WO2022065138A1 - 弾性波デバイスおよび弾性波モジュール - Google Patents

Abstract

弾性波デバイス（２）は、弾性波素子基板（１２）と、弾性波素子基板（１２）の第１面（１２ａ）に形成された、フィルタ電極（１４ａ，１４ｂ）と、弾性波素子基板の第２面（１２ｂ）を被覆するように形成された第１絶縁体層（３３）と、弾性波素子基板（１２）との間に第１絶縁体層（３３）を挟むように第１絶縁体層（３３）に積層された第２絶縁体層（３４）とを備える。各層における弾性波の伝播速度と密度との積に所定の関係を持たせる。このような構成とすることによって、バルク波がフィルタ特性に及ぼす悪影響が軽減された弾性波デバイスを提供することができる。

Description

弾性波デバイスおよび弾性波モジュール

　本開示は、弾性波デバイスおよび弾性波デバイスを含む弾性波モジュールに関する。

　特開２０１４－２１６９７１号公報（特許文献１）には、アイソレーション特性を向上させるとともに、小型化することができる弾性波デバイスの構成が開示されている。

特開２０１４－２１６９７１号公報

　近年、弾性波デバイスを用いる弾性波モジュールでは、高集積化のために低背化要求が厳しくなっている。このために、弾性波素子基板の薄化が必要とされる。

　図１２は、弾性波素子基板の薄化に対する問題点を説明するための図である。
　特開２０１４－２１６９７１号（特許文献１）の構成においては、弾性波デバイスが封止樹脂によってモジュール基板上に固定されている。しかし、弾性波素子の基板を薄くした場合、基板内を伝わり樹脂に接している弾性波素子基板５１２の裏面で反射するバルク波Ｗ１２の影響が無視できなくなり、弾性波素子のフィルタ特性が劣化する。具体的には、弾性波素子フィルタのリップルまたはスプリアスの原因となる。このため、不要波の影響による特性劣化によって、素子基板の薄化の要求に対応できない状況が起こっている。

　また、高集積化策として、弾性波素子基板５１２と他の弾性波素子基板５３８とを積層する構造の採用が検討されており、その際の高さ抑制のため弾性波素子基板厚を極力薄くする必要がある。しかし、同様に弾性波素子基板５３８側のバルク波の影響のため、このような積層構造の要求に対応できない。

　本開示は、上記のような課題を解決するためになされたものであって、その目的は、特性の劣化を抑えつつ弾性波素子基板の薄化が可能な弾性波デバイスおよびそれを備える弾性波モジュールを提供することである。

　本開示は、所定の通過帯域を有する弾性波デバイスに関する。弾性波デバイスは、弾性波素子基板と、弾性波素子基板の第１面に形成された、通過帯域の弾性波を通過させる櫛歯状のフィルタ電極と、弾性波素子基板の第２面を被覆するように形成された第１絶縁体層と、弾性波素子基板との間に第１絶縁体層を挟むように第１絶縁体層に積層された第２絶縁体層とを備える。弾性波素子基板中、第１絶縁体層中、第２絶縁体層中の通過帯域の弾性波の伝播速度をそれぞれＶ０、Ｖ１、Ｖ２とし、弾性波素子基板、第１絶縁体層、第２絶縁体層の密度をそれぞれρ０、ρ１、ρ２とするとき、Ｖ０×ρ０＞Ｖ１×ρ１＞Ｖ２×ρ２である。

　本開示による弾性波デバイスおよび弾性波モジュールによれば、弾性波素子基板を薄化しても不要波の弾性波素子基板裏面からの反射による特性劣化を抑えることが可能なので、良好な特性を有する低背な積層構造体を提供できる。

