JP2012182604A - 弾性波フィルタ部品 - Google Patents

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Abstract

【課題】弾性波フィルタ部品の歩留まりを向上させること。
【解決手段】本発明の弾性波フィルタ部品１は、第１の圧電基板３の厚みが第２の圧電基板５の厚みよりも厚い場合に、弾性波フィルタ部品１内において、第１の圧電基板３の上面を含む平面と第２の圧電基板５の上面を含む平面との距離は、第１の圧電基板３の下面を含む平面と第２の圧電基板５の下面を含む平面との距離よりも小さい構成とした。これにより、第１の柱状配線電極７の高さと第２の柱状配線電極９の高さとの差を小さくすることができる。その結果、弾性波フィルタ部品１の製造工程を簡易化することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、弾性波フィルタ部品に関するものである。
以下、従来の弾性波フィルタ部品について図１５を用いて説明する。図１５は、従来の弾性波フィルタ部品の断面模式図である。
図１５において、従来の弾性波フィルタ部品１０１は、上面に第１のＩＤＴ電極１０２が設けられた第１の圧電基板１０３と、第１の圧電基板１０３の側面に側面が対向するように配置されると共に、上面に第２のＩＤＴ電極１０４が設けられた第２の圧電基板１０５と、少なくとも第１の圧電基板１０３の下面と第２の圧電基板１０５の下面とを覆うように形成された封止部材１０６とを備えている。さらに、従来の弾性波フィルタ部品１０１は、第１の圧電基板１０３の上に形成されると共に第１のＩＤＴ電極１０２に電気的に接続された第１の柱状配線電極１０７と、第１の柱状配線電極１０７に電気的に接続された第１の外部接続用端子１０８と、第２の圧電基板１０５の上に形成されると共に第２のＩＤＴ電極１０４に電気的に接続された第２の柱状配線電極１０９と、第２の柱状配線電極１０９に電気的に接続された第２の外部接続用端子１１０とを備える。
このような構成にすることにより、封止部材１０６により第１の圧電基板１０３と第２の圧電基板１０５が一体化されているので、弾性波フィルタ部品１０１の小型化を図ることが可能となる。
尚、この出願に関する先行文献として、例えば特許文献１が知られている。
国際公開第２００８／１０５２０９号
上記従来の弾性波フィルタ部品１０１において、第１の圧電基板１０３の下面と第２の圧電基板１０５の下面とが面一になるように、これら圧電基板１０３、１０５が１パッケージ化されていた。このため、第１の圧電基板１０３の厚みが第２の圧電基板１０５の厚みよりも厚い場合に、第１の圧電基板１０３の上面を含む平面と第２の圧電基板１０５の上面を含む平面との距離、即ち、第１の圧電基板１０３の上面と第２の圧電基板１０５の上面の段差ｄが大きくなった。このため、弾性波フィルタ部品１０１のマザー基板（図示せず）への実装性を向上すべく第１の外部接続用端子１０８と第２の外部接続用端子１１０の形成面を第１、第２の圧電基板１０３、１０５の上面の段差ｄより平坦化した場合に、第１の柱状配線電極１０７の高さａと第２の柱状配線電極１０９の高さｂとの差が大きくなることにより、弾性波フィルタ部品１０１の製造工程が煩雑化するという問題があった。
そこで、本発明は、弾性波フィルタ部品の製造工程を簡易化することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の弾性波フィルタ部品は、第１の圧電基板の厚みが第２の圧電基板の厚みよりも厚い場合に、弾性波フィルタ部品内において、第１の圧電基板の上面を含む平面と第２の圧電基板の上面を含む平面との距離は、第１の圧電基板の下面を含む平面と第２の圧電基板の下面を含む平面との距離よりも小さい構成とした。
上記構成により、第１の圧電基板の厚みと第２の圧電基板の厚みとが異なる弾性波フィルタ部品において、弾性波フィルタ部品のマザー基板への実装性を向上すべく第１の外部接続用端子と第２の外部接続用端子の形成面を第１、第２の圧電基板の厚みの差より平坦化した場合にも、第１の柱状配線電極の高さと第２の柱状配線電極の高さとの差を小さくすることができる。その結果、弾性波フィルタ部品の製造工程を簡易化することができる。
