ前記第１，第２の絶縁体層内に至っており、他端が前記ＩＤＴに電気的に接続されている導電体とをさらに備え、
   前記導電体の内、前記第１，第２の絶縁体層内に位置している部分がメッキ膜を主体とした金属からなり、前記送信側フィルタチップの前記第２の絶縁体層及び／または第３の絶縁体層と、前記受信側フィルタチップの前記第２の絶縁体層及び／または第３の絶縁体層とが連ねられており、それによって、送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップが一体化されていることを特徴とする、分波器。
2. 前記送信側フィルタチップの前記第２の絶縁体層と前記受信側フィルタチップの前記第２の絶縁体層とが連ねられており、それによって、送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップが一体化されている、請求項１に記載の分波器。
3. 前記第２の絶縁体層が、前記送信側フィルタチップ及び前記受信側フィルタチップの側面に至っており、かつ前記第２の絶縁体層の下面が、前記送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップを構成している前記第１，第２の圧電基板の下面と面一とされている、請求項１または２に記載の分波器。
4. 前記第２の絶縁体層と、前記第３の絶縁体層とが積層されている部分の一部に、インダクタンス成分を構成するためのインダクタ導体が設けられている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の分波器。
5. 前記受信側フィルタチップまたは前記送信側フィルタチップが、弾性表面波フィルタチップであり、該弾性表面波フィルタチップにおける前記第１の圧電基板または第２の圧電基板上に、前記少なくとも１個のＩＤＴが形成されている領域の周囲に設けられた支持層をさらに備え、振動を妨げないための空間が形成されるように前記第１の絶縁体層が前記支持層の上面に設けられている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の分波器。
6. 前記受信側フィルタチップまたは前記送信側フィルタチップが弾性境界波フィルタチップであり、該弾性境界波フィルタチップにおける前記第２の圧電基板または第１の圧電基板において、少なくとも１つの前記ＩＤＴを覆うように前記第１の絶縁体層が形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の分波器。
7. 前記メッキ膜が、ＣｕもしくはＮｉまたはこれらを主体とする合金からなる群から選択された１種の金属のメッキ膜からなる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の分波器。
8. 前記第１，第２の圧電基板の下面を少なくとも覆う保護層をさらに備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載の分波器。
9. 前記保護層が、前記第２の絶縁体層の下面をも被覆している、請求項８に記載の分波器。
10. 第１の圧電基板と、該第１の圧電基板の上面に形成された少なくとも１つのＩＤＴと、少なくとも１つのＩＤＴを覆うように、または少なくとも１つのＩＤＴを上方に配置された第１の絶縁体層を有する送信側フィルタチップと、第２の圧電基板と、第２の圧電基板の上面に形成された少なくとも１つのＩＤＴと、少なくとも１つのＩＤＴを覆うように、または少なくとも１つのＩＤＴの上方に配置された第１の絶縁体層とを有する受信側フィルタチップとを用意する工程と、
    キャリア基板を用意する工程と、
    前記キャリア基板上に、前記送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップを一対としたとき、複数対の送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップを、第１，第２の圧電基板の下面から当接させ、かつ複数対の送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップを格子状に配置する工程と、
    前記複数対の送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップの少なくとも上面を覆うように第２の絶縁体層を形成する工程と、
    前記第２の絶縁体層に複数の貫通孔を形成する工程と、
    前記複数の貫通孔内にメッキ膜を主体とした金属を電解メッキにより形成する工程と、
    前記第２の絶縁体層の上面に、メッキ膜を主体とした配線パターンを電解メッキにより形成する工程と、
    前記第２の絶縁体層の上面に、第３の絶縁体層を形成する工程と、
    前記第３の絶縁体層に複数の貫通孔を形成する工程と、
    前記第３の絶縁体層に設けられた複数の貫通孔に電解メッキによりメッキ膜を形成してビアホール導体を形成する工程と、
    前記第３の絶縁体層上に前記ビアホール導体に接続される外部端子を形成する工程と、
    前記分波器単位の各対の送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップに分割する工程とを備え、
    前記キャリア基板から各対の送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップを剥離する工程とを備え、前記第２及び／または第３の絶縁体層の形成に際し、送信側フィルタチップと受信側フィルタチップの第２の絶縁体層及び／または第３の絶縁体層が連ねられるように第２及び／または第３の絶縁体層を形成する、分波器の製造方法。

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