本実施の形態の弾性波デバイスを備える弾性波モジュールの断面図である。 弾性波モジュールの製造方法を説明するための第１の断面図である。 弾性波モジュールの製造方法を説明するための第２の断面図である。 弾性波モジュールの製造方法を説明するための第３の断面図である。 弾性波モジュールの製造方法を説明するための第４の断面図である。 弾性波モジュールの製造方法を説明するための第５の断面図である。 弾性波モジュールの製造方法を説明するための第６の断面図である。 弾性波モジュールの製造方法を説明するための第７の断面図である。 第１変形例の弾性波モジュール１Ａの構成を示す断面図である。 第２変形例の弾性波モジュール１Ｂの構成を示す断面図である。 バルク波の反射と減衰について説明するための概略図である。 弾性波素子基板の薄化に対する問題点を説明するための図である。

　以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。

　図１は、本実施の形態の弾性波デバイスを備える弾性波モジュールの断面図である。図１を参照して、弾性波モジュール１は、弾性波デバイス２と、電子デバイス３とを備える。弾性波モジュール１は、弾性波デバイス２と電子デバイス３とが、封止樹脂４０によって封止され一体化されたモジュールである。電子デバイス３は、たとえば、弾性波デバイス２と同様な弾性波デバイスであっても良いし、他の電子デバイスであっても良い。

　弾性波デバイス２は、所定の通過帯域ＢＷを有する表面弾性波を利用するフィルタ素子を含む。弾性波デバイス２は、弾性波素子基板１２と、弾性波素子基板１２の第１面１２ａに形成された、通過帯域の弾性波を通過させる櫛歯状のフィルタ電極１４ａ，１４ｂと、弾性波素子基板の第２面１２ｂを被覆するように形成された第１絶縁体層３３と、弾性波素子基板１２との間に第１絶縁体層３３を挟むように第１絶縁体層３３に積層された第２絶縁体層３４とを備える。

　通常、弾性波素子基板１２の厚さを薄くすると、弾性波素子基板１２の裏面で反射する不要波（バルク波）の影響が大きくなり、弾性波フィルタ特性面ではリップルおよびスプリアスが増大して特性が劣化する。この対策として、本実施の形態に係る弾性波デバイス２では、第２絶縁体層３４と弾性波素子基板の第２面１２ｂとの間に第１絶縁体層３３を配置する。

　弾性波素子基板１２中、第１絶縁体層３３中、第２絶縁体層３４中の通過帯域ＢＷの弾性波の伝播速度をそれぞれＶ０、Ｖ１、Ｖ２とし、弾性波素子基板１２、第１絶縁体層３３、第２絶縁体層３４の密度をそれぞれρ０、ρ１、ρ２とする。本実施の形態では、Ｖ０×ρ０＞Ｖ１×ρ１＞Ｖ２×ρ２であるように、第１絶縁体層３３、第２絶縁体層３４の材質が選択されている。

　このような構成とすることによって、「弾性波素子基板１２と第１絶縁体層３３との界面で反射して弾性波素子基板１２内へ伝達するバルク波成分」に対する「弾性波素子基板１２→第１絶縁体層３３→第２絶縁体層３４と伝達するバルク波成分」の比を高めることができる。すなわち、弾性波素子基板１２内へ反射する不要波（バルク波）成分が減るため、フィルタ特性劣化を抑えることができる。

　本構成によって、弾性波素子基板１２を薄化しながら、通常よりバルク波の影響による特性劣化を抑えることができる。すなわち、不要波によるリップルおよびスプリアスを抑制することができる。したがって、低背化と良好な弾性波フィルタ特性とを両立する弾性波デバイスが提供できる。

　好ましくは、第１絶縁体層３３の弾性率および第２絶縁体層３４の弾性率のいずれも、弾性波素子基板１２の弾性率よりも小さいように、第１絶縁体層３３および第２絶縁体層３４の材質が選択される。

　弾性波素子基板１２から第１絶縁体層３３および第２絶縁体層３４に進んだバルク波は、弾性波素子基板１２中を伝播する場合に比べると、第１絶縁体層３３および第２絶縁体層３４中を伝播する場合の方が減衰率が大きい。このため、再度弾性波素子基板１２に戻るバルク波成分は、界面で反射する直前のバルク波成分よりも減衰しているため、弾性波デバイスの特性劣化を抑えることに有利である。