本発明の実施の形態１における弾性波フィルタ部品の断面模式図 同弾性波フィルタ部品の製造工程を示す図 同弾性波フィルタ部品の製造工程を示す図 同弾性波フィルタ部品の製造工程を示す図 同弾性波フィルタ部品の製造工程を示す図 同弾性波フィルタ部品の製造工程を示す図 同弾性波フィルタ部品の製造工程を示す図 同弾性波フィルタ部品の製造工程を示す図 同弾性波フィルタ部品の製造工程を示す図 同弾性波フィルタ部品の製造工程を示す図 同弾性波フィルタ部品の製造工程を示す図 同弾性波フィルタ部品の製造工程を示す図 同弾性波フィルタ部品の製造工程を示す図 同弾性波フィルタ部品の製造工程を示す図 従来の弾性波フィルタ部品の断面模式図
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１における弾性波フィルタ部品について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施の形態１における弾性波フィルタ部品１の断面模式図である。
弾性波フィルタ部品１は、第１の機能基板と第２の機能基板とを備え、これら第１、第２の機能基板は、互いに側面が所定の間隔を隔てて対向するように並設される。
以下、弾性波フィルタ部品１について、第１の機能基板を弾性表面波基板である第１の圧電基板３として説明し、第２の機能基板を弾性境界波基板である第２の圧電基板５として説明する。さらにまた、弾性波フィルタ部品１は、例えば、ＣＤＭＡ標準規格のＢａｎｄ１用のアンテナ共用器であり、第１の圧電基板３を用いて２０２１ＭＨｚ〜２０８０ＭＨｚの第１の周波数帯域の信号を通過させる送信フィルタである第１のフィルタを構成し、第２の圧電基板５を用いて２２１０ＭＨｚ〜２２７０ＭＨｚの第２の周波数帯域の信号を通過させる受信フィルタである第２のフィルタを構成している。なお、これら第１の圧電基板３の材料と第２の圧電基板５の材料は異なっていても良いし、同一でも良い。
弾性波フィルタ部品１は、上面に第１の機能回路である第１のＩＤＴ電極２が設けられた第１の圧電基板３と、第１の圧電基板３の側面に側面が対向するように配置されると共に、上面に第２の機能回路である第２のＩＤＴ電極４が設けられた第２の圧電基板５と、少なくとも第１の圧電基板３の下面と第２の圧電基板５の下面とを覆うように形成された封止部材６とを備えている。さらに、弾性波フィルタ部品１は、第１の圧電基板３の上に形成されると共に第１のＩＤＴ電極２に電気的に接続された第１の柱状配線電極７と、第１の柱状配線電極７に電気的に接続された第１の外部接続用端子８と、第２の圧電基板５の上に形成されると共に第２のＩＤＴ電極４に電気的に接続された第２の柱状配線電極９と、第２の柱状配線電極９に電気的に接続された第２の外部接続用端子１０とを備える。さらにまた、弾性波フィルタ部品１は、封止部材６と第１、第２の外部接続用端子８、１０との間に配置された誘電体層１７を備え、第１、第２の柱状配線電極７、９と第１、第２の外部接続用端子８、１０とは、誘電体層１７を貫通する接続電極１８を介して電気的に接続される。尚、弾性波フィルタ部品１は、第１、第２の外部接続用端子８、１０の上に設けられた外部接続用バンプ２０を備えていても良いし、外部接続用バンプ２０を備えていなくとも良い。
このような構成にすることにより、封止部材６により第１の圧電基板３と第２の圧電基板５が一体化されているので、弾性波フィルタ部品１の小型化を図ることが可能となる。
また、弾性波フィルタ部品１内において、第１の圧電基板３の厚みが第２の圧電基板５の厚みよりも厚い。このように、通過帯域周波数の相対的に低いほうの第１のフィルタを構成する第１の圧電基板３の厚みを第２の圧電基板５の厚みより厚くすることにより、各々のフィルタ特性を向上させることができる。
ここで、第１の圧電基板３の上面を含む平面と第２の圧電基板５の上面を含む平面との距離ｄは、第１の圧電基板３の下面を含む平面と第２の圧電基板５の下面を含む平面との距離ｃよりも小さい。
この構成により、第１の圧電基板３の厚みと第２の圧電基板５の厚みとが異なる弾性波フィルタ部品１において、弾性波フィルタ部品１のマザー基板への実装性を向上すべく第１の外部接続用端子８と第２の外部接続用端子１０の形成面を第１、第２の圧電基板３、５の厚みの差ｃより平坦化した場合にも、第１の柱状配線電極７の高さａと第２の柱状配線電極９の高さｂとの差を第１の圧電基板３の下面を含む平面と第２の圧電基板５の下面を含む平面の距離ｃより小さくすることができる。その結果、弾性波フィルタ部品１の製造工程を簡易化することができる。