　好ましくは、弾性波素子基板１２の第２面１２ｂの表面粗さＲＳｍは、通過帯域ＢＷの弾性波の波長よりも小さい（短い）。このように、第２面１２ｂの表面粗さＲＳｍを、通過帯域の弾性波の波長よりも小さく（短く）することによって、弾性波素子基板１２と第１絶縁体層３３との境界部でバルク波を散乱させることができる。これによっても、特性劣化につながるバルク波の成分を減少させることができる。

　本実施の形態では、上記のように構成した、弾性波素子基板１２を薄化した弾性波デバイス２と他の電子デバイス３とを積層した構造を備える弾性波モジュール１の製造方法について、図１～図８を用いて説明する。

　図２から図８は、弾性波モジュール１の製造方法を説明するための断面図である。
　まず、図２に示すように、弾性波素子基板１２（ＬＴ：ＬｉＴａＯ_３、ＬＮ：ＬｉＮｂＯ_３など）上に、弾性波の励振電極（表面波素子なら櫛歯状のフィルタ電極（ＩＤＴ）１４ａ，１４ｂ）および配線１５などを含む導電パターンとなる部分に第１の配線層を形成する。すなわち、弾性波素子基板１２上に、フォトリソグラフィー技術を用いて、導電パターンを形成したい部分を開口したリフトオフ用レジストパターンを形成する。次いで、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とした金属を蒸着成膜する。次に、剥離液に浸漬させ、弾性波素子基板１２を揺動させて、レジストパターンを剥離（リフトオフ）することで、第１の配線層を形成する。

　なお、配線１５は二層配線であっても良い、二層配線の場合には、パッド電極および引き回し配線部など、配線抵抗を下げるために金属膜を形成したい部分を開口したレジストパターンを形成し、続いて金属膜を蒸着し、続いてリフトオフすることで、第２の配線層を形成する。このときの金属膜として、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）の単層金属膜、または、これらの少なくとも２つ以上を多層構造とする金属膜を使用することができる。第２の配線層の表面層は、メッキする場合には、メッキ性の良好なＣｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔなどが好ましい。

　次に、図３に示すように、保護膜２１と、支持層２０と、カバー層２２とを形成する。すなわち、支持層２０は、感光性ポリイミドを塗布し、露光および現像を行なうことにより、ＩＤＴ１４ａ，１４ｂを配置した領域と配線１５の一部の領域部分が開口したポリイミドパターンを形成する。パターン形成後、加熱することでポリイミドを硬化させ、続いて酸素プラズマによりＩＤＴ１４ａ，１４ｂに付着する有機物を除去する。ここで、形成された開口部は、ＩＤＴ１４ａ，１４ｂの封止空間１３ａ，１３ｂおよび後で導体２３が埋設される貫通孔として用いられる。

　ポリイミドの替わりに、アウトガスやハロゲンが十分に少なく、かつ、耐熱性や強度があるものであればよい。たとえば、ベンゾシクロブテン、シリコーンなどが、挙げられる。

　次に、カバー層２２を形成する。カバー層２２は、樹脂であるが、一例としてポリイミドフィルムを用いることができる。ポリイミドフィルム表面には接着層として、熱可塑性のポリイミド系樹脂を形成しておく。このフィルムを１００℃に加熱したローラーでロールラミネー卜して支持層２０と加熱接着させる。これにより、ＩＤＴ１４ａ，１４ｂの周囲の封止空間１３ａ，１３ｂを一次封止する。

　さらに、弾性波フィルタの信号を取り出すための導体２３を形成、外部端子形成、ダイシングによる個片化を行ない、弾性波デバイス２の基本部分であるフィルタ素子を作製する。（図３）
　次に図４に示すように、フィルタ素子を、フェースダウンで粘着層３０上に並べ、後にフィルタ素子を封止する封止樹脂の表裏面を電気的につなぐための貫通電極３２を形成する。そして、フィルタ素子と貫通電極３２を封止樹脂３１で封止した後、弾性波素子基板１２の裏面側（図４では上側）から研削する。

　さらに研削面である弾性波素子基板１２の第２面１２ｂ（裏面）が、ラップ加工によってナシ地状になるように加工される。そのときの表面粗さＲＳｍは、弾性波素子デバイスの通過帯域ＢＷの信号の波長よりも小さくするとよい。これによって、弾性波素子基板１２の第２面１２ｂ（裏面）に到達した不要波が散乱され、弾性波フィルタ特性に与える悪影響が抑制される。なお、表面粗さＲＳｍとしては、たとえば、ＪＩＳＢ０６０１：２０１３に定義されている、粗さ曲面要素の平均長さ（ＲＳｍ）を使用することができる。

　次に、図５に示すように、第１絶縁体層３３を、弾性波素子基板１２の第２面１２ｂ（裏面）側に形成し、さらに、第２絶縁体層３４を第１絶縁体層３３上に形成する。

　弾性波素子基板１２中、第１絶縁体層３３中、第２絶縁体層３４中の通過帯域のバルク波の伝播速度をそれぞれＶ０、Ｖ１、Ｖ２とし、弾性波素子基板１２、第１絶縁体層３３、第２絶縁体層３４の密度をそれぞれρ０、ρ１、ρ２とする。本実施の形態では、Ｖ０×ρ０＞Ｖ１×ρ１＞Ｖ２×ρ２であるように、第１絶縁体層３３、第２絶縁体層３４の材質が選択されている。

　第１絶縁体層３３および第２絶縁体層３４は、スピンコート、スプレーコート、スパッタリング、ＣＶＤ（Chemical　Vapor　Deposition）法、電子ビーム蒸着法、印刷法、プレス法、あるいはフィルムラミネート法などで形成することができる。

　以下に、弾性波素子基板１２、第１絶縁体層３３、第２絶縁体層３４の材料の組合せ例を挙げる。弾性波素子基板１２、第１絶縁体層３３、第２絶縁体層３４の材料をそれぞれＡ，Ｂ，Ｃとすると（Ａ，Ｂ，Ｃ）は、（ＬＴ基板，ＳＯＧ膜，エポキシ系封止材）とすることができる。

　また、同じフィラーを含む場合では、（Ａ，Ｂ，Ｃ）は、（ＬＴ基板，フィラー含有体積率９０％のエポキシ樹脂，フィラー含有体積率７０％のエポキシ樹脂）とすることができる。

　また、フィラーの含有率が同じ（または同程度の）場合、（Ａ，Ｂ，Ｃ）は、（ＬＴ基板，アルミナのフィラー含有エポキシ樹脂，シリカのフィラー含有エポキシ樹脂）とすることができる。

　他の例として、（Ａ，Ｂ，Ｃ）として、（ＬＴ基板，フィラー含有したエポキシ系封止材，ポリイミド）の組合せ、または、（ＬＴ基板，シリコン酸化膜，樹脂（フェノール樹脂，オレフィン系樹脂，ポリベンゾオキサゾールのいずれか））の組合せ等を採用しても良い。

　また、第１絶縁体層３３、第２絶縁体層３４は、弾性率がＬＴ基板よりも小さい材料を選択しておくとよい。これによって、第１絶縁体層３３、第２絶縁体層３４を伝播する際に不要波が減衰するため、再び弾性波素子基板１２内に不要波が戻ったとしても、弾性波デバイスの特性に与える影響は小さくできる。

　また、第１絶縁体層３３、第２絶縁体層３４の各々の厚さは、１～２０μｍ程度であるとよい。これは、各層の厚さが１μｍ以下では不要波減衰の効果が表れにくい一方で、２０μｍ以上の厚さにすると弾性波素子基板１２の厚さを薄くするメリットが消えてしまうからである。

　さらに図５に示されるように、レーザにより第１絶縁体層３３、第２絶縁体層３４に、貫通電極３２と配線を接続できるよう開口部３５を形成する。さらに、デスミア処理、プラズマ処理などを行ない、レーザ加工残渣を除去する。