また、弾性波フィルタ部品１内において、第１の圧電基板３の下方における封止部材６の下面を含む平面と第２の圧電基板５の下方における封止部材６の下面を含む平面との距離は、第１の圧電基板３の下面を含む平面と第２の圧電基板５の下面を含む平面との距離よりも小さいことが望ましい。これにより、弾性波フィルタ部品１の下面からの弾性波フィルタ部品１の取り扱いが容易となる。
言い換えると、第１の圧電基板３の下方における封止部材６の下面と第１の圧電基板３の下面との距離は、第２の圧電基板５の下方における封止部材６の下面と第２の圧電基板５の下面との距離より小さいことが望ましい。これにより、弾性波フィルタ部品１の下面からの弾性波フィルタ部品１の取り扱いが容易となる。
本実施の形態１の弾性波フィルタ部品１の各構成について以下詳述する。
第１の圧電基板３は、例えば弾性表面波素子であり、その上面において、第１のＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極２と、この第１のＩＤＴ電極２に電気的に接続された内部電極１１と、第１のＩＤＴ電極２を囲むように設けられた側壁１２と、第１のＩＤＴ電極２の上方に空間１４を設けるように側壁１２の上に設けられた蓋体１３とが設けられている。
第１の圧電基板３は、板厚２１０〜３５０μｍ程度の単結晶圧電体からなり、例えば、水晶、タンタル酸リチウム系、ニオブ酸リチウム系、又はニオブ酸カリウム系の基板である。
第１のＩＤＴ電極２は、膜厚０．１〜０．５μｍ程度の櫛形電極であり、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、若しくはモリブデンからなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成である。
内部電極１１は、第１のＩＤＴ電極２と第１の外部接続用端子８とを電気的に接続する導体であり、例えば、アルミニウム、銅、銀からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成である。
側壁１２は、第１のＩＤＴ電極２の周囲の少なくとも一部を囲む高さが５〜１５μｍ程度の絶縁体で、所定の形状に加工することが容易なことから樹脂を用いている。特に、側壁１２として感光性樹脂を用いることで圧電基板上に複数個の弾性波フィルタ部品を作るための側壁１２を精度良く所望の形状に形成することが可能である。感光性樹脂としては、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂、感光性アクリレート樹脂等、感光性を有する樹脂材料であれば様々な材料を用いることが可能である。感光性ポリイミド樹脂はガラス転移点が高く、高温環境下での信頼性が高いため、側壁１２として特に好ましい。
蓋体１３は、接着層（図示せず）を介して側壁１２の上部に接着されることにより保持された厚みが１〜１０μｍ程度の天板であり、第１の圧電基板３および側壁１２とともに第１のＩＤＴ電極２を収容している。この蓋体１３には、金属を用いると機械的強度に優れ、かつ導電性を有することにより蓋体１３の電位を制御することが可能となる点で好ましく、さらに銅を用いると単結晶の第１の圧電基板３と線膨張係数が略等しい点でより好ましい。また、蓋体１３として、例えば、感光性樹脂組成物シートを用いてもよい。尚、図示していない上記接着層は、厚みが１〜１０μｍ程度の接着剤で、例えば、エポキシ系、ポリフェニレン系、若しくはブタジエン系の樹脂、またはこれらの混合樹脂からなる。
空間１４は、第１の圧電基板３、側壁１２および蓋体１３によって囲まれた領域である。この空間１４は気密性を有するものであり、その内部に第１のＩＤＴ電極２が収容されている。この空間１４内は通常気圧の空気であっても構わないが、減圧密封されていると第１のＩＤＴ電極２の腐食を防止できるので、なお好ましい。