　次に、図６に示されるように、第２絶縁体層３４上に配線層およびはんだ接続するための実装パッドとなる金属層３６を形成する。具体的には、電解メッキ、もしくは、無電解メッキにより、開口部３５を接続部材で充填し、第２絶縁体層３４上に、金属層３６を形成する。たとえば、配線および実装パッドを形成したい部分が開口したレジストパターンを形成し、続いて金属膜を蒸着し、続いてリフトオフによりレジストとともに不要部の金属膜を除去することで、所望のパターンの金属配線および実装パッドが形成される。そして、実装パッド部分が開口した保護膜３７を形成し、弾性波デバイス２が形成されたウエハが完成する。

　この段階では、既に弾性波素子基板１２の第２面１２ｂに、第１絶縁体層３３および第２絶縁体層３４が形成されている。したがって、その後、別の製造者に弾性波デバイス２が供給され、電子デバイス３と積層される場合であっても、不要波が減衰する構造が確定している。本実施の形態に係る弾性波デバイス２は、別の製造者が封止する材料の材質に関わらず、バルク波による特性劣化が抑制される。

　次に、図７に示すように、積層する電子デバイス３を、金属層３６の一部である実装パッドに実装する。なお、積層する電子デバイス３は、弾性波フィルタ以外の電子部品でもよい。たとえば、電子デバイス３は、高周波スイッチ、ＬＮＡ（Low　Noise　Amplifire)、ＩＰＤ（Integrated　Passive　Device)、アンテナデバイス、センサー素子などでもよい。

　さらに、封止樹脂４０で弾性波素子基板３８を覆う。積層する電子デバイス３が弾性波フィルタ素子である場合には、弾性波励振空間を保つように圧力を調整しながら封止処理を行なう。

　次に、図８に示すように、積層する弾性波素子基板３８と封止樹脂４０を研削することで薄化する。ここで、以下は上下反転させて膜の形成等が行なわれるが、説明の簡単のため図８の向きをこのままとして説明を続ける。したがって、以下の説明において、「上」は図８の「下」を指す場合がある。さらに、カバー層２２上に金属膜１６を形成する。すなわち、カバー層２２上に、金属膜１６を形成したい部分が開口したレジストパターンを形成し、蒸着法によりＡｕを０．１μｍの厚さで成膜し、続いてリフトオフによりレジストとともに不要部の金属膜を除去することで、所望のパターンの金属膜１６を形成する。

　次に、弾性波デバイス２の第１面１２ａ（機能部配置面）側に配線層１７、半田形成用パッドとなる金属１８を形成する（図８）。

　より詳細には、まず、カバー層２２上に金属膜１６を形成する。すなわち、カバー層２２上に、金属膜１６を形成したい部分が開口したレジストパターンを形成し、蒸着法によりＡｕを０．１μｍの厚さで成膜し、続いてリフトオフによりレジストとともに不要部の金属膜を除去することで、所望のパターンの金属膜１６を形成する。

　次に、金属膜１６の上には、配線層１７が配置される。金属膜１６のパターンは、配線層１７のパターンと略一致する。このときに、封止空間１３ａ，１３ｂ上に意識的に多くの金属膜１６のパターンを形成する。そうすると、封止空間１３ａ，１３ｂの補強に効果的である。これにより、封止空間１３ａ，１３ｂの上部のカバー層２２の強度が向上する。

　具体的には、電解メッキ、もしくは、無電解メッキ等によりカバー層２２上の金属膜１６に、厚さ２０μｍのＮｉ膜を形成する。このＮｉ膜が配線層１７となる。配線層１７の形成によって、ビアホールが充填されるとともに、貫通電極３２とパッド部分とを接続する配線が形成される。

　次に、外郭樹脂４１を形成する。たとえば、外郭樹脂４１として、フィルムタイプのエポキシ系樹脂、または、液状タイプのものを印刷により形成したエポキシ系樹脂を使用することができる。また、エポキシ系樹脂の替わりに、ベンゾシクロブテン樹脂、シリコーン系樹脂、または、いわゆるスピンオングラス（ＳＯＧ）などの絶縁材でもよい。次いで、外郭樹脂４１を硬化する。このとき、オーブンを用いて２４０℃で硬化する。

　次に、外郭樹脂４１にレーザによって貫通孔（ビアホール）を形成し、ビアホールの内部に電解メッキによって金属１８を充填する。このとき、外郭樹脂４１に感光性材料の絶縁材を用い、フォトリソグラフィー技術を用いてビア加工を行なってもよい。あるいは、ドライエッチングでビア加工を行なってもよい。

　次に、図１に示すように、金属１８の上にアンダーバンプメタル層１９ａを形成する。そして、アンダーバンプメタル層１９ａの上に、さらにはんだペーストをメタルマスク印刷し、加熱することにより、はんだバンプの外部端子１９を形成する。

　次に、封止樹脂４０および外郭樹脂４１をダイシングによって切断して、１個ずつのチップに個片化することにより、図１に示した積層構造の弾性波モジュール１が完成する。

　このようにして製造された本実施の形態に係る弾性波デバイス２および弾性波モジュール１は、弾性波素子基板１２を薄化しても不要波（バルク波）の弾性波素子基板１２の第２面１２ｂ（裏面）からの反射による特性劣化（リップルおよびスプリアス）を抑えることが可能である。したがって、良好な特性を有する低背な弾性波フィルタの積層構造体が実現できる。

　（第１変形例）
　図９は、第１変形例の弾性波モジュール１Ａの構成を示す断面図である。図１～図８では、弾性波素子基板１２の第２面１２ｂ側（裏面側）にもう一方の電子デバイス３を形成したが、図９のように弾性波素子基板１２の第１面１２ａ側（機能部面側）に積層してもよい。

　すなわち、図９に示すように、弾性波素子基板１２の第２面１２ｂ側に、第１絶縁体層３３または第２絶縁体層３４を介在させて形成された配線層１７をさらに備える。

　このとき、弾性波素子基板１２の第２面１２ｂ側（裏面側）から垂直視したとき、配線層１７の少なくとも一部または全部が弾性波素子基板１２に重なるように配置するとよい。これによって、第１絶縁体層３３および第２絶縁体層３４に伝搬した不要波は、さらに散乱されて減衰する。

　（第２変形例）
　図１０は、第２変形例の弾性波モジュール１Ｂの構成を示す断面図である。図１０に示す弾性波モジュール１Ｂは、モジュール基板１００と、モジュール基板１００上に配置された弾性波デバイス２Ｂ、電子デバイス３Ｂ－１および電子デバイス３Ｂ－２とを備える。弾性波デバイス２Ｂの裏面には、第１絶縁体層３３Ｂが形成されている。モジュール基板１００上に弾性波デバイス２Ｂ、電子デバイス３Ｂ－１および電子デバイス３Ｂ－２を実装した後に、封止樹脂３４Ｂで封止して弾性波モジュール１Ｂが完成する。

　弾性波デバイス２Ｂの素子基板中、第１絶縁体層３３Ｂ中、封止樹脂３４Ｂ中の通過帯域のバルク波の伝播速度をそれぞれＶ０、Ｖ１、Ｖ２とし、弾性波デバイス２Ｂの素子基板中、第１絶縁体層３３Ｂ中、封止樹脂３４Ｂの密度をそれぞれρ０、ρ１、ρ２とする。第２変形例においても、Ｖ０×ρ０＞Ｖ１×ρ１＞Ｖ２×ρ２であるように、第１絶縁体層３３Ｂ、封止樹脂３４Ｂの材質が選択されている。