第１の柱状配線電極７は、内部電極１１上にスパッタ膜（図示せず）を介して電解メッキ処理により形成された電極であり、その材料として、例えば、銅、金、銀、白金、ニッケルからなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金や積層体が考えられるが、銅を用いると機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を第１の圧電基板３と整合することができるため好ましい。この第１の柱状配線電極７は、側壁１２および蓋体１３を貫通していても良いし、側壁１２および蓋体１３の外側（空間１４と反対側）に形成される事で側壁１２および蓋体１３を貫通していなくとも良い。尚、上記スパッタ膜は、内部電極１１上であって側壁１２の外側面に形成された金属薄膜であり、その材質としては、チタン、銅、ニッケル、クロム、若しくはマグネシウムからなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金など、内部電極１１よりもメッキ液溶解性の低い材質からなる。特にチタンは密着性が高いのでスパッタ膜として好ましく、スパッタ膜をチタンの上部に銅を形成する２層構造にすると、第１の柱状配線電極７が形成しやすく好ましい。
第２の圧電基板５は、例えば弾性境界波素子であり、その上面において、第２のＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極４と、この第２のＩＤＴ電極４に電気的に接続された内部電極１５と、第２の圧電基板５の上に第２のＩＤＴ電極４を覆うように設けられた無機絶縁膜１６とが設けられている。
第２の圧電基板５は、板厚５０〜３００μｍ程度の単結晶圧電体からなり、例えば、水晶、タンタル酸リチウム系、ニオブ酸リチウム系、又はニオブ酸カリウム系の基板である。
第２のＩＤＴ電極４は、膜厚０．１〜０．５μｍ程度の櫛形電極であり、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、チタン、タングステン、白金、クロム、若しくはモリブデンからなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成である。
内部電極１５は、第２のＩＤＴ電極４と第２の外部接続用端子１０とを電気的に接続する導体であり、例えば、アルミニウム、銅、銀からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金又はそれらの金属が積層された構成である。
無機絶縁膜１６は、例えば、厚み（第２の圧電基板５の上面から無機絶縁膜１６の上面の距離）１μｍ〜１０μｍ程度の酸化ケイ素（ＳｉＯ2）からなるが、第２の圧電基板５とは逆の周波数温度特性を有する媒質であれば構わない。また、無機絶縁膜１６は、第２の圧電基板５側から順に酸化ケイ素と他の無機絶縁膜（例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ））の積層構造であってもよい。これにより、第２のフィルタの周波数温度特性を向上することができる。尚、この酸化ケイ素は、第２の圧電基板５を伝搬する横波の速度よりも遅い速度の横波が伝搬する媒質である。
第２の柱状配線電極９は、内部電極１５上にスパッタ膜（図示せず）を介して電解メッキ処理により形成された電極であり、その材料として、例えば、銅、金、銀、白金、ニッケルからなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金や積層体が考えられるが、銅を用いると機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を第２の圧電基板５と整合することができるため好ましい。この第２の柱状配線電極９は、無機絶縁膜１６を貫通していても良いし、無機絶縁膜１６の外側に形成される事で無機絶縁膜１６を貫通していなくとも良い。
封止部材６は、主に、第１の圧電基板３の下面と側面、側壁１２の外側側面（空間１４と反対側の側面）、第２の圧電基板５の下面と側面、および無機絶縁膜１６の側面と上面を覆うように形成されている。この封止部材６は、第１、第２の圧電基板３、５の下面全体を覆うことにより機械的衝撃等から第１、第２のＩＤＴ電極２、４等を保護する機能を有している。この封止部材６の材質としては、熱硬化性樹脂を用いると取り扱い性に優れる点で好ましく、エポキシ樹脂を用いると耐熱性および気密性の点で特に好ましく、さらにエポキシ樹脂中にフィラーを含有させることで線膨張係数や熱伝導率を調整することができ、なお好ましい。フィラーとしては、アルミナ、二酸化珪素、窒化硼素、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム等を用いることができる。なお、これらの材料に限らず様々な無機系材料やニッケル等の金属系材料の使用が可能である。