　すなわち、図１０に示すように、弾性波デバイス２Ｂの基板の裏面に、Ｖ０×ρ０＞Ｖ１×ρ１を満たす第１絶縁体層３３Ｂを形成した段階の弾性波デバイス２Ｂを用意する。そして、Ｖ０×ρ０＞Ｖ１×ρ１＞Ｖ２×ρ２を満たす材料である封止樹脂３４Ｂで弾性波デバイス２Ｂをモジュール基板１００上にモールドし、弾性波モジュール１Ｂに組立てたような場合でも同様な効果が得られる。
（まとめ）
　以上説明した本実施の形態の弾性波デバイスおよび弾性波モジュールについて、再び図面を参照して総括する。

　本開示は、所定の通過帯域ＢＷを有する弾性波デバイス２に関する。図１に示す弾性波デバイス２は、弾性波素子基板１２と、弾性波素子基板１２の第１面１２ａに形成された、通過帯域ＢＷの弾性波を通過させる櫛歯状のフィルタ電極１４ａ，１４ｂと、弾性波素子基板の第２面１２ｂを被覆するように形成された第１絶縁体層３３と、弾性波素子基板１２との間に第１絶縁体層３３を挟むように第１絶縁体層３３に積層された第２絶縁体層３４とを備える。弾性波素子基板１２中、第１絶縁体層３３中、第２絶縁体層３４中の通過帯域の弾性波の伝播速度をそれぞれＶ０、Ｖ１、Ｖ２とし、弾性波素子基板、第１絶縁体層、第２絶縁体層の密度をそれぞれρ０、ρ１、ρ２とするとき、Ｖ０×ρ０＞Ｖ１×ρ１＞Ｖ２×ρ２である。

　図１１は、バルク波の反射と減衰について説明するための概略図である。
　このような材質の第１絶縁体層３３および第２絶縁体層３４を弾性波素子基板１２の第２面１２ｂ（裏面）に配置することによって、弾性波素子基板１２と第１絶縁体層３３との界面でバルク波Ｗ０が反射しにくくなる。そのため、反射波Ｗ２が弱まるので、弾性波デバイスの特性劣化が抑制される。また、絶縁体層中で減衰するため、絶縁体層に進んだバルク波Ｗ１が弾性波デバイスの特性に与える悪影響も軽減される。

　好ましくは、第１絶縁体層３３の弾性率および第２絶縁体層３４の弾性率のいずれも、弾性波素子基板１２の弾性率よりも小さい。このため、再度弾性波素子基板１２に戻るバルク波成分は、界面で反射する直前のバルク波成分よりも減衰しているため、弾性波デバイスの特性劣化を抑えることに有利である。

　好ましくは、弾性波素子基板１２の第２面１２ｂの表面粗さＲＳｍは、通過帯域ＢＷの弾性波の波長よりも小さい。このように、第２面１２ｂの表面粗さＲＳｍを、通過帯域の弾性波の波長よりも小さく（短く）することによって、弾性波素子基板１２と第１絶縁体層３３との境界部でバルク波を散乱させることができる。

　好ましくは、図９に示すように、弾性波素子基板１２の第２面１２ｂ側に、第１絶縁体層３３または第２絶縁体層３４を介在させて形成された配線層１７をさらに備える。これによって、第１絶縁体層３３および第２絶縁体層３４に伝搬した不要波は、さらに散乱されて減衰する。

　第１絶縁体層３３および第２絶縁体層３４は、以下の材質の組合せを使用することができる。

　好ましくは、第１絶縁体層３３および第２絶縁体層３４は、同じフィラーを含有したエポキシ樹脂層であり、第１絶縁体層３３のフィラーの含有率は、第２絶縁体層３４のフィラーの含有率よりも高い。この場合、より好ましくは、フィラーは、アルミナまたはシリカである。

　好ましくは、第１絶縁体層３３は、フィラーとしてアルミナを含有したエポキシ樹脂層であり、第２絶縁体層３４は、フィラーとしてシリカを含有したエポキシ樹脂層である。

　好ましくは、第１絶縁体層３３は、主成分としてガラスを含み、第２絶縁体層３４は、主成分としてエポキシ樹脂を含む。なお、上記において、「主成分」は「５０％より含有率が多い成分」を意味する。たとえば、第１絶縁体層３３として、ＳＯＧ（Spin-coating　On　Glass）膜を使用することができる。

　好ましくは、第１絶縁体層３３は、エポキシ樹脂を含み、第２絶縁体層３４は、ポリイミド樹脂を含む。

　本開示は、上記の弾性波デバイス２，２Ａを含む、弾性波モジュール１，１Ａにも関する。

　今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本開示の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

　１，１Ａ，１Ｂ　弾性波モジュール、２，２Ａ，２Ｂ　弾性波デバイス、３，３Ｂ－１，３Ｂ－２　電子デバイス、１２，３８，５１２，５３８　弾性波素子基板、１２ａ　第１面、１２ｂ　第２面、１３　封止空間、１４ａ，１４ｂ　フィルタ電極、１５　配線、１６　金属膜、１７　配線層、１８　金属、１９　外部端子、１９ａ　アンダーバンプメタル層、２０　支持層、２１，３７　保護膜、２２　カバー層、２３　導体、３０　粘着層、３１，４０，３４Ｂ　封止樹脂、３２　貫通電極、３３，３３Ｂ　第１絶縁体層、３４　第２絶縁体層、３５，５３　開口部、３６　金属層、４１　外郭樹脂。

Claims (10)

1. 　所定の通過帯域を有する弾性波デバイスであって、
   　弾性波素子基板と、
   　前記弾性波素子基板の第１面に形成された、前記通過帯域の弾性波を通過させる櫛歯状のフィルタ電極と、
   　前記弾性波素子基板の第２面を被覆するように形成された第１絶縁体層と、
   　前記弾性波素子基板との間に前記第１絶縁体層を挟むように前記第１絶縁体層に積層された第２絶縁体層とを備え、
   　前記弾性波素子基板中、前記第１絶縁体層中、前記第２絶縁体層中の前記通過帯域の弾性波の伝播速度をそれぞれＶ０、Ｖ１、Ｖ２とし、
   　前記弾性波素子基板、前記第１絶縁体層、前記第２絶縁体層の密度をそれぞれρ０、ρ１、ρ２とするとき、
   　Ｖ０×ρ０＞Ｖ１×ρ１＞Ｖ２×ρ２
   　である、弾性波デバイス。
2. 　前記第１絶縁体層の弾性率および前記第２絶縁体層の弾性率のいずれも、前記弾性波素子基板の弾性率よりも小さい、請求項１に記載の弾性波デバイス。
3. 　前記弾性波素子基板の前記第２面の表面粗さは、前記通過帯域の弾性波の波長よりも小さい、請求項１に記載の弾性波デバイス。
4. 　前記弾性波素子基板の前記第２面側に、前記第１絶縁体層または前記第２絶縁体層を介在させて形成された配線層をさらに備える、請求項１に記載の弾性波デバイス。
5. 　前記第１絶縁体層および前記第２絶縁体層は、フィラーを含有したエポキシ樹脂層であり、
   　前記第１絶縁体層の前記フィラーの含有率は、前記第２絶縁体層の前記フィラーの含有率よりも高い、請求項１に記載の弾性波デバイス。
6. 　前記フィラーは、アルミナまたはシリカである、請求項５に記載の弾性波デバイス。
7. 　前記第１絶縁体層は、フィラーとしてアルミナを含有したエポキシ樹脂層であり、
   　前記第２絶縁体層は、フィラーとしてシリカを含有したエポキシ樹脂層である、請求項１に記載の弾性波デバイス。
8. 　前記第１絶縁体層は、主成分としてガラスを含み、
   　前記第２絶縁体層は、主成分としてエポキシ樹脂を含む、請求項１に記載の弾性波デバイス。
9. 　前記第１絶縁体層は、エポキシ樹脂を含み、
   　前記第２絶縁体層は、ポリイミド樹脂を含む、請求項１に記載の弾性波デバイス。
10. 　請求項１～９のいずれか１項に記載の弾性波デバイスを含む、弾性波モジュール。

Images