誘電体層１７は、封止部材６の上に設けられているが、無機絶縁膜１６又は蓋体１３の上に直接設けられていても良い。この誘電体層１７の材質としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリレート樹脂等、の様々な樹脂材料を用いることが可能であるが、ポリイミド樹脂はガラス転移点が高く、高温環境下での信頼性が高いため、誘電体層１７として特に好ましい。また、誘電体層１７の材質は感光性を有していることが好ましく、感光性を有することにより部分的に形成することが容易となる。さらに、誘電体層１７の材質中にフィラーを含有させてもよく、それにより線膨張係数を調整することができる。フィラーとしては、アルミナ、二酸化珪素、窒化、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム等の無機材料やニッケル等の金属系材料の使用が可能である。
接続電極１８は、第１、第２の柱状配線電極７、９上にスパッタ膜（図示せず）を介して電解メッキ処理により形成された電極であり、その材料として、例えば、銅、金、銀、白金、ニッケルからなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金や積層体が考えられるが、銅を用いると機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を第２の圧電基板５と整合することができるため好ましい。
第１、第２の外部接続用端子８、１０の材料として、例えば、銅、金、銀、白金、ニッケル、錫からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金や積層体が考えられるが、銅を用いると機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を第２の圧電基板５と整合することができるため好ましい。
上層保護膜１９は、誘電体層１７および外部接続用端子８、１０上に形成され、外部接続用端子８、１０が基板実装される部分（図示せず）が露出されている。この上層保護膜１９の材質としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリレート樹脂等、の様々な樹脂材料を用いることが可能であるが、ポリイミド樹脂はガラス転移点が高く、高温環境下での信頼性が高いため、上層保護膜１９として特に好ましい。また、上層保護膜１９の材質は感光性を有していることが好ましく、感光性を有することにより部分的に形成することが容易となる。さらに、上層保護膜１９の材質中にフィラーを含有させてもよく、それにより線膨張係数を調整することができる。フィラーとしては、アルミナ、二酸化珪素、窒化、窒化アルミニウム、酸化マグネシウム等の無機材料やニッケル等の金属系材料の使用が可能である。
第１、第２の外部接続用端子８、１０の材料として、例えば、銅、金、銀、白金、ニッケル、錫からなる単体金属、又はこれらを主成分とする合金や積層体が考えられるが、銅を用いると機械的強度に優れ、かつ線膨張係数を第２の圧電基板５と整合することができるため好ましい。
以上のように構成された実施の形態１における弾性波フィルタ部品１の製造方法について、以下に説明する。
まず、図２に示すように、送信フィルタである第１のフィルタを形成するために、第１の圧電基板３の表面に、レジストを用いたフォトリソグラフィ技術にて、第１のＩＤＴ電極２をスパッタ形成すると共に、内部電極１１を蒸着形成する。
また、図３に示すように、受信フィルタである第２のフィルタを構成するために、ニオブ酸リチウムからなる第２の圧電基板５表面に、レジストを用いたフォトリソグラフィ技術にて、第２のＩＤＴ電極４をスパッタ形成すると共に、内部電極１５を蒸着形成する。
次に、図４に示すように、側壁１２を、第１の圧電基板３の上面に形成する。この側壁１２は、実施の形態１では、感光性ポリイミド樹脂を用い、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより形成されている。すなわち、感光性ポリイミド樹脂組成物を塗布し、露光、現像・硬化することにより、パターニングする。それによって、側壁１２が、第１のＩＤＴ電極２が形成されている弾性表面波励振部と、内部電極１１の少なくとも一部を露出するように設けられる。内部電極１１の一部を露出するのは、第１の柱状配線電極７を内部電極１１の上面に設けるためである。
次に、図５に示すように、蓋体１３となる金属箔を、接着剤（図示せず）を介して側壁１２の上面に貼り合わせ、その上からレジスト（図示せず）を用いてフォトリソグラフィ技術により金属箔を所定のパターン形状にエッチングし、レジストを除去する。このとき、蓋体１３は、内部電極１１の少なくとも一部を露出させるように開口部２１を有する。
他方、図６に示すように、第２の圧電基板５の上面に、無機絶縁膜１６をスパッタリング、若しくは蒸着等により形成する。尚、この無機絶縁膜１６の形成後に、ドライエッチングにより、無機絶縁膜１６における内部電極１５の上方に開口部２２を設ける。これは、後ほど第２の柱状配線電極９を内部電極１５の上面に設けるためである。
このようにして、図５に示す送信フィルタ２３と、図６に示す受信フィルタ２４とを用意する。なお、図２〜図６は、個々の送信フィルタ２３及び受信フィルタ２４の製造方法を示したが、実際には、第１、第２の圧電基板３、５となる大面積の圧電ウェハ上において上記各工程を実施し、その後ダイシングにより多数の受信フィルタ２３及び送信フィルタ２４を形成している。
次に、図７に示すように、送信フィルタ２３と受信フィルタ２４とを一対とし、送信フィルタの上面（即ち、蓋体１３の上面）と受信フィルタ（即ち、無機絶縁膜１６の上面）の上面がキャリアフィルム２５に接着するように、マトリックス状に仮着する。キャリアフィルム２５としては、表面にポリオレフィンエポキシ樹脂などの適宜の樹脂からなる基板、あるいはアルミナなどのセラミックスからなる基板を用いることができる。上記キャリアフィルム２５上に、仮着性接合剤層を形成した後に、上記送信フィルタ２３及び受信フィルタ２４を当接し、仮着する。この仮着性接合剤としては、特に限定されないが、本実施の形態１では、アルコール溶解性ワックス層を形成する。
次に、図８に示すように、送信フィルタ２３及び受信フィルタ２４の少なくとも下面（即ち、第１の圧電基板３と第２の圧電基板５の下面）を覆うように、封止部材６を形成する。封止部材６は、本実施の形態１では、キャリアフィルム２５上においてエポキシ樹脂組成物を印刷することにより形成する。すなわち、送信フィルタ２３と、受信フィルタ２４とからなる一対のフィルタを各々の下面側から被覆するように封止部材６を形成する。ここでは、送信フィルタ２３及び受信フィルタ２４の下面だけでなく、各々の側面をも覆うように形成する。
尚、本発明においては、封止部材６は、送信フィルタ２３及び受信フィルタ２４の少なくとも下面（即ち、第１の圧電基板３と第２の圧電基板５の下面）を覆うように被覆されればよい。ただ、本実施の形態１のように封止部材６は、送信フィルタ２３及び受信フィルタ２４の下面だけでなく、全側面をも覆うように形成されることで、弾性波フィルタ部品１の耐湿性及び耐機械衝撃性を高めることができる。
さらに、図９に示すように、弾性波フィルタ部品１の下面側から、封止部材６を研磨することが望ましい。その結果、図に示すように、第１、第２の圧電基板３、５の上面と、第２の絶縁体層１４の下面とが面一となる。この研磨により、弾性波フィルタ部品１を低背化させることができると共に、弾性波フィルタ部品１内において、第１の圧電基板３の下方における封止部材６の下面を含む平面と第２の圧電基板５の下方における封止部材６の下面を含む平面との距離は、第１の圧電基板３の下面を含む平面と第２の圧電基板５の下面を含む平面との距離よりも小さくなる。この構成により、弾性波フィルタ部品１の下面からの弾性波フィルタ部品１の取り扱いが容易となる。
次に、図１０に示すように、キャリアフィルム２５をはがし、さらに、送信フィルタ２３及び受信フィルタ２４の上面を覆うように、誘電体層１７を形成する。このとき、送信フィルタ２３の内部電極１１の上方において開口部２６を設け、受信フィルタ２４の内部電極１５の上方において開口部２７を設ける。誘電体層１７は、本実施の形態１では、スピンコートにより感光性エポキシ樹脂組成物を塗布し、露光・現像・硬化することにより形成する。この開口部２６、２７は、下方の蓋体１３の開口部２１および無機絶縁膜１６の開口部２２にそれぞれ重なり合うように形成されている。従って、開口部２６、２７において、下方の内部電極１１、１５の上面の少なくとも一部が露出されている。
次に、誘電体層１７の上面の全面に、銅膜及びチタン膜をスパッタリングにより成膜する。この銅膜及びチタン膜の厚みは、銅膜については０．１〜０．５μｍ程度、チタン膜については０．０１〜０．１μｍ程度とすればよい。
次に、図１１に示すように、上記銅／チタン積層膜を給電膜として、開口部２６、２７に対し電解メッキ処理を行うことにより、上記開口部２６に第１の柱状配線電極７（側壁１２の貫通孔部）と接続電極１８（誘電体層１７の貫通孔部）を充填すると共に、開口部２７に第２の柱状配線電極９（無機絶縁膜１６の貫通孔部）と接続電極１８（誘電体層１７の貫通孔部）を充填する。この電解メッキの金属材料としては、例えば銅が用いられる。
本実施の形態１の製造工程のように、第１のフィルタの上面と第２のフィルタの上面との段差を第１の圧電基板３の下面と第２の圧電基板５の下面の段差ｃと比較して平坦化させている。これにより、第１の柱状配線電極７の高さと第２の柱状配線電極９の高さの差が第１の圧電基板３の上面と第２の圧電基板５の上面の差ｄの程度となる。即ち、電界メッキ処理において、厚いほうの第１の圧電基板の上方の開口部からメッキ金属の突出を抑制し、このメッキ金属の研削にかかる工程を削減することができる。そもそも、従来と比較して第２の柱状配線電極９の高さを抑制でき、電界メッキ処理工程を短縮することが可能となる。
なお、図１１では、上記メッキ金属の形成に先立ち形成された銅／チタン膜の図示を省略している。
次に、図１２に示すように、誘電体層１７上に、第１の柱状配線電極７に電気的に接続される第１の外部接続用端子８と、第２の柱状配線電極９に電気的に接続される第２の外部接続用端子１０とを形成する。この第１、第２の外部接続用端子８、１０とともに、誘電体層１７上に図示されていない配線層も同一工程で形成する。このような第１、第２の外部接続用端子８、１０及び配線層は、適宜の金属材料を成膜し、パターニングすることにより形成することができる。あるいは、適宜の金属材料をマスク等を用いて印刷することにより形成してもよい。本実施の形態１では、第１、第２の外部接続用端子８、１０及び配線層が形成される部分が開口しているレジストパターンを形成した後に、蒸着により金属膜を成膜し、しかる後、電解メッキ処理により、蒸着膜上に、銅膜、ニッケル膜、金膜、若しくはこれらの積層膜等の金属膜を蒸着することにより、上記第１、第２の外部接続用端子８、１０及び配線層が形成される。さらに、上記レジストパターンを剥離することにより、図１３に示す構造が得られる。なお、上記配線層として、第１のＩＤＴ電極に電気的に接続されるインダクタ導体、または第２のＩＤＴ電極に電気的に接続されるインダクタ導体をこの工程において形成してもよい。これにより、弾性波フィルタ部品１は、内蔵されたインダクタ導体のインダクタンス成分を利用することで、インダクタ部品を外付けした場合に比べて、特性のばらつきを小さくすることができる。
次に、誘電体層１７上および外部接続用端子８、１０上の少なくとも一部を覆うように上層保護膜１９を形成し、外部接続用端子８、１０が基板実装される部分（図示せず）を露出させる。本実施の形態１では、スピンコートにより感光性エポキシ樹脂組成物を塗布し、露光・現像・硬化することにより形成する。
その後、図１４に示すように、外部接続用バンプ２０を、半田ペーストをメタルマスクを用いて印刷し、リフロー加熱及びフラックス洗浄することにより形成する。
次に、誘電体層１７を個々のデュプレクサ単位にダイシングすることにより、図１に示す弾性波フィルタ部品を得ることができる。
以上、第１の圧電基板３を弾性表面波基板として説明し、第２の圧電基板５を弾性境界波基板として説明したが、これに限らない。例えば、第１、第２の圧電基板３、５の両方が弾性表面波基板、或は弾性境界波基板でも良い。
また、第１のフィルタを送信フィルタ２３とし、第２のフィルタを受信フィルタ２４として説明したが、これに限らない。上記第１のフィルタが受信フィルタで、第２のフィルタが送信フィルタでも良く、さらにまた、第１のフィルタと第２のフィルタの両方が受信フィルタ、或は送信フィルタであっても良い。
さらにまた、第１の機能基板を弾性表面波基板である第１の圧電基板３として説明し、第２の機能基板を弾性境界波基板である第２の圧電基板５として説明したが、これら第１、第２の機能基板はこれに限るものではない。例えば、第１の機能基板または第２の機能基板が半導体素子でも構わない。また、相対的に厚い第１の機能基板を上面にＩＤＴ電極を備えた圧電基板と、この圧電基板の下面に貼合されたサファイア基板等の支持基板からなる複合基板で構成しても良い。
尚、本実施の形態１の弾性波フィルタ部品１を、この弾性波フィルタ部品１と、弾性波フィルタ部品１に接続された半導体集積回路素子(図示せず)と、半導体集積回路素子（図示せず）に接続された再生装置とを備えた電子機器に適用しても良い。
本発明の弾性波フィルタ部品は、弾性波フィルタ部品の製造工程を簡易化するという効果を有し、移動体通信機器などの電子機器に適用可能なものである。
１ 弾性波フィルタ部品
２ 第１のＩＤＴ電極
３ 第１の圧電基板
４ 第２のＩＤＴ電極
５ 第２の圧電基板
６ 封止部材
７ 第１の柱状配線電極
８ 第１の外部接続用端子
９ 第２の柱状配線電極
１０ 第２の外部接続用端子

Claims (7)

  1. 上面に第１のＩＤＴ電極が設けられた第１の圧電基板と、
    前記第１の圧電基板の側面に側面が対向するように配置されると共に、上面に第２のＩＤＴ電極が設けられた第２の圧電基板と、
    少なくとも前記第１の圧電基板の下面と前記第２の圧電基板の下面とを覆うように形成された封止部材とを備えた弾性波フィルタ部品であって、
    前記第１の圧電基板の上に形成されると共に前記第１のＩＤＴ電極に電気的に接続された第１の柱状配線電極と、
    前記第１の柱状配線電極に電気的に接続された第１の外部接続用端子と、
    前記第２の圧電基板の上に形成されると共に前記第２のＩＤＴ電極に電気的に接続された第２の柱状配線電極と、
    前記第２の柱状配線電極に電気的に接続された第２の外部接続用端子とを備え、
    前記第１の圧電基板の厚みは、前記第２の圧電基板の厚みよりも厚く、
    前記弾性波フィルタ部品内において、前記第１の圧電基板の上面を含む平面と前記第２の圧電基板の上面を含む平面との距離は、前記第１の圧電基板の下面を含む平面と前記第２の圧電基板の下面を含む平面との距離よりも小さい弾性波フィルタ部品。
  2. 前記第１の柱状配線電極の高さと前記第２の柱状配線電極の高さとの差が前記第１の圧電基板の下面を含む平面と前記第２の圧電基板の下面を含む平面との距離より小さい請求項１に記載の弾性波フィルタ部品。
  3. 前記弾性波フィルタ部品内において、前記第１の圧電基板の下方における前記封止部材の下面を含む平面と前記第２の圧電基板の下方における前記封止部材の下面を含む平面との距離は、前記第１の圧電基板の下面を含む平面と前記第２の圧電基板の下面を含む平面との距離よりも小さい請求項１に記載の弾性波フィルタ部品。
  4. 前記第１の圧電基板の下方における前記封止部材の下面と前記第１の圧電基板の下面との距離は、前記第２の圧電基板の下方における前記封止部材の下面と前記第２の圧電基板の下面との距離より小さい請求項１に記載の弾性波フィルタ部品。
  5. 前記第１の圧電基板によって構成される第１のフィルタの通過帯域は、前記第２の圧電基板によって構成される第２のフィルタの通過帯域より低い請求項１に記載の弾性波フィルタ部品。
  6. 前記第１の機能基板は、第１の圧電基板と、前記第１の圧電基板の下面に形成された支持基板とからなり、
    前記第２の機能基板は、第２の圧電基板からなる請求項１に記載の弾性波フィルタ部品。
  7. 上面に第１の機能回路が設けられた第１の機能基板と、
    前記第１の機能基板の側面に側面が対向するように配置されると共に、上面に第２の機能回路が設けられた第２の機能基板と、
    少なくとも前記第１の機能基板の下面と前記第２の機能基板の下面とを覆うように形成された封止部材とを備えた弾性波フィルタ部品であって、
    前記第１の機能基板の上に形成されると共に前記第１の機能回路に電気的に接続された第１の柱状配線電極と、
    前記第１の柱状配線電極に電気的に接続された第１の外部接続用端子と、
    前記第２の機能基板の上に形成されると共に前記第２の機能回路に電気的に接続された第２の柱状配線電極と、
    前記第２の柱状配線電極に電気的に接続された第２の外部接続用端子とを備え、
    前記第１の機能基板の厚みは、前記第２の機能基板の厚みよりも厚く、
    前記弾性波フィルタ部品内において、前記第１の機能基板の上面を含む平面と前記第２の機能基板の上面を含む平面との距離は、前記第１の機能基板の下面を含む平面と前記第２の機能基板の下面を含む平面との距離よりも小さい弾性波フィルタ部品。
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